具有塑料基底的有源矩阵显示器和其他电子器件的制作方法

专利名称：具有塑料基底的有源矩阵显示器和其他电子器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及在塑料基底上制造电子器件如有源矩阵显示器器件
(active matrix display devices)。
背景技术：
有源矩阵显示器的最常见形式是有源矩阵液晶显示器(AMLCD)。 AMLCD器件通常是在0.7mm厚的大的玻璃基底上制造的。对于室(cell) 来说，需要两个板，从而所完成的显示器恰好高于1.4mm厚。移动电话 (mobile phone)制造商，和一些便携式计算机(laptop computer)制造商， 需要更薄的和更轻的显示器，所完成的室可以在HF(氢氟酸)溶液中薄 化， 一般地至约0.8mm厚。移动电话制造商理想地希望显示器是甚至更 薄的，但是已经发现通过这种方法制造的低于0. 8mm厚的室太易碎了 。
HF薄化不具有吸引力，因为其是一种使用难于安全且经济地处理 的危险化学品的不经济的方法。由于玻璃的点蚀(pitting),在刻蚀过程期 间还存在一些产率损失。
早已认识到轻质、结实(rugged)且薄的塑料AMLCD作为替代物的 吸引力。最近，对塑料显示器的兴趣甚至进一步地提高，这部分地是由 于在移动电话和PDA中彩色AMLCD使用的增加。最近，对在塑料基 底上的AMLCD和有机发光二极管(OLED)显示器进行了许多研究。除了 这种兴趣外，仍然存在着对于大批量生产塑料显示器的合理的制造路线 的需求。
对于塑料基底上的薄膜晶体管(TFT)或显示器的制造，已经报道了 许多不同的方法。
一种技术描述于WO 05/050754中，其中制造了基底装置，其包括 刚性载体基底和在该刚性载体基底上的塑料基底。在塑料基底上形成像 素电路和显示器室(display cells)后，从塑料基底释放刚性载体基底。这 使得能够使用基本上常规的基底处理、加工和室制造。WO 05/050754 还描述了其它已知的在塑料基底上制造电子器件的方法。
4在WO 05/050754中建议的释放方法是激光剥离(laser lift-off)方法， 基底材料是通过旋转-涂覆施加的聚酰亚胺。聚酰亚胺的优点之一是它的 高温稳定性。
然而使用聚酰亚胺存在着若干缺点，特别地，聚酰亚胺是淡黄色的， 并且旋转-涂覆的聚酰亚胺材料是双折射的。
这两种缺点暗示着不能制造透射(透反)显示器，也不能在没有很大 困难的情况下制造偏振依赖性(polarization-dpendent)显示器(如LCD)。
因此需要透明基底材料，其具有高温稳定性，是透明的，并且优选 是非双折射的(nonbirefringent)。典型的透明材料如聚碳酸酯或硅酮 (silicones)并不吸收足够的UV能量以便通过激光释放方法来剥离。

发明内容
根据本发明，提供了一种制造薄膜电子器件的方法，该方法包括
- 使用湿法流延方法(wet casting process),将塑料涂层施加到刚 性载体基底，所述塑料涂层形成塑料基底并且包括透明塑料材料和UV 双t]文^力口剂；
- 在所述塑料基底之上形成薄膜电子元件；和
- 从所述塑料基底释放所述刚性载体基底。
通过用UV吸收剂掺杂基底的塑料材料，本发明提供了制造适于激 光释放方法(laser release process)的透明基底材料的方法。这种UV吸收 剂在剥离激光的波长(例如308-351nm,或355nm)中以非常高的吸收系 数|_1(例如>104 cm")进行吸收。
优选选择所述UV吸收剂使得其不在透明基底材料中导致任何双折 射，并且因此透明基底能够被制造成是非双折射的。
所述塑料能够湿法流延。所述塑料层能够例如通过旋涂方法(spin-on process)被施加到刚性基底，并且该塑料基底然后变成最终的器件基底。 或者，所述塑料能够通过用刮刀展涂或通过印刷技术如平版印刷(offset litho)或丝网印刷(silk screen printing)来施力。。
