液晶显示装置的制作方法

专利名称：液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种显示装置。更具体地讲，本发明涉及一种利用液晶的液 曰曰 显示装置。
背景技术：
液晶显示装置利用处于液相与固相之间的介晶相的液晶。液晶显示装置 包括两个基底和在这两个基底之间插入的液晶层，其中，液晶在液晶层中取 向(align )。
由于液晶具有介电各向异性，所以当对液晶施加电场时，液晶的取向发 生改变。此外，由于液晶具有折射各向异性，所以液晶显示装置的透光率根 据液晶的取向状态进行变化。因此，液晶显示装置利用电场来调节液晶的取 向，并可显示与液晶的取向状态对应的图像。
在液晶显示装置的两个基底上设置有电极，所述电极产生将被施加到液 晶的电场。向电极提供不同的电压，产生被施加到液晶的电场。然而，除了 电极之外，在两个基底上还设置有多种导电图案。例如，为了传输信号，可 在基底上形成金属互连。导电图案会使电场发生畸变。如果电场发生畸变， 则液晶的取向会劣化，从而使得不能正确地显示图像，并且图像质量下降。

发明内容
本发明提供了一种可显示高质量的图像的液晶显示装置。 将在下面的描述中阐述本发明的另外的特征，本发明的另外的特征将部 分地从描述中变得明了 ，或者可部分地通过本发明的实践而得到了解。
本发明公开了一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括第一基底、第 二基底、液晶层、像素电极、导电图案、共电极和阻光构件。在第一基底上 限定像素区。第二基底面对第一基底，液晶层插入在第一基底与第二基底之 间。像素电极位于第一基底上的像素区中，并包括通过去除像素电极的部分 而限定的切口图案。导电图案布置在第一基底与像素电极之间，且从平面图 来观看时，导电图案与切口图案部分叠置。共电极设置在第二基底上。阻光 构件布置在第一基底和第二基底中的一个上，且位于与在像素区内切口图案 与导电图案叠置的区域对应的位置。将要理解的是，前面的总的描述和下面的详细的描述是示例性和解释性 的，并意在提供对所要求保护的发明的进一步的解释。


为了提供对本发明的更进一步的理解而包括了附图，且附图被包含在该 说明书中并组成该说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例，并与描述 一起用于解释本发明的原理。图1是示出了根据本发明的一个示例性实施例的液晶显示装置的结构的 平面图。图2A和图2B是示出了在图1中示出的液晶显示装置的工作过程的平面图。图3A和图3B是沿着图i的线i-r和n-n喊取的剖视图。图4A和图4B是根据本发明的另一示例性实施例的沿着图1的线I-I'和n-n'截取的剖视图。图5是示出了根据本发明的另 一示例性实施的液晶显示装置的平面图。图6A和图6B是沿着图5的线m-m'和IV-IV'截取的剖视图。图7A和图7B是根据本发明的另一示例性实施例的沿着图5的线m-m'和IV-IV'截取的剖视图。图8A、图8B、图8C和图8D是示出了根据本发明的多个示例性实施例 的液晶显示装置的像素电极的部分的平面图。
具体实施方式
在下文中，参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的实 施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实现，并且不应该^皮解释为局
限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开是彻底的，并且 将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见， 会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。在附图中，相同的标号表示相同的元件。 将要理解的是，当元件或层被称作在另一元件或层"上"或者"连接到" 另 一元件或层时，该元件或层可直接在另 一元件或层上或者直接连接到另一 元件或层，或者可存在中间元件或层。相反地，当元件或层被称作"直接" 在另一元件或层"上"或者"直接连接到"另一元件或层时，不存在中间元 件或层。