电光装置及电子设备的制作方法

专利名称：电光装置及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及例如液晶装置等的电光装置、及具备该电光装置的例如液 晶投影机等的电子设备。
背景技术：
这种电光装置，在基板上的像素区域，形成连接于多条扫描线及数据 线的多个像素部，并且在位于像素区域的周边的周边区域，设有用于对数 据线进行驱动的数据线驱动电路、用于对扫描线进行驱动的扫描线驱动电 路、以及用于对图像信号进行采样的采样电路等的外部电路。
在此，数据线驱动电路，具有依次输出传输信号的移位寄存器，基于 该传输信号生成采样电路驱动信号。并且，采样电路，以从数据线驱动电 路所供给的采样电路驱动信号的定时，对供给于图像信号线上的图像信号 进行采样并供给于数据线。
例如在专利文献1中，公开了通过使构成外部电路的晶体管为LDD (Lightly Doped Drain,轻掺杂漏)结构，使该晶体管的源、漏间耐压提 高的技术。
专利文献1特开平6-102531号/〉才艮
可是，随着工作频率增高，移位积存器的寿命降低，存在该电光装置 的装置寿命有可能降低的技术性问题。另一方面，在这种电光装置中，为 了提高数据线驱动电路及采样电路的驱动能力， 一般要求提高构成它们的 晶体管的导通电流。

发明内容
本发明是鉴于例如上述的问题所作出的，其目的在于提供可以延长装 置寿命并进行高质量的图像显示的电光装置及具备该电光装置的电子设 备。
本发明所涉及的第1电光装置为了解决上述问题，在基板上，具备 互相交叉的多条数据线及多条扫描线；设置于对应于所述交叉处的每个像 素的多个像素部；和图像信号供给电路，包括(i)移位寄存器和(2)其 他电路，其中，移位寄存器具备分别包括具有第1源、漏区域的第l半导 体层的多个第1晶体管并依次输出传输信号，其他电路具备分别包括具有 第2源、漏区域的第2半导体层的多个第2晶体管并基于所述依次输出的 传输信号、通过所述数据线对所述像素部供给图像信号，在所述第2源、 漏区域，含有与所述第l源、漏区域以预定浓度所含有的杂质同一种类的
杂质，其浓度高于所述预定浓度。
若依照于本发明中的第1电光装置，当其动作时，通过移位寄存器，
基于预定周期的时钟信号从各级依次输出传输信号。接下来，通过构成其 他电路的一部分的例如使能电路，对于移位寄存器的各级，取使能信号、 与传输信号的逻辑与，将该逻辑与作为采样电路驱动信号供给于构成其他 电路的另外一部分的采样电路。此时，通过将使能信号的脉沖宽度设定得 比时钟信号的脉冲宽度窄，相邻供给的采样电路驱动信号，相互不会重叠 即可。接下来，在采样电路中，根据采样电路驱动信号采样从外部供给的 图像信号，并向数据线供给。接下来，根据从数据线供给的图像信号光在 各像素部对光进行调制，进行设置有像素部的显示区域中的图像显示。
在本发明中，构成图像信号供给电路的一部分的移位寄存器，具备多 个第1晶体管，该第1晶体管分别包括具有第1源、漏区域的第1半导体 层。另一方面，构成图像信号供给电路的另一部分的其他电路，具备多个 第2晶体管，该第2晶体管分别包括具有第2源、漏区域的第2半导体层。 还有，第1及第2晶体管，既可以作为自匹配型或自对准型的晶体管而构 成，也可以作为具有LDD结构的晶体管而构成。
在本发明中尤其是，在笫2晶体管中的第2源、漏区域，含有与第1
晶体管中的第l源、漏区域以预定浓度含有的杂质同一种类的杂质，其浓
度高于预定浓度。即，其他电路所具备的第2晶体管的第2源、漏区域的 杂质浓度，比移位寄存器所具备的第1晶体管的第1源、漏区域的杂质浓 度高。若换言之，移位寄存器所具备的第1晶体管的第1源、漏区域的杂 质浓度，比其他电路所具备的第2晶体管的笫2源、漏区域的杂质浓度低。
因而，能够降低移位寄存器所具备的第1晶体管中的导通电流，并能 够提高其他电路所具备的第2晶体管中的导通电流。从而，能够降低移位 寄存器所具备的第1晶体管中的消耗电流，并能够提高其他电路所具备的 第2晶体管的晶体管功能。因此，能够谋求晶体管的长寿命化，并能够提 高其他电路的驱动能力。
该结果，若依照于本发明所涉及的第1电光装置，则能够"i:某求该电光 装置的长寿命化并且进行高质量的图像显示。
在本发明所涉及的第1电光装置的一个实施方式中，所述其他电路， 包括使能电路，使用多个序列的使能信号对所述依次输出的传输信号进 行整形而作为整形信号进行输出；和采样电路，根据所述整形信号或基于 所述整形信号的信号对所述图像信号进行采样，供给于所述数据线。