所述UV吸收添加剂可以包括以下中的一种或多种
2國(-2H-苯并三唑-2-基)-4,6-双(l-藍基(menthyl)-l-苯基乙基)苯酚； 芪；苯被 子和吸电子基团取代的芪；p-二曱基氨基苯曱酸乙酯；和优选地，所述塑料材料是非双折射的。 所述塑料材料可以包括聚碳酸酯或硅酮。
该方法可以进一步包括在形成薄膜电子元件前热固化塑料涂层。 在形成薄膜电子元件前，可以使用塑料涂层的UV固化，由此将
UV吸收添加剂吸《I (draw)到刚性载体和塑料涂层之间的边界处。对于激 光释放方法来说，这能够提高界面处的UV能量吸收。 所述薄膜电子元件可以包括薄膜晶体管。 所述刚性载体基底优选包括玻璃基底。 该方法能够用于制造有源矩阵显示器器件，其中 在塑料基底之上形成薄膜电子元件包括在塑料基底上形成像素电 路的阵列，
和其中该方法进一步包括在从塑料基底释放刚性载体基底前，在像 素电路的阵列之上形成显示器层。
本发明因此提供了这样的方法，其使得在显示器的制造中能够使用 基本上常规的基底处理、加工和室制造。于是这使得在塑料基底上制造 有源矩阵显示器的制造方法能够在标准工厂中进行，而仅仅需要极少的 额外设备。
所述塑料显示器能够在标准玻璃基底上制造，并且这些能够被再次 使用许多次。本发明能够被应用于例如LCD、 PLED或OLED显示器和 电泳显示器(electrophoretic displays), 和非晶石圭(amorphous silicon, a-Si) 或低温多晶硅(LTPS)TFT。
该方法基本上容许在塑料层仍然粘于玻璃上的情况下，在塑料层上 制造TFT,制造互连(interconnects),和实施一些封装。所述释放在室形 成后进行。对于所有的塑料基底应用来说，这都是有吸引力的，并且对 于在柔性基底上制造显示器来说是特别有吸引力的方法。
该方法可以进 一 步包括制造第二基底装置(second substrate arrangement),和其中在像素电路的阵列上形成显示器层包括安装其中电 光材料(例如LC材料)夹在它们之间的第一和第二基底装置，由此有源 矩阵显示器器件包括具有夹在它们之间的电光材料的第 一和第二基底。
本发明还提供了薄膜电子器件，其包括塑料基底和在该塑料基底上 的薄膜电子元件，所述塑料基底包括透明塑料材料和UV吸收添加剂。


本发明的实例现将参考附图进行详细描述，其中 图1显示了用于移动电话的所制造的显示器，其是根据本发明制造 的，从常见玻璃基底释放；
图2显示了根据本发明的基底；
图3-5显示了用于图2的基底中的不同的可能UV吸收剂的吸收特
性；
图6A-6M显示了由图2的基底开始的用于本发明方法的一个实例 的加工步骤；
图7显示了本发明所制造的显示器的第二个实例；和 图8显示了本发明所制造的显示器的第三个实例。
具体实施例方式
本发明一般地涉及在塑料基底上制造薄膜电子器件，并且涉及一种 方法，其中使用从刚性载体基底上激光剥离塑料基底。本发明涉及所述 塑料基底材料。
本发明特别地应用于有源矩阵显示器器件的制造，本发明的实例将 在这方面进4亍描述。
图1示意性地显示了根据本发明的塑料显示器的制造，并且显示了 最后的释放阶段。所完成的显示器IO被从玻璃基底12释放并且然后用 于器件如移动电话14中。
现在将详细描述本发明方法的 一 个实例以显示使用从玻璃基底的 激光释放、用于显示器的滤色器(color filters)的墨喷印刷和用于室制造 (cell making)的VALC(真空取向LC)如何能够制造显示器。该详细显示 的实例用于制造液晶显示器室，具有夹在两个相对的(有源和无源)基底 之间的LC材料。本发明可以应用于许多其它显示器技术和非显示器技 术，该具体的实例仅仅用于举例说明。
图2显示玻璃载体板12和起塑料基底作用的塑料层22。塑料层22 和载体板12之间的界面显示为20。这种形式的基底可以形成有源板 (active plate)和无源板(passive plate)的基础(basis)。