图1是示出了根据本发明的一个示例性实施例的液晶显示装置的结构的 平面图。液晶显示装置包括具有相同结构的多个像素区。因此，下面的描述 将重点描述一个像素区，除非做出另外的说明。参照图1，在液晶显示装置中设置第一基底100和第二基底200。在第一 基底IOO上限定像素区PA,像素区PA是用于显示图像的最小的单元。像素 电极160形成在第一基底IOO上，并位于像素区PA中。此外，像素电极160 设置有通过去除像素电极160的部分而限定的切口图案(cut-out pattern )170。 包括栅极线110和数据线140的多个导电图案形成在第一基底100与像素电 极160之间。栅极线110与数据线140绝缘，并与数据线140交叉。栅极线110位于 像素区PA的边界(boundary)处，并沿着预定的方向线性地延伸。数据线 140穿过像素区PA。此外，在像素区PA上设置薄膜晶体管T。薄膜晶体管T 包括栅电极111、源电极141和漏电极142。栅电极111从栅极线110分支出 来。源电极141从数据线140分支出来。漏电极142与源电极141分开，并 连接到像素电极160。在栅极线110沿着第一方向Dl延伸的同时，像素电极160以"之'，字方 式沿着第二方向D2和第三方向D3延伸，其中，第二方向D2和第三方向D3 相对于第一方向Dl相互对称。为了便于进行解释的目的，将沿着第二方向 D2延伸的部分称作"右倾斜部分"，将沿着第三方向D3延伸的部分称作"左 倾斜部分"。在这种情况下，右倾斜部分和左倾斜部分形成基础电极(basic electrode )。像素电极160包括至少一个基础电极。详细地讲，如图1中所示，像素电极160可包括两个基础电极。在这种 情况下，在像素区PA内两个基础电极相互分开，并在像素区PA的外围部分 两个基础电极相互连接。可选择地，像素电极160可只包括一个基础电极或包括三个基础电极。 此外，液晶显示装置的像素区PA可为非对称设计。在这种情况下，在一些像素区中，像素电极160包括单个基础电极，在其它像素区中，像素电极160 包括至少两个基础电才及。在两个J^出电极之间的像素区PA中形成切口图案170。因此，切口图案 170形成为沿着第二方向D2和第三方向D3延伸，其中，像素电极160沿着 第二方向D2和第三方向D3延伸。此外，切口图案170可另外地形成为在右 倾斜部分与左倾斜部分相交的区域内沿着第一方向Dl延伸。在第二基底200上形成共电极240。共电极240与〗象素电极160对应， 并包括畴划分件(domain divider) 250。畴划分件250位于基础电极的中心， 并形成为沿着第二方向D2和第三方向D3延伸。此外，畴划分件250可另外 地形成为在沿着第二方向D2形成的部分与沿着第三方向D3形成的部分相交 的区域内沿着第一方向Dl延伸。在下文中，为了方便起见，将切口图案170分为第一切口图案171、第 二切口图案172和第三切口图案173，其中，第一切口图案171、第二切口图 案172和第三切口图案173分别对应于切口图案170沿第一方向、第二方向 和第三方向延伸的部分，并且将畴划分件250分为第一畴划分件251、第二 畴划分件252和第三畴划分件253，其中，第一畴划分件251、第二畴划分件 252和第三畴划分件253分别对应于畴划分件250沿第一方向、第二方向和 第三方向延伸的部分。图2A和图2B是示出了在图1中示出的液晶显示装置的工作过程的平面图。参照图2A，液晶301在第一基底100与第二基底200之间取向。液晶 301具有包括长轴和短轴的椭圓形状。液晶301的取向方向由长轴的方向来 限定。这里，液晶301与第一基底100和第二基底200垂直地取向。在这种 取向状态下，液晶301使穿过液晶301的光不发生相位变化(phase variation )。 具有相互垂直的吸收轴的两块偏振板(未示出)附着到第一基底100和第二 基底200的外部。因此，由于光穿过附着到第一基底100的外部的偏振板时 被线性偏振，所以光不能穿过附着到第二基底200的外部的偏振板。因此， 液晶显示装置处于黑态(black state )。