若依照于该方式，使能电路及采样电路，具备多个第2晶体管。因而， 能够提高使能电路及采样电路的驱动能力。
本发明所涉及的第2电光装置为了解决上述问题，在基板上，具备 互相交叉的多条数据线及多条扫描线；设置于对应于所述交叉处的每个像 素的多个像素部；和图像信号供给电路，包括(i)移位寄存器和(ii)其 他电路，其中，移位寄存器具备分别包括具有笫1沟道区域、第1源、漏 区域、以及形成于所述第1沟道区域及所述第1源、漏区域间的第1 LDD 区域的第1半导体层的多个第1晶体管并依次输出传输信号，其他电路具 备分别包括具有第2沟道区域、第2源、漏区域、以及形成于所述第2沟 道区域及所述第2源、漏区域间的第2LDD区域的第2半导体层的多个第 2晶体管并基于所述依次输出的传输信号、通过所述数据线在对前述像素 部供给图像信号，在所述第2 LDD区域，含有与所述第1 LDD区域以预 定浓度所含的杂质同一种类的杂质，其浓度高于所述预定浓度。
若依照于本发明所涉及的第2电光装置，基本与上述的本发明中的第 1电光装置同样地，可进行设置有像素部的显示区域中的图像显示。
在本发明中，构成图像信号供给电路的一部分的移位寄存器，具备多 个第1晶体管，该第1晶体管分别包括具有第1 LDD区域的第1半导体层。 另一方面，构成图像信号供给电路的另一部分的其他电路，具备多个第2 晶体管，该第2晶体管分别包括具有第2LDD区域的第2半导体层。即， 第1及第2晶体管，作为具有LDD结构的晶体管而构成。在此，本发明 中的所谓"LDD区域"，是指通过例如离子渗入法等的杂质注入或者杂质 掺杂而对半导体层注入比源、漏区域少量的杂质的区域。
在本发明中，尤其是，在第2晶体管中的第2LDD区域，含有与第l 晶体管中的第1 LDD区域以预定浓度所含有的杂质同一种类的杂质，其浓 度高于预定浓度。即，其他电路所具备的第2晶体管的第2LDD区域的杂 质浓度，比移位寄存器所具备的第1晶体管的第1 LDD区域的杂质浓度高。 若换言之，则移位寄存器所具备的第1晶体管的第1 LDD区域的杂质浓度， 比其他电路所具备的第2晶体管的第2LDD区域的杂质浓度低。
因而，能够降低移位寄存器所具备的第1晶体管中的导通电流，并能 够提高其他电路所具备的第2晶体管中的导通电流。从而，能够降低移位 寄存器所具备的第1晶体管中的消耗电流，并能够提高其他电路所具备的 第2晶体管的晶体管功能。因此，能够谋求晶体管的长寿命化，并能够提 高其他电路的驱动能力。其结果，若依照于本发明中的第2电光装置，则 可以谋求该电光装置的长寿命化并且进行高质量的图像显示。
本发明的电子设备为了解决上述问题，具备上述的本发明所涉及的第 1或第2电光装置(但是，也包括其各种方式)。
若依照于本发明的电子设备，因为具备上述的本发明的笫1或第2电 光装置，所以能够实现可以进行高质量的图像显示的投影型显示装置、电 视机、便携电话机、电子笔记本、文字处理机、取景器型或监视器直视型 的磁带录像机、工作站、可视电话机、POS终端、触摸面板等的各种电子 设备。并且,作为本发明的电子设备，也可以实现例如电子纸等的电泳装 置，电子发射装置(Field Emission Display及Conduction Electron-Emitter
Display,场致电子发射显示器及传导电子发射显示器)，采用了这些电泳 装置、电子发射装置的显示装置。
本发明的作用及其他优点可以由接下来进行说明的用于实施的最佳方 式加以明确。


图l是表示第1实施方式所涉及的液晶装置的整体构造的俯视图。
图2是图i的n-n，线剖面图。
图3是表示第1实施方式所涉及的液晶装置的电构造的框图。 图4是表示移位寄存器的构造的电路图。
图5是表示移位寄存器所含的时钟控制倒相器的构造的电路图。 图6是表示数据线驱动电路所含的逻辑电路的构造的电路图。
图7是表示构成移位寄存器所含的N沟道型TFT与采样开关的TFT 的具体性构造的剖面图。
图8是表示作为应用了电光装置的电子设备的一例的投影机的构造的 俯视图。
符号说明
6a…数据线，7…采样电路，7a…采样开关，10…TFT阵列M， 10a… 图像显示区域，11a…扫描线，20…对向141， 50…液晶层，51…移位寄存 器，71…采样开关用TFT， 52…逻辑电路，101…数据线驱动电路，102… 外部电路连接端子，104…扫描线驱动电路，511n…移位寄存器晶体管， 540…使能电路，700…像素部
具体实施例方式
以下，关于本发明的实施方式参照附图进行^沈明。在以下的实施方式 中，以作为本发明的电光装置之一例的驱动电路内置型的TFT有源矩阵驱 动方式的液晶装置为例。
