成像设备及成像方法

专利名称：成像设备及成像方法
技术领域：
本发明涉及一种采用静电潜像载体(在下文称为″电照相感光体″，″感光体″或″光电导绝缘体″)的成像设备和成像方法，该载体具有包括电荷生成层和电荷传输层的光敏层，其中电荷生成层包括电荷生成有机材料。
背景技术：
近来，利用电照相的信息处理系统的开发是值得注意的。尤其是，其中利用光记录转化为数字信号的信息的光学打印机在打印质量和可靠性上已有显著提高。该数字记录技术不仅适用于打印机而且也适用于复印机，并且已经开发和使用了所称的数字复印机。利用常规的模拟记录技术和该数字记录技术的复印机具有各种信息处理功能，因此预计对这类复印机的需求将扩大。此外，随着个人计算机的普及和提高，产生彩色图像和文件的彩色数字打印机已迅速得以改进。
目前，作为用于电照相成像方法的电照相感光体，通常使用功能分离的多层感光体，该感光体具有直接位于或经中间层位于导电基底上的电荷生成层和其上的电荷传输层。此外，为了提高感光体的耐机械性或耐化学性，任选在感光体的表面上形成保护层。
关于这些功能分离的多层感光体，当曝光具有充电表面的感光体时，光通过电荷传输层，然后在电荷生成层的电荷生成材料中吸收。电荷生成材料通过吸收光生成电荷载流子。这样生成的电荷载流子注入到电荷传输层中。该电荷载流子沿着由电荷传输层上的电荷形成的电场传输以中和感光体的电荷。这样，在感光体的表面上形成静电潜像。为了给该功能分离的多层感光体赋予高敏感性，通常使用主要在近红外线到可见光区域具有吸收的电荷生成材料和在黄光到紫外光区域具有吸收的电荷传输材料的组合，该组合不能防止所吸收的光透射到电荷生成材料(即，几乎不导致写入光的掩蔽效应(过滤效应))。
作为可应用于数字记录方法中的写入光源，通常使用小的、廉价的且可靠的、发射约600到800nm波长的激光二极管(在下文称为″LD″)和发光二极管(在下文称为″LED″)。目前通常使用的LD所发射的光的波长为780到800nm(即近红外线区域)。LED通常发射740nm波长的光。
然而，近来，作为用于数字记录方法，例如DVD的光源，发射375到450nm波长的光(即，紫光到蓝光)的LD(短波长LD)和LED已经开发出来并已投入到市场。当将发射具有常规近红外LD的约半波长的光的LD用作激光扫描头的写入光源时， 理论上可能使感光体上的激光束的光点直径相当小，这可由下式加以理解d∝(π/4)(λf/D) (1)其中d表示在感光体上形成的激光的光点直径；λ表示激光的波长；f表示所使用的fθ透镜的焦距；且D表示透镜直径。因此，这些短波长LD对于提高图像记录密度(即，图像分辨率)很有用。
因此，发射具有375到450nm短波长的光的写入光源可利用光束斑(beam spot)辐射感光体，即，1,200dpi时利用斑点直径约30μm的光束斑或2,400dpi时利用斑点直径约15μm的光束斑。
成像设备需要生成具有更高质量的全色图像。就此目的而言，有两种观点，一种是形成清晰的且小的单点(one-dot)静电潜像，另一种是降低异常图像的形成。前者可以利用发射短-波长光的写入光源实现，但是后者还没有完全解决。感光体的高稳定化的静电特性被认为是最有效的方法。
尽管有各种方法解决上述问题，但是，为了解决上述两个问题，应降低由于静电疲劳引起的感光体性能的变化。具体而言，应该降低重复使用时其未辐射部分的电位降低和其辐射部分的残余电位的升高。
为了防止感光体的未辐射部分的电位降低和辐射部分的残余电位增加，已对用于感光体的材料和其涂层的配方进行研究。然而，感光体的静电疲劳不仅主要依据其层的配方而且还依据成像设备的成像条件。因此，研究材料和配方以开发一种适于目标成像设备的感光体是研究者和开发者的常规方法。换句话说，还没有针对适于发射短波长光的光源的感光体的配方，对感光体的静电疲劳进行研究。
因为这些原因，需要这样的成像设备和成像方法当其在装置中重复使用时能制造高耐久性和高清晰度的图像，同时防止感光体未辐射部分的电位降低和辐射部分的残余电位的增加。

发明内容
因此，本发明的目的是提供一种成像设备和成像方法，当其在装置内重复使用时，能制造高耐久性和高清晰度的图像，同时防止感光体未辐射部分的电位降低和辐射部分的残余电位的增加。
本发明的上述目的以及其它目的均已通过下述成像设备的发现得以单独实现或一起实现，该成像设备包括感光体，包括基底；和光敏层，包括叠置在基底上的中间层；叠置在中间层上的电荷生成层；和叠置在电荷生成层上的电荷传输层；充电器，设置为给感光体充电；辐照器，设置为辐射感光体以在其上形成静电潜像；图像显影装置，设置为利用调色剂使静电潜像显影以在感光体上形成调色剂图像；转印装置，设置为将调色剂图像转印到记录介质上；定影装置，设置为将调色剂图像定影到记录介质上；和放电装置，设置为利用光使感光体上的残余电位放电；其中中间层包括金属氧化物，电荷生成层包括电荷生成有机材料，且辐照器利用具有在中间层的金属氧化物中不吸收的短于450nm波长的光辐射感光体。
结合附图并考虑本发明优选实施方案的下面描述，本发明的这些和其它目的、特征和优点将变得显而易见。


当结合附图根据具体实施方式
部分更好地理解本发明时，将更全面地理解本发明的各种其它目的、特征和附带的优点，在这些附图中，相同的附图标记表示全部附图中相同的对应的部分，并且其中附图为图1是解释无机材料如何生成光载流子的示意图；图2是说明本发明的静电感光体的层组合的一个实施方案的横截面图；
图3是说明本发明的静电感光体的层组合的另一实施方案的横截面图；图4是说明本发明的静电感光体的层组合的又一个实施方案的横截面图；图5是示出当分散时间短时电荷生成材料在分散体中的分散状态的图片；图6是示出当分散时间长时电荷生成材料在分散体中的分散状态的图片；图7是示出图5和6中分散体的平均粒径和粒径分布的图表；图8是说明本发明成像设备的实施方案的示意图；图9是说明本发明的成像设备的另一个实施方案(串联型全色成像设备)的示意图；图10是说明用于本发明成像设备的处理盒(process cartridge)的示意图；图11是合成实施例1中制备的酞菁氧钛晶体的X-射线衍射光谱；图12是通过干燥合成实施例1中制备的湿糊状物获得的酞菁氧钛颜料的X-射线衍射光谱；图13是用于实施例1的测试图；图14是用于实施例20的测试图；和图15是用于实施例42的测试图。
具体实施例方式
本发明提供一种成像设备和成像方法，当在设备中重复使用时，能制造高耐久性和高清晰度的图像，同时防止感光体未辐射部分的电位的降低和辐射部分的残余电位的增加。
本发明人研究了在利用短波长的光重复照射后感光体的静电特性如何受到影响。具体而言，当对将经受静电疲劳的感光体进行重复充电和辐照时，改变用于辐照的光源的波长以评估感光体对波长的相关性。重要的是感光体的电荷传输层透射所有光并且电荷生成层吸收光。换句话说，感光体对所有的光均是完全光敏的。
作为静电疲劳的评估结果，其中以约100nm的间隔改变具有±10nm公差的波长，本发明人发现越过特定波长时的静电疲劳彼此完全不同。
具体而言，当仅用大于特定波长的波长实施静电疲劳时，辐射部分的残余电位大幅度增加，且未辐射部分的电位降低不大。当仅用短于特定波长的波长实施静电疲劳时，辐射部分的残余电位增加不大，且未辐射部分的电位降低较大。
本发明人还发现只有包括中间层的感光体才具有上述特性。本发明人还发现当形成中间层的材料改变时特定波长发生变化。还发现当辐射的光吸收到中间层内包括的金属氧化物中时，尤其是当光具有短于450nm的波长时，感光体具有上述特性。
即，当中间层中包括的金属氧化物吸收写入光且生成光载流子时，防止了感光体未辐射部分电位的降低和辐射部分残余电位的增加，且促进其未辐射部分电位的降低。
在近来的负性-正性(nega-posi)显影中，大多数图像具有10％或更少的单色图像凸出部分(propart)，且在特定位置具有相似图像的图像很少。因此，在假设感光体几乎均匀受到辐射的情况下对其进行设计。实际上，在长期运转测试中，其静电特性没有局部变差。
本发明的成像设备在制造全色图像时证明了其价值。全色图像甚至具有100％的图像凸出部分。此外，公式化的图像(formulaic image)，诸如在定影的地方具有标志(logo)的图像增加。因此，感光体具有常使用的区域和在其纵向方向上较少使用的区域。
通常，由于写入光和放电光不具有彼此接近的波长，并且中间层不生成光载流子，因此感光体高的图像凸出部分和高频率的局部使用对生成的图像影响不大。
然而，根据形成中间层的材料，吸收具有短于450nm的波长的写入光并生成光载流子。因此，辐射部分和未辐射部分具有彼此不同的疲劳程度。如上述，当生成大量公式化的图像时，感光体的静电特性依据各个部分改变。
当图像是单色时，该静电特性的变化对图像影响不大。当然，当未辐射部分的电位大大降低并且辐射部分的残余电位大大增加时，分别生成诸如背景污染和图像密度降低的异常图像。然而，具有更低图像密度的图像不容易辨别，除非生成黑色实地图像(solid image)。同时，静电特性的变化很大程度上影响具有很多半色调色彩的全色图像，诸如色彩失衡和色彩再现性变差。
因此，当使用具有短于450nm波长的写入光形成静电潜像时，要求该波长为不被中间层内的金属氧化物吸收的波长。
图1是解释如何由无机材料生成光载流子的示意图。通常，包括价带和导带的能带模型适用于无机材料。获得由光致激发导致并对应于带隙的能量的电子可在价带内自由移动。此外，在导带内电子直接离子化，由此生成自由载流子。即当电子获得大于带隙的能量时，自由载流子立即形成。因此，仅有小于带隙的能量是适用的。图1还示出了其中诱捕位置捕获电荷载流子的能带模型，这导致残余电位的增加。
实际上，感光体在辐射时充电，且中间层具有电场。此外，具有短于450nm波长的写入光基本上用于生成高质量图像。因此，选择中间层中的材料或选择波长。
将具有不被本发明的金属氧化物吸收的波长的写入光限定为具有小于金属氧化物的禁带带宽(能隙或带隙)的能量的波长。例如，金红石型二氧化钛具有3.0eV的能隙，其转换为波长约410nm。这是在金红石型二氧化钛中可吸收的最大波长，且该金红石型二氧化钛不吸收长于410nm的波长的光。因此，当将金红石型二氧化钛用在中间层时，该写入光源优选地发射具有短于450nm和长于410nm的波长的光。
当写入光具有405nm波长时，不能使用金红石型二氧化钛，而使用吸收短于该波长(更大能隙)的光的锐钛矿型二氧化钛(3.2eV390nm)或氧化锌(3.2eV387nm)，以便不在中间层内吸收。
本发明的具有短于450nm波长的写入光没有不短于450nm的波长。
测量能隙的方法主要包括3种方法。
一种是测量中间层的光谱反射率以确定具有更长波长的光的吸收端(absorption end)。这可采用市售的光谱吸收仪实施。在本发明的实施例中使用了该方法。该中间层吸收具有短于吸收端的波长的光。
第二种是测量中间层的光谱吸收和发射光谱，且在相同的图表上记录它们以确定其交点。这些可利用市售的光谱光度计和市售的荧光计测量。该中间层吸收具有短于交点的波长的光。
第三种是测量导带和价带的能级，且确定它们之间的差作为能隙。这需要专有的测量仪且不太常用。该能隙转换为波长，且中间层吸收具有短于该波长的光。
当使用具有不被中间层内的金属氧化物吸收的波长的写入光时，重复使用的感光体的静电特性之所以稳定的原因尚不清楚。然而，如下述考虑该原因。
当利用具有不被中间层的金属氧化物吸收的波长的写入光辐射重复使用的感光体时，所有光载流子均在感光体的电荷生成层中生成。正空穴光载流子注入到其电荷传输层中且电子光载流子注入到中间层，并传输到该表面或其导电基底上以消去表面电荷或在基底上感生的电荷。由于电子传输慢于正空穴传输，所以电子略聚集在中间层。此外，电子不完全从电荷生成层注入到中间层中，且电子聚集在电荷生成层和中间层之间的界面中。
同时，当用具有中间层内的金属氧化物可吸收的波长的写入光辐射感光体时，电荷生成层不是100％吸收写入光，且写入光到达中间层。当写入光具有比金属氧化物可吸收光的波长短的波长时，中间层内的金属氧化物吸收写入光且光激发以生成光载流子。当中间层生成光载流子时，电子较少聚集，但它阻止正空穴从基底注入的行为损害且降低未辐射部分的电位，导致异常图像的产生。
通常，将红色LED(600nm或更长)用于成像设备中的放电光源。这在中间层不吸收，且仅有电荷生成层生成载流子。当利用具有短于450nm波长的、可在中间层中吸收的写入光辐射感光体时，如上述生成载流子，且仅有辐射部分具有不同于其它部分的静电特性。因此，即使在生成公式化图像时，也优选地利用具有中间层不吸收的波长的光辐射感光体，使得辐射部分和未辐射部分不具有彼此不同的静电特性。
本发明的成像设备至少包括静电图像载体，该图像载体包括在导电基底上含有金属氧化物的中间层、包括电荷生成有机材料(CGM)的电荷生成层(CGL)和包括电荷传输材料(CTM)的电荷传输层(CTL)的多层光敏层；充电器；包括光源的辐照器，该光源发射具有短于450nm波长、在金属氧化物中不吸收的光；图像显影装置；转印装置；定影装置和放电装置。此外，该成像设备任选地包括诸如清洁器、调色剂再循环器和控制器等其它装置。
本发明的成像方法至少包括一个充电过程；利用发射具有短于450nm波长、在金属氧化物中不吸收的光的光源的辐射过程；显影过程；转印过程；放电过程；以及定影过程。该成像方法任选地包括诸如清洁过程，调色剂再循环过程以及控制过程等其它过程。
本发明的成像方法可优选地采用本发明的成像设备实施。具体地，充电过程、辐射过程、显影过程、转印过程、放电过程和定影过程分别采用充电器、图像显影装置、转印装置、放电装置和定影装置实施。其它任选的过程可利用上述任选的装置实施。
这基本上不影响本发明，然而，即使加热用于本发明的感光体，也不明显加大辐射后残余电位的增加。因此，仅用其中诱捕位置捕获主要导致残余电位增加的电荷载流子的能带模型显然难以解释静电疲劳的原因和预防方法。
静电潜像载体(即，感光体)用于本发明的成像设备的感光体至少在中间层内包括金属氧化物并且在CGL内包括有机CGM。不具体限制感光体的材料、形状、结构、尺寸等。该感光体优选地包括导电基底。
图2到4说明用于本发明的成像设备的感光体的实例。
图2中说明的感光体具有导电基底31；以及基底上的包括金属氧化物的中间层39、包括至少一种有机CGM作为主要成分的CGL 35和包括CTM作为主要成分的CTL 37。
除了中间层39包括电荷阻挡层43和抗波纹层(anti-moirélayer)45之外，图3说明的感光体与图2说明的感光体具有相似的结构。
除了保护层41形成在CTL上之外，图4说明的感光体与图3说明的感光体具有相似的结构。
用作导电基底31的合适的材料包括具有不大于1010Q·cm体积电阻的材料。该材料的具体实例包括塑料圆筒，塑料薄膜或纸张，在该材料的表面上诸如铝、镍、铬、尼克洛姆镍铬耐热合金(nichrome)、铜、金、银和铂的金属，或诸如氧化锡和氧化铟的金属氧化物通过沉积或溅射形成。此外，可使用诸如铝，铝合金，镍以及不锈钢的金属板。金属圆筒也可用作基底31，该圆筒通过诸如冲击压平或直接压平的方法将诸如铝、铝合金、镍以及不锈钢制成管状，然后通过切割、超级研磨、抛光等处理管表面而制得。此外，诸如镍以及不锈钢的金属环带也可用作基底31。
此外，其中将包括粘合剂树脂和导电粉末的涂布液涂布到上述支持体上的基底可用作基底31。该导电粉末的具体实例包括炭黑，乙炔炭黑，诸如铝、镍、铁、尼克洛姆镍铬耐热合金、铜、锌和银的金属粉末，和诸如导电氧化锡和ITO的金属氧化物。
粘合剂树脂的具体实例包括公知的热塑性树脂、热固性树脂和光交联树脂，诸如聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-马来酸酐共聚物、聚酯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯脂、聚偏二氯乙烯、聚芳酯、苯氧树脂、聚碳酸酯、乙酸纤维素树脂、乙基纤维素树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、聚乙烯基甲苯、聚-N-乙烯基咔唑、丙烯酸类树脂、硅树脂、环氧树脂、密胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂和醇酸树脂。该导电层可通过涂布涂布液、然后干燥已涂布的该液体形成，在该涂布液中导电粉末和粘合剂树脂分散或溶解在诸如四氢呋喃、二氯甲烷、丁酮和甲苯的适当溶剂中。
此外，具有导电材料的基底也可用作基底31，在该基底中采用热可收缩的树脂管在圆筒基底表面上形成导电树脂薄膜，该树脂管由诸如聚氯乙烯、聚丙烯、聚酯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯、氯化橡胶和含氟树脂(诸如TEFLON)的树脂组合物形成。
在这些材料中，铝或铝合金制成的圆筒是优选的，因为铝易于阳极氧化。用做基底的合适的铝材料包括铝和诸如JIS 1000系，3000系和6000系的铝合金。阳极氧化薄膜可通过在电解液中阳极氧化金属或金属合金形成。在阳极氧化薄膜中，可通过阳极氧化铝或铝合金制备的防蚀铝薄膜优选地用于本发明的感光体。这是因为得到的感光体在用于反转显影(reverse development)(即，负性-正性显影)时几乎不导致不理想的图像，如黑点和背景污染。
阳极氧化处理在包括诸如铬酸、硫酸、草酸、磷酸、硼酸和氨基磺酸的酸的酸性溶液中实施。在这些酸中，硫酸优选用于本发明的阳极氧化处理。对基底的阳极氧化处理优选在下述条件下实施(1)硫酸的浓度10到20％(2)处理液的温度5到25℃(3)电流密度1到4A/dm2(4)电解电压5到30V(5)处理时间5到60分钟。
然而，处理条件不限于此。这样制备的阳极氧化薄膜是多孔和高绝缘的。因此，基底的表面很不稳定，且阳极氧化薄膜的物理性能随时间改变。为了避免该问题，该阳极氧化薄膜优选地进行密封处理。该密封处理可通过例如下述方法实施(1)将阳极氧化薄膜浸渍在氟化镍或乙酸镍的水溶液中；(2)将阳极氧化薄膜浸渍在沸水中；和(3)对阳极氧化薄膜进行汽封。
在密封处理之后，阳极氧化薄膜进行洗涤处理以去除密封处理期间黏附到阳极氧化薄膜的表面的如金属盐的外来材料。基底的表面上存在的外来材料不仅影响在其上形成的层的涂布质量而且因为通常具有低电阻而生成具有背景污染的图像。该洗涤处理通过利用纯水一次或多次清洗在其上具有阳极氧化薄膜的基底实施。优选实施洗涤处理直到洗涤水(即，去离子的)尽可能干净。此外，还优选在洗涤处理中利用诸如刷子的清洗元件摩擦基底。这样制备的阳极氧化薄膜的厚度优选为5到15μm。当阳极氧化薄膜太薄时，其屏障效应不令人满意。相反，当阳极氧化薄膜太厚时，电极(即，基底)的时间常数变得极其大，导致得到的感光体的残余电位增加和其响应降低。
