专利名称：Tft液晶面板的物理性质测量方法及tft液晶面板的物理性质测量装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及TFT液晶面板的物理性质(physical property)测量方 法以及TFT液晶面板的物理性质测量装置。
背景技术：
以往，就TFT (薄膜晶体管)液晶面板而言，在其电路构成方面， 很难测量该TFT液晶面板中的液晶层的各种物理性质。所以，对于液 晶层中所含的杂质离子的离子密度测量或电压保持率等各种物理性质 的测量，通常来说是在具有TFT的实际的产品(TFT液晶面板)之外， 另行制作不具有TFT的测试用液晶单元，^使用该测试用液晶单元的材 料评价来替代。
但是，利用测试用液晶单元中的各种物理性质测量得到的测量结果 当然与作为实际产品的tft液晶面板中的各种物理性质不同。另外， 还会产生在实际的产品之外另行制作测试用液晶单元的额外的成本。此 外，自不用说无法测量实际的产品的各种物理性质，同时也无法测量可 以在实际的产品中产生的次品的各种物理性质。
根据此种情况，作为用于测量TFT液晶面板的电压保持率的技术， 例如在日本特开2001-264805号>^才艮中>^开有如下所示的技术。
即，根据日本特开2001-264805号公报中所公开的技术，在TFT的 驱动时测量液晶面板的透过光强度的时间变化，使用电压-透过率特性 曲线，将上述所测量出的透过光强度换算为电压，求出上述电压伴随着 上述透过光强度的时间变化的衰减值，求出TFT液晶面板的电压保持 率。
但是，日本特开2001-264805号公报中所公开的TFT液晶面板的电 压保持率测量方法由于是使用了光学的手法的测量方法，因此其精密度当然要劣于利用电气手法的测量方法。
但是，在TFT液晶面板中，在其制造过程中，在该TFT液晶面板 的液晶注入口附近会不规则地产生在本领域技术人员中称作注入口污 染的不良区域。因此，希望有可以仅对TFT液晶面板中的期望的区域 (像素)的液晶层进行物理性质测量的技术。根据此种技术，不仅可以 发现上述注入口污染的发生区域，而且还可以发现该TFT液晶面板中 故障等涉及的区域。
但是，尚未提出过可以测量TFT液晶面板的期望的区域(像素)的 液晶层的物理性质的技术，日本特开2001-264805号公报中所公开的技 术当然也并非此种技术。
发明内容
本发明是鉴于如上所述的情况而做出的，其目的在于，提供一种 TFT液晶面板的物理性质测量方法，可以对每个期望的区域(像素)利 用电气手法精密地测量能够作为实际的产品使用的TFT液晶面板的液 晶层的各种物理性质.
本发明的TFT液晶面板的物理性质测量方法的一个方式是TFT液 晶面板的物理性质测量方法，其特征在于，
具有
阻抗设定步骤，将上述TFT液晶面板中的TFT的源极-漏极间的阻 抗值设定为规定值以下的值；
电压施加步骤，对上述TFT液晶面板的液晶层施加周期性地变化 的电压；
物理性质测量步骤，测量在利用上述电压施加步骤施加了上述周期 性地变化的电压的上述液晶层中流过的过渡电流，测量上述液晶层的物 理性质。
另外，本发明的TFT液晶面板的物理性质测量方法的一个方式是 TFT液晶面板的物理性质测量方法，其特征在于，具有
对上述TFT液晶面板的TFT的栅极电极施加规定值的电压的步
，
向上述TFT液晶面板的液晶层中写入脉冲电压的步骤；
检测出写入了上述脉冲电压的上述液晶层的电位的变化而测量上 述液晶层的电压保持率的步骤。
另外，本发明的TFT液晶面板的物理性质测量方法的一个方式是 TFT液晶面板的物理性质测量方法，其特征在于，
具有
阻抗设定步骤，将上述TFT液晶面板中的TFT的源极-漏极间的阻 抗值设定为规定值以下的值；
电压施加步骤，对上述TFT液晶面板中的液晶层以及与该液晶层 并联电连接的辅助电容，施加周期性地变化的电压；
物理性质测量步骤，测量在利用上述电压施加步骤施加了上述周期 性地变化的电压的上述液晶层中流过的过渡电流和上述辅助电容中流 过的过渡电流的合成电流，测量合成了上述液晶层的特性和上述辅助电 容的特性的物理性质。
