专利名称：硅基液晶器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及用于电子器件制造的集成电路及其加工。特别地，本发明
提供了一种用于制造硅基液晶(LCOS)显示器件的电容器结构的方法。 但M该认识到，本发明的适用范围要广泛得多。
背景技术：
近年来，电子显示技术得到了迅速发展。从初期开始，阴极射线管 技术，通常称为CRT，将选定的像素单元输出到传统电视机的玻璃屏 上。这些电视机最初输出黑白的运动图像。彩色电视机很快就取代了如 果不是全部也是大多数的黑白电视机。尽管CRT非常成功，但是它通 常体积庞大，难以做得更大，并且还有其他局限性。
液晶面板显示器很快至少是部分地取代了 CRT。这些通常称为LCD 的液晶面板显示器采用耦合于液晶材料的晶体管单元阵列和滤色器，从 而输出彩色的运动图像。许多计算机终端和小型的显示设备通常依赖于 LCD来输出视频、文本和其他可视特征。遗憾的是，液晶面板的成品 率通常比较低，且难以扩大到较大的尺寸。这些LCD通常不适用于电 视机等所需要的大型显示器。
因此，投影显示设备得到了发展。除了别的以外，这些投影显示设 备包括对应的液晶显示器，其将光从选定的像素单元通过透镜输出到较 大的显示器上，从而产生运动画面、文本和其他可视图像。另一种技术 称为"数字光处理"(DLP )，其是来自Texas Instruments Incorporated(TI)， Texas, USA的商业名称。DLP通常称作"微镜"使 用。DLP依赖于几十万个微小的镜子，这些镜子排成800行，每行600 个。每个镜子都装有铰链。每个铰链都附连有致动器。致动器通常为能 够以高频使每个镜子倾斜的静电能量。运动的镜子可以调节可透过透镜 然后显示在屏上的光。尽管DLP非常成功，但是它通常难以制造且成 品率低，等等。还有另外一种技术称为LCOS，其采用镜子和液晶。LCOS采用施 加于反射镜衬底的液晶。随着液晶的"打开"或"关闭"，光被反射或 被阻挡，这样就可以调节光，从而产生显示图像。通常，至少有三个 LCOS芯片，每个芯片对应于红色、绿色和蓝色通道中的光。然而，LCOS 有很多局限性。仅仅作为一个示例，LOCS通常很难制造。另外，LCOS 至少需要三个芯片，这会使得投影仪体积庞大且笨重，并且导致成本较 高。所以，LCOS不适用于便携式投影仪。
从上可以看出，需要一种改进的技术来加工器件。
发明内容
根据本发明，提供了用于电子器件制造的集成电路加工技术。特别地， 本发明提供了一种用于制造硅基液晶(LCOS)显示器件的电容器结构的 方法。但是应该认识到，本发明的适用范围要广泛得多。
作为附加的背景信息，我们发现传统的LCOS背板COMS驱动器通 常在单位显示4象素中采用至少以下元件(见图1):
1) 高压(HV) MOS选择晶体管101，其包括行105、列103和输出 107;
2) 多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)电容器，其包括电极112、 115，耦 合于地117和线111;
3) 铝顶部金属电极109，也作为入射光的反射器；以及
4) 顶部金属电极(TM)的后续金属光屏蔽物；
这些元件中的每个结合光/蚀刻加工的一个或两个掩膜层单独操作， 以获得其被赋予的但是有限的功能性。同时，因为为了获得更佳的反射 性，铝(Al)顶部金属变得甚至更薄，但是也使得将顶部金属用作焊盘 (bonding pad)变得更不可行，所以通常需要额外的钝化蚀刻，将焊盘开 放下至较厚的后续金属层来进行芯片焊接。应该有余地来提高全面利用 有限的层堆叠的效率，同时提高甚至最大化LCOS背板驱动器芯片的性 能从而进一步提高性价比。本发明已经克服了这些及其他局限性中的至 少一部分和/或全部。在一个具体的实施例中，本发明提供了一种LCOS器件。所述器件 具有半导体衬底，例如硅衬底。所述器件具有在所述半导体衬底内形成 的晶体管。所述晶体管具有第一节点、第二节点和行节点。第一电容器 结构耦合于所述晶体管。所述第一电容器结构包括耦合于所述晶体管的 第二节点的第一多晶硅层。所述第一电容器结构还具有覆盖在所述第一