参照图1和图2B,当液晶显示装置工作时，栅极信号被传输到栅极线110，使得薄膜晶体管T导通。对应于图像信息的数据信号一皮传输到数据线140， 数据电压通过薄膜晶体管T被施加到像素电极160。同时，不同于数据电压 的共电压被施加到共电极240。由于数据电压与共电压之间的差，使得在第 一基底100与第二基底200之间产生电场。在电场的作用下，液晶301相对 于第一基底100和第二基底200倾斜。在这种取向状态下，液晶301使穿过液晶301的光发生相位变化。光的 相位变化值根据液晶301倾斜的程度而变化。此外，根据电场强度来确定液 晶301倾斜的程度。对于当穿过附着到第一基底100的外部的偏振板时被线 性偏振的光来说，该光在穿过液晶301时发生相位变化。具有改变的相位的 光穿过附着到第二基底200的外部的偏振板，从而显示图像。畴划分件250可为通过去除共电极240的部分而形成的切口图案或者为 在共电极240上作为绝缘件而形成的突起。由于不能将共电压施加到切口图 案或突起，所以电场的强度和/或方向会发生畸变。结果，畴划分件250使其 两侧的液晶301的耳又向方向发生变化。畸变的电场对称地出现在切口图案或 突起的两侧。形成在像素电极160中的切口图案170与畴划分件250在工作上的相似 之处在于切口图案170不能接收数据电压。因此，畴划分件250和切口图 案170使每个区域中的液晶301的取向方向发生变化。在下文中，根据液晶 301的取向方向限定的每个区域被称作"畴(domain)"。第二切口图案172和第三切口图案173占据切口图案170的大部分区域。 第二畴划分件252和第三畴划分件253占据畴划分件250的大部分区域。第 二切口图案172和第三切口图案173以及第二畴划分件252和第三畴划分件 253将像素区PA划分为多个畴。第一切口图案171防止在第二切口图案172和第三切口图案173附近取 向的液晶301由于受到第二切口图案172和第三切口图案173的影响而分散 (scattered )。在第二畴划分件252和第三畴划分件253附近，第一畴划分件 251与第一切口图案171相似地工作。可选4奪地利用第一切口图案171和第 一畴划分件251。液晶301可根据各个域而沿着不同的方向取向，从而对于各个域，液晶 301的光学特性都得到补偿。因此，可加宽液晶显示装置的视角，并且可提
高液晶显示装置的工作特性。再次参照图1，由于数据线140穿过像素区PA，所以数据线140可在像素区PA中与切口图案170叠置。在该叠置区中，可在第一基底100和第二基 底200中的一个上安装阻光构件400,其中，阻光构件400可具有圓形形状。 阻光构件400阻挡相应区域中的光的透射，从而可防止图像质量的下降。在 下文中，将描述阻光构件400的工作过程。如上所述，根据由施加到像素电极160和共电极240的电压而产生的电 场来调节液晶301的取向。然而，当液晶显示装置工作时，数据信号被传输 到教:据线140,导致将由凝:据线140产生的电场。由凄t据线140产生的电场 导致液晶301取向异常，引起图像质量的下降。从平面图来观看时，在形成在像素电极160与数据线140之间的叠置区 中，像素电极160用作一种屏蔽电极，屏蔽液晶301使其不受由数据线140 产生的电场的影响。结果，由数据线140产生的电场不会影响液晶301。然 而，在像素电极160的部分被去除的区域中会没有屏蔽效应。因此，由数据 线140产生的电场使相应区域中的液晶301发生异常取向，从而使图像质量 下降。根据该示例性实施例，在由数据线140产生的电场会使液晶301发生异 常取向的区域上安装阻光构件400,以阻挡该区域中的光的透射，从而可防 止图像质量的下降。在下文中，将参照附图描述在液晶显示装置中形成阻光 构件400的垂直布置(vertical arrangement )、材并+和配置。图3A和图3B是沿着图i的线i-r和n-ir截取的剖视图。参照图3A,在第一基底IOO上形成栅电极111。在第一基底100和栅电 极111上形成栅极绝缘层120。在栅极绝缘层120上形成有栅电极111的区域 中形成半导体图案130。半导体图案130包括具有本征半导体的有源图案131 和掺杂有杂质的欧姆接触图案132。欧姆接触图案132被分为两部分，在欧 姆接触图案132的两部分上形成源电极141和漏电极142。