本发明的感光体可包括导电基底31和CGL 35之间的中间层39。中间层39包括树脂作为主要成分。由于通常通过涂布包括有机溶剂的液体在中间层上形成CGL，因此中间层的树脂优选对于一般的有机溶剂具有较好的抗蚀性。该树脂的具体实例包括水溶性树脂诸如聚乙烯醇树脂，酪蛋白和聚丙烯酸钠盐；醇溶性树脂诸如尼龙共聚物和甲氧基甲基化尼龙树脂；和能形成三维网状的热固性树脂，诸如聚氨脂树脂、密胺树脂、醇酸-密胺树脂和环氧树脂。
该中间层包括防止波纹和降低残余电位的金属氧化物。金属氧化物的具体实例包括二氧化钛、二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化锡、氧化铟、氧化锌等。具体地，有效地使用二氧化钛和氧化锌。锐钛矿型二氧化钛优选地用作二氧化钛。考虑光吸收，锐钛矿型二氧化钛因吸收具有短于金红石型二氧化钛吸收波长的光而比金红石型二氧化钛更优选使用。
金属氧化物的吸收波长范围依据其中包含的杂质和其晶形改变。因此，金属氧化物或包括金属氧化物的中间层的能隙需要如上述实际测量。
当从其能隙转换时，二氧化钛、氧化锌和氧化锡各自分别具有约410nm、388nm和350nm的吸收端波长。如上所述，这些数据依据其中包括的杂质和其晶形进行改变。
该金属氧化物优选进行表面处理，因为具有更小的表面积能防止传输由其不必要生成的载流子。
可通过利用适当溶剂和适当涂布方法涂布涂布液形成中间层，且优选具有0.1到5μm的厚度。
该中间层39具有防止在充电过程中将在层的导电基底侧感生的电荷注入到光敏层的功能，以及防止因采用如激光的相干光作为图像写入光而引起的莫尔条纹(moiréfringe)生成的功能。在本发明中优选使用功能分离的中间层即，电荷阻挡层43和抗波纹层45的组合。接下来，将解释功能分离的中间层。
电荷阻挡层43的功能是防止电荷注入到光敏层中，该电荷在电极(即，导电基底31)中感生且具有与充电器施加到感光体上的电压相反的极性。特别地，当实施负充电时，电荷阻挡层43防止正空穴注入到光敏层中。相反，当实施正充电时，电荷阻挡层43防止电子注入到光敏层中。电荷阻挡层的具体实例包括以下层(1)由阳极氧化制备的层如氧化铝层；(2)如SiO的无机材料的绝缘层；(3)由玻璃态金属氧化物网制成的层；(4)由聚磷嗪制成的层；(5)由氨基硅烷的反应产物制成的层；(6)由绝缘树脂制成的层；和(7)交联树脂层。
在这些层中，优选使用可通过湿涂法形成的绝缘树脂层和交联树脂层。由于抗波纹层和光敏层通常在电荷阻挡层上通过湿涂法形成，所以电荷阻挡层优选对于抗波纹层和光敏层的涂布液中包括的溶剂具有良好的抗蚀性。
用于电荷阻挡层的合适的树脂包括热塑性树脂诸如聚酰胺树脂、聚酯树脂和氯乙烯/乙酸乙烯酯共聚物；和热固性树脂，其可通过热聚合具有多个活泼氢原子(诸如-OH、-NH2和-NH的氢原子)的化合物和具有多个异氰酸酯基的化合物和/或具有多个环氧基的化合物制得。具有多个活泼氢原子的化合物的具体实例包括聚乙烯醇缩丁醛、苯氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚乙二醇树脂、聚丙二醇树脂、聚丁二醇树脂以及如甲基丙烯酸羟乙酯树脂的丙烯酸类树脂。具有多个异氰酸酯基的化合物的具体实例包括甲苯二异氰酸酯、二异氰酸己二醇酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、这些化合物的预聚物等。具有多个环氧基的化合物的具体实例包括基于环氧树脂的双酚A等。在这些树脂中，考虑到薄膜成型性、环境稳定性和对溶剂的抗蚀性优选地使用聚酰胺树脂。具体地，最优选使用N-甲氧基甲基化尼龙。该N-甲氧基甲基化尼龙可通过T.L.Cairns(J.Am.Chem.Soc.71.P651(1949))公开的方法对包括聚酰胺6的聚酰胺进行改性制备。原始聚酰胺的酰胺连接的氢由甲氧基甲基取代以形成N-烷氧基甲基化尼龙。其取代率很大程度上依据改性条件，然而，根据抑制中间层的吸湿性，醇亲和性和环境稳定性，优选不小于15mol％，且更优选不小于35mol％。取代率越大醇溶剂的亲和性就越大。然而，吸湿性增加和结晶性变差导致熔点、机械强度和弹性下降，因为主链周围的大的侧链基影响主链的松弛和配位。因此，取代率优选不大于85mol％，且更优选不大于70mol％。此外，最优选使用尼龙6，优选使用尼龙66，而优选不使用如公开待审的日本专利申请No.9-265202中公开的、诸如尼龙6/66/610的共聚物尼龙。
此外，还可使用无油醇酸树脂；诸如通过热聚合丁基化密胺树脂制备的热固性氨基树脂的氨基树脂；也可使用通过将诸如不饱和聚氨脂树脂、不饱和聚酯树脂的不饱和树脂与如噻吨酮化合物和甲苄基甲酸酯的光聚合引发剂反应制备的光交联树脂。
此外，还可使用具有整流特性的导电聚合物和包括具有电子接收或供给性质的树脂或化合物的层，该电子接收或供给性质依据感光体表面上形成的电荷的极性确定。
该电荷阻挡层43优选具有不小于0.1μm且小于2.0μm的厚度，且更优选0.3μm到1.0μm的厚度。当电荷阻挡层太厚时，感光体的残余电位在重复进行成像光辐射后增加，特别是在低温低湿条件下尤为如此。相反，电荷阻挡层太薄，几乎不能生成电荷阻挡效应。电荷阻挡层43可包括一种或多种材料，诸如交联剂、溶剂、添加剂和交联促进剂。电荷阻挡层43可通过诸如刮刀涂布、浸涂、喷涂、颗粒涂布(bead coating)和喷嘴涂布的涂布方法涂覆涂布液，接下来通过采用热或光进行干燥和交联来制备。
抗波纹层45的功能是防止当相干光(诸如激光)用于光学写入时得到的图像由于光的干涉发生莫尔条纹。即，抗波纹层散射上述写入光。为了实现该功能，层优选地包括具有高折射率的材料。
因此，当中间层包括电荷阻挡层和抗波纹层时，抗波纹层和电荷阻挡层优选彼此接触。
由于电荷从基底31的注入由电荷阻挡层43阻挡，所以抗波纹层45优选具有传输与感光体表面上形成电荷相同极性的电荷的能力，以防止残余电位增加。例如，在负电荷型感光体中，抗波纹层45优选具有导电子能力。因此优选将导电无机颜料或导电性无机颜料用于抗波纹层45。或者，导电材料(诸如接收器)可添加到抗波纹层45中。
用于抗波纹层45的粘合剂树脂的具体实例包括上述用于电荷阻挡层43的树脂。由于光敏层(CGL 35和CTL 37)通过涂覆涂布液在抗波纹层45上形成，因此粘合剂树脂优选对于光敏层涂布液中包括的溶剂具有良好的抗蚀性。
在这些树脂中，优选使用热固性树脂。具体地，最优选使用醇酸树脂和密胺树脂的混合物。醇酸树脂与密胺树脂的混合比是影响抗波纹层45的结构和特性的重要因素，且其重量比优选为5/5到8/2。当密胺树脂含量太高时，涂布的薄膜在热固化过程中收缩，由此在得到的薄膜中形成涂层缺陷。此外，发生残余电位增加的问题。相反，当醇酸树脂的含量太高时，该层的电阻严重地降低，尽管感光体的残余电位降低，但是这样得到的图像具有背景污染。
抗波纹层45中无机颜料与粘合剂树脂的混合比也是重要因素，且其体积比率优选为1/1到3/1。当比率太低(即，无机颜料含量太低)时，重复使用之后不仅抗波纹效果变差而且残余电位增加。相反，当比率太高时，层的成膜性降低，导致得到的层的表面情况变差。此外，由于涂布液渗透到抗波纹层中，出现上层(举例来说，光敏层)不能在其上形成好的薄膜的问题。该问题对于具有包括薄电荷生成层作为底层的层压光敏层的感光体而言是致命的，因为该薄CGL不能在抗波纹层上形成。此外，当比率太大时，出现无机颜料的表面不能由粘合剂树脂覆盖的问题。在这种情况中，CGM与无机颜料直接接触，由此热产生载流子的问题发生的可能性增加，导致背景显影问题的发生。
通过将两种具有不同平均粒径的二氧化钛用于抗波纹层，基底1通过抗波纹层有效地隐藏，由此可很好地防止莫尔条纹的发生，且还可防止层内的小孔的形成。在这点上，两种二氧化钛的平均粒径(D1和D2)优选地满足下述关系
0.2＜D2/D1＜0.5。
当D2/D1的比率太低时，二氧化钛的表面变得更活泼，由此得到的感光体的静电特性的稳定性严重下降。相反，当比率太高，导电基底31不能较好地由抗波纹层隐藏，由此抗波纹效应降低且生成异常的图像诸如莫尔条纹。在这点上，颜料的平均粒径表示通过将颜料分散在水中同时对其施加强剪切力制备的分散体内颜料的平均粒径。
此外，具有更小平均粒径的二氧化钛(T2)的平均粒径(D2)也是一个重要因素，且优选大于0.05μm并小于0.20μm。当D2太小时，层的隐藏能力变差。因此，易于导致莫尔条纹。相反，当D2太大时，二氧化钛在层内的填充因数小，且由此不能很好的产生防止背景显影的效果。
抗波纹层45内的两种二氧化钛的混合比也是重要因素，且优选地确定该混合比使其满足下述关系0.2＜T2/(T1+T2)≤0.8，其中T1表示具有更大平均粒径的二氧化钛的重量，且T2表示具有更小平均粒径的二氧化钛的重量。当混合比率太低时，层内的二氧化钛的填充因数小，且由此不能很好的产生防止背景显影的效果。相反，当混合比率太高时，层的隐藏能力变差，且由此不能很好产生抗波纹效应。
抗波纹层优选具有1到10μm的厚度，且更优选2到5μm。当层太薄时，不能很好地生成抗波纹效应。相反，当层太厚时，重复使用之后残余电位增加。
通常如下述制备抗波纹层。采用诸如球磨机、砂磨机以及磨碎机的分散机将金属氧化物和粘合剂树脂分散在溶剂中。在这种情况中，视需要而定可将交联剂、其它溶剂、添加剂、交联促进剂等添加到其中。通过诸如刮刀涂布、浸涂、喷涂、颗粒涂布以及喷嘴涂布的方法将这样制备的涂布液涂布到电荷阻挡层上，随后采用光或热进行干燥和交联。
接下来，将解释光敏层。该光敏层包括具有有机CGM的CGL 35和具有CTM的CTL 37。
该CGL 35包括有机CGM作为主要成分，且通常采用将涂布液涂布到导电基底上随后干燥制备，该涂布液通过采用诸如球磨机、磨碎机、砂磨机以及超声分散机的分散机将有机CGM和任选的粘合剂树脂一起分散在溶剂中制备。
任选地包括在CGL涂布液内的粘合剂树脂的具体实例包括聚酰胺、聚氨脂、环氧树脂、聚酮、聚碳酸酯、硅树脂、丙烯酸类树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩甲醛、聚乙烯酮、聚苯乙烯、聚砜、聚-N-乙烯基咔唑、聚丙烯酰胺、聚乙烯基甲基苯(polyvinyl benzal)、聚酯、苯氧树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯脂、聚苯氧化物、聚酰胺、聚乙烯吡啶、纤维素树脂、酪蛋白、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮等。在粘合剂树脂中，优选使用以聚乙烯醇缩丁醛为代表的聚乙烯醇缩醛类。在层内包括的每100重量份CGM中，CGL优选包括0到500重量份的粘合剂树脂，且优选10到300重量份。
用于CGL涂布液的溶剂的具体实例包括异丙醇、丙酮、丁酮、环己酮、四氢呋喃、二噁烷、溶纤剂、乙酸乙酯、乙酸甲酯、二氯甲烷、二氯乙烷、一氯代苯、环己烷、甲苯、二甲苯、轻石油等。在这些溶剂中，优选使用酮、酯和醚。该CGL优选具有0.01到5μm的厚度，且更优选0.1到2μm的厚度。
该CGL优选具有10到25％的写入光透射率。当透射率太大时，写入光到达中间层太多。当太小时，静电疲劳变大。
有机CGM的具体实例包括酞菁颜料诸如金属酞菁和无金属酞菁、薁鎓盐(azulenium salt)颜料、方酸次甲基颜料、具有咔唑骨架的偶氮颜料、具有三苯胺骨架的偶氮颜料、具有二苯胺骨架的偶氮颜料、具有二苯并噻吩骨架的偶氮颜料、具有芴酮骨架的偶氮颜料、具有噁二唑骨架的偶氮颜料、具有双芪(bisstilbene)骨架的偶氮颜料、具有联苯乙烯噁二唑骨架的偶氮颜料、具有联苯乙烯咔唑骨架的偶氮颜料、二萘嵌苯颜料、蒽醌颜料、多环醌颜料、醌亚胺颜料、二苯甲烷颜料、三苯甲烷颜料、苯醌颜料、萘醌颜料、花青颜料、甲亚胺颜料、靛类颜料、二苯并咪唑颜料等。这些CGM可单独或结合使用。
在颜料中，含有下式(I)的不对称偶氮颜料可有效地使用 其中Cp1和Cp2独立地且不同地表示成色剂残基，R201和R202独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基和氰基。
此外，Cp1和Cp2具有下式(II) 其中R203表示氢原子、烷基或芳基。R204、R205、R206、R207和R208独立地表示氢原子、硝基、氰基、卤素原子、卤代烷基、烷基、烷氧基、二烷基氨基和羟基。Z表示形成取代或未取代的芳香碳环所需要的原子，或取代或未取代的芳香杂环。
此外，优选使用这样的酞菁氧钛化合物其X-射线衍射光谱在布拉格(2θ)角(±0.2°)为27.2°处观察到最大峰；或X-射线衍射光谱在布拉格(2θ)角为27.2±0.2°处观察到最大峰，在角度为7.3±0.2°处有最小角度峰，并且在布拉格(2θ)角(±0.2°)分别为9.4°、9.6°和24.0°处有主峰，其中在7.3°和9.4°的峰之间以及角度为26.3(±0.2°)处未观察到峰。
有机CGM优选具有不大于0.25μm的平均粒径，且更优选不大于0.2μm。具有粒径不小于0.25μm的有机CGM在分散后去除。
平均粒径意味着体积平均粒径，且可通过用Horiba Ltd.的自动离心粒径分析器CAPA-700确定。体积平均粒径表示50％累积粒径(即，中值粒径)。然而，通过采用该粒径确定方法，存在着不能检测少量粗颗粒的情况。因此，优选利用电子显微镜直接观察包括CGM的分散体以确定晶体粒径。
此外，关于包括在采用分散体的层内的微涂层缺陷，可获得以下的知识。如果粗颗粒的浓度在百分之几或更多时，在分散体中存在的粗颗粒是否可通过粒径测量仪器检测到。然而，当浓度不大于1％时，粗颗粒的存在不能由该仪器检测到。因此，即使已证实分散体中晶体的平均粒径在优选范围内时，也会发生所得电荷生成层具有微涂层缺陷的问题。
图5和6示出除了改变分散时间外由相同的方法制备的不同分散体的分散状态。图5内的分散体的分散时间短于图6的分散体的分散时间。从图5与图6的比较中清楚看到图5内的分散体中存在粗颗粒。图5中观察到粗颗粒为黑点。
图7说明采用Horiba Ltd.的自动离心粒径分析器CAPA-700测量的分散体的粒径分布。在图7中，A和B分别表示图5和图6的分散体的粒径分布。从图表中可以理解，粒径分布几乎相同。A和B的平均粒径分别是0.29μm和0.28μm，考虑到测量误差时这两个平均粒径是相同的。
因此，采用上述的粒径测量仪器不能确定是否存在粗颗粒。如上所述，只有采用显微镜直接观察分散体的方法才能检测到分散体中是否存在粗颗粒。
接下来，将解释从有机CGM分散体中去除粗颗粒的方法。
通过采用球磨机、磨碎机、砂磨机、玻珠磨机、超声分散机等将有机CGM及任选的粘合剂树脂一起分散在溶剂中来制备分散体。在这种情况中，考虑到得到的感光体的静电特性优选选择适当的粘合剂树脂，并且考虑溶剂浸润和分散颜料的能力选择适当的溶剂。
特别地，在制备其中颗粒已尽可能去除的分散体之后，然后采用具有适当孔径的过滤器过滤分散体。通过采用该方法，少量粗颗粒(它们不能肉眼观察到或不能通过粒径测量仪器检测到)可从分散体中去除。此外，分散体中颗粒的粒径分布可适当地控制。特别地，优选使用具有不大于5μm的有效孔径的过滤器，且更优选不大于3μm。通过采用该过滤器，可制备其中CGM已分散同时具有不大于0.25μm(或不大于0.20μm)的平均粒径的分散体。通过采用该分散体，可形成不导致涂层缺陷的CGL。因此，本发明的效果可完全产生。
当过滤包括大量粗颗粒的分散体时，过滤去除的颗粒数量增加，且由此带来得到的分散体的固体含量急剧降低的问题。因此，待过滤的分散体优选具有适当的粒径分布(即，适当粒径和适当的粒径标准偏差)。特别地，为了在得到的CGM很少损失的情况下有效地实施过滤操作而不导致过滤器的堵塞问题，优选平均粒径不大于0.3μm且粒径的标准偏差不大于0.2μm。
用于本发明的CGM具有高分子间氢键力。因此，分散的颜料颗粒具有高相互作用。作为其结果，分散的CGM颗粒易于聚集。通过采用具有特定孔径的过滤器实施上述过滤，可去除该聚集体。在这点上，分散体具有触变性，且由此可去除粒径小于过滤器孔径的颗粒。或者，具有结构粘度的液体通过过滤可变为Newtonian液体。通过从CGL涂布液中去除粗颗粒，可制备良好的CGL并可产生本发明的效果。
优选根据要去除粗颗粒的尺寸选择适当的过滤器。作为本发明人研究的成果，发现具有不小于3μm的粒径的粗颗粒影响具有600dpi分辨率的图像的图像质量。因此，优选使用具有孔径不大于5μm的过滤器，且更优选不大于3μm。具有太小孔径的过滤器过滤掉可用于CGL的TiOPc颗粒以及要去除的粗颗粒。此外，这样的过滤器导致以下问题长时间过滤、过滤器由颗粒堵塞，和对泵施加过量的压力。因此，优选使用具有适当孔径的过滤器。不必说，过滤器优选对用于分散的溶剂具有较良好的抗蚀性。
CTL通常采用涂敷涂布液来制备，该涂布液采用将CTM与任选的粘合剂树脂一起溶解或分散在溶剂中，随后干燥而制备。视需要而定，诸如增塑剂、均化剂以及抗氧化剂的添加剂可添加到涂布液中。
CTM包括正空穴传输材料和电子传输材料。电子传输材料的具体实例包括电子接收材料，诸如四氯代对苯醌、四溴代对苯醌、四氰乙烯、四氰代二甲基苯醌、2，4，7-三硝基-9-芴酮、2，4，5，7-四硝基-9-芴酮、2，4，5，7-四硝基呫吨酮、2，4，8-三硝基噻吨酮、2，6，8-三硝基-4H-茚并[1，2-b]噻酚-4-酮、1，3，7-三硝基二苯并噻酚-5，5-二氧化物、苯醌衍生物等。
正空穴传输材料的具体实例包括公知的材料，诸如聚-N-咔唑和它的衍生物、聚-γ-咔唑基乙基谷氨酸酯和它的衍生物、芘-甲醛缩合产物和它们的衍生物、聚乙烯芘、聚乙烯菲、聚硅烷、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、单芳基胺、二芳基胺、三芳基胺、芪衍生物、α-苯基芪衍生物、二苯胺衍生物、二芳基甲烷衍生物、三芳基甲烷衍生物、9-苯乙烯基蒽衍生物、吡唑啉衍生物、二乙烯基苯衍生物、腙衍生物、茚衍生物、丁二烯衍生物、芘衍生物、双芪衍生物、烯胺衍生物等。这些CTM可单独或结合使用。
用于CTL的粘合剂树脂的具体实例包括公知的热塑性树脂和热固性树脂，诸如聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-马来酸酐共聚物、聚酯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯脂、聚偏二氯乙烯、聚芳酯、苯氧树脂、聚碳酸酯、乙酸纤维素树脂、乙基纤维素酯、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、聚乙烯甲苯、聚-N-乙烯基咔唑、丙烯酸类树脂、硅树脂、环氧树脂、密胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂和醇酸树脂。
