专利名称：过滤器组件和包括该过滤器组件的等离子体显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体显示装置。更特别地，本发明涉及一种具有改进的结构以增强面板组件的光学特性的过滤器组件和包括该过滤器组件的等离子体显示装置。
背景技术：
等离子体显示装置是平板显示装置，其利用注入其中设置有多个放电电极的面板组件的密封空间中的放电气体，并施加预定放电电压到该放电电极以便放电空间中的荧光体层由于该放电电压而发光来显示包括文本和图形的预期图像。等离子体显示装置可以根据所需驱动电压的类型分成直流(DC)型等离子体显示装置和交流(AC)型等离子体显示装置，并还可根据其中放电电极的配置分成对面放电型等离子体显示装置和表面放电型等离子体显示装置。
在等离子体显示装置的操作期间，其中驱动电路板可能发射电磁波和红外(IR)光。此外，放电气体可能发射激发荧光体所需的波长以外的光。例如，当放电气体包括氖时，可能发射大约590nm波长区域的光。所有这些波长在达到观众之前可能都被滤出，因为电磁波可能对人有害，IR光可能导致便携式电子装置例如遥控器的功能误差，并且放电气体发射的可见光可能恶化图像质量。同时，可能需要用抗反射(AR)结构来阻止由于外部光反射导致的能见度降低。
在传统的等离子体显示装置中，AR膜或电磁波屏蔽过滤器可附着到厚玻璃基板或厚塑料基板上，并通过支撑介质例如面板组件前面的过滤器固定器结合到一起。但是，当使用厚玻璃基板或厚塑料基板时，该基板可能漫射光，会增加制造成本并且随着所需部件的增加使制造工序复杂化。
发明内容
因此，本发明涉及一种过滤器组件和包括该过滤器组件的显示装置，其基本上克服了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。
因此，本发明实施例的特征是提供一种整体组装的过滤器组件，以及采用该过滤器组件的等离子体显示装置。
因此，本发明实施例的另一个特征是提供一种具有最佳效率的过滤器组件，以及采用该过滤器组件的等离子体显示装置。
因此，本发明实施例的再一个特征是提供一种具有改进的能见度的过滤器组件，以及采用该过滤器组件的等离子体显示装置。
因此，本发明实施例的再一个特征是提供一种具有减少的镜面反射率的过滤器组件，以及采用该过滤器组件的等离子体显示装置。
本发明的至少一个上述的和其他的特征和优点可通过提供这样的过滤器组件实现，该过滤器组件包括基膜、该基膜上的电磁波屏蔽过滤器、和该基膜上的表面反射膜，该表面反射膜具有小于大约20％的雾度(haze)和小于大约1％的镜面反射率。
该表面反射膜可以包括抗眩光膜和/或抗反射膜，该抗眩光膜在其表面上包括多个直径大约为1nm～1mm的突起，该抗反射膜包括彼此堆叠的低折射率层和高折射率层。该表面反射膜可以具有大约0.5～10％的雾度。
电磁波屏蔽过滤器可位于基膜的一个表面而表面反射膜可位于基膜的相反表面。该基膜可包括近红外光线屏蔽膜、透射率控制膜和波长选择吸收膜的至少一个。该波长选择吸收膜可在大约560～610nm波长范围具有最大吸收。
电磁波屏蔽过滤器可以包括网状构图的导电材料。该导电材料可包括Cu，Ag，Al，Pt，Au，Fe或它们的合金的至少一种。该电磁波屏蔽过滤器可以包括彼此堆叠的金属层和金属氧化物层。
本发明的至少一个上述的和其他的特征和优点可通过提供这样的等离子体显示装置实现，该等离子体显示装置包括具有第一和第二基板的面板组件；附着到该面板组件上并具有驱动电路板的底板组件，该驱动电路板传送电信号到该面板组件或传送来自该面板组件的电信号；以及该面板组件前面的过滤器组件，该过滤器组件包括基膜、形成在该基膜上的电磁波屏蔽过滤器、和形成在该基膜上的表面反射膜，该表面反射膜具有小于大约20％的雾度和小于大约1％的镜面反射率。
过滤器组件可直接与第一基板的前表面接触。该过滤器组件可维持大约40％的透射率。该等离子体显示装置还可以包括适于容纳该面板组件、底板和过滤器组件的壳。