多晶硅层上的第一电容器绝缘层和覆盖在所述绝缘层上的第二多晶硅 层。所述第二多晶硅层耦合于参考电势，例如地。所述器件具有耦合于 所述晶体管的第二电容器结构。所述第二电容器结构具有耦合于所述参 考电势的第一金属层、第二电容器绝缘层以及耦合于所述晶体管的第二 节点的第二金属层。像素电极包括所述第一金属层。所述像素电极耦合 于所述晶体管的第二节点。镜面位于所述像素电极上。所述器件具有由 所述第二金属层的 一部分形成的光屏蔽层。
在一个可替换的具体实施例中，本发明提供了一种可替换的LCOS 器件。所述器件具有半导体衬底，例如硅晶片。所述器件具有在所述半 导体衬底内形成的高压MOS晶体管。优选地，所述高压MOS晶体管 具有耦合于第一节点的第一源极/漏极、耦合于第二节点的第二源极/漏 极以及耦合于行节点的栅极。PIP电容器结构耦合于所述HV MOS晶 体管。优选地，所述PIP电容器结构具有耦合于所述HV MOS晶体管 的第二节点的第一多晶硅层、覆盖在所述第一多晶硅层上的第一电容器 绝缘层、以及覆盖在所述绝缘层上的第二多晶硅层。所述第二多晶硅层 耦合于参考电势，例如地电势。金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构耦合 于所述HVMOS晶体管。优选地，所述MIM电容器结构具有耦合于所 述参考电势的第一金属层、第二电容器绝缘层、以及耦合于所述HV
MOS晶体管的第二节点的第二金属层。像素电极包括所述第一金属层。 优选地，所述像素电极耦合于所述HV MOS晶体管的第二节点。镜面 位于所述像素电极上。光屏蔽层由所述第二金属层的一部分形成，并且 地电势耦合于所述参考电势。优选地，所述HV MOS器件适用于切换 从约10伏到约20伏的电压电势。
在另一个可替换的具体实施例中，本发明提供了一种用于制造 LCOS器件的方法。所述方法包括提供半导体衬底。所述方法还包括在 所述半导体衬底内形成晶体管结构。所述晶体管结构具有第一节点、第 二节点和行节点。所述方法包括形成耦合于所述晶体管结构的第一电容器结构。优选地，所述第一电容器结构包括耦合于所述晶体管结构的第 二节点的第一多晶硅层、覆盖在所述第一多晶硅层上的第一电容器绝缘 层、以及覆盖在所述绝缘层上的第二多晶硅层。所述第二多晶硅层耦合 于参考电势。所述方法进一步包括形成耦合于所述晶体管结构的第二电
容器结构。优选地，所述第二电容器结构包括耦合于所述参考电势的第 一金属层、第二电容器绝缘层、以及耦合于所述晶体管结构的第二节点 的第二金属层。所述方法包括形成包括所述第一金属层的像素电极。优 选地，所述像素电极耦合于所述晶体管结构的第二节点。所述方法包括 在所述像素电极上形成镜面并且由所述第二金属层的一部分形成光屏
本发明与传统技术相比，可以获得很多益处。例如，本技术提供了 一种依赖于传统技术的易于使用的工艺。在一些实施例中，该方法提高了 按照每晶片管芯数的器件成品率。此外，该方法提供了一种与传统工艺技 术相兼容的工艺而无需对传统的设备和工艺进行大量修改。优选地，本发
明提供了一种用于显示器的LCOS器件的改进电容器结构。本发明的某些 实施例可以包括以下特征中的一个或多个
1) 单位显示像素具有高压(HV) MOS选择晶体管，其漏极与并联 的PIP电容器和MIM电容器电气连接；
2 ) MIM电容器具有也作为光>^射器的顶部金属(TM)像素电极和 接地的后续金属光屏蔽物，它们被诸如Si3N4、 Si02或AU03的 电介质材料、或者这些和其他合适材料的任意组合的薄层分隔；
3) PIP电容器具有顶部多晶珪板和底部多晶硅板，它们也被诸如 Si3N4、 Si02或A1203的电介质材料、或者这些和其他合适材料 的组合的薄层分隔；以及
4 ) 薄但是宽的开放式通孔在焊盘区连接TM与后续金属层，从而 形成堆叠式的较厚焊盘结构，这比单(TM或后续金属)层焊 盘更加结实；这种通孔不需要W插头CVD淀积，因为它比传 统的IMD电介质薄得多。
依赖于实施例，在所集成的那些所述特性的可用功能性超越其传统设置时，本发明的内涵可以扩展，并且由此本发明提供了大大提高的价
