专利名称：：一种去除光阻层残留物的清洗液的制作方法
技术领域：
：本发明涉及半导体制造工艺中的一种清洗液，尤其涉及一种去除光阻层残留物的清洗液。
背景技术：
：在半导体元器件制造过程中，光阻层的涂敷、曝光和成像对元器件的图案制造来说是必要的工艺步骤。在图案化的最后(即在光阻层的涂敷、成像、离子植入和蚀刻之后)进行下一工艺步骤之前，光阻层材料的残留物需彻底除去。在掺杂步骤中离子轰击会硬化光阻层聚合物，因此使得光阻层变得不易溶解从而更难于除去。至今在半导体制造工业中一般使用两步法(干法灰化和湿蚀刻)除去这层光阻层膜。第一步利用干法灰化除去光阻层(PR)的大部分;第二步利用缓蚀剂组合物湿蚀刻/清洗工艺除去且清洗掉剩余的光阻层，其步骤一般为清洗液清洗/漂洗/去离子水漂洗。在这个过程中只能除去残留的聚合物光阻层和无机物，而不能攻击损害金属层如铝层。在半导体清洗业界，一般要求清洗液能有效去除光阻残留物，而对接触到的金属和非金属的腐蚀速率要求小于2A/min。在目前的湿法清洗工艺中，用得最多的清洗液是含有羟胺类和含氟类的清洗液，羟胺类清洗液的典型专利有US6319885、US5672577、US6030932、US6825156和US5419779等。经过不断改进，其溶液本身对金属铝的腐蚀速率已经大幅降低，但该类清洗液由于使用羟胺，而羟胺存在来源单一、易爆炸和价格昂贵的问题，因此需要降低原料成本。虽然现存的氟化物类清洗液虽然有了较大的改进，如US45,972,862、US6,828,289等，但仍然存在不能很好地同时控制金属和非金属基材的腐蚀，清洗后容易造成通道特征尺寸的改变；另一方面由于一些主流的半导体企业中湿法清洗设备是由石英制成，而含氟的清洗液对石英有腐蚀并随温度的升高而腐蚀加剧，故存在与现有石英设备不兼容的问题而影响其广泛使用。因此尽管已经揭示了一些含羟胺类和含氟类的清洗液组合物，但还是需要制备一类价格更为便宜，性能更加稳定，对金属和非金属的腐蚀速率较小的清洗组合物或体系，以适应新的清洗要求，并与石英设备兼容。
发明内容本发明的目的是为了提供一种能够去除晶圆上的光阻残留物的半导体晶圆清洗液，其对金属和非金属的腐蚀速率较小，性能稳定，且成本较低；并与石英设备兼容。本发明的清洗液含有N，N-二乙基乙醇胺、其他醇胺、水、螯合剂。本发明中，所述N，N-二乙基乙醇胺的含量为5~60wt%。本发明中，所述的其他醇胺较佳的为单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺；所述的其他醇胺的含量为10~60wt%。本发明中，所述水的含量为l45wt%。在本发明中，所述的螯合剂是指含有多个官能团的有机化合物；螯合剂含量为0.120wt%;螯合剂优选乙醇酸、丙二酸、柠檬酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、邻苯二酚、邻苯三酚、没食子酸、水杨酸和磺基水杨酸等。在本发明中，还可进一步包含腐蚀抑制剂。所述的腐蚀抑制剂可以为本领域常用的腐蚀抑制剂，优选来自无机酸、羧酸(酯)类、苯并三氮唑类、膦酸(酯)类缓蚀剂等。其中，无机酸包括硼酸、磷酸；羧酸(酯)类包括乙酸、柠檬酸、苯甲酸、对氨基苯甲酸、对氨基苯甲酸甲酯、邻苯二甲酸、5邻苯二甲酸甲酯等；苯并三氮唑类为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、5-羧基苯并三氮唑、l-羟基苯并三氮唑；膦酸(酯)类包括1,3-(羟乙基)-2,4,6-三膦酸等；腐蚀抑制剂的含量为小于等于10wt%。本发明所用试剂及原料均市售可得。本发明的清洗液由上述成分简单均匀混合即可制得。在用光阻清洗液去除晶圆上刻蚀残余物以后，直接漂洗之后干燥即可。本发明的积极效果在于提供一种不含羟胺和氟的清洗液，该清洗液不会对石英产生腐蚀作用，可与石英设备相兼容。解决了传统含羟胺类清洗液中羟胺来源单一、易爆炸和价格昂贵的问题，从而节省成本。且该清洗液能够很好的去除晶圆上的光阻残留物，同时对金属和非金属的腐蚀速率较小。具体实施例方式下面通过各实施例进一步说明本发明。实施例1~23表1示出本发明实施例1~23的配方，将每一实施例中的组分简单混匀即可得到本发明的清洗液。表1本发明的实施例123配方实N，N-二乙其他醇胺溶剂水含螯合剂腐蚀抑制剂施基乙醇胺量，賴，含量，例含量，％名称含量，％名称名称%%%15单乙醇胺6030乙醇酸5N/AN/A260二乙醇胺1028丙二酸2N/A建350三乙醇胺48.91邻苯二酚0.1N/AN/A415异丙醇胺2045邻苯二酚20N/AN/AN-(2-氨40基乙基)38.520亚氨基二乙酸0.5硼酸1乙醇胺6<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>效果实施例为了进一步体现本发明的效果，本发明选择了实施例17~23来阐明本方案的效果，对这些实施例进行腐蚀速率测试和清洗能力测试。测试内容如下1，本发明的效果实施例在不同温度下的金属铝及非金属Si02(石英)腐蚀速率测试。