以CTL中包括的每100重量份粘合剂树脂计，在电荷传输层中CTM的含量优选20到300重量份，且更优选40到150重量份。CTL 8的厚度优选5到100μm。
用于CTL涂布液的合适的溶剂包括四氢呋喃、二噁烷、甲苯、二氯甲烷、一氯代苯、二氯乙烷、环己酮、丁酮、丙酮等溶剂。然而，考虑到环境保护，优选使用非卤代溶剂。特别地，优选使用如四氢呋喃、二氧戊环和二噁烷的环醚，诸如甲苯和二甲苯的芳烃，和它们的衍生物。
在本发明中， CGL和CTL在中间层上形成。因此，有时，写入光不能到达中间层且在其中不能生成光载流子，除非选择适当的CTM。此外，当CTM吸收写入光时，通过光CTM容易受损，导致残余电位增加。因此，CTL优选具有相对写入光不小于30％的透射，更优选不小于50％，进一步优选不小于85％。
因此，选择适用于放电光的CTM是重要的。具体地，优选使用具有三芳基胺骨架的CTM，因为它能很好地透射波长小于450nm的放电光。
CTL可包括添加剂诸如增塑剂和均化剂。增塑剂的具体实例包括公知的增塑剂诸如邻苯二甲酸二丁酯和邻苯二甲酸二辛酯。以CTL中包括的粘合剂树脂的总重量计，CTL中的增塑剂的含量为0到30％重量。均化剂的具体实例包括硅油，诸如二甲基硅油和甲基苯基硅油，以及它们的侧链中包括全氟烷基的聚合物和低聚物。以CTL中包括的粘合剂树脂的总重量计，CTL优选包括0到1％重量的均化剂。
用于本发明的感光体可任选包括保护层，其在光敏层上形成以保护光敏层。近来，在日常生活中使用计算机，且因此需要高速和小尺寸打印机。通过在光敏层上形成保护层，得到的感光体具有较好的耐久性同时具有高光敏性，并制造没有异常图像的图像。
用于本发明的保护层分为两种类型，一种是包括粘合剂树脂以及分散在粘合剂树脂中的填充物的层，另一种是包括交联粘合剂树脂的层。
首先，将解释第一种类型的保护层。
用于保护层的材料的具体实例包括anABS树脂、ACS树脂、烯烃-乙烯基单体共聚物、氯化聚醚、芳基树脂、酚醛树脂、聚缩醛、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚烯丙基砜、聚丁烯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、丙烯酸类树脂、聚甲基戊烯、聚丙烯、聚苯氧化物、聚砜、聚苯乙烯、AS树脂、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚氨脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、环氧树脂等。在这些树脂中，优选使用聚碳酸酯和聚芳酯。
此外，为了提高保护层的抗磨损性，可为此使用含氟树脂诸如聚四氟乙烯和硅树脂。此外，还可以为此使用上述树脂与如二氧化钛、氧化铝、氧化锡、氧化锌、氧化锆、氧化镁、钛酸钾和二氧化硅的无机填充物或有机填充物混合的材料。
用于保护层的合适的有机填充物包括如聚四氟乙烯的含氟树脂粉末、硅树脂粉末、无定形碳粉末等。用于保护层的无机填充物的具体实例包括粉末状的金属诸如铜、锡、铝和铟；金属氧化物诸如氧化铝、二氧化硅、氧化锡、氧化锌、二氧化钛、氧化铝、氧化锆、氧化铟、氧化锑、氧化铋、氧化钙、用锑掺杂的氧化锡、用锡掺杂的氧化铟、钛酸钾等。考虑到硬度，无机填充物是优选的，并且特别有效使用二氧化硅、二氧化钛和氧化铝。
保护层中的填充物的含量优选依据所使用的填充物的种类和得到的感光体的应用而确定，但是保护层表面部分的填充物的含量优选不小于5％重量，更优选10到50％重量，且进一步优选10到30％重量，以保护层表面部分的总重量计。保护层中包括的填充物优选具有0.1到2μm的体积平均粒径，且更优选0.3到1μm。当平均粒径太小时，无法将良好的抗磨损性赋予给得到的感光体。相反，当平均粒径太大时，得到的保护层的表面非常粗糙或出现无法形成保护层本身的问题。
在本申请中，除非另外限定，填充物的平均粒径表示体积平均粒径，并采用由Horiba Ltd制造的仪器CAPA-700测量。在这种情况中，50％累积粒径(即，中值粒径)定义为平均粒径。此外，优选的是保护层中所使用的填充物的粒径分布曲线的标准偏差不大于1μm。当标准偏差太大时(即，当填充物具有宽的粒径分布时)，不能产生本发明的效果。
在保护层涂布液内所使用的填充物的pH很大程度上影响其中填充物的可分散性和由得到的感光体产生的图像的分辨率。其原因如下所述。填充物(尤其是，金属氧化物)通常包括生产填充物时所使用的盐酸。当残余盐酸的量大时，得到的感光体易于产生模糊图像。此外，包含过多量的盐酸导致填充物的可分散性变差。
其另一个原因是因为填充物(尤其是，金属氧化物)的电荷特性很大程度上受填充物的pH影响。通常，液体中分散的颗粒带正电或负电。在这种情况中，具有与颗粒的电荷相反的电荷的离子聚集在颗粒周围以中和颗粒的电荷，导致电偶层的形成，且由此颗粒稳定地分散在液体中。一个颗粒周围某点的电位(即，ζ电位)随着该点与颗粒之间距离的增加而降低(即，趋近于零)。即，远离颗粒的点是电中性的，即，其ζ电位为零。在这种情况中，ζ电位越高，颗粒的分散越好。当ζ电位近似等于零时，颗粒容易聚集(即，颗粒是不稳定分散的)。体系的ζ电位很大程度上依据体系的pH。当体系具有特定pH时，ζ电位变为零。该pH点称为等电点。为了提高体系的分散稳定性，优选通过将体系的pH设定为远离等电点以提高ζ电位。
为了防止模糊图像的形成，优选的是保护层包括在pH为5或更高时具有等电点的填充物。换句话说，具有高碱性的填充物可优选用于本发明的感光体中，因为它可加强本发明的效果。当填充物所用于的体系是酸性时，具有高碱性的填充物具有高ζ电位(即，填充物是稳定分散的)。
在该申请中，填充物的pH表示等电点处填充物的pH，等电点由填充物的ζ电位确定。ζ电位可通过Ootsuka Electric Co.，Ltd制造的激光束电位仪测量。
此外，为了防止模糊图像的生成，优选使用具有高电阻(即，电阻率不小于1×1010Ω·cm)的填充物。此外，可更优选使用pH不小于5的填充物和介电常数不小于5的填充物。介电常数不小于5和/或pH不小于5的填充物可单独或结合使用。此外，也可使用pH不小于5的填充物和pH小于5的填充物的组合，或介电常数不小于5的填充物和介电常数小于5的填充物的组合。在这些填充物中，优选使用具有最密装填结构的α-氧化铝。这是因为α-氧化铝具有高绝缘特性、高热稳定性和好的抗磨损性，且由此可防止模糊图像的形成且可提高得到的感光体的抗磨损性。
在本发明中，填充物的电阻率如下述定义。当测量电阻率时，诸如填充物的粉末的电阻率很大程度上依据粉末的填充因数而变化。因此，有必要在恒定条件下测量电阻率。在本申请中，通过与5-113688中的图1公开的相似的设备测量电阻率。设备的电极的表面积为4.0cm2。在测量样品粉末的电阻率之前，将4kg的负荷施加于一个电极之上1分钟且调节样品粉末的量使得在两电极之间的距离变为4mm。样品粉末的电阻率仅通过上面的电极的重力(即，1kg)向样品粉末加压而不给样品施加任何其他的负荷来测量。施加给样品粉末的电压为100V。当电阻率不小于106Ω·cm时，使用高电阻表(Yokogawa Hewlett-Packard Co.)测量电阻率。当电阻率小于106Ω·cm时，使用数字万用表(Fluke Corp.)测量。
填充物的介电常数如下述测量。同样使用与用来测量电阻率的单元相似的单元测量介电常数。在对样品粉末施加负荷之后，采用介电损失测量仪(Ando Electric Co.，Ltd.)测量样品粉末的电容以确定粉末的介电常数。
为了改善保护层中填充物的分散，在保护层中包括的填充物优选采用表面处理剂进行表面处理。当填充物在保护层中分散差时，发生下述问题(1)得到的感光体的残余电位增加；(2)得到的保护层的透明度降低；(3)在得到的保护层中形成涂层缺陷；(4)保护层的抗磨损性变差；(5)得到的感光体的耐久性变差；和(6)由得到的感光体生成的图像的图像质量变差。
合适的表面处理剂包括公知的表面处理剂。然而，优选使用可保持所使用的填充物高绝缘特性的表面处理剂。关于表面处理剂，可优选使用钛酸盐偶合剂、铝偶合剂、铝酸锆偶合剂、更高级脂肪酸、这些试剂与硅偶合剂的组合物、Al2O3、TiO2、ZrO2、硅树脂、硬脂酸铝等，用于提高填充物的可分散性且防止模糊图像的形成。这些材料可单独或结合使用。当使用用硅烷偶合剂处理过的填充物时，得到的感光体易于生成模糊图像。然而，硅烷偶合剂与上述一种表面处理剂的组合通常可生成不模糊的好的图像。表面处理剂的涂布重量优选为3到30％重量，且更优选为5到20％重量，以要处理的填充物的重量计，但该重量是依据填充物的平均一次粒径确定得到的。当表面处理剂的含量太低时，填充物的可分散性不能得到提高。相反，当含量太高时，得到的感光体的残余电位急剧增加。这些填充物可采用适当的分散机分散。在这种情况中，优选分散填充物使得聚集的颗粒解离且填充物的一次颗粒(primary particulate)是分散的以提高得到的保护层的透明度。
此外，CTM可包括在保护层中以提高光响应(photo response)并降低得到的感光体的残余电位。用于电荷传输层的上述CTM也可用于保护层。当低分子量的CTM用于保护层时，CTM的浓度可在保护层的厚度方向上改变。特别地，为了提高得到的感光体的抗磨损性，优选降低保护层的表面部分处的CTM的浓度。在该点处，CTM的浓度表示CTM的重量与保护层的总重量的比率。
为了提高感光体的耐久性和高速电荷传输能力，优选将一种或更多种用于CTL的上述电荷传输聚合物用于保护层。
该保护层可通过任何公知的涂布方法形成。保护层的厚度优选为0.1到10μm。
接下来，将解释交联的保护层。该交联的保护层优选通过施加光或热使分子中具有多个可交联官能团的反应单体发生交联反应来制备。通过形成三维网状的保护层，感光体具有好的耐磨损性。
为了制备上述保护层，优选使用整个部分或一部分具有电荷传输部分的单体。通过采用该单体，得到的保护层在三维网络内具有电荷传输部分。因此，CTL可完全行使电荷传输功能。在单体中，优选使用具有三芳基胺结构的单体。
具有三维结构的保护层具有好的抗磨损性，但是如果层太厚时常在其中形成裂缝。为了防止这种裂缝问题的发生。可使用在保护层上形成交联保护层的多层保护层，在保护层内低分子的CTM分散在聚合物中。
具有电荷传输结构的该交联的保护层优选通过使无电荷传输结构的可自由基聚合的三或更多官能单体与有电荷传输结构的可自由基聚合的单官能单体反应并交联来制备。因为该保护层具有良好展开的三维网络和高交联密度，所以具有高硬度和高弹性。此外，由于保护层的表面均匀且平坦，所以保护层具有好的抗磨损性和抗划痕性。尽管增加保护层的交联密度很重要，但由于交联反应中的收缩，容易发生保护层具有高内应力的问题。内应力随着保护层厚度的增加而增加。因此，当厚的保护层交联时，会发生保护层破裂且脱落的问题。即使尽管在感光体是新的时未出现这些问题，但当重复充电、显影、转印以及清洁之后感光体在受到各种应力时仍容易出现这些问题。
为了防止这些问题的发生，可使用以下技术(1)将聚合组分添加到所述交联保护层中；(2)将大量单或双官能单体用于形成所述交联的保护层；以及(3)将具有能赋予得到的交联保护层以柔软性的多官能单体用于形成交联的保护层。然而，采用这些技术制备的所有交联的保护层具有低交联密度。因此，不能赋予得到的保护层以好的抗磨损性。相反，用于本发明的感光体的交联保护层在具有1-10μm的厚度时具有良好展开的三维网络、高交联密度和高电荷传输能力。因此，得到的感光体具有高抗磨损性并且几乎不出现破裂和脱落的问题。该交联的保护层的厚度优选2到8μm。在这种情况中，可提高上述问题的容限(margin)且可提高形成高交联密度的保护层的材料的选择灵活性。
为什么用于本发明的感光体几乎不出现破裂和脱落问题的原因如下述。
(1)形成具有电荷传输结构的相对薄的交联保护层，且由此可防止感光体的内应力的增加；和(2)由于在具有电荷传输结构的交联保护层的下面形成CTL，因此可使交联保护层的内应力松弛。因此，有必要增加保护层中聚合物的量。因此，可防止因聚合物组分的不完全混合以及可自由基聚合的单体反应而形成的交联材料所导致的保护层擦刮或在保护层上形成薄膜(诸如调色剂薄膜)的问题的发生。此外，当保护层通过辐射光交联时，如果保护层太厚，会出现保护层的内部不完全反应的问题，因为电荷传输部分吸收光。然而，由于用于本发明的感光体的保护层具有不大于10μm的厚度，因此保护层的内部完全交联，且由此可赋予整个保护层以良好的抗磨损性。此外，由于采用具有电荷传输结构的单官能单体制备交联保护层，所以单官能单体结合到一个或多个三或更多官能单体形成的交联键中。当采用无官能团的低分子量CTM形成交联保护层时，出现低分子量CTM与交联树脂分离的问题，导致低分子量CTM的沉淀和混浊保护层的形成，且由此保护层的机械强度下降。当采用双或更多官能团电荷传输化合物作为主要组分形成交联保护层时，得到的保护层严重变形，导致内应力增加，因为虽然电荷转移部分很大，但保护层具有高交联密度。
此外，本发明的感光体具有好的电特性、好的稳定性以及高的耐久性。这是因为交联保护层的结构中，从带有电荷传输结构的单官能单体获得的单元象悬垂物一样与交联键连接。相反，采用无官能团的低分子量CTM形成的保护层出现沉淀和混浊问题，且由此感光体的光敏性变差且感光体的残余电位增加(即，感光体具有差的电特性)。此外，在采用双或更高官能团的电荷传输化合物作为主要成分形成的交联保护层中，电荷传输部分固定在交联网络中，且由此俘获电荷，导致光敏性变差且残余电位增加。当感光体的电特性变差时，出现得到的图像具有低图像密度和字符影象(character image)变窄的问题。由于可形成具有高迁移率和少的电荷陷阱的CTL作为本发明的感光体的CTL，即使在CTL上形成交联保护层时也能防止产生对感光体的电特性的副作用。
此外，本发明的交联保护层不溶于有机溶剂且通常具有优异的抗磨损性。通过使无电荷传输结构的三或更多官能团的可聚合单体与具有电荷传输结构的单官能单体反应制备的交联保护层具有良好展开的三维网络和高交联密度。然而，在添加除了上述可聚合单体之外的材料(诸如单或双官能单体、聚合物粘合剂、抗氧化剂、均化剂和增塑剂)和/或改变交联条件的情况中，易出现得到的保护层的交联密度局部低且得到的保护层由具有高交联密度的微交联材料聚集体组成的问题。该交联保护层具有差的机械强度和差的抗有机溶剂性。因此，当重复使用感光体时，出现部分保护层严重磨蚀或从保护层中脱离出来的问题。相反，用于本感光体的交联保护层因为具有良好展开的三维网络和高交联密度而具有高分子量和好的抗溶剂性。因此，得到的感光体具有优异的抗磨损性并且不出现上述问题。
然后将解释形成具有电荷传输结构的交联保护层的涂布液的组分。
无电荷传输结构的三或更多官能单体表示具有三个或更多可自由基聚合的基团且不具有电荷传输结构(诸如正空穴传输结构(举例来说，三芳基胺、腙、吡唑啉以及咔唑结构)的单体；电子传输结构(举例来说，稠合多环奎宁结构、二苯酚合苯醌结构、氰基和硝基))。作为可自由基聚合的基团，可使用具有碳-碳双键的任何可自由基聚合的基团。合适的可自由基聚合的基团包括分别具有下式的1-取代乙烯基和1，1-取代乙烯基。
1-取代乙烯基CH2＝CH-X1-其中X1表示任选具有取代基的亚芳基(诸如亚苯基和亚萘基)、取代或未取代的亚烯基(alkenylene)、-CO-基、-COO-基、-CON(R10)基(其中R10表示氢原子、烷基(举例来说，甲基和乙基)、芳烷基(举例来说，苯甲基、萘甲基和乙氧苯基)或芳基(举例来说，苯基和萘基)或-S-基。
具有结构式中的基团的具体实例包括乙烯基、苯乙烯基、2-甲基-1，3-丁二烯基、乙烯基羰基、丙烯酰氧基、丙烯酰基酰胺(acryloylamide)、乙烯基硫醚等。
1，1-取代乙烯基
CH2＝C(Y)-X2-其中Y表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基(诸如苯基和萘基)、卤素原子、氰基、硝基、烷氧基(诸如甲氧基和乙氧基)或-COOR11基(其中R11表示氢原子、取代或未取代的烷基(诸如甲基和乙基)、取代或未取代的芳烷基(诸如苯甲基和苯乙基)、取代或未取代的芳基(诸如苯基和萘基)或-CONR12R13基(其中各R12和R13表示氢原子、取代或未取代的烷基(诸如甲基和乙基)、取代或未取代的芳烷基(诸如苯甲基、萘甲基和苯乙基)、取代或未取代芳基(诸如苯基和萘基)；和X2表示选自用于X1的上述基团和亚烷基的基团，其中Y和X2至少一个是氧基羰基、氰基、亚烯基或芳基。
具有式(XI)的基团的具体实例包括α-氯代丙烯酰氧基、异丁烯酰氧基、α-氰基乙烯基、α-氰基丙烯酰氧基、α-氰基亚苯基、异丁烯酰氨基等。
用于基团X1、X2和Y中的取代基的具体实例包括卤素原子、硝基、氰基、烷基(诸如甲基和乙基)、烷氧基(诸如甲氧基和乙氧基)、芳氧基(诸如苯氧基)、芳基(诸如苯基和萘基)、芳烷基(诸如苯甲基和苯乙基)等。
在这些可自由基聚合的三或更多官能的基团中，优选使用具有三或更多官能团的丙烯酰氧基和异丁烯酰氧基。具有三或更多丙烯酰氧基的化合物通过使具有三或更多羟基的(甲基)丙烯酸(盐)、氯代(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸酯发生酯反应和酯交换反应来制备。在可自由基聚合的三或更多官能单体中包括的三个或更多可自由基聚合的基团为相同或彼此不同。
可自由基聚合的三或更多官能单体的具体实例包括，但不限于，三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、亚烷基改性的三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙烯氧基改性的三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、丙烯氧基改性的三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、己内酯改性的三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、亚烷基改性的三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯(PETTA)、甘油三丙烯酸酯、表氯醇改性的甘油三丙烯酸酯、乙烯氧基改性的甘油三丙烯酸酯、丙烯氧基改性的甘油三丙烯酸酯、三(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)、己内酯改性的二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇羟基五丙烯酸酯、烷基化二季戊四醇四丙烯酸酯、烷基化二季戊四醇三丙烯酸酯、二羟甲基丙烷四丙烯酸酯(DTMPTA)、季戊四醇乙氧基三丙烯酸酯、乙烯氧基改性的三丙烯酰基磷酸酯(triacryl phosphate)、2，2，5，5-四羟甲基环戊酮四丙烯酸酯等。这些单体可单独或结合使用。