第1实施方式
关于第1实施方式所涉及的液晶装置，参照图1~图7进行说明。
首先，关于本实施方式中的液晶装置的整体构造，^^照图1及图2进 行说明。在此，图l是表示本实施方式中的液晶装置的整体构造的俯视图，
图2是图i的n-n，线剖面图。
在图l及图2中，在本实施方式所涉及的液晶装置中，相对配置有TFT 阵列J4！ 10与对向基tl 20。在TFT阵列基tl 10与对向141 20之间封入 液晶层50,将TFT阵列I4110与对向皿20，通过设置于位于图像显示 区域10a的周围的密封区域的密封件54相互粘接。
在图1中，与配置有密封件54的密封区域的内侧并行，在对向M 20侧设置有对图像显示区域10a的框缘区域进行限定的遮光性的框缘遮光 膜53。在位于配置有密封件54的密封区域的外侧的区域，沿TFT阵列基 板10的一边设置有与后述的采样电路7 —起构成本发明所涉及的"图像信 号供给电路"的一例的数据线驱动电路101及外部电路连接端子102。在 比沿该一边的密封区域靠内側的区域，设有采样电路7，其由框缘遮光膜 53覆盖。在沿相邻该一边的2条边的密封区域的内侧设有扫描线驱动电路 104，其由框缘遮光膜53覆盖。进而，为了连接如此地设置于图像显示区 域10a的两侧的二个扫描线驱动电路104之间，沿TFT阵列基板10剩余 的一边设置多条布线105，且由框缘遮光膜53覆盖。并且，在TFT阵列 MlO上，在相向对向基板20的4个角部的区域，配置用于以上下导通 材料107对两141之间进行连接的上下导通端子106。由此，能够在TFT 阵列Hl 10与对向基板20之间取得电导通。
在TFT阵列J4！ 10上，形成有用于对外部电路连接端子102、数据 线驱动电路101、扫描线驱动电路104、上下导通端子106等进行电连接的 引绕布线。
在图2中，在TFT阵列 10上，形成有配置了像素开关用TFT( Thin Film Transistor,薄膜晶体管)、扫描线、数据线等布线的叠层结构。在 图像显示区域10a中，在像素开关用TFT、扫描线、数据线等布线的上层， 矩阵状地设置有由ITO (Indium Tin Oxide,氧化铟锡)等透明材料构成 的像素电极9a。在像素电极9a上，形成有取向膜。另一方面，在对向基 板20中的与TFT阵列基板10的对向面上，形成有遮光膜23。遮光膜23，
例如由遮光性金属膜等形成，在对向^4!20上的图像显示区域10a内，图 形化为例如栅格状等。在遮光膜23上，由ITO等透明材料构成的对向电 极21与多个像素电极9a相对向而形成为整面状。在对向电极21上形成有 取向膜。液晶层50，例如由一种或混合了多种类型的向列液晶的液晶构成， 在这一对取向膜间，为预定的取向状态。
还有，虽然在此未进行图示，但是在TFT阵列基板10上，除了数据 线驱动电路101、扫描线驱动电路104之外，也可以形成有用于对制造过 程中、出厂时的该液晶装置的质量、缺陷等进行检查的检查电路、检查用 图形等。
接下来，关于本实施方式所涉及的液晶装置的电构造，参照图3 图6 进行说明。在此，图3是表示本实施方式所涉及的液晶装置的电构造的框 图。图4是表示移位寄存器的构造的电路图。图5是表示移位寄存器所含 的时钟控制倒相器的构造的电路图。图6是表示数据线驱动电路所含的逻 辑电路的构造的电路图。
在图3中，本实施方式所涉及的液晶装置，在TFT阵列基板10上， 具备扫描线驱动电路104，数据线驱动电路101及采样电路7。
通过外部电路连接端子102 (参照图1),对扫描线驱动电路104，供 给Y时钟信号CLY、反相Y时钟信号CLYinv、 Y起动脉冲DY、以及电 源VDDY及VSSY。扫描线驱动电路104，当对其输入Y起动脉冲DY时， 以基于Y时钟信号CLY ;S^相Y时钟信号CLYinv的定时，依次生成扫
描信号Gl.....Gm并进行输出。还有，电源VSSY的电位，比电源VDDY
的电位4氐。
数据线驱动电路IOI，具备移位寄存器51及逻辑电路52。还有，逻辑 电路52，为本发明所涉及的"其他电路"的一例。
在通过外部电路连接端子102 (参照图1)，对移位寄存器51供给X 时钟信号CLX、反相X时钟信号CLXinv、 X起动脉冲DX、传输方向控 制信号DIR、反相传输方向控制信号DIRinv、以及电源VDDX及VSSX。 还有，反相X时钟信号是X时钟信号CLX的反相信号，反相传输方向控 制信号DIRinv是传输方向控制信号DIR的反相信号。并且，电源VSSX
的电位，比电源VDDX的电位低。