该塑料层必须足够坚固以便是完成的室的壁之一。另外，该塑料层 应该是透明的并且理想地是非双折射的。此外，该塑料层应当能够吸收
7激光能量以便实施塑料层从载体板的剥离。
本发明涉及所述塑料基底材料，并且建议掺杂透明塑料基底以改变 特性并且使其适于激光剥离方法。
所述基底材料应当具有〉200MPa的拉伸强度，并且是非双折射的。 其还应当是使用湿法流延工艺，例如旋转-涂覆，沉积的。
所述塑料基底可以包括聚碳酸酯，硅酮或三乙酸纤维素，但是通常 选择成任何这样的材料其是透明的并且其可以由溶液湿法流延(例如旋 转涂覆)以生产透明的并且优选地非双折射的膜。
旋转涂覆产生了极高质量的表面并且可以产生极薄的层，如果需要 的话。最重要地，所述塑料能够湿法流延。因此所述塑料可替代地能够 通过用刮刀展涂或印刷技术如平版印刷或丝网印刷来施加。还可使用其 它吏用溶液来涂覆大面积的方法。
通过用UV-吸收化合物掺杂所选择的材料，可以引入剥离功能性。 可以通过混合基底聚合物和添加剂来提供这种掺杂。
存在棒状(rod-like)UV-吸收材料，但是旋转涂覆的机械影响可以引 起这些横向取向(align laterally),由此在干燥后在基底层内产生双折射。 因此，优选使用较小的、更加球状的掺杂剂分子以便避免该问题。
所述UV吸收添加剂优选地在300nm-360nm谱带内具有吸收系数大 于105 cm"的吸收峰。此外，所得基底材料应当具有小于50nm的吸收 长度(absorption length),从而限定表面吸收层。
可能的用于掺杂塑料基底的UV-吸收添加剂的实例是
(i) 具有2-(2-羟基苯基)-三唑单元的分子，例如 2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-双(l-甲基-l-苯基乙基)苯酚。
<formula>formula see original document page 8</formula>
这以Tinuvin 234的名称由Ciba (商标)Specialty Chemicals市售可得。
这是染料的形式，其在许多聚合物中具有所需要的溶解度，并且在 302nm具有最大吸收，消光系数〉1.7x104 1/mol.cm,取决于其将要溶解 于其中的聚合物。
(ii) 含共轭连接的芳族体系的分子，如芪(Stilbene)每一个分子包含一个或多个共轭连接的供电子(D)和吸电子(A)对。 这在约300nm达到约3.104 1/mol.cm的消光，并且在光语的可见部分中 仍然是透明的。吸收特性示于图3中。
(iii)苯被供电子和吸电子基团取代的芪。
使用这类材料可以达到甚至更高的消光。随着消光的增加，吸收波 长可移向可见光谱
(iv)被供电子和吸电子基团取代的苯如p-二曱基氨基苯甲酸乙酯
其显示了图4中所示的吸收光语，其中高消光在约300nm和在光谱 的可见部分中没有吸收。
(v)含有共轭连接的芳族和杂芳族基团的分子，如2,5-二苯基嗯唑
该材料具有图5中所示的吸收光语。
在旋转涂覆方法后，可以使用两种方法来制备用于剥离方法的基底。
一种是提供热固化和随后通过透明主体基体固定UV吸收材料。另 一种是通过玻璃板提供UV固化，将吸收剂吸引到聚合物/玻璃界面20, 由此提高界面吸收。这产生了几乎双层的体系(如图2中示意性地表示 的)，其中最初(initial)UV-吸收层具有引起所述剥离的功能性。在这种情 况下，在UV-或热-激发下存在UV-吸收材料朝着玻璃/聚合物界面的漂 移(drift)。效果是基本上提供可以被激光激活的剥离层，以实施塑料基底从载 体板的分离。
图6A-6M显示了一个制造方案的顺序阶段的示意图。为清楚起见，
这些图显示了仅仅一个显示器正被制造，但实际上将在大玻璃基底上存 在许多显示器，如图1所示。
图6A显示了有源板，其中使用(几乎)标准的加工过程，在塑料表 面上已经制造a-Si TFT阵列。最大加工温度将取决于所选择的塑料层， 但其可以高于独立(freestandmg)塑料膜的加工温度，因为所述塑料被牢 固地固定到刚性玻璃基底12并且不存在收缩问题。
