液晶显示器的制作方法

专利名称：液晶显示器的制作方法
技术领域：
本公开涉及一种液晶显示器(LCD),更具体地说，涉及一种具有增强的 透光率和改进的侧向可见度的LCD。
背景技术：
LCD是较为广泛使用类型的平板显示器之一，并且典型地包括具有布置 在其上的多个场生成(field-generating)电极(包括像素电极和公共电极)的两个 基板或面板，并具有插入于两个面板之间的液晶材料层。LCD通过将选择的 电压施加到场生成电极以便产生电场来控制入射到所述面板上的透光率，该 电场确定液晶层中液晶分子的取向，并由此调节入射到面板的光的偏振。
近来由于其高对比率和宽参考视角而受到日渐关注的一种类型的LCD 被称作"竖向定线(vertical alignment)" (VA)模式LCD,其中，在缺乏电场时， 液晶层的分子被定线以便分子的长轴被定位成与面板垂直。VA模式LCD的 宽视角是通过在场生成电极上形成的剪切块或凸起而实现的。
除了上述的VA模式LCD,以另一种努力来改进侧向可见度，已经开发 了一种"域划分(domain-division)"型LCD,其中其像素区域被划分成多个域， 以便液晶分子的定向可以通过剪切块或凸起来确定，该剪切块或凸起能够使 得分子的倾斜分布于像素内的各个方向，由此加宽参考视角。由于液晶分子
分子的倾斜方向以最佳方式分布的方式布置剪切块部分和凸起来加宽参考视 角。
然而，与VA模式LCD的前向可见度相比，VA模式LCD具有相对差的 侧向可见度。例如，具有剪切块的图形的VA(PVA)模式LCD显示在其两边变 亮的图像，由此导致不良的侧向可见度。为了改进侧向可见度，已经提出了 一种方法，其中显示器的每个像素被分成两个子像素，并且两个子像素之一 被直接提供一电压，而另一个通过电容耦合受到压降，以便两个子像素具有
施加到它们的不同的电压。然而，这个方法可能由于子像素的电容耦合而导
致LCD的孔径比的降低，并且可能由于每个各自子像素的平均电压的减少而
降低显示器的透光率。

发明内容
根据这里描述的本发明的示例性实施例，本发明提供一种具有较高透光
率和增强的侧向可见度的LCD。
在一个示例性实施例中， 一种LCD包括形成在第一绝缘基板上的栅极 线和存储电极线；与所述栅极线绝缘并交叉的数据线；第一源电极，至少一 部分第一源电极部分地与第n栅极线交迭并连接到所述数据线；第一和第二 漏电极，至少一部分漏电极部分地与第n栅极线交迭并与第一源电极分离； 第一子像素电极，电连接到第一漏电极；第二子像素电极，电连接到第二漏 电极；第二源电极，至少一部分第二源极端部分地与第n+l栅极线交迭并电 连接到第二子像素电极；和第三漏电极，至少一部分第三漏电极部分地与第 n+l栅极线交迭并与第二源电极分离，并且可操作以升高第一子像素电极的 充电电压和降低第二子像素电极的充电电压。
在另一个示例性实施例中， 一种LCD包括由第n栅极线控制的第一和 第二薄膜晶体管；由第n+l栅极线控制的第三薄膜晶体管；第一子像素电极， 连接到第一薄膜晶体管的输出端；和第二子像素电极，连接到第二薄膜晶体 管的输出端和第三薄膜晶体管的输入端，并且其中第三薄膜晶体管的输出端 可操作以升高第一子像素电极的充电电压并降低第二子像素电极的充电电 压。
通过考虑下面的一些示例性实施例的详细描述，并且尤其结合附图来进 行这种考虑，可以获得本发明的新的LCD的上述和许多其他特征和优点的更 好的理解，其中相同的参考标号在一个或多个附图中指定相同的元件。


图1是根据本发明的LCD的示例性实施例的第一面板的部分顶部俯视 图，显示了其示例性的单个像素区域；
图2是图1的示例性LCD的第二面板的部分顶部俯视图，显示了其示例 性单个像素区域；