在源电极141和漏电极142上形成保护层150和151，使得保护层150 和151覆盖第一基底100的整个表面。保护层150和151包括无机保护层150 和有机保护层151。保护层150和151具有暴露漏电极142的接触孔155。像 素电极160形成在保护层150和151上，并通过接触孔155连接到漏电极142。有机保护层151可具有几微米的厚度，以防止数据线140与像素电极160之间的耦合(coupling)。有机保护层151不是必需的，而是可选择的。然而， 由于在数据线140穿过像素区PA并与像素电极160叠置时的结构中，数据线 140与像素电极160之间的耦合增加，因此有机保护层151可以是有益的。在第二基底200上形成阻光层图案210 、滤色器220 、覆盖层(cover coat) 230和共电极240。阻光层图案210形成在像素区PA的边界处和对应于薄膜 晶体管T的区域中，以在对应的区域中阻挡光。滤色器220形成在阻光层图 案210上，以通过把光过滤为红、绿、蓝三原色来显示彩色图像。覆盖层230 使第二基底200的由于阻光层图案210和滤色器220而产生的阶梯差(step difference)平坦化。覆盖层230也用于保护滤色器220。共电极240形成在 覆盖层230上，并包括畴划分件250，畴划分件250可通过去除共电极240 的预定部分而形成。参照图3B，阻光构件400形成在第一基底100与栅极绝缘层120之间。 数据线140与阻光构件400对应地形成在栅极绝缘层120上。阻光构件400 具有大于数据线140的宽度的宽度。保护层150和151形成在数据线140上， 像素电极160形成在保护层151的上部上。像素电极160包括对应于数据线 140的切口图案170。因此，数据线140没有被像素电极160覆盖，由数据线140产生的电场 没有被像素电极160阻挡并被施加到液晶层300。然而，由于阻光构件400 阻挡从第一基底100的底部入射的光，所以在阻挡区中不显示图像。如图3A中所示，在第一基底IOO与栅极绝缘层120之间形成栅电极111。 因此，当在垂直的结构中观看时，阻光构件400布置在与栅电极111的层相 同的层中。阻光构件400和栅电极111可通过同一工艺形成。栅电极111可包含铝基金属(诸如铝(Al)或铝合金)、银基金属(诸如 银(Ag)或银合金)、铜基金属(诸如铜(Cu)或铜合金)、钼基金属(诸如 钼(Mo)或钼合金)、铬(Cr)、钽(Ta)和/或钛(Ti)。栅电极111可包括 多个层，多个层包含具有不同物理性质的金属。例如， 一个导电层可包括具 有低的比电阻的金属，从而可减少信号延迟或电压降，其它导电层可包括在 栅电极111和与栅电极111形成接触的其它材料之间具有极好的物理特性、 化学特性和电接触特性的金属。由于用于4册电极111的上述金属可具有阻光特性，所以阻光构件400可 包括与栅电极111的材料相同的材料。在这种情况下，栅电极111和阻光构件400可通过同一工艺形成，可省略形成阻光构件400的附加的工艺，从而 可减少工艺步骤的数目。例如，栅电极111和阻光构件400可通过下面的步骤同时形成。在第一 基底100上形成导电层。在导电层上涂覆负性(negative type )光致抗蚀剂膜。 将负性光致抗蚀剂膜曝光于UV光并将其显影，以形成光致抗蚀剂膜图案。 负性光致抗蚀剂膜暴露对应于栅电极111和阻光构件400的区域。利用光致 抗蚀剂膜图案蚀刻导电层，以形成栅电极111和阻光构件400。虽然利用相同 的材料通过同一工艺形成阻光构件400和栅电极111 ，但是阻光构件400与栅 电极111的不同之处在于阻光构件400是与外围区域绝缘的浮动电极 (floating electrode )。换言之，虽然栅电极111连接到栅极线110使得栅极信 号被施加到;f册电极111,但是阻光构件400与外围区域绝缘使得阻光构件400 仅可执行阻光功能。图4A和图4B是#>据本发明的另一示例性实施例的沿着图1的线I-I'和n-n'截取的剖视图。根据该示例性实施例，与前面的示例性实施例的元件相 同的元件将分配相同的标号，而且为了避免冗余，将省略对于与前面的示例 性实施例的元件相同的元件的详细描述。