移位寄存器51是双向移位寄存器，构成为，基于X时钟信号CLX及 反相X时钟信号CLXinv以及传输方向控制信号DIR^^相传输方向控制 信号DIRinv，使X起动脉冲DX沿从右向左的方向或者从左向右的方向依 次转移，从各级(即，从后述的图4中的第1级到第n级的各级)依次输 出传输信号Pi (i = l.....n)。
更具体地，如示于图4地，移位寄存器51的一级构成为，包括4个时 4中控制倒相器511、 512、 513及514。
时钟控制倒相器511，以当传输方向控制信号DIR为高电平时可以转 移而使传输方向固定于从左向右的方向的方式构成及连接。
时钟控制倒相器512，以当反相传输方向控制信号DIRinv为高电平时 可以转移而使传输方向固定于从右向左的方向的方式构成及连接。
还有，传输方向控制信号DIR ^^相传输方向控制信号DIRinv，通 常为高电平及低电平互逆的关系。
时钟控制倒相器513，构成及连接为若传输方向固定于从左向右的 方向，则当反相X时钟信号CLXinv为高电平时，对通过时钟控制倒相器 511转移的信号进行转移；并且若传输方向固定于从右向左的方向，则当 反相X时钟信号CLXinv为高电平时，对通过时钟控制倒相器512转移的 信号进行反馈。
时钟控制倒相器514，构成及连接为若传输方向固定于从右向左的 方向，则当X时钟信号CLX为高电平时，对通过时钟控制倒相器512转 移的信号进行转移；并且若传输方向固定于从左向右的方向，则当X时钟 信号CLX为高电平时，对通过时钟控制倒相器511转移的信号进行^Jt。
还有，X时钟信号CLX ^L^相X时钟信号CLXinv，通常为高电平及 低电平互逆的关系。
在此，参照图5 (b)进行说明，对在图5(a)简要而示的时钟控制倒 相器514的具体的电路构造。还有，关于其他的时钟控制倒相器511、 512 及513，也仅以输入时钟输入端子的X时钟信号CLX及反相X时钟信号 CLXinv，分别变成传输方向控制信号DIR及反相传输方向控制信号DIRinv 、反相传输方向控制信号DIRinv及传输方向控制信号DIR、以 及反相X时钟信号CLXinv及X时钟信号CLX，电路构成全都相同。
如示于图5(b)地，时钟控制倒相器514，在电源VSSX与电源VDDX 之间，具备X时钟信号CLX输入于其栅的N沟道型TFT;转移的信号 分别输入它们的栅且并联连接的P沟道型TFTN及沟道型TFT;和反相X 时钟信号输入于其栅的P沟道型TFT。更具体地，在X时钟信号CLX输 入于栅的N沟道型TFT的源电连接有电源VSSX，该N沟道型TFT的漏、 与转移的信号输入栅的N沟道型TFT的源电连接。进而，在反相X时钟 信号输入于栅的P沟道型TFT的源电连接有电源VDDX，该P沟道型TFT 的漏、与所转移的信号输入栅的P沟道型TFT的源电连接。此外，所转移 的信号输入栅的P沟道型TFT及N沟道型TFT的各漏互相电连接而作为 共用漏而构成。
在图3中，通过外部电路连接端子102 (参照图1)，对逻辑电路52 供给有例如4个序列的使能信号ENB1 ENB4及预充电用选择信号NRG。
逻辑电路52，具有基于使能信号ENB1 ENB4对从移位寄存器51依
次输出的传输信号Pi (i=l.....n)进行整形，并以此为^5出最终输出采
样电路驱动信号Si (i-l.....n)的功能。
更具体地，如示于图6地，逻辑电路52，具备使能电路540，预充 电用电路521 ;S^相电路523。
在图6中，使能电路540，具备对从移位寄存器51输出的传输信号 Pi的波形进行整形的逻辑电路。更具体地，使能电路540,由作为对应于 移位寄存器51的各级而设置的单位电路的"与非"电路540A而构成。
在"与非，，电路540A的栅，输入从移位寄存器51的相对应的各级输 出的传输信号Pi、与通过外部电路连接端子102供给于4条使能供给线81 的使能信号ENB1 ENB4之一。
"与非"电路540A,通过对所输入的传输信号Pi及使能信号 ENBl ENB4的逻辑与进行运算而进行传输信号Pi的整形。由此，"与非" 电路540A，生成对于传输信号Pi实施了整形的信号即整形信号Qai并进 行输出。还有，在各单位电路中，除了 "与非，，电路540A之外，也可以
设置反相电路等，其使输入"与非"电路的传输信号Pi或便能信号
ENB1 ENB4、以及从"与非"电路输出的整形信号Qai的逻辑进行反相。
通过使能电路540基于脉冲宽度更窄的使能信号ENB1 ENB4的波形 而修整传输信号Pi的波形，最终限制脉冲宽度、脉沖周期等的脉冲形状。