TFT阵列包括栅极(gate)金属层30、氮化硅栅极介电层32和ITO像 素电极34。 TFT示意性地显示为36。
图6B显示添加用于LC室的柱间隔物(column spacers)40。这些可以 通过在合适的聚合物层上墨喷印刷或旋涂并然后通过光刻法 (photohthography)图案化来制造。替代性地，还可以使用分散的玻璃或 塑料珠或棒，但是粘到两个基底的柱间隔物可以给塑料室带来提高的机 械强度并且有助于保护所述室免受分离。
图6C显示了制造无源板基底。该无源板也包括玻璃基底50,和任 选的释放层52和塑料基底54(其可以是与用于有源板的塑料相同的塑料 或者可以是不同的塑料)。图6C还显示了黑色掩模层56。这表明了以这 种方式制造塑料显示器的另 一个优点，其是结构可以被构建到基底中。 黑色掩才莫56还可以在后面的阶段使用标准方法来制造。
如图6D所示，将第二聚合物层60添加到所述无源板层。只有使用 埋入的(buried)黑色掩模层时才需要这一步骤。
如图6E所示，将凹陷的井70蚀刻到无源载体板中。只有滤色器将 要被喷墨印刷时才需要这一步骤。这些井用来精确地限定滤色器像素的 形状。所述井可以通过光刻法和氧等离子体、激光烧蚀(laser ablation) 或者通过用硬掩模沖压被蚀刻到塑料层中。
图6F显示了在滤色器层80的墨喷印刷后的无源载体板。
图6G显示了溅射到玻璃基底上的ITO层90。此外，通过蚀刻掉ITO、 塑料和a-Si释放层，在所述常见有源板玻璃基底上形成分立式显示器器 件(discrete display device)。
在该阶段，可以采取不同的工艺路线，这取决于是使用传统的室制造，或是使用较新的液晶真空取向(VALC)方法，有时称为滴下填充(dr叩 filling)。在这种滴下填充方法中，在取向前LC滴一皮放到板之一上并且 在真空下实施板结合。举例来说，以下图用于VALC方法。
图6H显示了被放到塑料显示器的有源板区域上的LC滴100。
然后通过使用VALC方法形成图61的装配面板。
然后将玻璃板之一从其粘到其上的塑料层除去。这可以经由释放层 的玻璃或者塑料层的底部通过激光辐照或灯加热进行或者通过在热板 上加热3皮璃一反进4亍。
图6J显示了例如通过激光释放方法除去无源板的玻璃基底。在再
残余物痕迹。
如图6K所示，然后添加起偏振器(polarizer)110。在最后释放显示 器前其在该阶段是较容易进行的，因为显示器由于连接到玻璃上而仍然 具有刚性。所述起偏振器还为顶塑料层提供了附加的强度。还可以在该 阶段进行玻璃覆晶封装工艺(Chip-on-Glass process),或者添加互连箔 (interconnect foils)。其在该阶段进行的优点在于塑料片仍然牢固地粘到 玻璃上，简化取向和固定。
如图6L所示，有源板的塑料基底也被从有源板玻璃基底12释放， 有源板玻璃基底12也可以被净化并且再次使用。
将起偏振器膜也施加到每一个有源板的塑料基底22上。第二起偏 振器112显示于图6M中，其显示了所完成的显示器。
在这种情况下，必须逐一显示器分别施加起偏振器。如果不使用 VALC,那么在形成图6M中所示的完成的室后，制造互连。
通过从与玻璃基底直接接触的塑料的激光释放，从所述玻璃基底释 放所述塑料基底。
通过所述玻璃基底可以使用激光辐照(XeCl或3-omega YAG)。薄 层，<ljim,被光烧蚀，留下具有良好的机械完整性的独立聚合物膜。
在湿法流延沉积工艺前，可以净化玻璃基底，使得在涂覆工艺前， 表面污染物如油和离子被除去。常规的溶剂可被用于实施所述净化工
艺
以上实例涉及制造有源矩阵显示器器件。在进一步的方面中，本发 明更一般地涉及生产电子器件，其包括在塑料基底上的薄膜电路。因此，
ii本发明还包括使用湿法流延方法，将具有UV吸收添加剂的塑料涂层施 加到刚性载体基底，在塑料基底之上形成薄膜电子元件，和然后从塑料 基底释放刚性载体基底。