对于本领域普通技术人员来说，通过参考附图详细描述本发明的示范性实施例，本发明的上述和其他特征和优点将变得更清楚，其中图1示出了根据本发明实施例的等离子体显示装置的分解透视图；图2示出了图1的结合的等离子体显示装置的截面图；图3示出了根据本发明实施例的过滤器组件的放大的截面图；图4示出了根据本发明另一个实施例的过滤器组件的放大的截面图；图5示出了根据本发明另一个实施例的过滤器组件的放大的截面图；图6示出了根据本发明另一个实施例的过滤器组件的放大的截面图；图7示出了根据本发明的电磁波屏蔽过滤器的平面图；图8示出了图8的电磁波屏蔽过滤器的一部分的放大图；图9示出了传统的雾度计的结构；及图10示出了波长与透射率关系的曲线。
具体实施例方式
于2006年4月11日在韩国知识产权局提交的名称为“Filter Assembly andPlasma Display Device Adopting the same”的韩国专利申请No.10-2006-0032665在此全文引入作为参考。
现在，将在下文中参考其中说明了本发明的示范性实施例的附图更全面地描述本发明。然而，本发明可以不同形式实施而不应该被限制成这里所提出的实施例。相反，提供这些实施例以便本公开变得彻底和全面，并将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。
附图中，为了说明清晰，夸大了层和区域的尺寸。同样可以理解的是，当层或元件被称作位于另一层或基板“上面”时，其可直接位于另一层或基板上面，或者也可以存在插入层。此外，可以理解的是，当层被称作位于另一层“下面”时，其可直接位于下面，并且也可以存在一个或多个插入层。另外，同样可以理解的是，当层被称作位于两层“之间”时，其可以是该两层之间唯一的层，或者也可以具有一个或多个插入层。全文中，相同的附图标记指的是相同的元件。
下文中，将通过参考附图解释本发明的实施例来详细描述本发明。
图1示出了根据本发明实施例的等离子体显示装置200的分解透视图。图2示出了图1的等离子体显示装置200的截面图。
参考图1和2，等离子体显示装置200可以包括面板组件210、附着到该面板组件210背表面的底板(chassis base)组件230、附着到该面板组件210前表面的过滤器组件250、和壳270，该壳270可以容纳该面板组件210、底板组件230、和过滤器组件250。
面板组件210可包括第一基板211和第二基板212。该第一和第二基板211和212之间的空间可被密封。
底板组件230可包括底板231，其可例如利用粘性材料附着到面板组件210的背表面。该粘性材料可包括位于该第二基板212的背表面的中心处的导热片232、及沿着该第二基板212的背表面边缘的双面胶带233，该导热片232适于在面板组件210的运行期间将该面板组件210产生的热传递到底板231。
多个驱动电路板234可设置在底板231的背表面上。多个电路元件235可包括在驱动电路板234上。电路元件235可电连接到信号传输单元236例如柔性印刷电缆的一端。信号传输单元236的另一端可电连接到面板组件210的电极端子，并可以适于在面板组件210和驱动电路板235之间传输电信号。信号传输单元236可包括驱动集成电路(IC)236a、多个导线236b、和覆盖该导线236b的柔性膜236c。
底盘(chassis)加强部件237可附着到底板231的背表面的顶部和底部以加强底板231。可设置盖板(cover plate)238以保护信号传输单元236免受损害。换句话说，信号传输单元236可位于底板231和盖板238之间。可在驱动IC 236a和底盘加强部件237之间提供热脂(thermal grease)239，并且硅层240可位于驱动IC 236a和盖板238之间。
过滤器组件250可附着到第一基板211的前表面。过滤器组件250可以是多层结构，该多层结构包括多个彼此堆叠的层以阻挡面板组件210产生的电磁波和红外(IR)光，阻挡放电气体的可见光发射并阻挡外部光反射。这里，过滤器组件250直接附着到面板组件210的前表面。