参照图4A,根据本发明的液晶显示装置包括第一基底100、第二基底200 和插入在第一基底100与第二基底200之间的液晶层300。在第二基底200 上设置阻光层图案210、滤色器220、覆盖层230和共电极240。参照图4B,在第二基底200上设置阻光构件400、滤色器220、覆盖层 230和共电极240。阻光构件400位于与第一基底100上的数据线140与像素 电极160的切口图案170叠置的区域对应的位置。阻光构件400阻挡相应区 域中的光透射，以防止图^象质量的下降。当将图4A与图4B进行比较时，阻光构件400位于第二基底200与滤色 器220之间，当在垂直的结构中观看时，基底200上的这种分层的位置与阻 光层图案210的在基底200上的分层的位置相同。因此，阻光构件400和阻 光层图案210可通过同一工艺形成。阻光层图案210可包含具有3.5或高于3.5的光密度(optical density)的 金属膜(诸如铬)以及碳基有机材料。由于金属膜和有机材料均具有阻光特 性，所以阻光构件400可包括与阻光层图案210的材料相同的材料。在这种 情况下，阻光层图案210和阻光构件400可通过同一工艺形成，可省略形成
阻光构件400的附加的工艺，从而可减少工艺步骤的数目。例如，阻光层图案210和阻光构件400可通过下面的步骤同时形成在 第二基底200上沉积有机材料层；将有机材料层曝光于UV光；将有机材料 层显影，以形成阻光构件400和阻光层图案210。液晶显示装置分为反射型、透射型和透反射型，该示例性实施例可用于 液晶显示装置的所有类型。当反射或透反射液晶显示装置以反射模式工作时， 光入射到第二基底200的外部上，由设置在第一基底100上的反射电极反射， 然后通过第二基底200输出。在这种情况下，光不穿过第一基底IOO。因此， 为了在反射或透反射液晶显示装置的预定区域中阻挡光，必须在第二基底200 上形成阻光装置。由于根据该示例性实施例的阻光构件400形成在第二基底 200上并满足所述条件，所以该示例性实施例可应用于反射型或透反射型。 此外，当阻光构件400形成在第一基底IOO上时，这种液晶显示装置可用于 透射型。在下文中，将描述根据本发明的另一示例性实施例的液晶显示装置。根标号，而且为了避免冗余，将省略对于与前面的示例性实施例的元件相同的 元件的详细描述。图5是示出了根据本发明的另 一 示例性实施的液晶显示装置的平面图。 参照图5，液晶显示装置包括第一基底100和第二基底200。在第一基底 100上限定具有相同结构的多个像素区。栅极线110和数据线140与每个像 素区PA对应地形成。在每个像素区PA中设置像素电才及160。栅极线110包 括相互分开的第一栅极线110a和第二栅极线110b，像素电极160包括相互分 开的第一像素电极161和第二像素电极162。第一栅极线110a在像素区PA的边界处与像素电极160的短侧边平行地 延伸。第二栅极线110b与第一栅极线110a平行地穿过4象素区PA。数据线140 与栅极线110垂直地穿过像素区PA。数据线140在像素区PA的预定部分向 栅极线110倾斜。第一薄膜晶体管Tl连接到第一栅极线110a和数据线140。第一薄膜晶 体管T1包括第一栅电极llla，从第一栅极线110a分支出来；第一源电极 141a,从数据线140分支出来；第一漏电极142a,与第一源电极141a分开， 并通过第一接触孔156连接到第一像素电极161。 以相同的方式，第二薄膜晶体管T2连接到第二4册极线110b和数据线140 。 第二薄膜晶体管T2包括第二栅电极lllb，从第二栅极线110b分支出来； 第二源电极141b，从数据线140分支出来；第二漏电极142b，与第二源电极 141b分开，并通过第二接触孔157连接到第二像素电极162。在栅极线110沿着第一方向Dl延伸的同时，像素电极160以"之"字方 式沿着第二方向D2和第三方向D3延伸，其中，第二方向D2和第三方向D3 相对于第一方向D1相互对称。为了便于进行解释，将沿着第二方向D2延伸 的部分称作"右倾斜部分"，将沿着第三方向D3延伸的部分称作"左倾斜部 分"。在这种情况下，右倾斜部分和左倾斜部分形成基础电极。第二像素电极 162包括一个基础电极。