为了在交联保护层中形成紧凑的交联网络，三或更多官能单体的分子量(Mw)与单体的分子中包括的官能团(F)的数量的比率(Mw/F)优选不大于250。当数量太大时，得到的保护层变软，且由此层的抗磨损性稍微变差。在这种情况中，不优选仅使用一种具有长链基团的官能团的单体，如环氧乙烷、环氧丙烷和己内酯。以保护层的总重量计，交联的保护层中由三或更多官能单体获得的单元含量优选为20到80％重量，且更优选30到70％重量。当含量太低时，三维交联密度低，且由此不能赋予保护层以好的抗磨损性。相反，当含量太高时，电荷传输化合物的含量降低，不能赋予保护层以好的电荷传输特性。为了平衡交联保护层的抗磨损性和电荷传输特性，保护层中由三或更多官能单体获得的单元含量优选为30到70％重量。
用于制备交联保护层的具有电荷传输结构的合适的可自由基聚合的单官能单体包括具有一个可自由基聚合的官能团和诸如正空穴传输基(举例来说，三芳基胺、腙、吡唑啉和咔唑结构)和电子传输基(举例来说，接收电子的芳基，诸如稠合多环奎宁结构、二苯酚合苯醌结构、和氰基以及硝基)的电荷传输结构的化合物。作为可自由基聚合的单官能单体的官能团，优选使用丙烯酰氧基和异丁烯酰氧基。在这些电荷传输基中，优选使用三芳基氨基。在具有三芳基氨基的化合物中，优选使用具有下式(1)或(2)的化合物，因为它们具有好的电特性(即，高光敏性和低残余电位)。
其中R1表示氢原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、氰基、硝基、烷氧基、其中R7表示氢原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基以及取代或未取代的芳基和卤代羰基的-COOR7或其中R8和R9独立地表示氢原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基以及取代或未取代的芳基的CONR8R9；Ar1和Ar2独立地表示取代或未取代的亚芳基；Ar3和Ar4独立地表示取代或未取代的芳基；X表示单键、取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的亚环烷基、取代或未取代的亚烷醚基(alkyleneether)、氧原子、硫原子以及亚乙烯基；Z表示取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的亚烷醚基和亚烷氧基羰基；且m和n表示0和1到3的整数。
在结构式(1)和(2)中，在R1的这些取代基中，烷基包括甲基、乙基、丙基、丁基等；芳基包括苯基、萘基等；芳烷基包括苯甲基、苯乙基、萘甲基等；并且烷氧基包括甲氧基、乙氧基、丙氧基等。这些可以由如卤素原子、硝基、氰基、甲基和乙基的烷基；如甲氧基和乙氧基的烷氧基；如苯氧基的芳氧基；如苯基和萘基的芳基；如苯甲基和苯乙基的芳烷基所取代。
R1的这些取代基优选为氢原子或甲基。
Ar3和Ar4独立地表示取代或未取代的芳基，且其具体实例包括稠合多环烃基、非稠合的环烃基和杂环基。
稠合多环烃基优选为具有由18个或更少的碳原子形成的环的基团，如芬太尼基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、亚联苯基、As-indacenyl基、芴基、苊基、praadenyl基、苊基、非那烯基(phenalenyl)、phenantolyl基、蒽基、萤蒽基、acephenantolylenyl基、aceanthrylenyl基、三苯基、芘基、crycenyl基和萘并萘基。
非稠合环烃基和杂环基的具体实例包括如苯、二苯基醚、聚乙烯二苯基醚、二苯基硫醚和二苯基砜的单环烃化合物的一价基团；如联苯、聚苯、二苯基烷烃、二苯基烯烃、二苯基炔烃、三苯基甲烷、二苯乙烯基苯、1，1-二苯基环烷烃、聚苯基烷烃和聚苯基烯烃的非稠合烃化合物的一价基团；和如9，9-二苯基芴的环聚集烃(ring gathering hydrocarbon)化合物的一价基团。
杂环基的具体实例包括如咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩和噁二唑的一价基团。
Ar3和Ar4表示的取代或未取代的芳基的具体实例包括下述基团(1)卤素原子、氰基和硝基；
(2)具有1到12，优选1到8，且更优选1到4个碳原子的直链或支链烷基，且这些烷基还可包括氟原子、羟基、氰基、1到4个碳原子的烷氧基、苯基或卤素原子、1到4个碳原子的烷基或由1到4个碳原子的烷氧基取代的苯基。烷基的具体实例包括甲基、乙基、正丁基、异丙基、叔丁基、仲丁基、正丙基、三氟甲基、2-羟基乙基、2-乙氧基乙基、2-氰基乙基、2-甲氧基乙基、苯甲基、4-氯代苯甲基、4-甲基苯甲基、4-苯基苯甲基等。
(3)烷氧基(-OR2)，其中R2表示(2)中限定的烷基。其具体实例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、2-羟基乙氧基、苯甲氧基、三氟甲氧基等。
(4)芳氧基，且芳基的具体实例包括苯基和萘基。这些芳基可包括1到4个碳原子的烷氧基、1到4个碳原子或卤素原子作为取代基的烷基。芳氧基的具体实例包括苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、4-甲氧基苯氧基、4-甲基苯氧基等。
(5)如甲硫基、乙硫基、苯硫基和对-甲基苯硫基的烷基巯基或芳基巯基。
(6) 其中R3和R4独立地表示氢原子、(2)中限定的烷基和芳基，且芳基的具体实例包括苯基、联苯基和萘基，且这些可包括1到4个碳原子的烷氧基、1到4个碳原子或卤素原子作为取代基的烷基，且R3和R4可一起形成环。具有该结构式的基团的具体实例包括氨基、二乙氨基、N-甲基-N-苯基氨基、N，N-二苯基氨基、N-N-二(甲苯基)氨基、二苯甲基氨基、哌啶基、吗啉基、吡咯烷酮基(pyrrolidjno group)等。
(7)如亚甲二硫基或亚烷二硫基的亚甲二氧基、亚烷二氧基。
(8)取代或未取代的苯乙烯基、取代或未取代的β-苯基苯乙烯基、二苯基氨基苯基、二甲苯基氨基苯基等。
Ar1和Ar2表示的亚芳基是衍生自Ar3和Ar4表示的芳基的二价基团。
上述X表示单键、取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的亚环烷基、取代或未取代的亚烷醚基、氧原子、硫原子以及亚乙烯基。
取代或未取代的亚烷基是有1到12，优选1到8，更优选1到4个碳原子的直链或支链亚烷基，且这些亚烷基还可包括氟原子、羟基、氰基、1到4个碳原子的烷氧基、苯基或卤素原子、1到4个碳原子的烷基或由1到4个碳原子的烷氧基取代的苯基。亚烷基的具体实例包括亚甲基、亚乙基、正亚丁基、异亚丙基、叔亚丁基，仲亚丁基、正亚丙基、三氟亚甲基、2-羟基亚乙基、2-乙氧基亚乙基、2-氰基亚乙基、2-甲氧基亚乙基、亚苄基、苯基亚乙基、4-氯代苯基亚乙基、4-甲基苯基亚乙基、4-联苯基亚乙基等。
取代或未取代的亚环烷基是有5到7个碳原子的环状亚烷基，且这些亚烷基可包括氟原子、羟基、氰基、1到4个碳原子的烷氧基。其具体实例包括亚环己基(cyclohexylidine group)、环亚己基(cyclohexylene)和3，3-二甲基亚环己基等。
取代或未取代的亚烷醚基的具体实例包括乙烯氧基、丙烯氧基、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、四乙二醇和三丙二醇，且亚烷醚基的亚烷基可包括如羟基、甲基和乙基的取代基。
亚乙烯基具有下式 或者 其中R5表示氢原子、烷基(与(2)中限定的相同)，芳基(与Ar3和Ar4表示的相同)；a表示1或2；且b表示1、2或3。
Z表示取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的二价亚烷醚基和亚烷氧基羰基。
取代或未取代的亚烷基的具体实例包括X中的这类基团。
取代或未取代的二价亚烷醚基的具体实例包括X中的这类基团。
二价亚烷氧基羰基的具体实例包括二价己内酯改性的基团。
此外，具有本发明的电荷传输结构的单官能自由基聚合化合物更优选为具有下式(3)的化合物
(3)其中o、p和q独立地表示0或1；Ra表示氢原子或甲基；除了氢原子和有1到6个碳原子的烷基之外，Rb和Rc还表示取代基，且当具有多个碳原子时可以彼此不同；s和t表示0或1到3的整数；Za表示单键、亚甲基、亚乙基、-CH2CH2O-、 或者 具有结构式(3)的化合物优选具有甲基或乙基作为Rb和Rc的取代基的化合物。
具有用于本发明的结构式(1)，(2)，尤其(3)的电荷传输结构的单官能自由基聚合化合物不成为链端结构，因为碳之间的双键在向两侧打开时发生聚合并接入链型聚合物中。在与具有三或更多官能团的自由基聚合单体聚合的交联聚合物中，化合物存在于主链和主链之间的交联链中(该交联链包括一种聚合物和另一种聚合物之间的分子间交联链以及分子内交联链，其中具有折叠主链的部分与源于单体的另一部分发生聚合，该单体在主链上除上述聚合处以外的位置发生聚合)。即使当主链或交联链中存在化合物时，从主链悬垂的三芳基胺结构距离氮原子具有至少三个处于径向的芳基，该三芳基胺结构不直接与主链键合且通过羰基等悬垂，它尽管庞大但却是以柔性的方式空间固定的。三芳基胺结构可在聚合物中空间定位为彼此之间适度相邻，且具有更小的分子结构变形。因此，推测在电照相感光体的表面层中具有电荷传输结构的单官能自由基聚合化合物可具有这样的分子内结构，在该结构中相对地防止了电荷传输路线的阻挡。
具有电荷传输结构的单官能自由基聚合化合物的具体实例包括具有下式的化合物，但不限于该化合物。

















可自由基聚合的单官能单体用于赋予得到的保护层以电荷传输特性。可自由基聚合的单官能单体的添加量优选20到80％重量，且更优选30到70％重量，以保护层的总重量计。当添加量太小时，不能赋予得到的聚合物以好的电荷传输特性，且由此得到的感光体的电特性(诸如光敏性和残余电位)受变差。相反，当添加量太大时，得到的保护层的交联密度降低，且由此得到的感光体的抗磨损性变差。鉴于此，单官能单体的添加量为30到70％重量。
该交联保护层通常通过将至少一种可自由基聚合的三或更多官能单体与可自由基聚合的单官能单体反应(交联)来制备。然而，为了降低涂布液的粘度，使保护层的应力松弛，并降低保护层的表面能和摩擦系数，可将公知的可自由基聚合的单或双官能单体以及无电荷传输结构的可自由基聚合的低聚物与其结合使用。
无电荷传输结构的可自由基聚合的单官能单体的具体实例包括丙烯酸-2-乙基己基酯、丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸-2-羟基丙酯、丙烯酸四氢糠酯、2-乙基己基卡必醇丙烯酸酯、丙烯酸-3-甲氧基丁酯、丙烯酸苯甲酯、丙烯酸环己酯、丙烯酸异戊酯、丙烯酸异丁酯、甲氧基三甘醇丙烯酸酯、苯氧基四甘醇丙烯酸酯、丙烯酸十六烷基酯、丙烯酸异十八烷基酯、丙烯酸十八烷基酯、苯乙烯等。
无电荷传输结构的可自由基聚合的二官能单体的具体实例包括二丙烯酸-1，3-丁二醇酯、二丙烯酸-1，4-丁二醇酯、二甲基丙烯酸-1，4-丁二醇酯、二丙烯酸-1，6-己二醇酯、二甲基丙烯酸-1，6-己二醇酯、二丙烯酸二甘醇酯、二丙烯酸新戊二醇酯、双酚A-乙烯氧基改性的二丙烯酸酯、双酚F-乙烯氧基改性的二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯等。
用于赋予交联的保护层以诸如低表面能和/或低摩擦系数的单或双官能单体的具体实例包括含氟单体，如八氟代戊基丙烯酸酯、2-全氟代辛基乙基丙烯酸酯、2-全氟代辛基乙基甲基丙烯酸酯和2-全氟代异壬基乙基丙烯酸酯；和具有聚硅氧烷基，诸如有重复数目为20到70的硅氧烷单元的乙烯基单体、丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯，其在公开审查的日本专利申请No.05-60503和06-45770(举例来说，丙烯酰聚二甲基硅氧烷乙基、异丁烯酰聚二甲基硅氧烷乙基、丙烯酰聚二甲基硅氧烷丙基、丙烯酰聚二甲基硅氧烷丁基以及二丙烯酰聚二甲基硅氧烷二乙基)中有描述。
可自由基聚合的低聚物的具体实例包括环氧丙烯酸酯低聚物、尿烷丙烯酸酯低聚物、聚酯丙烯酸酯低聚物等。
使用每100重量份的三或更高官能单体时，该单和双官能单体的添加量优选不大于50重量份，且更优选不大于30重量份。当添加量太大时，交联密度降低，且由此得到的保护层的抗磨损性变差。
此外，为了有效地使保护层交联，可向保护层涂布液中添加聚合引发剂。合适的聚合引发剂包括热聚合引发剂和光聚合引发剂。该聚合引发剂可单独或结合使用。
热聚合引发剂的具体实例包括过氧化物引发剂，如2，5-二甲基己烷-2，5-二氢过氧化物、二异丙苯基过氧化物、苯甲酰过氧化物、叔丁基异丙苯基过氧化物、2，5-二甲基-2，5-二(过氧苯甲酰)己炔-3，二叔丁基过氧化物、叔丁基氢过氧化物、异丙基苯氢过氧化物、月桂酰过氧化物和2，2-双(4，4-二叔丁基过氧环己基)丙烷；和偶氮型引发剂，如偶氮双异丁腈、偶氮双环己烷腈、偶氮双丁酸甲酯、偶氮双异丁基脒的盐酸盐以及4，4′-偶氮双氰基戊酸。
光聚合引发剂的具体实例包括苯乙酮或缩酮型光聚合引发剂，诸如二乙氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮、1-羟基-环己基-苯基-酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基-(2-羟基-2-丙基)酮、2-苯甲基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)丁酮-1、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2-甲基-2-吗啉代(4-甲硫基苯基)丙烷-1-酮、和1-苯基-1，2-丙烷二酮-2-(邻-乙氧基羰基)肟；安息香醚型光聚合引发剂，诸如安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丁基醚和安息香异丙基醚；二苯甲酮型光聚合引发剂，诸如二苯甲酮、4-羟基二苯甲酮、邻-苯甲酰苯甲酸甲酯、2-苯甲酰萘、4-苯甲酰联苯、4-苯甲酰苯基醚、丙烯酸化的二苯甲酮和1，4-苯甲酰苯；噻吨酮型光聚合引发剂，诸如2-异丙基噻吨酮、2-氯代噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮和2，4-二氯代噻吨酮；和其它光聚合引发剂，诸如乙基蒽醌、2，4，6-三甲基苯甲酰二苯基氧化膦、2，4，6-三甲基苯甲酰苯基乙氧基氧化膦、双(2，4，6-三甲基苯甲酰)苯基氧化膦、双(2，4-二甲氧基苯甲酰)-2，4，4-三甲基戊基氧化膦、甲基苯基乙醛酰酯、9，10-菲、吖啶化合物、三嗪化合物、咪唑化合物等。光聚合加速剂可单独或结合上述的光聚合引发剂使用。光聚合加速剂的具体实例包括三乙醇胺、甲基二乙醇胺、4-二甲基氨基苯甲酸乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸异戊酯、2-二甲基氨基乙基苯甲酸酯、4，4′-二甲基氨基二苯甲酮等。
使用每100重量份的可自由基聚合的单体的总重量时，聚合引发剂的添加量优选为0.5到40重量份，且更优选1到20重量份。
为了使该交联的保护层的应力松弛且提高保护层与CTL的粘合力，保护层涂布液可包括添加剂，如增塑剂、均化剂和无自由基聚合能力的低分子量的电荷传输材料。增塑剂的具体实例包括用于通用树脂的公知增塑剂，如邻苯二甲酸二丁酯和邻苯二甲酸二辛酯。以涂布液中包括的总固体组分计，增塑剂在保护层涂布液中的添加量优选不大于20％重量，且更优选不大于10％重量。均化剂的具体实例包括硅油(诸如二甲基硅油和甲基苯基硅油)，以及在其侧链具有全氟烷基的聚合物和低聚物。以涂布液中包括的总固体组分计，均化剂的添加量优选不大于3％重量。
通常通过在CTL上涂布包括可自由基聚合的三或更多官能单体和可自由基聚合的单官能单体的涂布液，然后使该涂层交联来制备交联的保护层。当该单体为液体时，可以在单体中溶解其它组分，结果制备保护层涂布液。该涂布液可任选地包括溶剂以较好地溶解其它组分和/或以降低涂布液的粘度。溶剂的具体实例包括醇，诸如甲醇、乙醇、丙醇和丁醇；酮，如丙酮、丁酮、甲基异丁基酮和环己酮；酯，如乙酸乙酯和乙酸丁酯；醚，如四氢呋喃、二噁烷和丙基醚；卤代溶剂，如二氯甲烷、二氯乙烷、三氯乙烷和氯苯；芳香溶剂，如苯、甲苯和二甲苯；溶纤剂诸如甲基溶纤剂、乙基溶纤剂和乙酸溶纤剂；等等。这些溶剂可单独或结合使用。溶剂的添加量依据固体组分的溶解度、所使用的涂布方法以及保护层的目标厚度来确定。诸如浸涂法、喷涂法、颗粒涂布法和环涂法(ring coating)的涂布方法可用于形成保护层。
在涂布保护层涂布液之后，将诸如热能、光能以及辐射能的能量施加到涂层上以使该层交联。施加热能的方法的具体实例如下述(1)向其施加热气(诸如空气和氮气)；(2)使其与受热的材料接触；和(3)利用光或电磁波从涂层侧或相反侧辐射涂层。
所涂布的保护层的加热温度优选为100到170℃。当温度太低时，交联速度太低，且由此导致涂层不能充分交联的问题。当温度太高时，交联反应不均匀进行，且由此导致得到的保护层具有大的应变或包括未反应的官能团的问题。为了均匀地实施交联反应，优选使用如下方法，首先在相对低温(不高于约100℃)下加热涂层，随后在相对高温(不低于约100℃)下加热。用于使涂层光交联的光源的具体实例包括紫外光发射器件，如高压汞灯和金属卤化物灯。此外，如果可自由基聚合的单体和所使用的光聚合引发剂在可见光区域内有吸收时，也可使用可见光发射灯。照明强度优选为50到1000mW/cm2。当照明强度太低时，涂层交联需花费长时间。相反，当照明强度太高时，出现以下问题交联反应不均匀进行，由此在得到的保护层中形成皱纹，或保护层中包括未反应的反应基。此外，还出现以下问题由于迅速交联，所以得到的保护层出现破裂或脱落。施加辐射能的方法的具体实例包括采用电子束。在这些方法中，优选使用采用热或光的方法，因为反应速度高且施加能量的设备结构简单。