图3是其中图1和图2的各第一和第二面板被结合的示例性LCD的部分 顶部俯^L图4是沿着这里取的截面IV-IV，的线看的图3的示例性LCD的横断面视
图5是沿着这里取的截面V-V，的线看的图3的示例性LCD的横断面视
图6是示例性LCD的示意性电路图；和
图7是说明施加到图6的示例性LCD的电压的波形的图。
具体实施例方式
通过参考优选实施例和附图的下面详细描述，可以更容易地理解实现其 的方法和本发明的优点和特征。然而，本发明可以以许多不同的方式实现， 并不应被解释成限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例以便本公开 将彻底和完整，并将完全将本发明的概念传达给本领域技术人员，并且本发 明将仅由所附权利要求来限定。
在下面的描述中，将理解当一元件或层被称为在另一元件或层"上"，它 可以直接在其他元件或层上，或者也可以存在插入层或元件。相反，当元件 ;故称为"直接在"另一元件"上"，则不存在插入元件。相同的参考标记在整 个说明书中指代相同的元件。术语"和/或"包括参考项的每个和至少一个实 施例。
为了易于描述这里使用空间相对术语，诸如"在…下面"、"在下面"、"下 面"、"在…之上"、"上面"等，以描述图中所示的一个元件或特征与另一个 元件或特征的关系。除了图中描述的定向，将理解空间相对术语被确定包含 使用中的装置的不同定向或操作。
参考透视图、横断面视图、和/或俯视图将描述本发明，其中示出了本发 明的优选实施例。因此，根据制造技术和/或容限，示例性一见图的剖面图可以 被修改。即，本发明的实施例不意欲限制本发明的范围，但覆盖由于制造工 艺中的变化导致的所有变化和修改。例如，虽然蚀刻区域被说明为矩形的， 但它可以是圆的或具有预定曲率。因此，以示意性的形式说明图中所示的区 域，并且仅仅通过说明呈现区域的形状，而不是限制性的。
根据本发明的LCD的示例性实施例包括第一面板、被排列以面对第一面
板的第二面板、和插入于两个面板之间的液晶层。在每个面板上定义多个像 素。第一面板的每个像素具有与其相关的像素电极，并且与所有像素公共相 关的公共电极被提供在第二面板上。通过改变在像素电极和公共电极之间生 成的电场的强度，来控制与每个^f象素相关的液晶层的透光率。下面参考附图
详细描述在示例性LCD中的像素的结构。
图1是显示其示例性单个像素区域的、示例性LCD的第一面板100的部 分顶部俯视图。图2是显示其示例性单个像素区域的、示例性LCD的第二面 板200的部分顶部俯视图。图3是示例性LCD的部分顶部俯视图，其中图1 和图2的各第一面板和第二面板被示出在顶部彼此结合，并且图4和图5是 分别/人截面IV-IV，和截面V-V，的线看的图3的示例性LCD的横断面碎见图。
参考图1和图3,第一面板100的每个像素由在第一绝缘基板110上形 成的两条相邻栅极线122和两条相邻数据线162定义。第一绝缘基板110可 包括，例如，透明玻璃或塑料。多条栅极线122形成在第一绝缘基板110上 并且在其上在第一方向延伸。栅极线122包括具有形成第一栅电极124的延 伸宽度的第一部分、和形成第二^^册电极125的第二部分。第一^f册电极和第二 栅电极124和125的形状可以根据所示出的特定示例性实施例而不同。例如， 第一栅电极124可能不包括延伸部分，然而，第二栅电极125可能包括延伸 部分。
在所示的特定实施例中，对于任何给定的面板100的像素，连接到相同 栅极线122的第一栅电极124和第二栅电极125分别控制不同的像素行。即， 尽管，第一栅电极124连接到第n栅极线122并控制第n像素行，但控制第 n像素行的第二栅电极125连接到第(n+l)栅极线122。