值成本比。特别地，通过单位像素单元上电气并联的PIP和MIM电容 器而构成的总电容能够大大增加，同时可以为更高驱动电流的HVMOS 晶体管重新布置更大的面积。TM和后续的金属层不仅被用作阵列像素 的第二电容器，即MIM电容器，而且被集成为更结实的焊盘结构。依 赖于实施例，可以获得这些益处中的一个或多个。这些及其他益处将贯穿 本说明书并且特别是在下面加以更详细的描述。
参考下面的详细描述和附图，可以更全面地理解本发明的各种其它目 的、特征及优点。
图l为传统LCOS像素单元的筒化图。
图2为根据本发明实施例的LCOS像素单元的简化橫截面视图。
图3为根据本发明实施例的LCOS像素单元的简化电路图。
图4为根据本发明实施例的LCOS像素器件的简化横截面视图。
具体实施例方式
根据本发明，提供了用于电子器件制造的集成电路加工技术。更具体 地，本发明提供了一种用于制造硅基液晶(LCOS)显示器件的电容器结 构的方法。但是应该认识到，本发明的适用范围要广泛得多。
图2为根据本发明实施例的LCOS像素单元的简化横截面视图。该 图仅作为一个示例，其不应当在此不适当地限制权利要求的范围。本领 域的普通技术人员可以做出很多变化、替换和修改。如图所示，本发明提 供了 LCOS器件200。该器件具有半导体衬底203,例如硅晶片。该器件 具有在半导体衬底内形成的高压MOS晶体管201。优选地，该高压MOS 晶体管具有耦合于第一节点的第一源^/漏极207、耦合于笫二节点的第二 源^/漏极205 A^合于行节点227的栅极。源^/漏极区包括双扩散漏极 区(DDD)和N+型插头注入区(plug implant region),优选地，第一节点 通过耦合于列节点的插头耦合于金属1。该器件还包括层间电介质层229， 例如硼磷珪酸盐玻璃(BPSG )、磷珪酸盐玻璃(PSG )、氟化硅玻璃(FSG )。该器件还包括覆盖在金属l层上的金属层间电介质(IMD1) 231。
PIP电容器结构209耦合于HV MOS晶体管。优选地，该PIP电容器 结构具有耦合于HV MOS晶体管的第二节点223的第一多晶珪层217、覆 盖在第一多晶珪层上的第一电容器绝缘层215、以;5Lft盖在绝缘层上的第 二多晶硅层213。第二多晶硅层耦合于参考电势225，例如地电势。第二多 晶硅层也是上覆的绝缘区211，其可为场隔离氧化物或其他合适的隔离结 构。另外，如图所示，第一多晶硅层与耦合于金属1层221的插头层219 连接，金属1层221耦合于插头层223,插头层223耦合于源^/漏极区205。 PIP电容器绝缘层包括厚度为约500埃到约1500埃的二氧化硅材料。绝缘 层由从Si3N4、 Si02、或入1203、或这些材料的任意组合以及其他合适的材 料中选出的材料制成。
MIM电容器结构250耦合于HV MOS晶体管。优选地，该MIM电 容器结构具有耦合于参考电势的第一金属层239、第二电容器绝缘层243、 以及耦合于HVMOS晶体管第二节点的第二金属层241。第二金属层耦合 于金属3 245，金属3 245耦合于插头层247，插头层247耦合于金属2 249, 金属2 249耦合于插头层251，插头层251耦合于金属1 221，金属1 221 辆合于插头层223,插头层223耦合于HV MOS器件的源;fel/漏极区205。 电容器绝缘层由从Si3N4、 Si02、或入1203、或这些材料的任意组合以及其 他合适的材料中选出的材料制成。
像素电极包括第一金属层。优选地，该像素电极耦合于HV MOS 晶体管的第二节点。镜面253位于像素电极上。光屏蔽层239由第二金 属层的一部分形成，并且地电势耦合于参考电势。优选地，该HVMOS 器件适用于切换约10伏到约20伏的电压电势。
该器件还包括由金属4 237制成的、覆盖在金属3的一部分上的焊 盘237,其中金属3也是焊盘的一部分。焊盘耦合于与金属2层耦合的 插头。当然，也可以有其他变化、修改和替换。
依赖于实施例，上述实施例可以有多种变化。仅仅作为一个示例， MIM电容器的第一金属层包括含铝材料。MIM电容器的第二金属层也 包括含铝材料。在一个具体的实施例中，第一金属层的面积为约30平 方微米到约100平方微米。对于PIP电容器，第一多晶硅层包括掺杂的
10多晶硅材料，且第二多晶硅层也包括掺杂的多晶硅材料。此外，根据具