这样，因为使能电路540与逻辑电路一体形成、且由NAND (与非) 电路540A构成，所以基本上不增加电路元件、布线数量，就能够将使能 电路540设为简易的构造。
在图6中，预充电用电路521，具备与移位寄存器51的各级对应而设 置的单位电路521A。单位电路521A，通过使供给于预充电用信号供给线 83的预充电用选择信号NRG的逻辑进行反相的反相电路521a、与将在反 相电路521a中逻辑被反相的预充电用选择信号NRG及整形信号Qai输入 于栅的"与非"电路521b，实质上作为"或非"电路而形成。在单位电路 521A中，对整形信号Qai及预充电用选择信号NRG的逻辑与进行运算， 将整形信号Qai及预充电用选择信号NRG的任一，作为输出信号Qbi进 行输出。这样一来，所输出的输出信号Qbi,通过2个反相电路523，作 为采样电路驱动信号Si (i = l.....n)而输出。
若依照于这样的逻辑电路52的电路构造，则可以将预充电用电路521 设为简易的构造，可以不增加电路元件或布线数量地形成预充电用电路 521。
在图3中，采样电路7，为本发明所涉及的"其他电路，，的一例，具 备多个由N沟道型TFT构成的采样开关7a。还有，采样开关7a，也可以 由P沟道型TFT、或者互补型TFT构成。
通过外部电路连接端子102、及6条(N-6)图像信号线107对采样 电路7供给串行一并行展开(或者相展开)成6相(或者6序列)的图像 信号VID1 VID6，。而且，采样电路7，构成为各采样开关7a，根据从 数据线驱动电路101输出的采样电路驱动信号S1、…、Sn，对以6条数据 线6a为1组的每个数据线組，供给图像信号VID1 VID6。从而，在本实 施方式中，因为按每个数据线组对多条数据线6a进行驱动，所以可抑制驱 动频率。
还有，关于图像信号的相展开数(即，串行一并行展开的图像信号的
序列数)，并不限于6相。即，也可以构成为将串行一并行展开成9相、 12相、24相、48相、96相、…等的图像信号，通过9条、12条、24条、 48条、96条、…等的图像信号线，供给于采样电路7。
在图3中，本实施方式所涉及的液晶装置，在占据该TFT阵列M 10的中央的图像显示区域10a (参照图1)中，具备纵向横向布线的数据 线6a及扫描线lla。在对应于它们的交点的各^象素部700中，具备排列 成矩阵状的液晶元件118的像素电极9a，及用于对像素电极9a进行开关 控制的像素开关用TFT30。还有，在本实施方式中，以扫描线lla的总条 数为m条(其中，m为2以上的自然数)，以数据线6a的总条数为nx6 条(其中，n为2以上的自然数)进行说明。
在图3中，如果着眼于一个^f象素部700的构造，则在4象素开关用TFT30 的源电极，电连接有供给图像信号VIDk (其中，k=l、 2、 3、…6)的数 据线6a，另一方面，在像素开关用TFT30的栅电极，电连接有供给扫描 信号Gj(其中，j = l、 2、 3、…m)的扫描线lla,并且在^f象素开关用TFT30 的漏电极，连接液晶元件118的像素电极9a。在此，在各像素部700中， 液晶元件118,在像素电极9a与对向电极21之间夹持液晶。从而，各像 素部700，对应于扫描线lla与数据线6a的各交点，排列成矩阵状。
当本实施方式所涉及的液晶装置动作时，通过从扫描线驱动电路104 输出的扫描信号Gj (其中，j = l、 2、 3、…m)，线依次地选择各扫描线 lla。在对应于选中的扫描线lla的《象素部700中，当对^^素开关用TFT30 供给扫描信号Gj时，像素开关用TFT30变成导通状态，该像素部700成 为选择状态。通过使像素开关用TFT30仅在一定期间闭合其开关，由数据 线6a以预定的定时对液晶元件118的像素电极9a供给图像信号VIDk。 由此，对液晶元件118，施加通过像素电极9a及对向电极21的各自的电 位所限定的施加电压。由于液晶因所施加的电平使分子集合的配向、M 发生变化，对光进行调制，可以进行灰度等级显示。如果为常白模式，则 才艮据以各^^素的单位施加的电压相对于入射光的透射率减少，如果为常黑 模式，则根据以各像素的单位施加的电压相对于入射光的透射率增加，作
为整体从本实施方式所涉及的液晶装置出射具有相应于图像信号VID1 VID6的对比度的光。
在此，为了防止所保持的图像信号发生泄漏，与液晶元件118并联附加有存储电容70。存储电容70的一侧电极，与像素电极9a并联而连接于TFT30的漏，另一側电极，为了变成固定电位，连接于电位固定的电容布线400。