该交联保护层的厚度优选为1到10μm，且更优选2到8μm。当该交联的保护层太厚时，出现上述破裂和脱落问题。当厚度不大于8μm时，破裂和脱落问题的容限增加。因此，可向涂层施加相对大量的能量，且由此交联密度可进一步增加。此外，可提高在选择赋予保护层以好的抗磨损性的材料方面的灵活性以及设定交联条件的灵活性。通常，空气中包括的氧气妨碍自由基聚合反应，即，由于空气中的氧气，在涂层的表面部分(0到约1μm的厚度方向内)内不能很好地实施交联，导致不均匀交联层的形成。因此，如果该交联保护层太薄(即，保护层的厚度小于约1μm)，该层具有差的抗磨损性。此外，当保护层涂布液直接涂布到CTL上时，在CTL中包括的组分易于溶解在涂布液中，导致组分迁移到保护层中。在这种情况中，如果保护层太薄，组分迁移到整个保护层中，导致发生不能很好地实施交联或交联密度低的问题。这样，保护层的厚度优选不小于1μm，使得保护层具有好的抗磨损性和抗划痕性。然而，如果磨蚀整个保护层，那么位于保护层下的CTL比保护层更容易磨蚀。在这种情况中，发生以下问题感光体的光敏性急剧变化，且产生不均匀半色调图像。为了得到的感光体可长时间产生高质量图像，交联保护层优选具有不小于2μm的厚度。
当该交联的保护层在有机溶剂中不溶解时，得到的感光体具有显著提高的抗磨损性和抗划痕性，该保护层作为具有CGL和CTL的感光体的最外层形成。保护层的抗溶剂性可通过以下方法检查(1)往保护层的表面上滴溶剂，该溶剂可较好地溶解聚合物，如四氢呋喃和二氯甲烷；(2)使该溶剂自然干燥；和(3)目视观察保护层的表面以确定表面情况是否变化。
如果保护层有差的抗溶剂性，则观察到下述的现象(1)表面部分凹进去同时其边缘凸出来；(2)在保护层中的电荷传输材料结晶，且由此表面部分浑浊；或(3)表面部分首先膨胀，且然后起皱。
如果保护层有好的抗溶剂性，那么将观察不到上述现象。
为了制备具有好的抗有机溶剂性的交联保护层，关键点如下(1)最优化保护层涂布液的配方，即，最优化液体中包括的各组分的含量；(2)选择适当的溶剂稀释保护层涂布液，同时适当地控制涂布液的固体含量；(3)使用适当的方法涂布保护层涂布液；(4)在适当的交联条件下使涂层交联；和(5)形成CTL，该CTL位于保护层下且在保护层涂布液中包括的溶剂中几乎不溶。
优选使用这些技术中的一种或多种。
除了包括无电荷传输结构的可自由基聚合的三或多官能单体和有电荷传输结构的可自由基聚合的单官能单体之外，该保护层涂布液还可包括添加剂，诸如无可自由基聚合的基团的粘合剂树脂、抗氧化剂和增塑剂。由于这些添加剂的添加量太大，交联密度降低且保护层出现交联的聚合物与添加剂分离的相分离问题，且由此得到的保护层变得在有机溶剂中可溶。因此，以保护层涂布液中包括的固体组分的总重量计，添加剂的添加量优选不大于20％重量。此外，为了不降低交联密度，以可自由基聚合的三或更多官能单体的重量计，保护层涂布液中的单或双官能单体、反应性低聚物和反应性聚合物的总添加量优选地不大于20％重量。尤其是，当具有电荷传输结构的双或更多官能单体的添加量太大时，具有庞大结构的单元结合到保护层中，同时该单元与保护层的多个链连接，由此在保护层中产生应变，导致在保护层中形成微交联材料的聚集体。该保护层在有机溶剂中可溶。具有电荷传输结构的可自由基聚合的双官能或更多官能单体的添加量可依据所用单体的种类确定，但是以保护层中包括的具有电荷传输结构的可自由基聚合的单官能单体的重量计，所述添加量通常不大于10％重量。
当具有低挥发速度的有机溶剂用于保护层涂布液时，出现以下问题涂层中残留的溶剂对保护层的交联有负面影响；且CTL中包括的大量组分迁移到保护层中，导致交联密度降低或形成不均匀交联的保护层(即，交联保护层变得在有机溶剂中可溶)。因此，优选使用溶剂，诸如四氢呋喃、四氢呋喃和甲醇的混合溶剂、乙酸乙酯、丁酮和乙基溶纤剂。优选的是根据所使用的涂布方法在这些溶剂中选择一种或多种适当的溶剂。当保护层涂布液的固体含量太低时，发生相似的问题。固体含量的上限依据保护层的目标厚度和保护层涂布液的目标粘度确定，后者依据使用的涂布方法确定，但是通常，保护层涂布液的固体含量优选为10到50％重量。用于制备该交联的保护层的合适的涂布方法包括以下方法其中涂层中包括的溶剂的重量尽可能低，以及在涂层中的溶剂与将涂布液涂布到其上的CTL接触的时间尽可能短。该涂布方法的具体实例包括喷涂法和环涂法，其中控制涂层的重量使其较轻。此外，为了控制迁移到保护层中的CTL的组分的量使其尽可能小，优选对CTL使用电荷传输聚合物和/或在CTL和保护层之间形成几乎不溶于用于保护层涂布液的溶剂的中间层。
当在交联过程中热和辐射能低时，涂层不完全交联。在这种情况中，得到的层在有机溶剂中可溶。相反，当能量太高时，进行的是不均匀交联，导致未交联部分或自由基封端的部分增加，或形成微交联材料的聚集体。在这种情况中，得到的保护层在有机溶剂中可溶。为了使保护层在有机溶剂中不溶，交联条件优选如下加热交联条件温度100到170℃加热时间10分钟到3小时UV光交联条件照明强度50到1000mW/cm2辐射时间5秒到5分钟涂布材料的温度50℃或更低当将具有三个丙烯酰氧基的丙烯酸酯单体和具有一个丙烯酰氧基的三芳基胺化合物用于保护层涂布液时，为了使保护层在有机溶剂中不溶，丙烯酸酯单体(A)与三芳基胺化合物(T)的重量比(A/T)优选为7/3到3/7。聚合引发剂的添加量优选为3到20％重量，以丙烯酸酯单体(A)和三芳基胺化合物(T)的总重量计。此外，优选向涂布液中添加适当溶剂。如果其上涂布保护层涂布液的CTL由三芳基胺化合物(作为CTM)和聚碳酸酯树脂(作为粘合剂树脂)形成，且保护层涂布液通过喷涂法涂布，那么保护层涂布液的溶剂优选选自四氢呋喃、2-丁酮和乙酸乙酯。以每100重量份的丙烯酸酯单体(A)计，该溶剂的添加量优选为300到1000重量份。
在制备保护层涂布液之后，采用喷涂法将涂布液涂布到鼓的外围表面，该鼓包括例如，铝圆筒和内涂层(undercoat)，在铝圆筒上形成的CGL和CTL。然后使该涂层自然干燥，随后在相对低温(25到80℃)下干燥一小段时间(1到10分钟)。然后将该干燥的层加热或曝光于UV光以进行交联。
当采用UV光实施交联时，优选使用金属卤化物灯。在这种情况中，UV光的照明强度优选50mW/cm2到1000mW/cm2。如果使用发射200mW/cm2UV光的多个UV灯，优选的是多个灯利用UV光沿着已涂布的鼓的外围表面均匀辐射该涂层约30秒。在这种情况中，控制鼓的温度以使其不超过50℃。
当实施热交联时，温度优选为100到170℃，加热器件优选为具有鼓风机的炉子。当加热温度为150℃时，加热时间优选20分钟到3小时。
优选的是在交联操作之后，在100到150℃下加热这样制备的感光体10分钟到30分钟以去除保护层中残留的溶剂。这样，制备本发明的感光体(即，图像承载体)。
此外，在保护层中通过诸如溅射的真空成膜法形成无定形碳层或无定形SiC层，这样的保护层也可用于本发明的感光体。
当保护层形成为感光体的最外层时，有这样的情况如果保护层大量吸收放电光时，放电光几乎不能到达光敏层，导致残余电位增加和保护层变差。因此，该保护层对于放电光优选具有不小于30％的透射率，更优选不小于50％，进一步优选不小于85％。
测量保护层的透射率如下述仅形成保护层；利用市售的分光光度计测量其光谱吸收；以及根据光谱吸收确定其对于放电光的透射率。
当放电光辐射到包括含有CGL和CTL的光敏层以及保护层的感光体的表面上时，放电光通过保护层和CTL辐射到CGL。因此，对组合的CTL和保护层的透射相当重要，且其组合优选对于放电光具有不小于30％的透射率，更优选不小于50％，进一步优选不小于85％。
除了形成CTL和保护层之外，对CTL和保护层的组合的透射率可通过上述方法测量。
如上述，通过将电荷传输聚合物用于CTL和/或形成保护层作为最外层，可提高感光体的耐久性。此外，当该感光体用于下述串连型全色成像设备时，可产生新的效果。
在用于本发明的感光体中，下面的抗氧化剂可添加到保护层、CTL、CGL、电荷阻挡层、抗波纹层等中以提高抵挡环境条件(尤其，避免敏感性受损和残余电位的增加)的稳定性。用于感光体的层的合适的抗氧化剂包括下面的化合物，但不限于此。
(a)酚化合物2，6-二叔丁基-对-甲酚、丁基化羟基苯甲醚、2，6-二叔丁基-4-乙基苯酚、正十八烷基-3-(4′-羟基-3′，5′-二叔丁基酚)、2，2′-亚甲基-双-(4-甲基-6-叔丁基酚)、2，2′-亚甲基-双-(4-乙基-6-叔丁基酚)、4，4′-硫代双-(3-甲基-6-叔丁基酚)、4，4′-亚丁基双-(3-甲基-6-叔丁基酚)、1，1，3-三-(2-甲基-4-羟基-5-叔丁基苯基)丁烷、1，3，5-三甲基-2，4，6-三(3，5-二-叔丁基-4-羟基苯甲基)苯、四-[亚甲基-3-(3′，5′-二-叔丁基-4′-羟基苯基)丙酸酯]甲烷、双[3，3′-双(4′-羟基-3′-叔丁基苯基)丁酸]乙二醇酯、维生素E化合物等。
(b)对苯二胺化合物N-苯基-N′-异丙基-对-苯二胺、N，N′-二仲丁基-对-苯二胺、N-苯基-N-仲丁基-对-苯二胺、N，N′-二异丙基-对-苯二胺、N，N′-二甲基-N，N′-二叔丁基-对-苯二胺等。
(c)氢醌化合物2，5-二叔辛基氢醌、2，6-双十二烷基氢醌、2-十二烷基氢醌、2-十二烷基-5-氯代氢醌、2-叔辛基-5-甲基氢醌、2-(2-十八烷基)-5-甲基氢醌等。
(d)含硫有机化合物双十二烷基-3，3′-硫代二丙酸酯、双十八烷基-3，3′-硫代二丙酸酯、双十四烷基-3，3′-硫代二丙酸酯等。
(e)含磷有机化合物三苯基膦、三(壬基苯基)膦、三(二壬基苯基)膦、三甲苯基膦、三(2，4-二丁基苯氧基)膦等。
这些化合物已用作橡胶、树脂和油以及脂肪的抗氧化剂，且商业上可购得。层中抗氧化剂的含量以层的总重量计为0.01到10％重量。
当形成全色图像时，生成各种图案的彩色图像。在这种情况中，对感光体的所有部分进行成像处理，诸如成像辐射以及显影。相反，存在有定影彩色图像(诸如批准的印记)的原始文件。批准的印记通常位于文件的边缘部分，且其色彩有限。当该图像形成在感光体上时，感光体的特定部分主要用于其成像。在这种情况中，该部分比感光体的其它部分损坏得快。如果对此使用耐久性不够(即，物理、化学和机械耐久性不够)的感光体时，易出现图像问题。然而，用于本发明的感光体有好的耐久性，且因此几乎不导致该图像问题。
静电潜像成形装置在图像载体(即，感光体)利用充电器充电之后，光辐照器利用成像光辐射充电的感光体以在感光体上形成静电潜像，其中充电器和光辐照器用作静电潜像成形装置。
该静电潜像成形装置通常包括充电器和光辐照器，充电器设置为对感光体均匀充电。
不具体限制用于本发明的成像设备的充电器，可使用公知的充电器。其具体实例包括接触式充电器(举例来说，导电或半导电辊，刷，薄膜和橡胶刀)；短程充电器，其充电部件在100μm量级的间隙对感光体充电；非接触式充电器，诸如有电晕放电的充电器(举例来说，电晕管和scorotron)等。通过充电器在感光体上形成的电场强度优选为20到60V/μm，且更优选30到50V/μm。在这点上，电场越强，得到的图像具有的点再现性越好。然而，当电场强度太高时，出现以下问题，感光体出现电介质击穿和载流子颗粒黏附到静电潜像上。
电场强度(E)由以下等式表示。
E(V/μm)＝SV/G其中SV表示显影部分处感光体的非光照部分的电位(V)；且G表示感光体的光敏层厚度，光敏层至少包括CGL和CTL。
图像辐照采用光辐照器利用成像光通过辐射充电的感光体实施。可使用公知的光辐照器，且选择适当的光辐照器用于使用本发明的调色剂的成像设备。其具体实例包括用于复印机读取图像的光学系统；采用棒形透镜阵列的光学系统；采用激光器的光学系统和采用液晶快门的光学系统。从感光体的后侧辐射感光体是可能的。
用于光辐照器的光源的具体实例包括发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和场致发光器件(EL)。
公开待审的日本专利申请No.9-275242、9-189930和5-313033公开了一种采用非线性光学材料通过二次谐波生成技术(second harmonicgeneration，SHG)将激光束波长降低到一半的方法。该方法可使用寿命长并能产生大功率的GaAs LD和YAG激光器。
宽间隙半导体可以制造比采用二次谐波生成技术(SHG)的设备更小的成像设备。
因为其高发光效率，已经研究了在公开待审的日本专利申请No.7-321409和6-334272中公开的采用ZnSe半导体的LD，和公开待审的日本专利申请No.8-88441和7-335975中公开的GaN半导体。此外，近来，Nichia公司已使采用GaN半导体和发射具有405nm波长光的LD进入实际应用，该LD远比上述材料高级且可用于本发明。此外，也可使用市售的采用上述材料的LED灯。
目前，还没有对短于约350nm的波长的光完全透明的CTM。这是因为几乎所有CTM均含有具有约300到350nm的吸收端的三芳基胺结构。因此，如果CTM更透明，用于本发明的光源将可发射更短波长的光。
静电潜像(和调色剂图像)的分辨率依赖于图像写入光的分辨率。即，更高的图像写入光的分辨率，得到的静电潜像就有更好的分辨率。然而，当图像写入光的分辨率高时，花费长时间写入图像。当仅有一种光源用于图像写入时，图像处理速度(即，图像载体的速度)依赖于图像写入速度。因此，当仅有一种光源用于图像写入时，分辨率的上限为约1,200dpi(每英寸点数)且优选2,400dpi。当使用多个光源(n个)，分辨率的上限为1,200(或2,400)dpixn。在这些光源中，优选使用LED和LD。
图像显影装置采用包括调色剂的显影剂利用图像显影装置使感光体上形成的静电潜像显影，且在感光体上形成调色剂图像。在这点上，通常使用负性-正性显影方法。因此使用具有与感光体上形成的电荷极性相同的调色剂。仅包括调色剂的单组分显影剂和包括调色剂和载流子的双组分显影剂均可用于本发明的成像设备。
转印装置转印装置将调色剂图像转印到接收材料上。该转印方法分为直接转印法，其中调色剂图像直接转印到接收材料上；和间接转印法，其中将调色剂图像转印到中间转印介质(一次转印)，然后转印到接收材料(二次转印)上。两种转印方法均可用于本发明的成像设备。当生成高分辨率的图像时，优选使用直接转印方法。
当转印调色剂图像时，通常利用包括在转印设备中的转印装置充电器对感光体充电。不限制该转印装置，且也可使用公知的转印装置，诸如转印带和转印辊。
本发明的成像设备的合适的转印装置(一次和二次转印装置)包括这样的转印装置，该转印装置对调色剂图像充电以使其容易地转印到接收材料上。转印装置的具体实例包括电晕-电荷转印装置、转印带、转印辊、压力转印辊、黏附转印装置等。该转印装置可以是一个或多个。不具体限制该接收材料，可使用公知的接收材料，诸如纸张和薄膜。
合适的转印充电器包括转印带充电器和转印辊充电器。在这点上，考虑到生成的臭氧的量，优选使用接触型转印带充电器和转印辊充电器。电压恒定型充电方法和电流恒定型充电方法均可用于本发明，但是优选使用电流恒定型充电方法，因为可施加恒定的转移电荷且由此可稳定地进行充电。
如上述，在一个成像循环中通过感光体的电荷量很大程度上依据转印过程之后感光体的残余电位而改变。即，感光体具有的残余电位越高，感光体损坏得就越快。
在这点上，电荷量意味着在感光体厚度方向内通过的电荷量。特别地，利用主充电器对感光体进行(负)充电使其具有预定电位。然后在充电的感光体上实施成像光辐照。在这种情况中，感光体的亮部分生成光-载流子，且由此感光体表面上的电荷衰减。在这种情况中，对应于载流子生成量的电流在感光体的厚度方向内流动。相反，在显影和转印过程(以及任选的清洁过程)之后将感光体非亮部分送到放电位置。如果在紧接着充电过程之后非亮部分的电位接近其电位，那么在放电过程中电荷通过感光体，该电荷量几乎与成像光辐照过程中通过感光体的电荷量相同。通常，要生成的图像在图像区域有小的凸出部分，且因此在一个成像循环中几乎所有电荷在放电过程中都通过感光体。假如图像区域的凸出部分为10％，那么90％的电流在放电过程中流动。
如果组成感光体的材料由电荷损坏，那么感光体的静电特性很大程度上受通过感光体的电荷影响。特别地，感光体的残余电位依据通过感光体的电荷量而增加。如果残余电位增加，那么当使用负性-正性显影方法时将出现得到的调色剂图像的图像密度降低的问题。因此，为了延长感光体的寿命，不得不降低穿过感光体的电荷量。
建议在不实施放电过程的情况下进行成像。在这种情况中，无法对感光体的所有部分均匀地充电(结果形成重影)，除非使用大功率的充电器。
为了降低通过感光体的电荷量，优选在不使用光的情况下对感光体上的电荷放电。因此，通过控制转印偏压降低感光体上的非亮部分的电位是有效的。特别地，优选在放电过程之前，将感光体的非亮部分的电位降低到约(-)100V(优选0V)。在这种情况中，可降低通过感光体的电荷量。更优选对感光体充电以使其具有与在主充电过程中在感光体上形成的电荷极性相反的电位，因为在这种情况中不生成光载流子。然而，在这种情况中出现以下问题调色剂图像分散且感光体无法充电以具有预定电位，除非使用大功率的充电器作为主充电器。因此，转印过程之后感光体的电位优选不大于100V。
定影装置当转印多个颜色的图像以形成多色(或全色)图像时，定影操作可在各彩色图像上或在重叠的彩色图像上实施。
公知的定影装置可用于本发明的成像设备中。在这些定影装置中，优选使用包括加热辊和压力辊的组合，或加热辊、压力辊以及环形带的组合的热/压定影设备。加热部件的温度优选为80到200℃。定影装置不限于此，且可使用公知的光定影装置。
放电装置用于本发明的成像设备的放电装置不具体限制，且可以为公知的设备诸如荧光灯、钨灯、卤化物灯、汞灯、钠灯、以及氙灯、LED、LD以及EL。可使用能选择性地获得具有理想波长的光的光学滤波器，诸如锐截止(sharp-cut)滤波器、带通滤波器、近红外切割滤波器(near-infrared cuttingfilter)、二向色滤波器、干涉滤波器以及色温转换滤波器。
其它本发明的成像设备可包括清洁器，它去除感光体表面上残留的调色剂颗粒，甚至在转印过程之后也是如此。该清洁器不具体限制，且可使用公知的清洁器，诸如磁清洁刷、静电清洁刷、磁清洁辊、叶片清洁器、清洁刷以及清洁网。
本发明的成像设备可包括调色剂再循环器，它将由清洁器收集的调色剂颗粒送到图像显影装置。不具体限制该调色剂再循环器，并且为此可使用粉末加料器。
本发明成像设备可包括控制上述过程的控制器。为此可使用任何公知的控制器，诸如程序装置和计算机。