存储电极线128形成在与栅极线122相同层的第一绝缘基板110上，并 且第一子像素电极181和第二子像素电极182的交迭由此形成存储电容器。
而改变。例如，如图l所示，存储电极线128可包括两个纵向部分，它们 在数据线162的附近彼此平行延伸；在两个纵向部分之一之下延伸的延长部 分；和倾斜部分，在两个纵向部分的相对端连接两个纵向部分。
由氮化硅或二氧化硅制成的栅极绝缘层13(M皮堆叠在栅极线122和存储 电极线128上。包括非晶形氬化硅的第一半导体层141和第二半导体层142
形成在4册极绝缘层130上。第一半导体层141与第一4册电才及124交迭，并且 第二半导体层142与第二栅电极125交迭。
数据线(162、 165、 166、 167、 168和169)形成在第一半导体层141和第 二半导体层142上。数据线(162、 165、 166、 167、 168和169)包括数据线 162，在与第一方向垂直的第二方向延伸；第一源电4及165， >(人第一数据线162 分支；第一漏电极166和第二漏电极167，与第一源电极165分离，并彼此 相对放置；第二源电极168，从第一源电极165的上部延伸到像素区域；和 第三漏电极169,与第二源电极168分离，并与第二源电极168相对;改置。 第一源电极165以及第一漏电极166和第二漏电极167具有至少某些部分与 第一栅电极124部分地交迭，而第二源电极168以及第三漏电极169具有至 少某些部分与第二4册电才及125部分地交迭。电阻4姿触层152、 155、 156、 157、 158和159，例如由硅化物或n+非晶形氬化硅制成(其中n型杂质被高度掺杂)， 形成在第一半导体层141和第二半导体层142的每个以及数据线(162、 165、 166、 167、 168和169)的每条之间。
在说明的特定实施例中，第三漏电极169与存储电极线128交迭，并且 可进一步包括具有延伸宽度的部分169a。第三电极169的延伸部分169a不仅 与存储电极线128部分地交迭，而且与如下描述的第一子像素电极181部分 地交迭。延伸部分169a和与第三漏电才及169交迭的存储电极线128构成压降 电容器，起到以如下将详细描述的方式来降低第二子像素电极181中所充像 素电压的绝对值的作用。延伸部分169a和与其交迭的第一子像素电极181构 成升压电容器，起到以如下将详细描述的方式来升高第一子像素电极181的 像素电压的绝对值的作用。因此，尽管相同电平的数据电压被施加到第一子 像素电极181和第二子像素电极182，但如以下将更为详细描述的，第一子 像素电极181和第二子像素电极182的充电电压可以被调节以具有不同值。
第一栅电极124、第一源电极165、和第一漏电极166形成具有第一半导 体层141作为其沟道的第一薄膜晶体管(TFT)。第一栅电极124、第一源电极 165和第二漏电极167形成具有第一半导体层作为其沟道的第二 TFT。第二 栅电极125、第二源电极168、和第三漏电极169形成具有第二半导体层142 作为其沟道的第三TFT。如上所述，连接到第三TFT以驱动相同像素区域的 第二栅电极125被连接到下一条相邻栅极线122，第一栅电极124连接到该 栅极线122。
钝化层170形成在数据线(162、 165、 166、 167、 168和169)上。钝化层 170可包括无机绝缘体材料，例如氮化硅(SiNx)，或可替换地，包括有机绝缘 体材料。在另一个可选情况中，钝化层170可包括具有两个或多个层的堆叠 结构，包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。钝化层170包括接触孔176、 177 和178,它们使第一漏电极166和第二漏电极167以及第二源电极168的至 少某些部分暴露。