体的实施例，PIP电容器的电容值约为50-100飞法。根据具体的实施例， MIM电容器的电容值约为5-100飞法。
当然，本领域的普通技术人员可以做出其他变化、修改和替换。本 LCOS器件的进一步细节可以贯穿本^兌明书并且特别是在下面找到。图3 为根据本发明实施例的LCOS像素单元的简化电路图。该图仅仅作为示 例，其不应当在此不适当地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人 员可以做出很多变化、替换和修改。如图所示，本发明提供了一种LCOS 器件。该器件具有半导体衬底，例如硅晶片。该器件具有在半导体衬底内 形成的高压MOS晶体管301。优选地，该高压MOS晶体管具有耦合于第 一节点311的第一源^7漏极307、耦合于第二节点325的第二源^l/漏极 309、以及耦合于行节点305的栅极。
PIP电容器结构315耦合于HVMOS晶体管。优选地，该PIP电容器 结构具有耦合于HVMOS晶体管第二节点的第一多晶硅层317、覆盖在第 一多晶硅层上的第一电容器绝缘层321、以及覆盖在绝缘层上的第二多晶 硅层319。第二多晶硅层耦合于参考电势323，例如地电势。
MIM电容器结构327耦合于HV MOS晶体管。优选地，该MIM电 容器结构具有耦合于参考电势335的第一金属层329、第二电容器绝缘层 331、以及耦合于HV MOS晶体管第二节点325的第二金属层333。优选 地，PIP电容器结构和MIM电容器结构适用于保持与维持像素电极上的 预定电压电势相关联的电荷值。
像素电极包括第一金属层。优选地，像素电极耦合于HVMOS晶体 管的第二节点。镜面位于像素电极上。光屏蔽层329由第二金属层的一 部分形成，并且地电势耦合于参考电势。优选地，该HV MOS器件适 用于切换约10伏到约20伏的电压电势。如图所示，才艮据具体的实施例， PIP和MIM电容器结构彼此并联。
图4为根据本发明实施例的LCOS像素器件400的简化横截面视图。 该图仅仅作为示例，其不应当在此处不适当地限制权利要求的范围。本 领域的普通技术人员可以做出很多变化、替换和修改。如图所示，该LCOS 器件具有半导体衬底，例如硅晶片。形成覆盖在半导体衬底上的MOS器件层。优选地，该MOS器件层具有多个MOS器件。每个MOS器件具有 用于电极的接触区和用于电压电势的接触区。形成覆盖在MOS器件层上 的平面化层间电介质层。LCOS器件还具有在部分层间电^h质层内的多个 凹陷区(例如，波紋结构)及填充每个凹陷区的金属层(例如铝)，从而 形成分别对应于每个凹陷区的多个电极区。优选地，金属层被镀到每个波 紋结构中。每个电极区通过互连结构109分别耦合于多个MOS器件中的 至少一个MOS器件，其中互连结构109可以为插头或其他类似的结构。 形成覆盖在多个电极区中每一个的表面区上的保护层，以保护表面区。每 个表面区上都有镜面抛光(mirror finish)。优选地，镜面抛it^本上没有来
约4000埃，也可以为其他尺度。每个电极代表LCOS器件的像素单元阵 列中的一个像素单元。该图还示出了覆盖在电极上的液晶薄膜。该LCOS 器件还具有透明的电极层(例如，氧化铟锡)以及封住该多层结构的上覆 玻璃板119。操作LCOS器件的方法的细节可以贯穿本说明书并且特别是 在下面找到。
为了操作LCOS器件，光穿过玻璃罩、经由透明电极并到达液晶薄膜。 当该电极未被施加偏压时，液晶薄膜基本上处于不允许光穿过的关闭位 置。相反，光被阻挡而且不被电极的镜面反射出去。当该电极通过MOS 器件被施加偏压时，液晶薄膜处于允许光通过的打开位置。光被电极的表 面反射并穿过处于打开位置的液晶薄膜。优选地，镜面基本上没有瑕疯。 因此，至少93%的进入光穿出LCOS器件。制造LCOS器件的方法的细 节可以贯穿本说明书并且特别是在下面找到。
根据本发明的实施例，用于制造LCOS器件的电极结构的方法可概述 如下
1. 提供半导体衬底；
2. 在半导体衬底内形成晶体管结构，其中晶体管结构具有第一节点、
第二节点和行节点；