将参照附图解释本发明成像设备。
图8是说明成像设备实施方案的示意图。该成像设备包括感光体1，该感光体1包括至少一个导电基底、叠置在基底上的包括有机CGM的CGL、以及叠置在CGL上的CTL。尽管感光体1具有鼓状，但其形状不限于此且可使用片状和环带状的感光体。
在感光体1的周围与其接触或邻近地设置放电灯2，其使感光体1上残留的电荷放电；充电器3，其对感光体1充电；光辐照器5，其利用成像光辐射感光体1以在感光体1上形成静电潜像；图像显影装置6，其利用调色剂使潜像显影以在感光体1上形成调色剂图像；以及清洁器，其包括清洁感光体1表面的毛刷14和清洁铲15。在感光体1上形成的调色剂图像转印到接收纸9上，该纸张在转印装置(即，一对转印充电器10和分离充电器11)处由一对对准辊8供应。在其上具有调色剂图像的接收纸9通过分离镐12与感光体1分开。
作为充电器3，优选使用金属丝充电器和辊充电器。当需要高速度充电时，优选使用scorotron充电器。对于小型成像设备和串联型成像设备，优选使用辊充电器，因为通过充电形成的如NOx和SOx的酸性气体以及臭氧的量小。通过充电器在感光体上形成的电场强度优选不小于20V/μm。在这点上，电场强度越大，得到的图像所具有的点再现性更好。然而，当电场强度太高时，出现感光体导致电介质击穿以及载流子颗粒黏附到静电潜像上的问题。因此，电场强度优选不大于60V/μm，且更优选不大于50V/μm。
用于光辐照器5的合适的光源包括有高强度光源和发射具有短于450nm波长的写入光(中间层内的金属氧化物不吸收)的发光二极管(LED)，激光二极管(LD)以及场致发光器件(EL)。静电潜像(和调色剂图像)的分辨率依赖于图像写入光的分辨率。即，图像写入光的分辨率越高，得到的静电潜像具有的分辨率更好。然而，当图像写入光的分辨率高时，要花费长时间写入图像。当仅有一种光源用于图像写入时，图像处理速度(即，图像载体的速度)依赖于图像写入速度。因此，当仅有一种光源用于图像写入时，分辨率的上限约为1,200dpi(每英寸点数)。当使用多个光源(n个)时，分辨率的上限基本为1,200dpixn。在这些光源中，优选使用LED和LD，因为它们具有高照明度。
图像显影装置6包括至少一个显影套筒(developing sleeve)。该显影设备利用包括调色剂的显影剂通过负性-正性显影方法使感光体上形成的静电潜像显影。目前的数字成像设备采用负性-正性显影方法，其中调色剂黏附到亮部分，因为原图像的图像区域的凸出部分低，且因此考虑到光辐照器的寿命，对于光辐射设备优选利用光辐射感光体的图像部分。关于显影剂，对于本发明的成像设备可使用仅包括调色剂的单组分显影剂，也可使用包括调色剂和载体的双组分显影剂。
关于转印充电器10，也可以对其使用转印带和转印辊。具体地，优选使用接触式转印带和转印辊，因为在转印过程中臭氧生成量少。在本发明中可使用电压恒定型充电方法和电流恒定型充电方法，但是优选使用电流恒定型充电方法，因为可施加恒定的转印电荷，由此可稳定地实施充电。在转印过程中，当从电源对转印装置施加电压时，优选在转印过程中通过转印部件控制感光体中的电流。
由于电荷的施加，转印电流流动以从感光体上去除调色剂并将调色剂转印到接收材料上，该调色剂通过静电黏附到感光体上。为了防止部分调色剂图像未被转印的转印问题的发生，增加转印电流。然而，当使用负性-正性显影方法时，在转印过程中施加与在感光体上形成的电荷极性相反的电压，且由此感光体经历严重的静电疲劳。在该转印过程中，转印电流越高，调色剂图像的转印效率越好，但是如果电流大于阈值时，在感光体和接收材料之间发生放电现象，导致形成发散的调色剂图像。因此，优选控制转印电流使其不超过阈值电流。该阈值电流依据感光体的材料和接收材料之间的距离以及组成感光体和接收材料的因素而改变，但是通常为约200μA以防止放电现象的发生。
转印方法分为直接转印法，其中调色剂图像直接转印到接收材料上；和间接转印法，其中调色剂图像转印到中间转印介质(一次转印)上，然后转印到接收材料上(二次转印)。两种转印方法都可用于本发明的成像设备。
如上所述，优选的是控制转印电流以降低感光体未辐射部分的电位，其导致在一次成像循环中通过感光体的电荷量降低。
用于放电装置2的合适的光源包括，诸如荧光灯、钨灯、卤化物灯、汞灯、钠灯和氙灯的公知光源，以及LED、LD和EL，尤其是发射具有中间层包括的金属氧化物不吸收的波长的光。可使用能选择性获得具有理想波长的光的光学滤波器，诸如锐截止滤波器、带通滤波器、近红外切割滤波器、二向色滤波器、干涉滤波器以及色温转换滤波器。
图8中清洁器采用毛刷和清洁铲，但是清洁可仅通过清洁刷实施。对于清洁刷，可使用公知的刷，诸如毛刷和磁毛刷。
图9是说明本发明的成像设备(即，串联型成像设备)的另一个实施方案的示意图。在图9中，串联型成像设备具有黄色成像单元25Y、品红色成像单元25M、青色成像单元25C和黑色成像单元25K。鼓状感光体16Y、16M、16C和16K以各自箭头表示的方向旋转，该感光体为上述的感光体并且各自在CGL中至少包括有机CGM，且在CTL中包括至少一种具有结构式(I)到(IV)的电荷传输材料。在感光体16Y、16M、16C和16K周围以顺时针方向分别依次设置充电器17Y、17M、17C和17K；光辐照器18Y、18M、18C和18K；显影设备19Y、19M、19C和19K；清洁器20Y、20M、20C和20K以及放电装置27Y、27M、27C和27K。作为充电器，优选使用上述充电器，该充电器可均匀地对感光体的表面充电。在充电器和图像显影装置之间的点处，该光辐照器18Y、18M、18C和18K利用激光束辐射各自感光体的表面以在各自的感光体上形成静电潜像。该四个成像单元25、25M、25C和25K沿着转印带22设置。在位于各自的图像显影装置和各自的清洁器之间的图像转印点处，转印带22与各自的感光体16接触以接收在感光体上形成的彩色图像。在转印带22的图像转印点的背面，设置转印刷21Y、21M、21C和21K以对转印带22施加转印偏压。除了调色剂的颜色彼此不同之外，成像单元具有基本相同的配置。
将参照图9解释该成像过程。
首先，在每个成像单元25Y、25M、25C和25K中，沿箭头表示的方向旋转的感光体16Y、16M、16C和16K用充电器17Y、17M、17C和17K充电，以使其具有20到60V/μm的电场，且优选为20到50V/μm。然后光辐照器18Y、18M、18C和18K用短于450nm波长的、中间层内的金属氧化物不吸收的成像激光束辐射感光体16Y、16M、16C和16K以在每个感光体上形成静电潜像，该潜象通常具有不小于1,200dpi(且优选不小于2,400dpi)的分辨率。
然后利用显影设备19Y、19M、19C和19K采用黄色、品红色、青色或黑色调色剂使在感光体上形成的静电潜像显影以在各自的感光体上形成不同颜色的调色剂图像。将这样制备的彩色调色剂图像转印到接收材料26上，该接受材料从纸盘供应给一对对准辊23并通过对准辊23及时地供应给转印带22。在每个感光体16Y、16M、16C和16K与接收材料26的接触点处(即，转印位置)将感光体上的各调色剂图像转印到接收材料26上。
各感光体上的调色剂图像因电场转印到接收材料26上，该电场因为施加给转印部件21Y、21M、21C和21K的转印偏压和各自的感光体16Y，16M，16C和16K的电位之间的差而形成。在通过四个转印位置之后，其上具有彩色调色剂图像的接收材料26接着传输到定影装置24，以将彩色调色剂图像定影到接收材料26上。然后接收材料26从成像设备的主体中排出。残留在感光体上的调色剂颗粒，甚至在转印过程之后仍然残留的颗粒由各自的清洁器20Y、20M、20C和20K收集。
然后放电器件27Y、27M、27C和27K从各自的感光体16Y、16M、16C和16K上去除残余电位，使得感光体16Y、16M、16C和16K为下次成像操作准备。
在成像设备中，成像单元25Y、25M、25C和25K在进纸方向上以所述顺序设置，但是该顺序不限于此。此外，生成黑色图像时，可停止除了感光体16K之外的感光体16Y、16M和16C的运行。
如上述，感光体16优选具有不高于100V(即，当由主充电器对感光体进行负充电时为-100V)的电位。更优选地，当由主充电器对感光体进行负充电时，对感光体充电以使其在转印过程中具有不低于+100V的电位(即，具有与感光体上形成的电荷极性相反的100V)。在这种情况中，可很好地防止发生残余电位增加的问题。
上述成像单元可固定地设置在成像设备中，如复印机、传真和打印机中。然而，该成像单元也可设置在如处理盒中。该处理盒指成像单元，其至少包括上述感光体和一个或多个充电设备；光辐射设备；显影设备；转印设备；清洁设备以及放电设备。图10是说明本发明的处理盒的实施方案的示意图。在图10中，处理盒包括感光体101，其由光敏层形成，该光敏层在基底上至少包括一个包括金属氧化物的中间层、包括有机CGM的CGL以及包括电荷传输材料的CTL。
充电器102对感光体101充电，光辐射设备103利用具有短于450nm波长的中间层内的金属氧化物不吸收的成像光辐射感光体101以在感光体101上形成静电潜像。包括显影套筒的显影设备104利用调色剂使潜像图像显影，图像转印设备106将调色剂图像转印到接收纸105上，清洁设备107清洁感光体101的表面，且放电设备108使感光体101放电。
在已概括地描述了本发明的情况下，通过参照本申请提供的某些具体的实施例可进一步理解本发明，该实施例仅用于解释的目的而不意在限制。在下面实施例的描述中，除非另外限定，数字表示重量份的比。
实施例首先，将解释用于本发明的合成偶氮颜料和酞菁氧钛晶体的方法。根据公开审查的日本专利申请No.60-29109和日本专利号3026645公开的方法制备该偶氮颜料。根据公开待审的日本专利申请号2001-19871和2004-83859公开的方法制备酞菁氧钛晶体。
酞菁氧钛晶体的合成(合成实施例1)通过公开待审的日本专利申请号2001-19871的合成实施例1公开的方法制备酞菁氧钛晶体。具体地，首先混合29.2g的1，3-二亚氨基异二氢吲哚和200ml的环丁砜。然后在氮气流下将20.4g的四丁氧基钛滴入到混合物中。然后将该混合物加热到180℃且在搅拌的同时在170到180℃的温度下反应5小时。在反应之后，冷却反应产物，随后过滤。利用氯仿清洗这样制备的湿滤饼，直到该滤饼颜色变蓝。然后用甲醇洗涤滤饼数次，随后用加热到80℃的热水洗涤数次并干燥。这样，制得粗品酞菁氧钛。将一份这样制备的粗品酞菁氧钛滴入20份浓硫酸中以使其在其中溶解。将该溶液滴入到100份的冰水中同时搅拌，以使酞菁氧钛颜料沉淀。通过过滤获得该颜料。利用具有7.0的pH和1.0μS/cm比电导的离子交换水清洗该颜料，直到滤液呈中性。在这种情况中，滤液的pH和比电导为6.8和2.6μS/cm。这样，获得酞菁氧钛颜料的含水膏状物。将四十(40)克的这样制备的酞菁氧钛颜料的含水膏状物加入到200g的四氢呋喃(THF)中并将该混合物搅拌约4小时，该膏状物具有15％重量的固体含量。酞菁氧钛颜料与晶体交换溶剂(即，THF)的重量比为1/33。然后过滤该混合物，并且将湿滤饼干燥以制备酞菁氧钛粉末(颜料1)。为此所使用的材料不包括卤代化合物。
当采用Rigaku Corp.的市售的X-射线衍射分析仪RINT 1100在下述条件下对这样制备的酞菁氧钛粉末进行X-射线衍射分析时，证实酞菁氧钛粉末具有这样的X-射线衍射光谱，在27.2±0.2°的布拉格(2θ)角处观察到最大峰，7.3±0.2°角处有最低峰，在9.4±0.2°、9.6±0.2°和24.0±0.2°角处分别有主峰，其中在7.3°和9.4°的峰之间和26.3角处未观察到峰。图11说明了其X-射线衍射光谱。
此外，将一份上述制备的含水膏状物在5mmHg的减压下在80℃下干燥2天，以制备酞菁氧钛颜料，该颜料具有低结晶度。图12说明了酞菁氧钛颜料的X-射线衍射光谱。
X-射线衍射光谱测量条件X-射线管Cu使用的X-射线具有1.542波长的Cu-Kα电压50kV电流30mA扫描速度2°/min扫描范围3°到40°时间常数2秒(合成实施例2)采用公开待审的日本专利申请No.2004-83859的实施例1中公开的方法制备酞菁氧钛晶体。
具体而言，将在合成实施例1中制备的酞菁氧钛颜料的含水膏状物60份加入到400g的四氢呋喃(THF)中，并将该混合物利用HOMOMIXER(Kenis Ltd.的MARK II f)在2,000rpm的转数下剧烈搅拌，直到膏状物的颜色从深蓝色变成浅蓝色。在搅拌约20分钟后该颜色变化。在这点上，酞菁氧钛颜料与晶体交换溶剂(THF)的比率为44。然后在减压下过滤该分散体。利用四氢呋喃清洗这样获得的过滤器内的滤饼以制备酞菁氧钛晶体的湿滤饼。在5mmHg的减压下在70℃下干燥该晶体2天。这样，制备8.5份的酞菁氧钛晶体(颜料2)。使用不含卤素的原料合成酞菁晶体。湿滤饼的固体含量为15％重量，且用于晶体交换的溶剂(S)与湿滤饼(C)的重量比率(S/C)为44。
将上述合成实施例1中制备的、未经过晶体交换处理的酞菁氧钛颜料的含水膏状物一份用离子交换水稀释，使得得到的分散体具有1％重量的固体含量。将该分散体放在150目、由连续硝棉胶膜和导电碳层覆盖的铜网上。利用75,000倍放大率的透射电子显微镜(Hitachi Ltd.的H-9000NAR，在下文称为TEM)观察该酞菁氧钛颜料以测量酞菁氧钛颜料的平均颗粒尺寸。如下述确定其平均粒径。
在TEM中拍摄酞菁氧钛颜料的颗粒图像。在照片中酞菁氧钛颜料的颗粒(针状颗粒)中，任意选择30个颗粒以在颗粒的长轴方向内测量颗粒的长度。用算术方法对长度求平均以确定酞菁氧钛颜料的平均粒径。结果，已证实合成实施例5中制备的含水膏状物中的酞菁氧钛颜料具有0.06μm的平均一次粒径。
相似地，利用四氢呋喃稀释合成实施例1和2中制备的、经过晶体交换处理但未过滤的各酞菁晶体，使得得到的分散体具有1％重量的固体含量。采用上述方法确定颜料1和2的平均粒径。结果示于表1。在这点上，晶体的形状不均匀并包括三角形、四角形等。因此，用算术方法对颗粒的对角线的最大长度求平均。
表1

对颜料2也进行了上述的X-射线衍射光谱分析。结果，证实其X-射线衍射光谱与颜料1的相同。
(分散体制备实施例1)分散体的配方酞菁氧钛(颜料1) 15聚乙烯醇缩丁醛10(Sekisui Chemical Co.，Ltd.的BX-1)
2-丁酮280首先，将聚乙烯醇缩丁醛树脂溶解在溶剂中。该溶液与酞菁晶体混合，且采用VMA-Getzmann GmbH的球磨机DISPERMAT SL-05C1-EX对混合物进行30分钟的分散处理，该球磨机包括0.5mm直径的PSZ球且在1200rpm的转速下旋转以制备分散体1。
(分散体制备实施例2)除了用颜料2代替颜料1之外，重复分散体1的制备工艺以制备分散体2。
(分散体制备实施例3)除了采用泵在压力下利用具有1μm有效孔径的卷绕棉质芯筒过滤器(Advantech Co.，Ltd.的TCW-1-CS)进行过滤之外，重复制备分散体1的工艺以制备分散体3。
(分散体制备实施例4)除了采用泵在压力下利用具有3μm有效孔径的卷绕棉质芯筒过滤器(Advantech Co.，Ltd.的TCW-3-CS)进行过滤之外，重复制备分散体3的工艺以制备分散体4。
(分散体制备实施例5)分散体的配方具有下式的偶氮颜料5 聚乙烯醇缩丁醛2(Sekisui Chemical Co.，Ltd.的BX-1)环己酮250
2-丁酮100首先，将聚乙烯醇缩丁醛树脂溶解在溶剂中。该溶液与偶氮颜料混合，且利用球磨机对该混合物进行分散处理7天以制备分散体5，该球磨机包括10mm直径的PSZ球且在85rpm的转速下旋转该球磨机。
(分散体制备实施例6)除了用具有下式的偶氮颜料代替上述偶氮颜料之外，重复分散体5制备实施例5中分散体5的制备工艺以制备分散体6。

采用粒径测量仪(Horiba Ltd.的CAPA-700)测量在这样制备的分散体1到6中的颜料的粒径分布。结果示于表2。
表2

(感光体制备实施例1)在具有30mm直径的JIS 1050铝鼓上，涂布下面的中间层涂布液、CGL涂布液和CTL涂布液并逐一干燥以制备多层感光体(感光体1)，该感光体具有3.5μm厚的中间转印层、CGL和25μm厚的CTL。
当如下述形成CGL时调整其厚度以使其具有20％的透射率在具有30mm直径的铝鼓周围缠绕聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜以制备基底，用CGL涂布液涂布基底，且用Shimadzu Corp.的市售的光谱光度计UV-3100测量对445nm波长光的透射率。
当采用相同的方法进行测量时CTL对445nm波长的光具有98％的透射率。
中间层涂布液的配方表面未处理的锐钛矿型二氧化钛 120.6(Titan Kogyo K.K.的KA-10，具有0.40μm的平均粒径)醇酸树脂 33.6(Dainippon Ink & Chemicals，Inc.的BEKKOLITE M6401-50-S，固体含量50％)密胺树脂 18.7(Dainippon Ink & Chemicals，Inc.的SUPER BEKKAMIN L-121-60，固体含量60％)2-丁酮 260CGL涂布液的组成上述制备的分散体1用作CGL涂布液。
CTL涂布液的配方聚碳酸酯 10(Teijin Chemicals Ltd.的TS2050)具有下式的CTM 7 二氯甲烷 80将涂布液涂布到具有1mm厚度的铝板上以在其上形成中间层。利用Shimadzu Corp.的市售的光谱光度计UV-3100测量中间层的光谱反射率。由光谱反射率确定锐钛矿型二氧化钛的吸收端约为390nm。
(感光体制备实施例2)除了在中间涂布液中用铝处理过的锐钛矿型二氧化钛代替表面未处理的锐钛矿型二氧化钛之外，重复感光体制备实施例1中感光体1的制备工艺以制备感光体2。
在感光体制备实施例1中的表面未处理的锐钛矿型二氧化钛用2％重量的铝偶合剂进行表面处理以制备铝处理过的锐钛矿型二氧化钛。
中间层涂布液涂布到1mm厚的铝板上以在其上形成中间层。利用Shimadzu Corp的市售的光谱光度计UV-3100测量中间层的光谱反射率。由光谱反射率确定锐钛矿型二氧化钛的吸收端为约390nm。
(感光体制备实施例3)除了中间层涂布液中用112份表面未处理的金红石型二氧化钛(IshiharaSangyo Kaisha Ltd.，的CR-EL，具有0.25μm的平均粒径)代替表面未处理的锐钛矿型二氧化钛之外，重复感光体制备实施例1中感光体1的制备工艺以制备感光体3。