由透明导电材料构成的像素电极形成在数据线(162、 165、 166、 167、 168 和169)上。像素电极包括由分割部件186而将其彼此分离的第一子像素电极 181和第二子像素电极182。第一子像素电极181通过接触孔176连接到第一 漏电极167，并且与在其一侧的存储电极线128的纵向部分和其延伸部分交 迭。
第二子像素电极182通过接触孔177和接触孔178与第二漏电极167和 第二源电极168相连，并且与在存储电极线128的另一侧的纵向部分交迭。 剪切块部分185在第二子像素电极182的中心凹进去。此外，第一子像素电 极181和第二子像素电极182相对于存储电极线128的倾斜部分而彼此分离。 换言之，存储电极线128的倾斜部分与将第一子像素电极181和第二子像素 电极182彼此分离的分割部件186交迭。剪切块部分185和分割部件186产 生定义域的边缘场，在每个域中，液晶材料呈现一致的性能。
尽管未在附图中说明，对准膜(alignment film)也可提供在像素电极上。 对准膜可包括，例如，垂直对准膜。
如本领域技术人员将理解的，尽管相同的数据电压被施加到第 一子像素 电极181和第二子像素电极182,然而，由于向第一子像素电极181耦合了 升压电容器，第一子像素电极181将用具有比施加的数据电压高的绝对值的 像素电压进行充电，然而，由于向第二子像素电极182耦合了降压电容器， 第二子像素电极182将用具有比施加的数据电压低的绝对值的像素电压进行 充电。换言之，相同像素电极的子像素电极利用不同电压充电，由此通过防 止其伽马曲线中的失真来改进显示器的侧向可见度。在说明的特定示例性实 施例中，由于第二子像素电极182中充的电压增加并且在第一子像素电极181 中充电的电压降低，在第一子像素电极181和第二子像素电极182中充电的 电压之间的差增加。因此，与仅提供降压电容器的情况相比，即使具有相对 小的容量的电容器也可以产生足够的电压差。这表明形成升压电容器或者降
压电容器的第三漏电极169的区域可以-故减少，由此有利地实现改进的纵横 比。另外，由于电压被升高，像素的透射性，并且由此显示器的透射性也提 高。
下面进一步参考图2和图3-5描述示例性LCD的第二面板200。与第一 绝缘基板110相同，第二面板200包括第二绝缘基板210，其可包括透明玻 璃或塑料。黑矩阵220形成在第二绝缘基板210上。黑矩阵220与第一面板 100的栅极线122和数据线162交迭。滤色片230形成在由黑矩阵220划出 的区域。滤色片230被对准以便当两个面板被夹在一起时，与第一面板100 的第一子像素电极181和第二子像素电极182交迭。
外涂层(overcoat layer)240形成在黑矩阵220和滤色片230上，以平坦其 梯状表面。
由透明导电材料(诸如ITO或IZO)制成的公共电极250形成在外涂层240 上。公共电极250形成在第二面板200的整个表面之上，并且对于每个像素 具有多个剪切块。例如，可以为每个像素提供三个剪切块253、 254和255, 如图2所示。更具体地，两个剪切块253和254被形成以便与第一面板100 的第一子像素电极181交迭，以与存储电极线128的倾斜部分平行的相反方 向上延伸，并在第一子像素电极181和第二子像素电极182的边缘弯曲以便 与栅极线122或数据线162平行。在像素区域的中心，剪切块253和254没 有彼此连接。剪切块255被形成以便与第一面板100的第二子像素电极182 交迭，以在与存储电极线128的倾斜部分平行的相反方向上延伸，并弯曲以 便与4册极线122平行。在相反方向延伸的剪切块255的部分在i象素区域的中 心彼此结合。剪切块253、 254和255以及第二子像素电极182的分割部件 186和剪切部分185是可操作以产生定义域的边缘场，在每个域中液晶材料 呈现一致性能。