还有，对上下导通端子106，供给共用电位的共用电源LCC,上述的对向电极21的基准电位基于共用电源而限定。
接下来，关于包括于本实施方式所涉及的液晶装置的数据线驱动电路及采样电路的TFT的具体的构造，参照图7进行说明。在此，图7是表示 移位寄存器所含的N沟道型TFT与构成采样开关的TFT的具体的构造的剖面图。
在图7中，作为移位寄存器51所含的N沟道型TFT的移位寄存器用TFT511n，形成于设置在TFT阵列14110上的基底绝缘膜12上。作为构成采样开关7a的N沟道型TFT的采样开关用TFT71也形成在基底绝缘膜12上。
在图7中，移位寄存器用TFT511n，具备半导体层411n，栅电极 511nG,栅绝缘膜411ni,源布线511nS及漏布线511nD。
半导体层411n,具有沟道区域411nC，LDD区域411nLl及411nL2， 源区域411nS，和漏区域411nD。
源区域411nS及漏区域411nD，形成于沟道区域411nC的两侧。在源 区域411nS与沟道区域411nC之间，形成有LDD区域411nLl，在漏区域 411nD与沟道区域411nC之间，形成有LDD区域411nL2。源区域411nS、漏区域411nD、LDD区域411nLl及411nL2，是通过例如离子注入法等的杂质注入(即掺杂)而在半导体层411n中注入杂质离子而成的杂质区域，LDD区域411nLl及411nL2形成为，与源区域411nS及漏区域411nD相比杂质的浓度变低。
在本实施方式中，在作为N沟道型TFT的移位寄存器用TFT511n中的源区域411nS、漏区域411nD、LDD区域411nLl及411nL2，掺杂有例
如磷(P)离子等N型杂质离子。更具体地，在源区域411nS及漏区域411nD， 以高浓度(例如，1.3x1015 "/cm2，，程度)掺杂有例如磷(P)离子等N 型杂质离子，在LDD区域411nLl及411nL2，以低浓度(例如，2.5x1013 "/cm2，，程度)掺杂有例如磷(P)离子等N型杂质离子。
还有，移位寄存器51所含的P沟道型TFT，作为自对准型的TFT而 构成，在移位寄存器51所含的P沟道型TFT所含的半导体层的源区域及 漏区域，以预定浓度(例如，1.3x1014 "/cm2，，程度)掺杂有例如氟化 硼(BF2)、硼(B)离子等P型杂质离子。
还有，源布线511nS，通过层间绝缘膜41及42相比半导体层411n形 成于上层侧，通过贯通该层间绝缘膜41及42以及栅绝缘膜411ni而开孔 的接触孔810s电连接于源区域411nS。漏布线511nD，与源布线511nS由 同一膜形成，通过贯通层间绝缘膜41及42以及栅绝缘膜411ni而开孔的 接触孔810d电连接于漏区域411nD。相比源布线511nS及漏布线511nD 在上层侧形成有层间绝缘膜44。
在图7中，作为构成采样开关7a (参照图3)的N沟道型TFT的采 样开关用TFT71，具备半导体层74，栅电极71G，栅绝缘膜75，源布 线71S及漏布线71D。
半导体层74，具有沟道区域74C， LDD区域74L1及74L2，源区 域74S,和漏区域74D。
源区域74S及漏区域74D,形成于沟道区域74C的两侧。在源区域74S 与沟道区域74C之间形成有LDD区域74Ll，在漏区域74D与沟道区域 74C之间形成有LDD区域74L2。源区域74S、漏区域74D、LDD区域74L1 及74L2，是通过例如离子注入法等的杂质注入在半导体层74中注入杂质 离子而成的杂质区域，LDD区域74L1及74L2形成为，与源区域74S及 漏区域74D相比杂质的浓度变低。
在本实施方式中，尤其，在N沟道型TFT即移位寄存器用TFT71中 的源区域74S及漏区域74D，含有与N沟道型TFT即移位寄存器用 TFT511n中的源区域411nS及漏区域411nD所含的杂质同一种类的杂质 (即，例如磷(P)离子等的N型杂质)。进而，源区域74S及漏区域74D中的杂质的浓度，变得比源区域411nS及漏区域411nD中的杂质的浓度高。 更具体地，在源区域411nS及漏区域411nD,如上所述，例如以1.3 x 1015 "/cm2"程度掺杂有例如磷(P)离子等的N型杂质离子，与此相对，在 源区域74S及漏区域74D，例如，以2.3x1015 "/cm2，，程度掺杂有与源 区域41 lnS及漏区域41 lnD所含的杂质同 一种类的杂质。