3. 形成耦合于晶体管结构的第一电容器结构，其中第一电容器结构包 括耦合于晶体管结构第二节点的第一多晶硅层、覆盖在第一多晶硅 层上的第一电容器绝缘层、以M盖在绝缘层上的第二多晶硅层；4. 形成耦合于晶体管结构的第二电容器结构，其中第二电容器结构包 括耦合于参考电势的第一金属层、第二电容器绝缘层、以及耦合于
晶体管结构第二节点的第二金属层；
5. 形成包括第一金属层的像素电极；
6. 在《象素电极上形成镜面；
7. 由第二金属层的一部分形成光屏蔽层；
8. 提供覆盖在像素电极上的液晶层、覆盖在液晶层上的透明电极层、 以及覆盖在透明电极层上的玻璃层，从而形成LCOS器件；以及
9. 根据需要执行其他步骤。
上述步骤序列提供了才艮据本发明实施例的方法。如上所示，该方法
采用了包括形成LCOS器件的多个电容器结构的方法的步骤组合。在不 背离权利要求的范围的情况下，也可以提供其他替换方案，其中增加一 些步骤、去掉一个或多个步骤或者按照不同的顺序提供一个或多个步。
应该理解，在此描述的示例和实施例仅是说明性的，并且依照其的各 种修改或变更对于本领域的技术人员是可想到的，并且应当包括在本申请 的精神和范围以及所附权利要求的范围内。
权利要求
1.一种硅基液晶器件，包括半导体衬底；在所述半导体衬底内形成的晶体管，所述晶体管具有第一节点、第二节点以及行节点；耦合于所述晶体管的第一电容器结构，所述第一电容器结构包括耦合于所述晶体管的第二节点的第一多晶硅层；覆盖在所述第一多晶硅层上的第一电容器绝缘层；覆盖在所述绝缘层上的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层耦合于参考电势；耦合于所述晶体管的第二电容器结构，所述第二电容器结构包括耦合于所述参考电势的第一金属层；第二电容器绝缘层；耦合于所述晶体管的所述第二节点的第二金属层；包括所述第一金属层的像素电极，所述像素电极耦合于所述晶体管的所述第二节点；位于所述像素电极上的镜面；以及由所述第二金属层的一部分形成的光屏蔽层。
2. 如权利要求l所述的硅基液晶器件，其中所述参考电势为地。
3. 如权利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一金属层包括含铝材 料。
4. 如权利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二金属层包括含铝材 料。
5. 如权利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一多晶硅层包括掺杂 的多晶硅材料。
6. 如权利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二多晶硅层包括掺杂 的多晶硅材料。
7. 如权利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一金属层的面积为约 30平方微米至约100平方微米。
8. 如权利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二电容器是电容值为 约50至100飞法的多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器。
9. 如权利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一电容器是电容值为约5至100飞法的金属-绝缘体-金属电容器。
10. 如权利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二电容器绝缘层包括 厚度为约500埃至约1500埃的二氧化硅材料。
11. 如权利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述晶体管为适合于切换约 10伏至约20伏电压的高压N沟道金属氧化物半导体器件。
12. 如权利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一电容器和所述第二 电容器彼此并联。
13. 如权利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二电容器绝缘层由从 Si3N4、 Si02或Al203中选择的材料制成。