该方法再次使得在塑料基底上加工薄膜电子器件(例如具有TFT)的 过程中能够使用基本上常规的基底处理。湿法流延(例如旋涂(spin-on)) 方法的使用产生了平的、高质量的表面。
旋涂方法使得能够形成非常薄的基底。例如，可以形成厚度低到 3,的基底。
上述详细描述的制造方法的实例是关于LCD显示器。然而，对本 领域技术人员而言将显而易见的是对于所描述的步骤中的每一个都存 在着许多变化。
更一般地，本发明首先提供了将塑料施加到基底上。塑料层的厚度 将通常在2-50)iim的厚度范围内。该塑料最终将变为显示器的塑料基底， 对于显示器应用来说。合适的湿法流延方法是旋转涂覆，印刷和展涂。
所述基底可以是标准玻璃基底或者涂覆有蓝光吸收层的玻璃基底。 选择取决于所用的塑料和激光释放性能。
钝化层将通常是期望的，施加于塑料层之上。合适的层类型是通过 等离子体增强的化学汽相沉积(PECVD)或溅射沉积的氮化硅或氧化硅。
然后在所述塑料/钝化层上制造TFT阵列。对于a-Si或低温Poly-Si (LTPS) TFT, TFT阵列制造可以在相当标准的阵列加工条件下进行。可 能必须有 一些小的工艺变化以便保证沉积的层不具有高机械应力。涂覆 有非常薄的塑料层的标准玻璃基底和标准TFT阵列加工的使用意味着 该方法可用于现有的TFT制造工厂中。
TFT可被用作有源器件元件以倍增(multiplexing)数种不同的显示器 类型，而不仅仅是以上的LCD实例。无论是什么显示器类型，显示器 是在TFT阵列仍然粘到玻璃上的时候被制造的。这意味着可以使用标准 显示器制造工具和技术并且塑料薄层的存在将不会引起任何重大差别。 这时，显示器激励器(display drivers)也可以被连接到显示器。
用于从载体除去塑料基底的激光通过玻璃基底施加以射到塑料的 底部。用于此目的的激光将通常必须进行扫描以便覆盖显示器的全部区 域。可以使用波长为308nm和351nm的脉沖准分子激光(pulsed excimer lasers)或者波长为355nm的脉沖3-omega YAG激光。本发明使得能够实现透明(clear)塑料基底的直接激光释放，并且这 样的基底能够用于所有的显示器类型，包括透射和透反LCD和向下发 射的OLED和PLED。
如上所述，液晶显示器仅仅是可受益于本发明的显示器技术的一个实例。
图7显示了使用电泳显示材料的反射显示器器件200的实例。这类 显示器的一个实例被称为E-Ink显示器。在玻璃上的塑料层204上形成 薄膜晶体管202的阵列。在氮化硅钝化层206和氮化硅栅极绝缘体层208 之上提供该TFT阵列，在聚合物钝化层212之上形成ITO像素210。图 7中没有显示玻璃基底，其显示了最终被除去的显示器器件。
电泳材料的层包括胶嚢(capsules)214并且被层压到TFT阵列上。所 述胶嚢对穿过油墨箔层(ink foil layer)的局部电场是有响应的。该层是固 有地发粘的，并且被置于TFT阵列上并且被加热到大约100°C，和被辊 压(rolled)。以ITO层216和塑料保护层218完成显示器才莫块。
安装到箔上的激励器芯片然后被连接到SI入(lead-in)区域，然后进 行激光释放步骤。
图8显示了聚合物LED向下发射显示器器件300的实例。在透明 (clear)塑料(如硅酮，BCB或聚对苯二亚曱基)基底304上形成封装的薄 膜晶体管电路302的阵列，在氮化硅钝化层308上形成透明ITO像素电 极306。
亲水聚合物壁310围绕像素(虽然对于有机LED来说，这并不是需 要的)，其由聚合物(或有机)LED材料312限定。金属阴极314，如Ca, 覆盖该结构，并且被聚合物钝化层316覆盖。
图7和8的实例是根据本发明制造的，将理解的是使用以上说明的 方法，能够制造许多其它的特定显示器设计，以及其它电子部件设计。 例如，合适的显示器类型包括OLED(有机LED)， PLED(聚合物LED), EL(电致发光)和PDLC(聚合物分散的LC)显示器，以及LCD。