第一像素电极161包括基础电极，与第二像素电 极162的基础电极对应； 一对尺寸为一半的右倾斜部分，形成在基础电极的 下部； 一对尺寸为一半的左倾斜部分，形成在基础电极的上部。切口图案170位于限定在第一像素电极161与第二像素电极162之间的 区域中。在第二基底200上形成包括畴划分件250的共电极240，畴划分件 250和切口图案170将像素区PA划分为多个畴。切口图案170包括第一切口 图案171、第二切口图案172和第三切口图案173。第一切口图案171沿着第 一方向Dl延伸，第二切口图案172沿着相对于第一方向Dl成角度的第二方 向D2延伸。且第三切口图案173沿着相对于第一方向Dl成角度的第三方向 D3延伸。切口图案170与数据线140叠置。具体地讲，第二切口图案172和 第三切口图案173与数据线140叠置。阻光构件400形成在切口图案170与数据线140叠置的区域中。对应于 第二切口图案172的阻光构件400具有矩形形状，其中，该矩形形状包括与 第二方向D2基本平行的长侧边，对应于第三切口图案173的阻光构件400 具有矩形形状，其中，该矩形形状包括与第三方向D3基本平行的长侧边。才艮据该示例性实施例，阻光构件400在阻光构件400的区域阻挡光，从 而可避免图像质量的下降。此外，像素区PA被划分为多个畴，从而可加宽液 晶显示装置的视角，并可提高液晶显示装置的工作特性。分别通过第一薄膜 晶体管Tl和第二薄膜晶体管T2对第一像素电极161和第二像素电极162施 加对应于相同的图像信息的不同的数据电压。由于数据电压不同，所以第一 像素电极161和第二像素电极162相互补充，从而可显示高质量的图像。图6A和图6B是沿着图5的线m-nr和iv-iv'截取的剖视图。
参照图6A，在第一基底100上设置第一栅电极llla、栅极绝缘层120、 半导体图案130、第一源电极141a、第一漏电极142a、保护层150和151以 及像素电极160。在工作过程中，除了形成沟道的预定的区域之外，在第一 栅电极llla上，半导体图案130与第一源电极141a和第一漏电极142a均垂 直地叠置。这是因为在制造工艺中将相同的光掩模用于半导体图案130、第 一和第二源电极141a和141b、第一和第二漏电极142a和142b以及数据线 140。通过利用这个工艺，可减少在整个制造工艺中使用的光掩模的数目，从 而也可减少光刻工艺的数目。在第二基底200上设置阻光层图案210、滤色器220、覆盖层230和具有 畴划分件250的共电极240。畴划分件250可为在共电极240上被图案化的 绝缘突起。参照图6B，阻光构件400形成在第一基底100上，以覆盖在数据线140 与切口图案170之间的叠置区。数据线140与在数据线140下方的半导体图 案130叠置。如果为了使数据线140与半导体图案130叠置，通过如上所述 的相同的光掩模形成数据线140和半导体图案130,则可改变工艺的设计。 结果，可略微减小有机保护层151的厚度。如果有机保护层151的厚度减小，则数据线140与液晶层300之间的分 隔距离减小。在这种情况下，在对应于切口图案170的区域中的液晶会更易 暴露于由数据线140形成的电场。因此，在防止相应的区域中的图像质量下 降方面，阻光构件400会更重要。阻光构件400、第一和第二栅电极llla和 lllb以及第一和第二栅极线110a和110b可包含相同的材料，并可通过同一 工艺形成。图7A和图7B是才艮据本发明的另一示例性实施例的沿着图5的线m-m'和IV-IV'截取的剖视图。参照图7A和图7B，通过相同的光掩模形成数据线140和半导体图案 130,使得数据线140与半导体图案130叠置。在第二基底200上形成阻光构 件400。阻光构件400和阻光层图案210可包含相同的材料，并可通过同一 工艺形成。在下文中，将描述利用阻光构件400的多个示例性实施例和阻光构件400 的优选的形状。图8A、图8B、图8C和图8D是示出了根据本发明的多个不同的示例性