中间层涂布液涂布到1mm厚的铝板上以在其上形成中间层。利用Shimadzu Corp.的市售的光谱光度计UV-3100测量中间层的光谱反射率。由光谱反射率确定金红石型二氧化钛的吸收端约为410nm。
(感光体制备实施例4)除了在中间层涂布液中用112份的硅氧烷处理过的金红石-型二氧化钛代替表面未处理的金红石型二氧化钛之外，重复感光体制备实施例1中感光体1的制备工艺以制备感光体4。
利用2％重量的硅氧烷对感光体制备实施例3中的表面未处理的金红石型二氧化钛进行表面处理，以制备铝处理过的锐钛矿型二氧化钛。
中间层涂布液涂布到1mm厚的铝板上以在其上形成中间层。利用Shimadzu Corp的市售的光谱光度计UV-3100测量中间层的光谱反射率。由光谱反射率确定金红石型二氧化钛的吸收端约为410nm。
(感光体制备实施例5)除了在中间层涂布液中用112份的表面未处理的氧化锌(Sakai ChemicalIndustry Co.，Ltd.的SAZEX#2000)代替表面未处理的金红石型二氧化钛之外，重复感光体制备实施例1中感光体1的制备工艺以制备感光体5。
中间层涂布液涂布到1mm厚的铝板上以在其上形成中间层。利用Shimadzu Corp的市售的光谱光度计UV-3100测量中间层的光谱反射率。由光谱反射率确定氧化锌的吸收端约为388nm。
(感光体制备实施例6)除了改变CGL的厚度以使其对445n波长的光具有12％的透射率之外，重复感光体制备实施例2中感光体2的制备工艺以制备感光体6。
(感光体制备实施例7)除了改变CGL的厚度以使其对445nm波长的光具有8％的透射率之外，重复感光体制备实施例2中感光体2的制备工艺以制备感光体7。
(感光体制备实施例8)除了改变CGL的厚度以使其对445nm波长的光具有26％的透射率之外，重复感光体制备实施例2中感光体2的制备工艺以制备感光体8。
(感光体制备实施例9)除了改变CGL的厚度以使其对445nm波长的光具有12％的透射率之外，重复感光体制备实施例5中感光体5的制备工艺以制备感光体9。
(感光体制备实施例10)除了改变CGL的厚度以使其对445nm波长的光具有8％的透射率之外，重复感光体制备实施例5中感光体5的制备工艺以制备感光体10。
(感光体制备实施例11)除了改变CGL的厚度以使其对445nm波长的光具有26％的透射率之外，重复感光体制备实施例5中感光体5的制备工艺以制备感光体11。
(感光体制备实施例12)除了将CTL中的CTM变为具有下式的CTM之外，重复感光体制备实施例2中感光体2的制备工艺以制备感光体12 当通过感光体制备实施例1中的相同方法测量时，该CTL对445nm波长的光具有40％的透射率。
(感光体制备实施例13)除了将CTL涂布液变为具有下述配方的CTL涂布液之外，重复感光体制备实施例12中感光体12的制备工艺以制备感光体13聚碳酸酯 10(Teijin Chemicals Ltd.的TS2050)具有下式的CTM 10 二氯甲烷 80当通过感光体制备实施例1中的相同方法测量时，CTL对445nm波长的光具有25％的透射率。
实施例1
将该感光体1设置在具有图9所示结构的成像设备中，且在下述条件下进行运转试验，该试验中连续生成50,000份图13中的图。
光辐照器具有写入光源和所使用的多角镜的辐照器，所述写入光源包括发射445nm波长的光的激光二极管充电器Scorotron充电器转印装置转印带放电装置包括发射具有660nm波长的光的LED(Rohm Co.，Ltd.的)的放电灯充电感光体的电位-900V(非亮部分的电位)显影方法负性-正性显影方法显影偏压-650V放电过程之后感光体的非亮部分的电位-120V在开始运转试验时和运转试验之后，测量感光体的亮部分和非亮部分的电位。即使是在运转试验之后，充电和辐射条件也与其开始时的情况相同。特别地，对感光体充电以使其具有-900V的电位，然后光辐照器辐射充电的感光体以形成实地静电潜像。然后利用设置在图9所示显影位置处的电位计测量图13中的图的黑和空白的亮部分和非亮部分的电位。表3示出评估结果。
在运转试验之后，生成图13中的图的半色调图像以观察其黑部分和空白部分。
实施例2除了用感光体2代替感光体1之外，重复实施例1中感光体1的评估工艺以评估感光体2。表3示出评估结果。
实施例3除了用感光体3代替感光体1之外，重复实施例1中感光体1的评估工艺以评估感光体3。表3示出评估结果。
实施例4
除了用感光体4代替感光体1之外，重复实施例1中感光体1的评估工艺以评估感光体4。表3示出评估结果。
实施例5除了用感光体5代替感光体1之外，重复实施例1中感光体1的评估工艺以评估感光体5。表3示出评估结果。
实施例6除了将写入光源变为发射具有407nm波长的光的LD之外，重复实施例1中感光体1的评估工艺以评估感光体1。CTL对波长为407nm的光具有98％的透射率。表3示出评估结果。
实施例7除了用感光体2代替感光体1之外，重复实施例6中感光体1的评估工艺以评估感光体2。表3示出评估结果。
对比实施例1除了用感光体3代替感光体1之外，重复实施例6中感光体1的评估工艺以评估感光体3。表3示出评估结果。
对比实施例2除了用感光体4代替感光体1之外，重复实施例6中感光体1的评估工艺以评估感光体4。表3示出评估结果。
实施例8除了用感光体5代替感光体1之外，重复实施例6中感光体1的评估工艺以评估感光体5。表3示出评估结果。
对比实施例3除了将写入光源变为发射具有375nm波长的光的LD之外，重复实施例1中感光体1的评估工艺以评估感光体1。表3示出评估结果。
对比实施例4除了用感光体2代替感光体1之外，重复对比实施例3中感光体1的评估工艺以评估感光体2。表3示出评估结果。
对比实施例5除了用感光体3代替感光体1之外，重复对比实施例3中感光体1的评估工艺以评估感光体3。表3示出评估结果。
对比实施例6除了用感光体4代替感光体1之外，重复对比实施例3中感光体1的评估工艺以评估感光体4。表3示出评估结果。
对比实施例7除了用感光体5代替感光体1之外，重复对比实施例3中感光体1的评估工艺以评估感光体5。表3示出评估结果。
实施例9除了用感光体6代替感光体2之外，重复实施例2中感光体2的评估工艺以评估感光体6。表3示出评估结果。
实施例10除了用感光体7代替感光体2之外，重复实施例2中感光体2的评估工艺以评估感光体7。表3示出评估结果。
实施例11除了用感光体8代替感光体2之外，重复实施例2中感光体2的评估工艺以评估感光体8。表3示出评估结果。
实施例12除了用感光体9代替感光体5之外，重复实施例5中感光体5的评估工艺以评估感光体9。表3示出评估结果。
实施例13除了用感光体10代替感光体5之外，重复实施例5中感光体5的评估工艺以评估感光体10。表3示出评估结果。
实施例14除了用感光体11代替感光体5之外，重复实施例5中感光体5的评估工艺以评估感光体11。表3示出评估结果。
实施例15除了用感光体12代替感光体2之外，重复实施例2中感光体2的评估工艺以评估感光体12。表3示出评估结果。
实施例16除了用感光体13代替感光体2之外，重复实施例2中感光体2的评估工艺以评估感光体13。表3示出评估结果。
表3



与对比实施例1到7相比，其中各写入光具有短于450nm的波长且不被中间层内的金属氧化物吸收的实施例1到8的感光体，在重复使用之后，静电特性改变很少。
与对比实施例1，3和5相比较，其中对各金属氧化物进行过表面处理的对比实施例2，4和6中的感光体，其静电特性改变微小。
此外，即使在生成50,000份图像之后，实施例1到8中的感光体也未产生异常的半色调图像，但是对比实施例1到7却生成其中黑色部分具有高于空白部分的密度的半色调图像。
其CGL均具有小于10％透射率的实施例10和13中的感光体在重复使用之后，非亮部分电位的略微降低较其CGL均具有10至25％之间透射率的实施例2、5、9和12降低得更多。同时，其CGL均具有大于25％透射率的实施例11和14中的感光体在重复使用之后，亮部分电位的略微提高较其CGL均具有10至25％之间透射率的实施例2、5、9和12提高得更多。
其CTL具有小于30％透射率的实施例16中的感光体在重复使用之后，亮部分电位的略微提高较其CTL均具有不小于30％透射率的实施例2和15提高得更多。
(感光体制备实施例14)除了将CGL涂布液变为分散体2之外，重复感光体制备实施例2中感光体2的制备工艺以制备感光体14。调整CGL的厚度使其对445nm波长的光具有20％的透射率。
(感光体制备实施例15)除了将CGL涂布液变为分散体3之外，重复感光体制备实施例2中感光体2的制备工艺以制备感光体15。调整CGL的厚度使其对445nm波长的光具有20％的透射率。
(感光体制备实施例16)除了将CGL涂布液变为分散体4之外，重复感光体制备实施例2中感光体2的制备工艺以制备感光体16。调整CGL的厚度使其对445nm波长的光具有20％的透射率。
实施例17除了用感光体14代替感光体2之外，重复实施例2中感光体2的评估工艺以评估感光体14。在生成50,000份图像之后生成空白图像以评估背景污染。表4示出该实施例和实施例2的评估结果。
实施例18除了用感光体15代替感光体2之外，重复实施例2中感光体2的评估工艺以评估感光体15。在生成50,000份图像之后生成空白图像以评估背景污染。表4示出评估结果。
实施例19除了用感光体16代替感光体2之外，重复实施例2中感光体2的评估工艺以评估感光体16。在生成50,000份图像之后生成空白图像以评估背景污染。表4示出评估结果。
从黑点的数目和尺寸评估背景污染，并且分为以下4等级。
很好◎
好○差△很差×表4

当CGL涂布液(实施例17到19中)中的颜料具有不大于0.25μm的平均粒径时，可降低得到的感光体的初始表面电位且在重复使用之后可防止背景污染而没有静电疲劳。
(感光体制备实施例17)除了将CTL的厚度变为23μm且利用具有下述配方的保护层涂布液在CTL上形成2μm厚的保护层之外，重复感光体制备实施例2中感光体2的制备工艺以制备感光体17。
保护层涂布液的配方聚碳酸酯10(Teijin Chemicals Ltd.的TS2050)具有下式的CTM 7
氧化铝颗粒4(具有2.5×1012Ω·cm的电阻率和0.4μm的平均一次粒径)环己酮500四氢呋喃 150如下述测量保护层的透射率在具有30mm直径的铝鼓周围缠绕聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜以制备基底，利用保护层涂布液涂布基底，且利用市售的Shimadzu Corp的光谱光度计UV-3100测量它对407nm波长的光的透射率。
该保护层对407nm波长的光具有98％的透射率且CTL也具有相同的98％透射率。
(感光体制备实施例18)除了将保护层涂布液中的氧化铝颗粒变为具有1.5×1010Ω·cm电阻率并具有0.5μm平均一次粒径的二氧化钛颗粒之外，重复感光体制备实施例17中感光体17的制备工艺以制备感光体18。当通过与感光体制备实施例17中相同的方法测量时该保护层对407nm波长的光具有95％的透射率。
(感光体制备实施例19)除了将保护层涂布液中的氧化铝颗粒变为具有106Ω·cm电阻率并具有0.4μm平均一次粒径的氧化锡-氧化锑粉末之外，重复感光体制备实施例17中感光体17的制备工艺以制备感光体19。当通过感光体制备实施例17中相同的方法测量时该保护层对407nm波长的光具有90％的透射率。
(感光体制备实施例20)除了将保护层涂布液变为具有下述配方的保护层涂布液之外，重复感光体制备实施例17中感光体17的制备工艺以制备感光体20。
保护层涂布液的配方具有约140,000重均分子量和下述式的电荷传输聚合物材料17 氧化铝颗粒 4(具有2.5×1012Ω·cm的电阻率和具有0.4μm平均一次粒径)环己酮 500四氢呋喃 150当通过感光体制备实施例17中相同的方法测量时该保护层对407nm波长的光具有90％的透射率。
(感光体制备实施例21)除了将保护层涂布液变为具有下述配方的保护层涂布液之外，重复感光体制备实施例17中感光体17的制备工艺以制备感光体21。
保护层涂布液的配方甲基三甲氧基硅烷100具有3％浓度的乙酸 20具有下式的电荷传输材料 35 抗氧化剂1
(SANKYO LIFETECH CO.，LTD.的Sanol LS2626)固化剂(二丁基乙酸锡) 12-丙醇200当通过感光体制备实施例17中相同的方法测量时该保护层对407nm波长的光具有38％的透射率。
(感光体制备实施例22)除了将保护层涂布液变为具有下述配方的保护层涂布液之外，重复感光体制备实施例17中感光体17的制备工艺以制备感光体22。
保护层涂布液的配方甲基三甲氧基硅烷 100具有3％浓度的乙酸20具有下式的电荷传输材料 35 氧化铝颗粒 15(具有2.5×1012Ω·cm的电阻率和具有0.4μm的平均一次粒径)抗氧化剂 1(SANKYO LIFETECH CO.，LTD.的Sanol LS2626)多羧基化合物 0.4(BYK-Chemie GmbH的BYKP 104)固化剂(二丁基乙酸锡) 12-丙醇 200当通过与感光体制备实施例17中相同的方法测量时该保护层对407nm波长的光具有32％的透射率。
(感光体制备实施例23)除了将保护层涂布液变为具有下述配方的保护层涂布液之外，重复感光体制备实施例17中感光体17的制备工艺以制备感光体23。
保护层涂布液的配方无电荷传输结构的三或多官能可自由基聚合的单体10(三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，Nippon Kayaku Co.，Ltd.，的KAYARADTMPTA，具有296的分子量(M)和三个官能团(F)，且比率(M/F)为99)具有电荷传输结构和下式的单官能可自由基聚合的单体10(即，上述化合物No.54) 光聚合引发剂1(1-羟基环己基-苯基-酮，Ciba Specialty Chemicals的IRGACURE 184)四氢呋喃100通过喷涂法涂布保护层涂布液且涂布液自然干燥20分钟。然后在160W/cm的功率下利用金属卤化物灯辐射该涂层以使其硬化。该硬化条件如下述。
光强度500mW/cm2辐照时间60秒当通过感光体制备实施例17中相同的方法测量时该保护层对407nm波长的光具有74％的透射率。
(感光体制备实施例24)除了将保护层涂布液中的可自由基聚合的三或更多官能单体变为无电荷传输结构的可自由基聚合的三官能单体季戊四醇四丙烯酸酯(SartomerCompany Inc.，的SR-295，具有分子量(M)352和四官能团(F)并且比率(M/F)为88)之外，重复感光体制备实施例23中感光体23的制备工艺以制备感光体24。当通过感光体制备实施例17中相同的方法测量时该保护层对407nm波长的光具有73％的透射率。
(感光体制备实施例25)除了将保护层涂布液中的可自由基聚合的三或更多官能单体变为无电荷传输结构的可自由基聚合的双官能单体1，6-己二醇二丙烯酸酯(Wako PureChemical Industries Ltd.，具有分子量(M)226和双官能团(F)并且比率(M/F)为113)之外，重复感光体制备实施例23中感光体23的制备工艺以制备感光体25。当通过感光体制备实施例17中相同的方法测量时该保护层对407nm波长的光具有74％的透射率。
(感光体制备实施例26)除了将保护层涂布液中的可自由基聚合的三或更多官能单体变为无电荷传输结构的可自由基聚合的六官能单体己内酯改性的二季戊四醇六丙烯酸酯(Nippon Kayaku Co.，Ltd.的DPCA-120，具有分子量(M)为1946和六官能团(F)并且比率(M/F)为325)之外，重复感光体制备实施例23中感光体23的制备工艺以制备感光体26。当通过感光体制备实施例17中相同的方法测量时该保护层对407nm波长的光具有71％的透射率。
(感光体制备实施例27)除了将保护层涂布液中有电荷传输结构的可聚合的单官能单体变为具有电荷传输结构的下式可自由基聚合的双官能单体之外，重复感光体制备实施例23中感光体23的制备工艺以制备感光体27。
(感光体制备实施例28)除了将保护层涂布液变为具有下述配方的保护层涂布液之外，重复感光体制备实施例23中感光体23的制备工艺以制备感光体28。
保护层涂布液的配方无电荷传输结构的可自由基聚合的三或更多官能单体6(三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，Nippon Kayaku Co.，Ltd.的KAYARADTMPTA，具有分子量(M)296和三官能团(F)且比率(M/F)为99)具有电荷传输结构的下式可自由基聚合的单官能单体14(即，上述化合物No.54) 光聚合引发剂 1(1-羟基环己基-苯基-酮，Ciba Specialty Chemicals的IRGACURE 184)四氢呋喃 100当通过感光体制备实施例17中相同的方法测量时该保护层对407nm波长的光具有72％的透射率。
(感光体制备实施例29)除了将保护层涂布液变为具有下述配方的保护层涂布液之外，重复感光体制备实施例23中感光体23的制备工艺以制备感光体29。
保护层涂布液的配方无电荷传输结构的可自由基聚合的三或更多官能单体14(三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，Nippon Kayaku Co.，Ltd.的KAYARADTMPTA，具有分子量(M)296和三官能团(F)且比率(M/F)为99)具有电荷传输结构的下式可自由基聚合的单官能单体6(即，上述化合物No.54) 光聚合引发剂 1(1-羟基环己基-苯基-酮，Ciba Specialty Chemicals的IRGACURE 184)四氢呋喃 100当通过感光体制备实施例17中相同的方法测量时该保护层对407nm波长的光具有74％的透射率。
(感光体制备实施例30)除了将保护层涂布液变为具有下述配方的保护层涂布液之外，重复感光体制备实施例23中感光体23的制备工艺以制备感光体30。
保护层涂布液的配方无电荷传输结构的可自由基聚合的三或更多官能单体2
(三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，Nippon Kayaku Co.，Ltd.的KAYARADTMPTA，具有分子量(M)296和三官能团(F)且比率(M/F)为99)具有电荷传输结构的下式可自由基聚合的单官能单体18(即，上述化合物No.54) 光聚合引发剂 1(1-羟基环己基-苯基-酮，Ciba Specialty Chemicals的IRGACURE 184)四氢呋喃 100当通过感光体制备实施例17中相同的方法测量时该保护层对407nm波长的光具有74％的透射率。