已经给出了许多UV吸收剂的实例。通常，UV吸收剂的分子包含 一个或多个芳族基团，共辄连接，任选地通过一个或多个双键。每一个 芳族基团任选地包含一个或多个杂原子，其选自N, O和S。每一个分 子任选包含一个或多个共轭连接的供电子(D)和吸电子(A)对。
UV吸收分子的其它实例是2-羟基-二苯曱酮类，羟苯基-s-三嗪类和
13N,N'-二苯基乙二酰胺类。
UV吸收剂的消光系数应当优选大于104和如果可能的话接近于 105,并且所述添加剂需要可溶于主要基底材料。
在可见光语中所述UV吸收剂应该是透明的，例如在400nm-800nm 波长范围内大于90%透明。
已经提及了许多不同的显示器技术，并且不同的材料将适于不同的 技术。例如对于LCD来说，优选的是基底具有尽可能低的双折射，然 而OLED不需要非双折射的塑料层。因此，对非双折射材料的需要取决 于显示器技术。
用于基底的塑料材料的 一些优选的实例已经在上文中给出。 一般 地，高温材料将是感兴趣的，因为薄膜晶体管典型地在例如250。C的温 度进行加工。为了使得能够进行这种标准TFT加工，塑料基底材料将被 选择为具有高于200。C的玻璃化转变温度和/或分解温度。
其它实例是
(i) 聚醚砜(PES),聚酰亚胺或聚酰胺。
(ii) 丙烯酸酯或曱基丙烯酸酯。
这些可以由聚合物在例如二曱苯中的溶液流延涂覆。它们的热稳定 性可以通过交联来改进。如果那样的话，丙烯酸酯单体(低分子量的或低 聚的)，含有单官能、双官能或更高官能的单体的混合物，被倒在刚性基 底上并且在染料存在下固化。
(iii) 纤维素基材料，例如醋酸纤维素。
这些材料通过由溶液流延涂覆容易形成膜，是非双折射的但是具有 有限的热稳定性。
(iv) 聚乙酸乙烯酯或乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物。 这些材料也容易通过由溶液流延涂覆形成膜，是非双折射的但是也
具有有限的热稳定性。
还可使用双层体系，例如在交联的材料的情况下。接近刚性基底的 第一非常薄的层可以包含高浓度的染料。在此之上的第二层可以由相同
的聚合物形成，但没有染料。这种多层结构的优点在于在界面附近可以 使用较高的染料浓度。
如果随后的薄膜加工可以在较低的温度进行，则还可能的是使用低 温基底材料。在这种情况下，以上的实例(iii)和(iv)变得更合适，以及也可使用聚乙烯类(polyethylenes)(如聚对苯二曱酸乙二醇酯(PET),或聚萘 二曱酸乙二醇酯(PEN))，环状烯烃，多芳基化合物(polyarylates)，苯并 环丁烷类(benzocyclobutanes)等等。
显而易见的。对于一些应用来说，;能合适的是聚s:(通常这些是双折射
的)，聚苯乙烯(通常这些是脆性的)，聚氧化物(polyoxides)(—些特别的 实例可能是特别合适的，如聚(2,6-二甲基-1 ，4-苯醚(PPO))。
所述塑料基底在上文中被描述为透明的，但应当理解的是将存在一 定的光吸收，并且透明度必须足以使器件实现最终产品的期望功能。
所述透明基底的拉伸才莫量应当优选地大于100MPa并且更优选地大 于20固Pa。
优选的基底材料的实例是聚碳酸酯和聚甲基丙烯酸酯。 各种其它改变对本领域技术人员而言将会是显而易见的。
1权利要求
1. 制造薄膜电子器件的方法，该方法包括-使用湿法流延方法，将塑料涂层(20)施加到刚性载体基底(22)，所述塑料涂层形成塑料基底并且包括透明塑料材料和UV吸收添加剂；-在所述塑料基底上形成薄膜电子元件；和-将所述刚性载体基底从所述塑料基底释放。
2. 权利要求l的方法，其中所述UV吸收添加剂包括-2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-双(l-曱基-l-苯基乙基)苯酚。
3. 权利要求l的方法，其中所述UV吸收添加剂包括芪。
4. 权利要求1的方法，其冲所述UV吸收添加剂包括被供电子和 吸电子基团取代的芪。