还有，在LDD区域74L1及74L2，例如，以2.5 x 1013 " / cm2，，程 度掺杂，与源区域74S及漏区域74D所含的杂质同一种类的杂质(若换言 之，则与LDD区域411nLl及411nL2所含的杂质同一种类的杂质)所。 即，LDD区域74L1及74L2中的N型杂质的浓度，基本等于LDD区域 411nLl及411nL2中的N型杂质的浓度。
因而，能够降低移位寄存器用TFT511n中的导通电流，并且能够提高 采样开关用TFT71中的导通电流。从而，能够降低移位寄存器用TFT511n 中的消耗电流，并且能够提高采样开关用TFT71的晶体管功能。因此，能 够谋求移位寄存器51的长寿命化，并且能够提高采样开关电路7的驱动能 力。该结果，可以谋求该液晶装置的长寿命化并且进行高质量的图像显示。
还有，源布线71S，通过层间绝缘膜41及42相比半导体层74形成于 上层侧，通过贯通该层间绝缘膜41及42以及栅绝缘膜75而开孔的接触孔 8s电连接于源区域74S。漏布线71D，与源布线71S由同一膜形成，通过 贯通层间绝缘膜41及42以及栅绝缘膜75而开孔的接触孔8d电连接于漏 区域74D。相比源布线71S及漏布线71D在上层侧形成有层间绝缘膜44。
进而，在本实施方式中尤其是，上述的逻辑电路52，包括N沟道型 TFT，该N沟道型TFT与采样开关用TFT71基本同样地构成。即，在上 述的逻辑电路52所含的N沟道型TFT中的源区域及漏区域，与采样开关 用TFT71同样地，包括与移位寄存器用TFT511n中的源区域411nS及漏 区域411nD所含的杂质同一种类的杂质。另外，逻辑电路52所含的N沟 道型TFT中的源区域及漏区域中的杂质的浓度，也变得比移位寄存器用 TFT511n的源区域411nS及漏区域411nD中的杂质的浓度高。更具体地， 在逻辑电路52所含的源区域及漏区域，与源区域74S及漏区域74D同样 地，例如，以2.3 x 1015" / 112"程度掺杂有与源区域411nS及漏区域411nD
所含的杂质同 一种类的杂质。
还有，在本实施方式中，上述的逻辑电路52所含的P沟道型TFT， 作为自对准型的TFT而构成，在该P沟道型TFT所含的半导体层的源区 域及漏区域，以预定浓度(例如，1.3x1014 "/cm2"程度)掺杂有例如 氟化硼(BF2)离子等的P型杂质离子。
因而，能够降低移位寄存器用TFT511n中的导通电流，并且能够提高 逻辑电路52所含的N沟道型TFT中的导通电流。从而，能够降低移位寄 存器用TFT511n中的消耗电流，并且能够提高逻辑电路52所含的N沟道 型TFT的晶体管功能。
如上所述，若依照于本实施方式所涉及的液晶装置，则能够降低移位 寄存器51所含的N沟道型TFT中的消耗电流，并且能够分别提高采样开 关电路7及逻辑电路52所含的N沟道型TFT的晶体管功能。该结果为， 可以谋求该液晶装置的长寿命化并且进行高质量的图像显示。
还有，作为本实施方式的变形例，代替采样开关用TFT71中的源区域 74S及漏区域74D中的杂质的浓度(及逻辑电路52所含的N沟道型TFT 中的源区域及漏区域)变得比移位寄存器用TFT511n中的源区域411nS 及漏区域411nD中的杂质的浓度高或者除此之外，也可以构成为采样开 关用TFT71中的LDD区域74L1及74L2中的N型杂质的浓度(及逻辑 电路52所含的N沟道型TFT中LDD区域中的N型杂质的浓度)，变得 比移位寄存器用TFT511n中的LDD区域411nLl及411nL2中的N型杂 质的浓度高。在该情况下，也能够降低移位寄存器用TFT511n中的导通电 流，并且能够提高采样开关用TFT71(及逻辑电路52所含的N沟道型TFT ) 中的导通电流。从而，能够降低移位寄存器用TFT511n中的消耗电流，并 且能够提高采样开关用TFT71 (及逻辑电路52所含的N沟道型TFT )的 晶体管功能。
电子设备
接下来，关于将作为上述的电光装置的液晶装置应用于各种电子设备 的情况，参照图8进行说明。在以下，关于将该液晶装置用作光阀的投影 机进行说明。在此，图8是表示投影机的构造例的俯视图。
如图8所示，在投影机1100内部，设置由卣素灯等的白色光源构成的 灯单元1102。将从该灯单元1102射出的投影光，通过配置于光导1104内 的4片镜体1106及2片分色镜1108分离成RGB的3原色，并入射于作 为对应于各原色的光阀的液晶面板1110R、 1110B及1110G。
液晶面板1110R、 1110B及1110G的构造，与上述的液晶装置相同， 由从图像信号处理电路供给的R、 G、 B的原色信号分别驱动。然后，通 过这些液晶面板调制了的光，从3个方向入射于分色棱镜1112。在该分色 棱镜1112中，R光及B光折射卯度，另一方面G光则直行。从而，合成 各色的图像的结果，通过投影透镜1114，在屏幕等上投影出彩色图像。