壳270可以收容面板组件210、底板组件230和过滤器组件250。壳270可包括在过滤器组件250前面的前壳体271和在底板组件230后面的后盖272。多个通气孔273可位于后盖272的顶部和底部。
下文中，将更详细地描述本发明。
图3示出了根据本发明实施例的过滤器组件250的放大截面图。
参考图3，过滤器组件250可包括基膜251、形成在该基膜251一个表面上的电磁波屏蔽过滤器252、和形成在该基膜251另一表面上的表面反射膜253。该基膜251可以包括近IR屏蔽膜254、透射率控制膜255和波长选择吸收膜256。
近IR屏蔽膜254可以减少或阻止由光发射过程中使用的惰性气体的等离子体产生的近IR光的发射。透射率控制膜255可以控制穿过过滤器组件250透射的光的量。在本发明的实施例中，可以保持40％的透射率。波长选择吸收膜256可阻挡放电气体发射的可见光，例如，当使用氖时，可以阻挡在大约590nm波长区域内的光。在本实施例中，最大吸收可位于大约560～610nm的波长范围内。近IR屏蔽膜254、透射率控制膜255和波长选择吸收膜256可彼此顺序地附着。基膜251还可以包括执行不同功能的附加膜。
电磁波屏蔽过滤器252可设置在第一基板211和基膜251之间。电磁波屏蔽过滤器252可直接附着到第一基板211的前表面。也就是说，第一基板211和过滤器组件250之间可以不必形成分离的空间，即，电磁波屏蔽过滤器252可以接触第一基板211。
等离子体显示装置200运行期间面板组件210或驱动电路板234的电路元件235产生的电磁波可导致其他电子装置的功能误差并可能对人体有害。因此，电磁波应该被阻挡，而电磁波屏蔽过滤器252阻挡电磁波。
图7示出了根据本发明实施例的电磁波屏蔽过滤器252的平面图。图8示出了图7的电磁波屏蔽过滤器252的部分A的放大图。
电磁波屏蔽过滤器252可包括细微金属网252a和导电片252b。金属网252a在与第一基板211对应的导电片252b中心区域中被图案化。
电磁波屏蔽过滤器252可由高电导率的材料形成，例如Cu、Ag、Al、Pt、Au、Fe或它们的合金。也可以使用具有导电性的陶瓷材料或碳纳米管。
导电片252b可通过导线301连接到底板231的边缘，如图3所示。替代地，导线301可连接到壳270的导电材料。
可利用各种方法来图案化电磁波屏蔽过滤器252的金属网252a，然而，涂覆或蚀刻可简化制造方法并使图案标准化。
替代地，电磁波屏蔽过滤器252可由透明导电层例如氧化铟锡(ITO)层和金属层例如铜层形成，该铜层可以是氧化的并堆叠在该透明导电层上。
再次参考图3，表面反射膜253可形成在基膜251的前表面上，即，形成在与基膜251的面对第一基板211的表面相反的表面上。
表面反射膜253可包括抗眩光膜(AG膜)257和抗反射膜(AR膜)258至少之一，该抗反射膜可附着到AG膜257的前表面，以阻止由于外部光反射导致的能见度的降低。
AG膜257可包括在AG膜257表面上的直径大约为1nm～1mm，例如大约0.5～20μm的突起。这些突起可以漫射光。突起的分布面积可以小于或等于AG膜257总表面积的大约50％。如果突起的分布面积大于AG膜257总表面积的大约50％，外部光被AG膜257的反射可降低，但是AG膜257的雾度(haze)将增加，以致于当形成在面板上的图像穿过AG膜257时不能获得高对比度的图像。
AR膜258利用由于低折射率层和高折射率层的相互堆叠产生的相位差可以减低光反射。包括AG膜257和AR膜258的表面反射膜253可具有小于或等于大约20％的雾度，例如大约0.5～10％的雾度。如果表面反射膜253的雾度大于大约20％，将降低图像的对比度。表面反射膜253的镜面反射率可以小于大约1％。