尽管未在附图中说明，可在公共电极250上进一步提供对准膜。对准膜 可包括，例如，垂直对准膜。
参考图4和图5,包括多个液晶分子301的液晶层300插入在第一面板 100和第二面板200之间。在电压中断(voltage-off)状态，即，在没有电场时， 根据在LCD中提供的对准膜的特性，液晶分子310关于电场垂直对准。然而， 当所选值的电压被施加到第一面板100的像素电极(181和182)以及第二面板 200的公共电极250之间时，电场在像素区域强加于液晶层300,以便液晶分
子310在所选方向旋转所选量。如果液晶分子310具有负介电各向异性，则 它们以与电场垂直的方向旋转。如果液晶分子310具有正介电各向异性，则 它们以与电场平行的方向旋转。通过液晶层300的透光率由液晶分子310的 旋转量确定。 一个或多个偏振片(未示出)附着到第一面板100和/或第二面板 200的外侧，由此控制LCD的整个透射性。在上述的示例性LCD实施例中， 由于边缘场由第一面板100中提供的剪切块185和分割部件186、以及由第 二面板200中提供的剪切块253、 254和255生成，液晶分子310在多个域的 每个域中以特定方向旋转。因此，实现具有宽视角的显示器面板，可以防止 由于液晶分子310的碰撞引起的紋理(texture)的出现，并且液晶分子310的旋 转速度(即它们对电场的响应速度)增加。
下面是结合图6的上述LCD的操作的详细描述，图6是图3、图4和图 5的LCD的单个示例性像素区域的示意电路图，并且其中所示的像素区域位 于第n栅极线和第(n+l)栅极线之间。在图6中，"A1"指示第一子像素电极 区域，并且"A2"指示第二子像素电极区域。图7是图解说明施加到图6的 LCD的各种电压的各个波形的图。如可以从图7中所看到的，对于与其中指 示的各连续帧的持续时间相对应的时间,殳，关于公共电压被反相的数据电压 被施加到栅极线。
为了便于说明，假设5 V的公共电压被施加到存储电极线和公共电极， 对于与第一帧的持续时间相对应的时间段，7V的数据电压被施加，并且对于 与第二帧的持续时间相对应的时间段，3V的数据电压被施加。当7V的数据 电压被施加到数据线Dm时，栅极导通信号被施加到第n栅极线Gn,并且由 此导通第一TFTQ1和第二TFTQ2，以便数据电压由此施加到第一子像素电 极区域Al和第二子像素电极区域A2。第一子像素电极区域Al和第二子像 素电极区域A2被连接到相同的数据线Dm，因此，施加到位于第一子像素电 极区域Al的终端Pl和位于第二子像素电极区域A2的终端P2的电压的幅度 彼此相同。换言之，虽然栅极导通电压被施加到第n栅极线Gn,但从7V导 出的子^^素电压Vpxl和Vpx2分别施加到终端Pl和P2。
在所示的特定示例性实施例中，利用2 V电压，即子像素电压Vpxl和 子像素电压Vpx2的每个以及公共电压Vcom之间的差，对第一液晶电容器 Clcl、第一存储电容器Cstl、第二液晶电容器Clc2、和第二存储电容器Cst2 充电。同时，7V电压被施加到连接到终端Pl的标记有"a"的终端，并且由
此对于每个帧的持续时间执行反相驱动。因此，假定对于与在前帧的持续时
间相对应的时间—敬，大约3 V的电压施加到标记有"b"的终端，大约4V的 电压被充入终端a和终端b之间提供的升压电容器Cup中，同时，大约2V 的电压被充入降压电容器Cdown。