实施例的液晶显示装置的像素电极的部分的平面图。根据这些示例性实施例， 与前面的实施例的元件相同的元件将分配相同的标号，而且为了避免冗余， 将省略对于与前面的实施例的元件相同的元件的详细描述。参照图8A，液晶显示装置包括栅极线110、具有切口图案170的像素电 极160、阻光构件400。栅极线110与像素电极160交叉。虽然栅极线110 — 般形成在像素电极160的外部，但是栅极线110可以与像素电极160叠置。 例如，在图5中示出的结构中，栅极线110b与像素电极160叠置。由于在液晶显示装置的工作过程中栅极信号被传输到栅极线110,所以 由栅极线IIO产生电场。由栅极线IIO产生的电场可以以与由数据线140产 生的电场被施加到液晶层的方式相同的方式被施加到液晶层，这会使图像质 量下降。具体地讲，因为由栅极线110产生的电场会被强烈地施加到在由于 切口图案170而导致没有像素电极160的区域中的液晶层，所以可设置阻光 构件400，使得在这个区域中可不显示图像。参照图8B,液晶显示装置包括薄膜晶体管T、具有切口图案170的像素 电极160、阻光构件400。薄膜晶体管T包括4册电极111、源电极141、漏电 极142，且漏电极142通过接触孔155连接到像素电极160。在与像素电极 160交叉的同时，漏电极142延伸到像素电极160的部分，其中，该部分通 过接触孔155连接到漏电极142。在与像素电极160交叉的同时，漏电极142 的延伸部分与切口图案170叠置。由漏电极142的延伸部分可产生电场，且 所产生的电场会影响液晶层300。因此，可在相应的区域中形成阻光构件400。参照图8C，液晶显示装置包括第一数据线140a和第二数据线140b、像 素电极160以及阻光构件400。像素电极160具有切口图案，且切口图案被 分为第一切口图案170a和第二切口图案170b，其中，第一切口图案170a具 有第一宽度，第二切口图案170b具有大于第一宽度的第二宽度。第一数据线 140a与具有第一宽度的第一切口图案170a叠置，第二数据线140b与具有第 二宽度的第二切口图案170b叠置。在这种情况下，仅在第二数据线140b与 具有第二宽度的第二切口图案170b叠置的区域中形成阻光构件400。由于像 素电极160阻挡大部分的由第一数据线140a产生的电场，所以该产生的电场 仅在窄范围内有作用。如果第一宽度不大，则所产生的电场可被微弱地施加 到液晶层300,对阻光构件400的需要可为最小。因此，可仅在具有预定的 参考宽度或大于该预定的参考宽度的宽度的区域中选择性地形成阻光构件
400。这是因为随着阻光构件400的区域的增大，像素区PA的光透射区会减 小，从而降低开口率。参照图8D，液晶显示装置包括数据线140、像素电极160和阻光构件400。 数据线140与第一方向Dl垂直地延伸。切口图案170沿着相对于第一方向 Dl成角度的第二方向D2延伸。阻光构件400具有对应于切口图案170沿着 第二方向D2倾斜的矩形形状。由数据线140产生的电场大部分被施加在对应于切口图案170的有限的 区域内。结果，由数据线140产生的电场会取决于切口图案170的形状，且 切口图案170的形状影响图像质量下降的程度。因此，如图8D中所示，阻 光构件400可具有对应于切口图案170的形状的形状。根据本发明的示例性实施例，在导电图案(诸如数据线)与像素电极的 切口图案叠置且液晶为非正常取向的区域中，光可被遮蔽，从而能够显示高 质量的图像。本领域技术人员将清楚的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下， 可对本发明做出各种修改和变化。因此，只要该发明的修改和变化落入权利 要求及其等同物的畴内，则本发明就意在覆盖上述修改和变化。
权利要求
1、一种液晶显示装置，包括第一基底，包括像素区；第二基底，面对第一基底；液晶层，包括插入在第一基底与第二基底之间的液晶；像素电极，位于像素区中并包括切口图案；导电图案，布置在第一基底与像素电极之间，当从平面图来观看时，导电图案与切口图案部分叠置；共电极，设置在第二基底上；阻光构件，布置在第一基底和第二基底中的任何一个上，且阻光构件位于与在像素区内切口图案与导电图案叠置的区域对应的位置。
2、 如权利要求1所述的液晶显示装置，其中，导电图案包括栅极线和数 据线中的至少一个。
3、 如权利要求2所述的液晶显示装置，其中，栅极线沿着与像素电极的 短侧边基本平行的第一方向设置，数据线穿过像素区并与栅极线交叉。