AG膜257可包括透明基板和在该透明基板表面上的多个珠粒(bead)。AG膜的透明基板可由透明材料形成，例如玻璃，PET(polyethyleneterephthalate聚对苯二甲酸乙酯)膜、TAC(tri-acetyl-cellulose三乙酰基纤维素)膜、PVA(polyvinyl alcohol聚乙烯醇)膜、PE(聚乙烯)膜。该透明基板的厚度可以是大约10μm到大约1000μm。多个珠粒可由可透光材料形成，例如苯乙烯(stylene)、黑色素(melanin)，丙烯酸类树脂(acrylic resin)、丙烯酸-苯乙烯(acrylic-stylene)、聚碳酸酯、聚乙烯、聚氯乙烯、或金属氧化物如SiO2、AlSiO2、ZrO2、GeO2、或Al2O3。可透光材料可具有大约0.1μm到大约20μm的平均颗粒大小。
AR膜258可包括透明基板和形成在该透明基板的表面上的低折射率层和高折射率层的堆叠结构。AR膜的透明基板可与AG膜的透明基板相同。低折射率层和高折射率层可通过堆叠选自例如丙烯酸类树脂、纤维素系树脂(cellulose series resin)、环氧树脂、尿素三聚氰胺树脂(urea-melamine resin)和氨基甲酸乙酯树脂(urethane resin)的至少两种材料形成。
具有AG膜257和AR膜258的结合膜可包括透明基板和在该透明基板的表面上彼此堆叠的低折射率层和高折射率层的堆叠结构、以及形成在低折射率层表面上的多个珠粒。
膜251到253可以不同方式结合从而在过滤器组件上形成变化，例如，如图4，5和6所示。
图4示出了根据本发明另一个实施例的过滤器组件的放大的截面图。
参考图4，电磁波屏蔽过滤器252可直接位于第一基板211的前表面上且近IR屏蔽膜254和透射率控制膜255可顺序地附着到电磁波屏蔽过滤器252的前表面上。AG膜257和AR膜258可顺序地位于透射率控制膜255的前表面上。这里，包括AG膜257和AR膜258的表面反射膜253可具有小于或等于大约20％的雾度，例如，大约0.5～10％的雾度，并且具有小于大约1％的镜面反射率。
图5示出了根据本发明另一个实施例的过滤器组件的放大的截面图。
参考图5，电磁波屏蔽过滤器252可直接位于第一基板211的前表面上，并且近IR屏蔽膜254和透射率控制膜255可顺序地位于电磁波屏蔽过滤器252的前表面上。AG膜257可位于透射率控制膜255的前表面上。这里，AG膜257可具有小于或等于大约20％的雾度，例如，大约0.5～10％的雾度，并且具有小于大约1％的镜面反射率。
图6示出了根据本发明另一个实施例的过滤器组件的放大的截面图。
参考图6，电磁波屏蔽过滤器252可直接位于第一基板211的前表面上，并且近IR屏蔽膜254和透射率控制膜255可顺序地位于电磁波屏蔽过滤器252的前表面上。AR膜258可位于透射率控制膜255的前表面上。这里，AR膜258可具有小于或等于大约20％的雾度，例如，大约0.5～10％的雾度，并且具有小于大约1％的镜面反射率。
在具有上述结构的等离子体显示装置200的运行期间，面板组件210或驱动电路板234的电路元件235可能产生电磁波。该电磁波可入射到直接附着到第一基板211的前表面的电磁波屏蔽过滤器252上并且可被通过导线301接地到底板231，该导线301电连接到电磁波屏蔽过滤器252。
此外，近IR光可被近IR屏蔽膜254阻挡，放电气体发射的可见光可被波长选择吸收膜256阻挡并且由于外部光反射导致的能见度(visibility)降低可由表面反射膜253改进。
根据本发明实施例的过滤器组件250的特征已经通过本申请人所做的实验做了研究，结果如下表1所示。在表1中，所有样品都直接位于第一基板211上。比较例1是AR膜，比较例2是AG膜，并且例1和2每个都是包括AG膜和AR膜的组合膜。
图9示出了雾度计1000中的传感器的内部结构。
在这里，Nippon Denshoku Kogyo的雾度计(haze meter)NPH2000被用作雾度计1000并且利用雾度计1000测量雾度的方法如图9所示。
参考图9，卤素灯1010产生的光透射过透明或半透明样品1020并进入直径为150mm的积分球1100。