如果栅极截止电压然后被施加到第n栅极线Gn,则由此截止第一 TFT Q1 和第二TFTQ2，并且对于第一帧，充入到第一子像素电极区域A1和第二子 像素电极区域A2的电压降低第一 "回扫(kickback)"电压(标记为"Vkbl")。
在从栅极导通信号施加到第n栅极线Gn的时间开始经过一个水平周期 (1H)之后，栅极导通信号被施加到第(n+l)栅极线Gn+1，以便连接到第(n+l) 栅极线Gn+1的第三TFT Q3被导通。当导通第三TFT Q3时，终端P2和终 端b彼此电连接，以便7V的电压被供给终端b。由于大约4V被充入升压电 容器Cup,所以终端P2的电压瞬间上升。同时，由于大约2V被充入降压电 容器Cdown并且降压电容器Cdown的一端被连接到存储电极线，所以终端b 的电压瞬间下降。因此，充入第一子像素电极区域Al的电压通过向其耦合 升压电容器Cup而被瞬间增加(即，图7的Vcupl),并且充入第二子像素电 极区域A2的电压通过向其耦合降压电容器Cdown而被瞬间降低(即，图7的 Vcdownl)。
如果栅极截止电压然后被施加到第(n+l)栅极线Gn+1，则对于第一帧， 充入到第一子像素电极区域A1的电压稍微降低第二回扫电压，由"Vkbll" 标记，并且对于第一帧，充入到第二子像素电极区域A2的电压进一步降低 第三回扫电压，由"Vkbl2"标记。对于与第一帧的持续时间相对应的时间 段，第一子像素电极区域A1和第二子像素电极区域A2分别被保持在充入其 中的电压Vpxl和Vpx2。
因此，如上所述，虽然对于与第一帧的持续时间相对应的时间段，相同 电压被施加到第一子像素电极区域Al和第二子像素电极区域A2,但是充入 到第一子像素电极区域A1的电压Vpxl增加，并且充入到第二子像素电极区 域A2的电压Vpx2降低，并且因此，与充入到第二子像素电极区域A2的电 压相比较高的电压被充入第一子像素电极区域A1。即，充入第一子像素电极 区域A1中提供的第一液晶电容器Clcl和第一存储电容器Cstl中的电压的绝 对值大于充入第二子像素电极区域A2中提供的第二液晶电容器Clc2和第二 存储电容器Cst2中的电压的绝对值。接着结合图6和图7描述第二帧期间各子像素电极中充入的电压。 当3 V的数据电压被施加到数据线Dm时，如果对于第二帧栅极导通信 号被施加到第n栅极线Gn,则第一 TFT Ql和第二 TFT Q2导通，以便数据 电压被施加到第一子像素电极区域Al和第二子像素电极区域A2。虽然栅极 导通信号被施加到第n栅极线Gn,从3 V派生的子像素电压Vpxl和Vpx2 被供给终端Pl和终端P2。这里，利用-2 V的电压，即，子像素电压Vpxl 和Vpx2的每个与公共电压Vcom之间的差，对第一液晶电容器Clcl、第一 存储电容器Cstl、第二液晶电容器Clc2和第二存储电容器Cst2进行充电。 同时，3 V的电压被施加到连接到终端P1的终端"a"并且由此执行与每个帧 的持续时间相对应的时间段的反向驱动。因此，假定在与先前帧的持续时间 相对应的时间段大约3 V的电压被施加到终端b,大约-4 V的电压被充入在 终端a和b之间提供的升压电容器Cup中，同时，大约-2V的电压被充入降 压电容器Cdown。
接着，对于第二帧，如果栅极截止电压然后被施加到第n栅极线Gn，贝'J 第一TFTQ1和第二TFTQ2被截止，并且充入第一子像素电极区域Al和第 二子像素电极区域A2中的电压降低第一回扫电压，由"Vkb2"标记。