本发明的TFT液晶面板的物理性质测量方法的一个方式是TFT液 晶面板的物理性质测量方法，其特征在于，
具有
对上述TFT液晶面板的TFT的栅极电极施加规定值的电压的步
，
向上述TFT液晶面板的液晶层及与该液晶层并联电连接的辅助电 容中写入脉冲电压的步骤；
检测出写入了上述脉冲电压的上述液晶层和上述辅助电容的合成
15后的电位的变化，测量上述液晶层和上述辅助电容的合成后的电压保持 率的步骤。
另外，本发明的TFT液晶面板的物理性质测量装置的一个方式是 TFT液晶面板的物理性质测量装置，其特征在于，
具有
三角波生成部，用于对上述TFT液晶面板的液晶层施加三角波电
压；
测量部，用于测量利用上述三角波生成部施加了三角波电压的上述 液晶层中流过的过渡电流；
栅极电位保持部，用于对上述TFT液晶面板中的TFT的栅极电极 施加规定值的电压。
另外，本发明的TFT液晶面板的物理性质测量装置的一个方式是 TFT液晶面板的物理性质测量装置，其特征在于，
具有
脉冲电压施加电路，用于向上述TFT液晶面板的液晶层中写入脉 沖电压；
电位变化检测电路，用于检测出利用上述脉沖电压施加电路施加了 脉冲电压的上述液晶层的电位的变化，测量上述液晶层的电压保持率；
栅极电位保持部，用于对上述TFT液晶面板的TFT的栅极电极施 加规定值的电压。
本发明的TFT液晶面板的物理性质测量方法的一个方式是TFT液 晶面板的液晶层的物理性质测量方法，其特征在于，
具有
设定步骤，在与上述TFT液晶面板的物理性质测量对象区域内的 TFT对应的数据线上连接电流测量部，并且将与上述物理性质测量对象区域内的TFT对应的栅极线的电位保持为规定的电位；
电压施加步骤，对上述物理性质测量对象区域内的上述液晶层施加 周期性地变化的电压；
物理性质测量步骤，测量利用上述电压施加步骤施加了上述周期性 地变化的电压的上述液晶层中流过的过渡电流，测量上述液晶层的物理 性质。
另外，本发明的TFT液晶面板的物理性质测量装置的一个方式是 TFT液晶面板的液晶层的物理性质测量装置，其特征在于，
具有
恒电压源，对上述TFT液晶面板的物理性质测量对象区域内的TFT 的栅极施加规定值的电压；
电压施加部，用于向上述物理性质测量对象区域内的上述TFT液 晶面板的液晶层中写入脉冲电压；
测量部，检测出写入了上述脉冲电压的上述液晶层的电位的变化， 测量上述液晶层的电压保持率；
反馈部，在利用上述测量装置对电压保持率的测量时，将上述物理 性质测量对象区域内的上述TFT的源极的输出向上述电压施加部反馈。
本发明的TFT液晶面板的物理性质测量装置的一个方式是TFT液 晶面板的物理性质测量装置，其特征在于，
具备
栅极电位保持部，将上述TFT液晶面板中的物理性质测量对象区 域内的TFT所对应的栅极线的电位保持为规定的电位；
三角波生成部，用于对上述TFT液晶面板的液晶层施加三角波电
压；
电流测量部，与上述物理性质测量对象区域内的TFT所对应的数
17据线连接，测量利用上述三角波生成部施加了三角波电压的上述液晶层 中流过的过渡电流。
图1A是概略地表示实现本发明的第一实施例的TFT液晶面板的物 理性质测量方法的装置构成的图。
图1B是表示图1A所示的装置的等效电路的图。
图2是表示第一实施例的TFT液晶面板的物理性质测量方法的流 程的图。
图3是表示对液晶层施加了三角波时所流过的过渡电流进行测量而 得到的绘制电流相对电压(时间)的曲线的图。
图4 (a)是表示将液晶层置换为电阻和电容的等效电路的图。图4 (b )是表示测量对液晶层施加了三角波时所流过的过渡电流而得到的 绘制电流相对电压(时间)的曲线的图。
图5是表示测量辅助电容的各种物理性质时的测量电路的构成的图。
图6A是表示用于向液晶层中写入脉冲电压的电路的图。
图6B是表示用于检测液晶层的电位变化的电路的图。
图7是表示第一实施例的液晶层的电压保持率测量方法的流程的图。
图8是表示给出向液晶层中写入脉冲电压时的脉冲电压的曲线；及 检测出液晶层的电位变化的曲线的图。