这里，光分成在积分球1100内反射的漫射光和平行光。该漫射光入射到光电探测器1040上。积分球1100的整个内表面可涂覆以反射材料，例如BaSO4，使得光在积分球1100的整个内表面上被反射。
由于光入射到光电探测器1040上而产生的信号传输到测量部分1050以显示数据结果。另外，利用马达1030计算出平行光的量。在马达1030中，光被白色圆形物1031反射而透射过黑色圆形物1032使得光被分成透射光和平行光。马达1030在整个测量期间是旋转的。
雾度可利用下述公式1计算雾度(％)＝(漫射光/总透射光)×100 (1)这里，当利用下述公式2从总透射光量中减去漫射光量时可计算出平行光量
平行光＝总透射光-漫射光 (2)图10示出了波长与透射率关系的曲线。雾度是在400～700nm的可见光范围上的亮度Yc特征。可以根据国际标准利用Yc。当X轴是波长(nm)，这里所示的是跨越可见光范围，且Y轴是透射率(％)时，Yc曲线在整个可见光范围分布。特别地，Yc曲线的峰值透射率发生在波长555nm处，如图10所示。
镜面反射率可通过利用例如Darsa pro-5000(PSI，Korea)测量在30°入射并被反射的光的量来计算。
同时，具有90％开口率(aperture ratio)的铜网可用作电磁波屏蔽过滤器252，过滤器组件250的总透射率保持在40％，AR膜258(比较例1)或AG膜257(比较例2)或包括AG膜257或AR膜258的组合膜(例1或2)被用于具有X1％的雾度的表面反射膜253，其中过滤器组件250具有X2％的雾度。过滤器组件250所附着的玻璃的镜面反射率的绝对值为4.2％。
参考表1，在比较例1中，过滤器的雾度是2.3％，表面反射膜的雾度是0.6％，镜面反射率是1.08％，发生物体反射，且能见度通过标准。在比较例2中，过滤器的雾度是32.3％，表面反射膜的雾度是30％，镜面反射率是0.03％，未发生物体反射，且能见度未通过标准。
另一方面，如表1所示，在例1中，过滤器的雾度是4.7％，表面反射膜的雾度是2.95％，镜面反射率是0.87％，未发生通过镜面反射的物体反射，且能见度通过标准。在例2中，过滤器的雾度是8.87％，表面反射膜的雾度是5.7％，镜面反射率是0.44％，未发生通过镜面反射的物体反射，且能见度通过标准。
优选的是，过滤器的雾度、表面反射膜的雾度、以及镜面反射率具有尽可能小的值。在根据本发明实施例的例1和2中，过滤器的雾度分别是4.7％和8.87％，表面反射膜的雾度分别是2.95％和5.7％，以及镜面反射率分别是0.87％和0.44％。相比于比较例2，其中过滤器的雾度是32.3％，表面反射膜的雾度是30％，且镜面反射率是0.03％。因此，例1和2中过滤器和表面反射膜的雾度小于比较例2而镜面反射率大于比较例2。例1和2中没有发生物体反射并且其中的能见度优异，而比较例2中的能见度不好。
比较例1中，过滤器的雾度是2.3％，表面反射膜的雾度是0.6％，镜面反射率是1.08％。例1和2中的过滤器和表面反射膜的雾度大于比较例1而镜面反射率小于比较例1。例1和2中没有发生物体反射并且其中的能见度优异，而比较例1中未发生物体反射。
如上所述，在根据本发明的过滤器组件250中，未发生通过镜面反射的物体反射且能见度通过标准。
根据本发明实施例的过滤器组件和使用该过滤器组件的等离子体显示装置可以提供至少一个或多个下述优点。
第一，通过使用具有预定范围内的雾度值的表面反射膜在能够在允许优异的能见度的同时降低或消除物体的镜面反射。
第二，通过包括具有预定范围内的雾度值的AG膜或AR膜至少之一可提高等离子体显示装置的质量。
第三，由于过滤器组件可直接附着到面板组件的前表面，所以可以不需要附加的支撑介质，并且过滤器组件可具有较少的部件并可以更薄。
虽然这里已经公开了本发明的示范性实施例，并且使用了特定术语，但是，它们只是用来并且作为一般解释和描述意义，并不用于限制的目的。因此，对于本领域普通技术人员可以理解的是，在不脱离随后的权利要求所陈述的本发明的精神和范围下，可以作出形式和细节上的各种改变。