(感光体制备实施例31)除了将保护层涂布液变为具有下述配方的保护层涂布液之外，重复感光体制备实施例23中感光体23的制备工艺以制备感光体31。
保护层涂布液的配方无电荷传输结构的可自由基聚合三或更多官能单体 18(三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，Nippon Kayaku Co.，Ltd.的KAYARADTMPTA，具有分子量(M)296和三官能团(F)且比率(M/F)为99)具有电荷传输结构的下式可自由基聚合的单官能单体2(即，上述化合物No.54)
光聚合引发剂1(1-羟基环己基-苯基-酮，Ciba Specialty Chemicals的IRGACURE 184)四氢呋喃100当通过感光体制备实施例17中相同的方法测量时该保护层对407nm波长的光具有73％的透射率。
实施例20将感光体2设定在具有图8所示结构的成像设备中，且在下述条件下实施运转试验，在该运转试验中连续生成70,000份图13中的图。
光辐照器具有写入光源和所使用的多角镜的辐照器，所述写入光源包括发射407nm波长的光的激光二极管充电器Scorotron充电器转印装置转印带放电装置包括发射660nm波长的光的LED(Rohm Co.，Ltd.)的放电灯充电的感光体的电位-900V(非亮部分的电位)显影方法负性-正性显影方法显影偏压-650V放电过程之后感光体非亮部分的电位-120V＜评估项目>
(1)半色调图像(HT)在运转试验之后，生成图13中图的半色调图像以观察其黑色和空白部分。
○无差别×有差别表5示出结果。
(2)背景污染(BF)在运转试验之后，在22℃和50％RH的条件下生成白色实地图像并对其进行观察以确定白色实地图像是否具有背景污染。质量分为以下四级。
◎极好○好△可接受×差表5示出结果。
(3)感光体的可清洁性(CL)在对背景污染进行评估后，在10℃和15％RH的条件下生成50份图15中所示的原始图像且目视观察第50个图像的白色实地图像部分以评估感光体的可清洁性。感光体的可清洁性分为四级。
◎极好(白色实地图像中没观察到条纹图像)○好(在白色实地图像中观察到一个或两个微小黑色条纹)A可接受(在白色实地图像中观察到三个或四个微小黑色条纹)×差(在白色实地图像中观察到清晰的黑色条纹)表5示出结果。
(4)点再现性(点)在进行可清洁性评估之后，在30℃和90％RH的高温高湿条件下生成1,000份初始字符图像，然后生成包括单点图像的图像。利用150倍放大率的显微镜观察该单点图像，判断该单点图像的轮廓是否清晰。感光体的点再现性分为以下四级。
◎极好○好△可接受
×差表5示出结果。
(5)磨损量(AL)在运转试验之前和上述(1)到(4)中提到的测试之后测量各感光体光敏层(包括保护层和中间层)的厚度以确定厚度差，即，感光体的磨损量。除了具有5cm宽度的两侧边缘部分之外，以1cm的间隔测量感光体纵向上的几个点处的厚度，且对该厚度数据求平均。
表5示出结果。
实施例21到35除了用感光体17到31代替感光体2之外，重复实施例20中感光体2的评估工艺以评估感光体17到31。表5示出结果。感光体的编号(PH No.)也示于其中。
对比实施例8除了写入光源变为发射具有375nm波长的光的LD之外，重复实施例20中感光体2的评估工艺以评估感光体2。
对比实施例8除了用感光体17到31代替感光体2之外，重复对比实施例8中感光体2的评估工艺以评估感光体17到31。表5示出结果。
表5


各具有包括不吸收具有407nm波长的写入光的锐钛矿型二氧化钛的中间层的感光体(实施例30到35)，即使在具有保护层时也未生成具有不均匀图像密度的半色调图像，而各具有包括吸收上述光的锐钛矿型二氧化钛的中间层的感光体(对比实施例8到23)则会生成半色调图像各具有保护层的感光体(实施例21到27)具有比没有保护层的感光体(实施例20)更高的抗磨损性。
在各具有包括无机颜料(金属氧化物)的保护层的感光体(实施例21到23)中，各具有包括电阻率不小于1010Q·cm的无机颜料(金属氧化物)的保护层的感光体，即使是在高温高湿(实施例22和23)条件下，其点再现性也未大幅度下降。
各具有包括交联结构的保护层的感光体与不包括交联结构的保护层的各感光体相比较，具有更高的抗磨损性。
各通过硬化无电荷传输结构的可自由基聚合的三或更多官能单体和具有电荷传输结构的可自由基聚合的单官能单体形成的保护层具有更高的抗磨损性(实施例24、27、30和32到35)，和好的可清洁性。
与具有对写入光不小于30％的透射率的保护层的各感光体相比，各具有对写入光小于30％的透射率的保护层的感光体，其点再现性下降得更多。
(感光体制备实施例32)除了利用具有1.0μm厚度的电荷阻挡层和3.5μm厚度的、位于电荷阻挡层上的抗波纹层的组合代替中间层之外，重复感光体制备实施例2中感光体2的制备工艺以制备感光体32，该电荷阻挡层和抗波纹层通过涂布具有下述配方的各涂布液并随后干燥形成。
电荷阻挡层涂布液的配方N-甲氧基甲基化尼龙4(Namariichi Co.，Ltd.的FINE RESIN FR-101)甲醇 70正丁醇30抗波纹层涂布液的配方铝表面处理的锐钛矿型二氧化钛 135.7(Titan Kogyo K.K.的KA-10，具有0.40μm的平均粒径)醇酸树脂 33.6(Dainippon Ink & Chemicals，Inc.的BEKKOLITEM6401-50-S，固体的含量50％)密胺树脂 18.7
(Dainippon Ink & Chemicals，Inc.的SUPER BEKKAMIN L-121-60，固体的含量60％)2-丁酮 100在抗波纹层中，无机颜料(P)与粘合剂树脂(R)的体积比(P/R)为1.5/1，且醇酸树脂(A)与密胺树脂(M)的重量比(A/M)为6/4。
(感光体制备实施例33)除了将电荷阻挡层的厚度变为0.3μm之外，重复感光体制备实施例32中感光体32的制备工艺以制备感光体33。
(感光体制备实施例34)除了将电荷阻挡层的厚度变为1.8μm之外，重复感光体制备实施例32中感光体32的制备工艺以制备感光体34。
(感光体制备实施例35)除了用具有下述配方的电荷阻挡层涂布液代替上述电荷阻挡层涂布液之外，重复感光体制备实施例32中感光体32的制备工艺以制备感光体35。
电荷阻挡层涂布液的配方醇溶性尼龙 4(Toray Industries Inc.的AMILAN CM8000)甲醇 70正丁醇 30(感光体制备实施例36)除了用具有下述配方的抗波纹层涂布液代替上述抗波纹层涂布液之外，重复感光体制备实施例32中感光体32的制备工艺以制备感光体36。
抗波纹层涂布液的配方铝表面处理的锐钛矿型二氧化钛 271.4(Titan Kogyo K.K.的KA-10，具有0.40μm的平均粒径)醇酸树脂 33.6(Dainippon Ink & Chemicals，Inc.的BEKKOLITEM6401-50-S，固体含量50％)密胺树脂 18.7(Dainippon Ink & Chemicals，Inc.的SUPER BEKKAMIN L-121-60，固体含量60％)2-丁酮 100在抗波纹层中，无机颜料(P)与粘合剂树脂(R)的体积比(P/R)为3/1，且醇酸树脂(A)与密胺树脂(M)的重量比(A/M)为6/4。
(感光体制备实施例37)除了用具有下述配方的抗波纹层涂布液代替抗波纹层涂布液之外，重复感光体制备实施例32中感光体32的制备工艺以制备感光体37。
抗波纹层涂布液的配方铝表面处理的锐钛矿型二氧化钛90.5(Titan Kogyo K.K.的KA-10，具有0.40μm的平均粒径)醇酸树脂33.6(Dainippon Ink & Chemicals，Inc.的BEKKOLITEM6401-50-S，固体含量50％)密胺树脂18.7(Dainippon Ink & Chemicals，Inc.的SUPER BEKKAMIN L-121-60，固体含量60％)2-丁酮 100在抗波纹层中，无机颜料(P)与粘合剂树脂(R)的体积比(P/R)为1/1，且醇酸树脂(A)与密胺树脂(M)的重量比(A/M)为6/4。
实施例36到41除了用感光体36到41代替感光体2之外，重复感光体制备实施例20中感光体2的评估工艺以对感光体36到41进行评估。该结果与实施例20的结果一起在表6中示出。
表6

表6示出当采用电荷阻挡层和抗波纹层的组合作为中间层时，感光体具有良好的抗背景污染性。
(感光体制备实施例38)除了将CGL涂布液(分散体1)变为分散体5之外，重复感光体制备实施例1中感光体1的制备工艺以制备感光体38。调节CGL的厚度使其对445nm波长的光具有20％的透射率。
(感光体制备实施例39)除了将CGL涂布液(分散体1)变为分散体5之外，重复感光体制备实施例2中感光体2的制备工艺以制备感光体39。调节CGL的厚度以使其对445nm波长的光具有20％的透射率。
(感光体制备实施例40)除了将CGL涂布液(分散体1)变为分散体5之外，重复感光体制备实施例3中感光体3的制备工艺以制备感光体40。调节CGL的厚度以使其对445nm波长的光具有20％的透射率。
(感光体制备实施例41)除了将CGL涂布液(分散体1)变为分散体5之外，重复感光体制备实施例4中感光体4的制备工艺以制备感光体41。调节CGL的厚度以使其对445nm波长的光具有20％的透射率。
(感光体制备实施例42)除了将CGL涂布液(分散体1)变为分散体5之外，重复感光体制备实施例5中感光体5的制备工艺以制备感光体42。调节CGL的厚度以使其对445nm波长的光具有20％的透射率。
(感光体制备实施例43)除了将CGL涂布液(分散体1)变为分散体5之外，重复感光体制备实施例6中感光体6的制备工艺以制备感光体43。调节CGL的厚度以使其对445nm波长的光具有20％的透射率。
实施例42将感光体38设定在图10的处理盒中，且处理盒进而安装在具有图9所示结构的成像设备中，且在下述条件下实施运转试验，该运转试验中连续生成50,000份图15的A4图以使图的纵向方向与感光体的纵向方向在同一条线上。
光辐照器具有写入光源和所使用的多角镜的辐照器，所述写入光源包括发射具有407nm波长的光的激光二极管充电器Scorotron充电器转印装置转印带放电装置包括发射660nm波长的光的LED(Rohm Co.，Ltd.)的放电灯充电的感光体电位-900V(非亮部分的电位)显影方法负性-正性显影方法显影偏压-650V放电过程之后感光体非亮部分的电位-60V在运转试验之后，生成各颜色Y、M、C和K的半色调图像，使得图的纵向方向和感光体的纵向方向在一条直线上。此外，在运转试验之后，生成一份ISO/JIS-SCID Nl纵向(portrait)图像以评估感光体的色彩再现性。表7示出评估结果。
实施例43除了用感光体39代替感光体38之外，重复实施例42中感光体38的评估工艺以评估感光体39。表7示出评估结果。
实施例44除了用感光体40代替感光体38之外，重复实施例42中感光体38的评估工艺以评估感光体40。表7示出评估结果。
实施例45除了用感光体41代替感光体38之外，重复实施例42中感光体38的评估工艺以评估感光体41。表7示出评估结果。
实施例46除了用感光体42代替感光体38之外，重复实施例42中感光体38的评估工艺以评估感光体42。表7示出评估结果。
实施例47除了将写入光源变为发射具有407nm波长的光的LD之外，重复实施例42中感光体38的评估工艺以评估感光体38。表7示出评估结果。
实施例48除了用感光体39代替感光体38之外，重复实施例47中感光体38的评估工艺以评估感光体39。表7示出评估结果。
对比实施例24除了用感光体40代替感光体38之外，重复实施例47中感光体38的评估工艺以评估感光体40。表7示出评估结果。
对比实施例25除了用感光体41代替感光体38之外，重复实施例47中感光体38的评估工艺以评估感光体41。表7示出评估结果。
实施例49除了用感光体42代替感光体38之外，重复实施例47中感光体38的评估工艺以评估感光体42。表7示出评估结果。
对比实施例26除了将写入光源变为发射具有375nm波长的光的LD之外，重复实施例42中感光体38的评估工艺以评估感光体38。表7示出评估结果。
对比实施例27除了用感光体39代替感光体38之外，重复对比实施例26中感光体38的评估工艺以评估感光体39。表7示出评估结果。
对比实施例28除了用感光体40代替感光体38之外，重复对比实施例26中感光体38的评估工艺以评估感光体40。表7示出评估结果。
对比实施例29除了用感光体41代替感光体38之外，重复对比实施例26中感光体38的评估工艺以评估感光体41。表7示出评估结果。
对比实施例30除了用感光体42代替感光体38之外，重复对比实施例26中感光体38的评估工艺以评估感光体42。表7示出评估结果。
实施例50除了用感光体43代替感光体38之外，重复实施例42中感光体38的评估工艺以评估感光体43。表7示出评估结果。


各具有包括不吸收短于450nm波长的写入光的金属氧化物的中间层的感光体(实施例42到49)即使在运转试验之后也能生成稳定的半色调图像，而各具有包括吸收写入光的金属氧化物的中间层的感光体(对比实施例24到30)却未生成稳定的半色调图像。
与对比实施例24、26和28相比，其中各金属氧化物经过表面处理的对比实施例25、27和29中的感光体在静电特性方面改变稍小。
实施例42到49中的感光体即使在在运转试验之后也未生成具有异常色彩再现性的图像，而对比实施例24到30的感光体却生成具有异常色彩再现性的图像。
即使在相同的光量下进行辐射，实施例42中感光体的表面电位也比实施例50中的电位低，这证明分散体5中不对称的偶氮颜料增加感光体的敏感度。
本申请要求于2006年1月24日提交的日本专利申请No.2006-014539、2006-014544和2006-014550的优先权并含有涉及这些专利申请的主题，各上述申请的全部内容均通过援引的方式纳入。
现在已全面描述本发明，在不脱离如其中阐述的本发明主旨和范围的情况下作出的各种改变和修改对本领域普通技术人员来说是显而易见的。
权利要求
1.一种成像设备，包括感光体，包括基底；以及光敏层，该光敏层包括叠置在基底上的中间层；叠置在中间层上的电荷生成层；以及叠置在电荷生成层上的电荷传输层；充电器，其设置为对感光体充电；辐照器，其设置为辐射感光体以在其上形成静电潜像；图像显影装置，其设置为利用调色剂使静电潜像显影以在感光体上形成调色剂图像；转印装置，其设置为将调色剂图像转印到记录介质上；定影装置，其设置为将调色剂图像定影到记录介质上；以及放电装置，其设置为利用光去除感光体上的残余电位；其中该中间层包括金属氧化物，该电荷生成层包括电荷生成有机材料，且该辐照器利用短于450nm波长的、在中间层内的金属氧化物中不吸收的写入光辐射感光体。
2.权利要求1的成像设备，其中该金属氧化物是锐钛矿型二氧化钛，且辐照器利用短于410nm波长的光辐射感光体。
3.权利要求1的成像设备，其中该金属氧化物是氧化锌，且该辐照器利用短于410nm波长的光辐射感光体。
4.权利要求1到3中任一项权利要求的成像设备，其中金属氧化物、锐钛矿型二氧化钛或氧化锌进行过表面处理。
5.权利要求1到4中任一项权利要求的成像设备，其中该电荷生成层对写入光具有10％到25％的透射率。
6.权利要求1到5中任一项权利要求的成像设备，其中该电荷传输层对写入光具有不小于30％的透射率。
7.权利要求1到6中任一项权利要求的成像设备，其中该感光体在光敏层上还包括保护层。
8.权利要求7的成像设备，其中该保护层对写入光具有不小于30％的透射率。
9.权利要求7或8的成像设备，其中该保护层包括不小于1010Ω·cm的电阻率的无机颜料或金属氧化物。
10.权利要求7到9中任一项权利要求的成像设备，其中该保护层通过硬化无电荷传输结构的可自由基聚合的三或更多官能单体和有电荷传输结构的可自由基聚合的单官能单体来形成。
11.权利要求1到10中任一项权利要求的成像设备，其中该中间层还包括电荷阻挡层和抗波纹层，且其中该抗波纹层包括金属氧化物。
12.权利要求11的成像设备，其中该电荷阻挡层由绝缘材料形成并具有不小于0.3μm且小于2.0μm的厚度。
13.权利要求12的成像设备，其中该绝缘材料为N-甲氧基甲基化尼龙。
14.权利要求11到13中任一项权利要求的成像设备，其中该抗波纹层还包括粘合剂树脂，且其中金属氧化物与粘合剂树脂的体积比为1/1到3/1。
15.权利要求1到14中任一项权利要求的成像设备，其中该放电装置利用光去除感光体上的残余电位，该光具有在中间层中的金属氧化物中不吸收的波长。
16.权利要求1到15中任一项权利要求的成像设备，还包括多个感光体、充电器、辐照器、图像显影装置、转印装置和放电装置。
17.权利要求1到16中任一项权利要求的成像设备，还包括可从成像设备上拆卸下来的处理盒，该处理盒包括感光体；以及充电器、辐照器、图像显影装置、放电装置和清洁器中的至少一个。
18.一种成像方法，包括对感光体充电，该感光体包括基底；和光敏层，该光敏层包括叠置在基底上的中间层；叠置在中间层上的电荷生成层；以及叠置在电荷生成层上的电荷传输层；辐射感光体以在其上形成静电潜像；利用调色剂使静电潜像显影以在感光体上形成调色剂图像；将调色剂图像转印到记录介质上；将调色剂图像定影到记录介质上；以及利用光去除感光体上残余电位；其中该中间层包括金属氧化物，该电荷生成层包括电荷生成有机材料，且该辐照器利用短于450nm波长的、在中间层内的金属氧化物中不吸收的写入光辐射感光体。
19.权利要求18的成像方法，其中利用光去除感光体上残余电位，该光具有在中间层的金属氧化物中不吸收的波长。
20.权利要求18或19的成像方法，其中充电、辐射、显影、转印以及放电中的多个同时实施。
全文摘要
一种成像设备，包括感光体，该感光体包括基底和依次位于基底上的中间层、电荷生成层、和电荷传输层；对感光体充电的充电器；辐射感光体以在其上形成静电潜像的辐照器；图像显影装置，其利用调色剂使静电潜像显影以在感光体上形成调色剂图像；转印装置，其将调色剂图像转印到记录介质上；定影装置，其将调色剂图像定影到记录介质上；和放电装置，其利用光去除感光体上残余电位。其中该中间层包括金属氧化物，电荷生成层包括有机电荷生成材料，且辐照器利用短于450nm波长的、在中间层内的金属氧化物中无吸收的写入光辐射感光体。
文档编号G03G13/00GK101025591SQ20071009236
公开日2007年8月29日 申请日期2007年1月24日 优先权日2006年1月24日
发明者新美达也 申请人:株式会社理光