将传统的含有羟胺类和含氟类清洗液与本发明的效果实施例进行对比。其中传统羟胺类清洗液配方55%的乙醇胺、30%的羟胺水溶液(此溶液中羟胺与水的质量比为l:1)、7%的水、8%的邻苯二酚。某含氟清洗液60.4%二甲基乙酰胺、25%水、7.6%醋酸铵、6%醋酸、1%氟化铵。测试结果见表2。溶液的金属腐蚀速率测试方法a)利用Napson四点探针仪测试4X4cm铝空白硅片的电阻初值(RSl);b)将该4X4cm铝空白硅片浸泡在预先已经恒温到指定温度的溶液中30分钟；c)取出该4X4cm铝空白硅片，用去离子水清洗，高纯氮气吹干，再利用Napson四点探针仪测试4X4cm铝空白硅片的电阻值(Rs2);d)把上述电阻值和浸泡时间输入到合适的程序可计算出其腐蚀速率。溶液的非金属腐蚀速率测试方法8a)利用Nanospec6100测厚仪测试4X4cmSiO2硅片的厚度(T》；b)将该4X4cmSi02硅片浸泡在预先己经恒温到指定温度的溶液中30分钟；c)取出该4X4cmSi02硅片，用去离子水清洗，高纯氮气吹干，再利用Nanospec6100测厚仪测试4X4cmSi02硅片的厚度(T2);d)把上述厚度值和浸泡时间输入到合适的程序可计算出其腐蚀速率。表2对比例及效果实施例在不同温度下的金属铝及非金属Si02腐蚀速率<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>表3表明效果实施例17到23能有效地去除三种晶圆(金属线，Metal;通道，Via;金属垫，Pad)的光阻残留物，而未对金属和非金属产生明显的腐蚀，清洗效果良好。综上，本发明相较于传统清洗液的积极进步效果在于1)本发明的清洗液可有效地去除光阻残留物，其金属铝的腐蚀速率比传统羟胺类溶液的腐蚀速率低，甚至可以达到与氟类清洗液相当的水准，而且保留了其非金属腐蚀速率较低(<0.2)，随温度基本无显著变化的特点；但不含有羟胺和氟化物。2)本发明的清洗液解决了传统羟胺类清洗液中羟胺成本高、易爆炸和来源单一的问题，有利于降低成本；3)本发明的清洗液由于其非金属腐蚀速率较低(<0.2)，随温度基本无明显变化的特点；与石英设备兼容。权利要求1、一种去除光阻层残留物的清洗液，其包含N，N-二乙基乙醇胺、其他醇胺、水和螯合剂。2、如权利要求1所述清洗液，其特征在于所述N，N-二乙基乙醇胺的含量为5~60wt%。3、如权利要求1所述清洗液，其特征在于所述其他醇胺为选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺的一种或多种。4、如权利要求1所述清洗液，其特征在于所述的其他醇胺的含量为1060wt%。5、如权利要求1所述清洗液，其特征在于所述水的含量为l45wt%。6、如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述螯合剂为含有多个官能团的有机化合物。7、如权利要求6所述清洗液，其特征在于，所述螯合剂为选自乙醇酸、丙二酸、柠檬酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、邻苯二酚、邻苯三酚、没食子酸、水杨酸和磺基水杨酸的一种或多种。8、如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述螯合剂的含量为0.1~20wto/o。9、如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述清洗液还进一步包含腐蚀抑制剂。10、如权利要求9所述清洗液，其特征在于，所述腐蚀抑制剂为无机酸、羧酸(酯)类、苯并三氮唑类和膦酸(酯)类的一种或多种。11、如权利要求10所述清洗液，其特征在于，所述无机酸为硼酸和/或磷酸；所述羧酸(酯)类为选自乙酸、柠檬酸、苯甲酸、对氨基苯甲酸、对氨基苯甲酸甲酯、邻苯二甲酸和邻苯二甲酸甲酯的一种或多种；所述苯并三氮唑类为选自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、5-羧基苯并三氮唑和1-羟基苯并三氮唑的一种或多种；所述膦酸(酯)类为1，3-(羟乙基)-2,4，6-三膦酸。12、如权利要求9所述清洗液，其特征在于，所述腐蚀抑制剂的含量为小于等于10wtn/。但不包含0Wt%。全文摘要本发明公开了一种去除光阻层残留物的清洗液，其特征是含有N，N-二乙基乙醇胺、其他醇胺溶剂、水、螯合剂。该清洗液对非金属和金属的腐蚀速率较低，能够去除晶圆上的光阻残留物。因此该新型的清洗液在金属清洗和半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。文档编号G03F7/42GK101685273SQ20081020057公开日2010年3月31日申请日期2008年9月26日优先权日2008年9月26日发明者昊于,兵刘,杏彭,彭洪修申请人:安集微电子(上海)有限公司