权利要求
1.一种过滤器组件，包括基膜；所述基膜上的电磁波屏蔽过滤器；以及在所述基膜上的表面反射膜，所述表面反射膜具有小于大约20％的雾度和小于大约1％的镜面反射率。
2.根据权利要求1所述的过滤器组件，其中该表面反射膜包括抗眩光膜，该抗眩光膜在其表面上包括多个直径大约为1nm～1mm的突起。
3.根据权利要求1所述的过滤器组件，其中该表面反射膜具有大约0.5～10％的雾度。
4.根据权利要求1所述的过滤器组件，其中该表面反射膜包括抗反射膜，该抗反射膜包括彼此堆叠的低折射率层和高折射率层。
5.根据权利要求1所述的过滤器组件，其中该表面反射膜包括由抗眩光膜和抗反射膜形成的多层膜，该抗眩光膜包括多个直径为1nm～1mm的突起，该抗反射膜包括彼此堆叠的低折射率层和高折射率层。
6.根据权利要求1所述的过滤器组件，其中该电磁波屏蔽过滤器位于所述基膜的一个表面上而该表面反射膜位于所述基膜的相反表面。
7.根据权利要求1所述的过滤器组件，其中该基膜包括近红外线屏蔽膜、透射率控制膜和波长选择吸收膜中的至少一个。
8.根据权利要求7所述的过滤器组件，其中该波长选择吸收膜在大约560～610nm的波长范围内具有最大吸收。
9.根据权利要求1所述的过滤器组件，其中该电磁波屏蔽过滤器包括网状构图的导电材料。
10.根据权利要求9所述的过滤器组件，其中该导电材料包括Cu，Ag，Al，Pt，Au，Fe或它们的合金的至少一种。
11.根据权利要求1所述的过滤器组件，其中该电磁波屏蔽过滤器包括彼此堆叠的金属层和金属氧化物层。
12.一种等离子体显示装置，包括包括第一和第二基板的面板组件；附着到该面板组件并包括驱动电路板的底板组件，该驱动电路板传送电信号到该面板组件并传送来自该面板组件的电信号；在该面板组件前面的过滤器组件，该过滤器组件包括基膜、形成在该基膜上的电磁波屏蔽过滤器、和形成在该基膜上的表面反射膜，该表面反射膜具有小于大约20％的雾度和小于大约1％的镜面反射率
13.根据权利要求12所述的等离子体显示装置，其中该过滤器组件直接接触该第一基板的前表面。
14.根据权利要求12所述的等离子体显示装置，其中该表面反射膜包括抗眩光膜，该抗眩光膜在其表面上包括多个直径大约为1nm～1mm的突起。
15.根据权利要求12所述的等离子体显示装置，其中该表面反射膜包括抗反射膜，该抗反射膜包括彼此堆叠的低折射率层和高折射率层。
16.根据权利要求12所述的等离子体显示装置，其中该表面反射膜包括由AG膜和AR膜形成的多层膜，该AG膜包括多个直径为1nm～1mm的突起，该AR膜包括彼此堆叠的低折射率层和高折射率层。
17.根据权利要求12所述的等离子体显示装置，其中该电磁波屏蔽过滤器位于该基膜的一个表面上且该表面反射膜位于该基膜的相反表面上。
18.根据权利要求12所述的等离子体显示装置，其中该基膜包括近红外线屏蔽膜、透射率控制膜和波长选择吸收膜中的至少一个。
19.根据权利要求12所述的等离子体显示装置，其中该电磁波屏蔽过滤器包括网状构图的导电材料。
20.根据权利要求12所述的等离子体显示装置，其中该电磁波屏蔽过滤器包括彼此堆叠的金属层和金属氧化物层。
21.根据权利要求12所述的等离子体显示装置，其中该过滤器保持大约40％的透射率。
22.根据权利要求12所述的等离子体显示装置，还包括适于容纳该面板组件、底板和过滤器组件的壳。
全文摘要
本发明提供一种过滤器组件和包括该过滤器组件的等离子体显示装置。一种过滤器组件包括基膜、在该基膜上的电磁波屏蔽过滤器及在该基膜上的表面反射膜，该表面反射膜具有小于大约20％的雾度和小于大约1％的镜面反射率。该过滤器组件可位于显示器的面板组件的前面，例如，可直接接触该面板组件的显示表面。
文档编号G02B5/02GK101060052SQ20071010535
公开日2007年10月24日 申请日期2007年4月11日 优先权日2006年4月11日
发明者车准圭, 裵宰佑, 文东建, 沈勉基, 许相烈 申请人:三星Sdi株式会社