5. 权利要求l的方法，其中所述UV吸收添加剂包括 -p-二曱基氨基苯曱酸乙酯。
6. 权利要求l的方法，其中所述UV吸收添加剂包括 -2,5-二苯基鹏唑。
7. 前述权利要求中任一项的方法，其中所述塑料材料是非双折射的。
8. 前述权利要求中任一项的方法，其中所述塑料材料包括聚碳酸酯。
9. 权利要求1-7中任一项的方法，其中所述塑料材料包括硅酮。
10. 前述权利要求中任一项的方法，进一步包括在形成薄膜电子元 件前，热固化所述塑料涂层。
11. 权利要求1-9中任一项的方法，进一步包括在形成薄膜电子元 件前，UV固化所述塑料涂层，由此将所述UV吸收添加剂吸引到所述 刚性载体和塑料涂层之间的边界。
12. 前述权利要求中任一项的方法，其中所述薄膜电子元件包括薄 膜晶体管。
13. 前述权利要求中任一项的方法，其中所述刚性载体基底包括玻 璃基底。
14. 前述权利要求中任一项的方法，其中所述释放是通过激光方法 进行的。
15. 前述权利要求中任一项的方法，其中所述UV吸收添加剂在谱2带300nm-360nm内具有吸收系数大于104 cm"的吸收峰。
16. 前述权利要求中任一项的方法，制造有源矩阵显示器器件，其中- 在塑料基底上形成薄膜电子元件包括在塑料基底(22)之上形成 像素电路(30，32,34,36)的阵列，- 和其中该方法进 一 步包括在从塑料基底(22)释放刚性载体基底 (12)前，在所述像素电路的阵列之上形成显示器层。
17. 权利要求16的方法，进一步包括制造第二基底装置(50,52,54), 和其中在像素电路的阵列之上形成显示器层包括安装第一和第二基底装置且其中电光材料(lOO)夹在它们之间，由此有源矩阵显示器器件包括 第一(22)和第二(54)基底且其中所述电光材料夹在它们之间。
18. 前述权利要求中任一项的方法，其中所述湿法流延方法包括旋 涂方法。
19. 薄膜电子器件，其包括塑料涂层基底和在塑料基底之上的薄膜 电子元件，其中所述塑料涂层基底包括透明塑料材料和UV吸收添加剂。
20. 权利要求19的器件，其中所述UV吸收添加剂包括-2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-双(1 -甲基-1 -苯基乙基)苯酚。
21. 权利要求19的器件，其中所述UV吸收添加剂包括芪。
22. 权利要求19的器件，其中所述UV吸收添加剂包括被供电子 和吸电子基团取代的芪。
23. 权利要求19的器件，其中所述UV吸收添加剂包括 -p-二甲基氨基苯曱酸乙酯。
24. 权利要求19的器件，其中所述UV吸收添加剂包括 -2,5-二苯基囉唑。
25. 权利要求19-24中任一项的器件，其中所述塑料材料是非双折 射的。
26. 权利要求19-25中任一项的器件，其中所述塑料材料包括聚碳 酸酯。
27. 权利要求19-25中任一项的器件，其中所述塑料材料包括硅酮。
28. 权利要求19-27中任一项的器件，其中所述UV吸收添加剂在 镨带300nm-360nm内具有吸收系数大于104 cm"的吸收峰。
全文摘要
制造薄膜电子器件的方法，包括使用湿法流延方法将塑料涂层施加到刚性载体基底上，该塑料涂层形成塑料基底并且包括透明塑料材料和UV吸收添加剂。在所述塑料基底上形成薄膜电子元件，并且从所述塑料基底释放刚性载体基底。通过用UV吸收剂掺杂基底的塑料材料，本发明提供了适用于激光释放方法的制造透明基底材料的方法。这种UV吸收剂在剥离激光的波长(例如308-351nm，或355nm)内以非常高的吸收进行吸收。
文档编号G02F1/1333GK101501832SQ200780029807
公开日2009年8月5日 申请日期2007年8月7日 优先权日2006年8月10日
发明者D·J·布罗尔, D·J·麦克库洛克, E·I·哈斯卡尔 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司