在从栅极导通信号被施加到第n栅极线Gn的时间经过一个水平周期(1H) 之后，栅极导通信号被施加到第(n+l)栅极线Gn+1，以便导通连接到第(n+l) 栅极线Gn+1的第三TFT Q3 。当第三TFT Q3导通时，终端P2和终端b彼此 电连接以便3 V的电压被供给终端b。由于大约-4 V被充入升压电容器Cup, 所以终端Pl的电压瞬间上升。同时，由于大约-2 V^皮充入降压电容器Cdown， 并且降压电容器Cdown的一端连接到存储电极线，所以终端b的电压瞬间上 升。因此，充入第一子像素电极区域A1的电压通过向其耦合升压电容器Cup 而被瞬间增加(即，图7的Vcup2),并且充入第二子像素电极区域A2的电压 通过向其耦合降压电容器Cdown而瞬间降低(图7的Vcdown2)。
如果栅极截止电压随后被施加到第(n+l)栅极线Gn+1，则对于第二帧充 入第 一子像素电极区域Al的电压稍微降低第二回扫电压Vkb21,并且对于第 二帧充入第二子像素电极区域A2的电压进一步降低第三回扫电压Vkb22。因 此，对于与第一帧的持续时间相对应的时间段，第一子像素电极区域Al和
如上所述，虽然在与第二帧的持续时间相对应的时间段中相同电压由此
被施加到第一子像素电极区域Al和第二子像素电极区域A2,但充入第一子 像素电极区域A1的电压被降低，并且充入第二子像素电极区域A2的电压被 增加，并且相应地，与第二子像素电极区域A2相比， 一较低的电压被充入 第一子像素电极区域Al。即，当在第一帧期间，充入第一子像素电极区域 Al中的第一液晶电容器Clcl和第一存储电容器Cstl的电压的绝对值大于充 入第二子像素电极区域A2中的第二液晶电容器Clc2和第二存储电容器Cst2 的电压的绝对值。
如上所述，在本发明的示例性LCD中，与帧无关地，充入第一子像素电 极区域A1中的第一液晶电容器Clcl和第一存储电容器Cstl的电压的绝对值 大于充入第二子像素电极区域A2中的第二液晶电容器Clc2和第二存储电容 器Cst2的电压的绝对值。因此，即使相同数据电压被施加到第一子像素电极 区域Al和第二子像素电极区域A2，不同的电压被分别充入其中，由此防止 伽马曲线的失真。此外，根据本发明，由于充入第一子像素电极区域Al中 的电压的绝对值的幅度增加，而充入第二子像素电极区域A2中的电压的绝 对值的幅度降低，所以充入第一子像素电极区域Al和第二子像素电极区域 A2的电压之间的差关于施加到其的相同的数据电压而增加。因此，施加以提 供相同亮度的数据电压的幅度被降低，这有利于实现改进的显示器纵横比。 此外，由于利用向其施加的相同的数据电压充电像素电极的像素电压的幅度 被增加，所以显示器的透光率被提高。
根据这里描述的本发明的示例性LCD，电容器的使用使得能够降低充入 第二子像素电极中的电压的绝对值，并且能够增加充入第一子像素电极中的 电压的绝对值，以便充入第 一子像素电极和第二子像素电极中的电压之间的 差增加。结果，LCD的透光率增加，并且改善其侧向可见度。
迄今，本领域技术人员将理解，在不脱离本发明LCD的精神和范围的情 况下，可以对其进行各种修改、替换和变形。据此，本发明的范围不应限于 这里描述和示出的特定实施例的范围，因为它们本质上仅仅是示例性的，相 反，本发明的范围应该与所附的权利要求及其功能等价物的范围相称。
权利要求
1.一种液晶显示器(LCD)，包括形成在第一绝缘基板上的栅极线和存储电极线；与所述栅极线绝缘并与其交叉的数据线；第一源电极，电连接到所述数据线，所述第一源电极的至少一部分部分地与第n栅极线交迭；第一漏电极和第二漏电极，所述第一漏电极和第二漏电极的至少一部分部分地与第n栅极线交迭并与第一源电极相分离；第一子像素电极，电连接到第一漏电极；第二子像素电极，电连接到第二漏电极；第二源电极，电连接到所述第二子像素电极，所述第二源电极的至少一部分部分地与第(n+1)栅极线交迭；和第三漏电极，所述第三漏电极的至少一部分部分地与第(n+1)栅极线交迭，并且第三漏电极与第二源电极相分离，并可操作以升高第一子像素电极的充电电压和降低第二子像素电极的充电电压。