在此，若着眼于由各液晶面板1110R、 1110B及1110G产生的显示4象， 则由液晶面板1110G产生的显示像，相对于由液晶面板1110R、 1110B产 生的显示像需要进行左右翻转。
还有，因为通过分色镜1108，对应于R、 G、 B的各原色的光入射于 液晶面板1110R、 1110B及1110G，所以不必i殳置滤色器。
还有，除了参照图8而进行了说明的电子设备之外，还可举出可移动 型的个人计算机、便携电话机、液晶电视机、取景器型、监视器直视型的 磁带录像机、汽车导航装置、呼机、电子笔记本、计算器、文字处理机、 工作站、可视电话机、POS终端、具备触摸面板的装置等。而且，不用说 该电光装置也可以应用于这些各种电子设备中。
并且本发明，除了上迷的实施方式所-沈明的液晶装置以外，也可以应 用于在硅基板上形成元件的反射型液晶装置(LCOS)、等离子体显示器 (PDP)、场致发射型显示器(FED， SED)、有机EL显示器、数字微 镜器件(DMD)、电泳装置等。
本发明，并不限于上迷的实施方式，在不违反从技术方案及专利说明 书整体所获知的发明的要旨或思想的范围内可以对本发明做出适当变更， 伴随其变更的电光装置及具备该电光装置的电子设备也包括于本发明的技 术范围内。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于，在基板上，具备:互相交叉的多条数据线及多条扫描线，设置于对应于所述交叉处的每个像素的多个像素部，和图像信号供给电路，包括(i)移位寄存器和(ii)其他电路，所述移位寄存器具备多个第1晶体管并且依次输出传输信号，所述第1晶体管分别包括具有第1源、漏区域的第1半导体层，所述其他电路具备多个第2晶体管并且基于所述依次输出的传输信号、通过所述数据线对所述像素部供给图像信号，所述第2晶体管分别包括具有第2源、漏区域的第2半导体层；在所述第2源、漏区域，含有与在所述第1源、漏区域以预定浓度所含有的杂质同一种类的杂质，其浓度高于所述预定浓度。
2. 按照权利要求l所述的电光装置，其特征在于， 所述其他电路，包括使能电路，使用多个序列的使能信号对所述依次输出的传输信号进行 整形将其作为整形信号进行输出，和采样电路，根据所述整形信号或基于所述整形信号的信号对所述图寸象 信号进行采样，供给于所述数据线。
3. —种电光装置，其特征在于， 在l^gL上，具备互相交叉的多条数据线及多条扫描线， 设置于对应于所述交叉处的每个4象素的多个像素部，和 图像信号供给电路，包括(i)移位寄存器和(ii)其他电路，所述移 位寄存器具备多个第1晶体管并且依次输出传输信号，所述第1晶体管分 别包括具有第1沟道区域、第1源、漏区域以及形成于所述第1沟道区域 及所述第1源、漏区域之间的第1 LDD区域的第1半导体层，所述其他电 路具备多个第2晶体管并且基于所述依次输出的传输信号、通过所述数据 线对所述像素部供给图像信号，所述第2晶体管分別包措具有第2沟道区 域、第2源、漏区域以及形成于所述第2沟道区域及所述第2源、漏区域 之间的第2LDD区域的第2半导体层；在所述第2 LDD区域，包含与在所述第1 LDD区域以预定浓度所包 含的杂质同一种类的杂质，其浓度高于所述预定浓度。
4. 一种电子设备，其特征在于具备如权利要求1~3中的任何一项所述的电光装置。
全文摘要
本发明涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等的电光装置中，延长装置寿命并进行高质量的图像显示。电光装置，在基板(10)上，具备数据线(6a)及扫描线(11a)，多个像素部(700)，和由(i)具备多个第1晶体管(511n)并依次输出传输信号的移位寄存器(51)、与(ii)具备多个第2晶体管(71)并基于从移位寄存器依次输出的传输信号，通过数据线在像素部供给图像信号的其他电路(7，52)构成的图像信号供给电路。进而，在第2晶体管中的第2源、漏区域(74S，74D)，包含与第1晶体管中的第1源、漏区域(411nS，411nD)以预定浓度所包括的杂质同一种类的杂质，其浓度高于该预定浓度。
文档编号G02F1/1362GK101373779SQ20081021260
公开日2009年2月25日 申请日期2008年8月21日 优先权日2007年8月23日
发明者望月宏明 申请人:精工爱普生株式会社