4、 如权利要求3所述的液晶显示装置，其中，像素电极沿着第二方向和 第三方向延伸，其中，第二方向与第一方向成一角度，第三方向相对于第一 方向与第二方向对称。
5、 如权利要求4所述的液晶显示装置，其中，阻光构件位于与其中数据 线与切口图案叠置的区域对应的位置。
6、 如权利要求4所述的液晶显示装置，还包括阻光层图案，阻光层图案 设置在第二基底上，并位于与像素区的边界对应的位置。
7、 如权利要求6所述的液晶显示装置，其中，阻光构件设置在第二基底 上，与阻光层图案分开并包含与阻光层图案的材料相同的材料。
8、 如权利要求7所述的液晶显示装置，其中，第二基底包括设置在阻光 构件与共电极之间的滤色器，第一基底包括覆盖数据线的保护层，阻光构件 位于与其中数据线与切口图案叠置的区域对应的位置。
9、 如权利要求8所述的液晶显示装置，其中，第一基底还包括设置在第 一基底与数据线之间的半导体图案，半导体图案与数据线叠置。
10、 如权利要求7所述的液晶显示装置，其中，阻光构件和阻光层图案通过同一工艺同时形成。
11、 如权利要求4所述的液晶显示装置，还包括薄膜晶体管，薄膜晶体 管包括栅电极，从栅极线分支出来； 源电极，从数据线分支出来； 漏电极，与源电极分开并连接到像素电极。
12、 如权利要求11所述的液晶显示装置，其中，阻光构件包括 浮动电极，设置在第一基底上，浮动电极与^)^电极分开； 与栅电极的材料相同的材料。
13、 如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，第二基底包括设置在第 二基底与共电极之间的滤色器，第一基底包括覆盖数据线的保护层，阻光构 件位于与其中数据线与切口图案叠置的区域对应的位置。
14、 如权利要求13所述的液晶显示装置，其中，第一基底还包括设置在 第 一 基底与数据线之间的半导体图案，半导体图案与数据线叠置。
15、 如权利要求12所述的液晶显示装置，其中，阻光构件和栅电极通过 同一工艺同时形成。
16、 如权利要求4所述的液晶显示装置，其中，像素电极包括第一像素 电极和第二像素电极以接收不同的电压，第一像素电极和第二像素电极相互 分开。
17、 如权利要求16所述的液晶显示装置，其中，切口图案位于第一像素 电极与第二像素电极之间的区域中。
18、 如权利要求4所述的液晶显示装置，其中，切口图案包括 第一切口图案，沿着第一方向延伸；第二切口图案，沿着第二方向延伸； 第三切口图案，沿着第三方向延伸。
19、 如权利要求18所述的液晶显示装置，其中，阻光构件覆盖其中数据 线与第二切口图案和第三切口图案叠置的区域。
20、 如权利要求19所述的液晶显示装置，其中，对应于第二切口图案的 阻光构件具有矩形形状，该矩形形状包括与第二方向基本平行的长侧边，对 应于第三切口图案的阻光构件具有矩形形状，该矩形形状包括与第三方向基 本平行的长侧边。
21、 如权利要求19所述的液晶显示装置，其中，覆盖第二切口图案和第三切口图案的阻光构件具有圓形形状。
22、 如权利要求4所述的液晶显示装置，其中，共电极包括将像素区划 分为多个畴的畴划分件。
23、 如权利要求22所述的液晶显示装置，其中，畴划分件为设置在共电 极的部分上的突起或切口图案。
24、 如权利要求23所述的液晶显示装置，其中，畴划分件包括 第一畴划分件，沿着第一方向延伸；第二畴划分件，沿着第二方向延伸； 第三畴划分件，沿着第三方向延伸。
全文摘要
本发明公开了一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括第一基底、第二基底和插入在第一基底与第二基底之间的液晶层。在第一基底上限定像素区。像素电极包括切口图案并形成在像素区中。导电图案设置在第一基底与像素电极之间，且从平面图来观看时，导电图案与切口图案部分叠置。共电极设置在第二基底上，并包括将像素区划分为多个畴的畴划分件。阻光构件设置在第一基底和第二基底中的一个上，且位于与在像素区内切口图案与导电图案叠置的区域对应的位置。
文档编号G02F1/1333GK101131514SQ20071014654
公开日2008年2月27日 申请日期2007年8月20日 优先权日2006年8月21日
发明者宋相宪, 宋荣九, 朴旻昱, 金仁雨 申请人:三星电子株式会社