14. 如权利要求1所述的器件，其中所述第一电容器绝缘层由从Si3N4、 Si02或A1203中选择的材料制成。
15. —种硅基液晶器件，包括 半导体衬底；在所述半导体衬底内形成的高压金属氧化物半导体晶体管，所述高压 金属氧化物半导体晶体管具有耦合于第一节点的第一源极/漏极、耦合 于第二节点的第二源极/漏极、以及耦合于行节点的栅极；耦合于所述高压金属氧化物半导体晶体管的多晶硅-绝缘体-多晶硅 电容器结构，所述多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器结构包括耦合于所述高压金属氧化物半导体晶体管的所述第二节点的第一多晶硅层；覆盖在所述第一多晶硅层上的第一电容器绝缘层； 覆盖在所述绝缘层上的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层耦合于 参考电势；耦合于所述高压金属氧化物半导体晶体管的金属-绝缘体-金属电容 器结构，所述金属-绝缘体-金属电容器结构包括 耦合于所述参考电势的第一金属层； 第二电容器绝缘层；耦合于所述高压金属氧化物半导体晶体管的所述第二节点的第二 金属层；包括所述第一金属层的像素电极，所述像素电极耦合于所述高压金 属氧化物半导体晶体管的所述第二节点； 所述像素电极上的镜面； 由所述第二金属层的一部分形成的光屏蔽层； 耦合于所述参考电势的地电势。
16. 如权利要求15所述的硅基液晶器件，其中所述高压金属氧化物半导 体晶体管适合于切换约10伏至约20伏的电压电势。
17. 如权利要求15所述的硅基液晶器件，其中所述多晶硅-绝缘体-多晶 硅电容器以并联配置连接到所述金属-绝缘体-金属电容器。
18. 如权利要求15所述的a液晶器件，其中所述多晶硅-绝缘体-多晶 硅电容器结构和所述金属-绝缘体-金属电容器结构适用于保持与维 持所述像素电极上的预定电压电势相关联的电荷值。
19. 一种用于制造a液晶器件的方法，所述方法包括 提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成晶体管结构，所述晶体管结构具有第一节 点、第二节点以及行节点；形成耦合于所述晶体管结构的第一电容器结构，所述第一电容器结构 包括耦合于所述晶体管结构的所述第二节点的第一多晶硅层； 覆盖在所述第一多晶硅层上的第一电容器绝缘层； 覆盖在所述绝缘层上的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层耦合于 参考电势；形成耦合于所述晶体管结构的第二电容器结构，所述第二电容器结构 包括耦合于所述参考电势的第 一金属层； 第二电容器绝缘层；耦合于所述晶体管结构的第二节点的第二金属层；形成包括所述第 一金属层的像素电极，所述像素电极耦合于所述晶体 管结构的第二节点；在所述像素电极上形成镜面；以及 由所述第二金属层的一部分形成光屏蔽层。
全文摘要
在一个具体的实施例中，本发明提供了一种硅基液晶器件。该器件具有半导体衬底，例如硅衬底。该器件具有在半导体衬底内形成的晶体管。该晶体管具有第一节点、第二节点和行节点。第一电容器结构耦合于该晶体管。第一电容器结构包括耦合于该晶体管第二节点的第一多晶硅层。第一电容器结构还具有覆盖在第一多晶硅层上的第一电容器绝缘层和覆盖在绝缘层上的第二多晶硅层。第二多晶硅层耦合于参考电势，例如地。该器件具有耦合于该晶体管的第二电容器结构。第二电容器结构具有耦合于参考电势的第一金属层、第二电容器绝缘层、以及耦合于该晶体管第二节点的第二金属层。像素电极包括第一金属层。该像素电极耦合于该晶体管的第二节点。镜面位于该像素电极上。该器件具有由第二金属层的一部分形成的光屏蔽层。
文档编号G02F1/1362GK101620347SQ20081004029
公开日2010年1月6日 申请日期2008年7月3日 优先权日2008年7月3日
发明者任自如, 李卫民, 李海艇, 韩轶男, 河 黄 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司