2. 如权利要求1所述的LCD,其中所述第三漏电极至少部分地与第一子 像素电极交迭。
3. 如权利要求2所述的LCD,其中所述第三漏电极和所述第一子像素电 极的交迭区域形成可操作以升高第一子像素电极的充电电压的升压电容器。
4. 如权利要求2所述的LCD,其中所述第三漏电极至少一部分地与所述 存储电极线交迭。
5. 如权利要求4所述的LCD,其中所述第三漏电极和所述存储电极线的 交迭区域形成可操作以降低第二子像素电极的充电电压的降压电容器。
6. 如权利要求1所述的LCD，其中所述数据线向所述第一子像素电极和 第二子像素电极提供相同的充电电压。
7. 如权利要求1所述的LCD，其中所述存储电极线的至少一部分与分割 部件交迭，所述分割部件将所述第 一子像素电极和第二子像素电极彼此分离。
8. 如权利要求1所述的LCD,还包括与所述第 一绝缘基板相对的第二绝缘基板； 形成在所述第二绝缘基板上的公共电极；和 插入在所述第 一基板和第二基板之间的液晶材料层。
9. 如权利要求8所述的LCD,其中所述公共电极包括剪切块部分，所述 剪切块部分基本上与将第 一子像素电极和第二子像素电极彼此分离的分割部 件平行，并且其中所述分割部件和所述剪切块部分将所述液晶层分成多个域。
10. —种液晶显示器(LCD),包括由第n栅极线控制的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管； 由第(n+1 )栅极线控制的第三薄膜晶体管； 第一子像素电极，连接到所述第一薄膜晶体管的输出端；和 第二子像素电极，连接到所述第二薄膜晶体管的输出端和第三薄膜晶体 管的输入端，其中所述第三薄膜晶体管的输出端可操作以升高所述第一子像素电极的 充电电压和降低所述第二子像素电极的充电电压。
11. 如权利要求IO所述的LCD,其中可操作以升高所述第一子像素电极 的充电电压的电容器被形成在所述第三薄膜晶体管的输出端和所述第一子像 素电极之间。
12. 如权利要求11所述的LCD,还包括存储电极线，该存储电极线与第 一子像素电极和第二子像素电极交迭，并由此形成存储电容器，并且其中可 操作以降低所述第二子像素电极的充电电压的电容器被形成在所述第三薄膜 晶体管的输出端和所述存储电极线之间。
13. 如权利要求10所述的LCD，其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的输入端被连接到相同的数据线，并且其中当第一薄膜晶体管和第 二薄膜晶体管导通时，相同的充电电压被施加到第一子像素电极和第二子像素电极。
全文摘要
一种具有增强的透光率和改进的侧向可见度的LCD包括形成在第一绝缘基板上的栅极线和存储电极线；与所述栅极线绝缘并与其交叉的数据线；第一源电极，部分地与第n栅极线交迭并且连接到所述数据线；第一漏电极和第二漏电极，部分地与第n栅极线交迭并与第一源电极相分离；第一子像素电极，电连接到第一漏电极；第二子像素电极，电连接到第二漏电极；第二源电极，部分地与第(n+1)栅极线交迭并且电连接到所述第二子像素电极；和第三漏电极，部分地与第(n+1)栅极线交迭并且与第二源电极相分离，并可操作以升高第一子像素电极的充电电压和降低第二子像素电极的充电电压。
文档编号G02F1/133GK101114094SQ20071013718
公开日2008年1月30日 申请日期2007年7月30日 优先权日2006年7月28日
发明者安顺一 申请人:三星电子株式会社