图9 (a)及(b)是表示在求算液晶层的电压保持率时图8所示的 曲线中所算出的面积的曲线。
图IO是表示图1B所示的电路的一个变形例的图。
图11是表示用于同时测量液晶层的物理性质和辅助电容的物理性质的测量电路的图。
图12是用于向液晶层及辅助电容中同时写入脉冲电压的电路的图。
图13是表示用于检测液晶层和辅助电容的合成后的电位变化的电 路的图。
图14A是表示实现第二实施例的TFT液晶面板的物理性质测量方 法的装置构成的一例的图。
图14B是表示实现第二实施例的TFT液晶面板的物理性质测量方 法的装置构成的一例的图。
图14C是表示实现第二实施例的TFT液晶面板的物理性质测量方 法的装置构成的一例的图。
图14D是表示实现第二实施例的TFT液晶面板的物理性质测量方 法的装置构成的一例的图。
图15是表示第二实施例的TFT液晶面板的物理性质测量方法的流 程的图。
图16A是表示用于向液晶层中写入脉冲电压的电路的图。 图16B是表示用于检测液晶层的电位的变化的电路的图。 图17是表示第二实施例的液晶层的电压保持率测量方法的流程的图。
具体实施例方式
下面，参照附图对用于实施本发明的最佳的方式进行说明。 [第一实施例
下面，参照附图对本发明的第一实施例进行说明。
图1A是概略地表示本第一实施例的TFT液晶面板的物理性质测量 装置构成的一个构成例的图。即，本第一实施例的TFT液晶面板的物理性质测量装置如图1A所示，由测量装置2、 TFT液晶面板4和栅极 电位保持装置6构成。
上述测量装置2具有包括I/V放大器的电流测量部2A、三角波发生 器2B。上述TFT液晶面板4具有TFT4A、液晶层4B、对置电极4C、 像素电极4D、辅助电容4E (图1A中未图示，参照图1B中所示的等效 电路)。这里，上述TFT4A中，具备栅极电极41A、源极电极42A、漏 极电极43A。
这里，上述栅极电位保持装置6具有用于将上述TFT4A中的栅极 电极41A的电位Vg保持为规定的电位的恒电压源6A。另外，上述 TFT4A中的上述源极电极42A如该图所示利用上述电流测量部2A虚 拟接地。这样，上述TFT4A中的上述源极电极42A实质上就被保持为 地电平。
但是，经由像素电极4D写入液晶层4B的规定电平的像素信号被保 持一定期间。这里，出于防止所保持的图像信号泄漏的目的，与液晶层 4B并列地设有辅助电容4E。
也就是说，利用辅助电容4E,改善液晶层4B的电荷的保持特性， 实现难以产生显示不均的显示装置。此外，根据本第一实施例，虽然详 情后述，然而可以求出上述辅助电容4E的电阻值及电容。
但是，图1A所示的装置的等效电路如图1B所示。另外，图2是表 示本第一实施例的TFT液晶面板的物理性质测量方法的流程的图。下 面，参照图1B及图2，对本第一实施例的TFT液晶面板的物理性质测 量方法进行说明。
首先，将上述TFT4A中的上述栅极电极41A的电位Vg利用恒电 压源6A保持为规定的电位(步骤Sl)。这里，上述所谓规定的电位是 能够将上述TFT4A的阻抗设成小到可以测量上述液晶层4B中流过的 电流的程度的电位。换言之，上述所谓规定的电位是能够将上述TFT 的源极电极42A-漏极电极43A间的阻抗值设成上述TFT的源极电极 42A-漏极电极43A之间可以通电的值的电位(详细的数值后述)。
也就是说，通过将上述TFT4A的上述栅极电极41A的电位Vg保
20持为上述规定的电位，就可以利用电气手法精密地测量TFT液晶面板4 的液晶层4B中的各种物理性质(详情后述)。
而且，虽然将上述栅极电极41A的电位Vg保持为上述规定的电位， 然而上述栅极电极41A的电位Vg只要是能够将上述TFT4A的阻抗值 设成上述TFT中的源极电极42A-漏极电极43A间可以通电的值的电 位，就不一定需要保持为一定的值。
也就是说，上述栅极电极41A的电位Vg只要是能够将上述TFT4A 的阻抗值设成上述TFT的源极电极42A-漏极电极43A间可以通电的值 的电位，则当然也可以设为随时间变化的电位。
但是，在上述步骤S1的处理之后，将上述三角波发生器2B所产生 的三角波施加到上述TFT液晶面板4 (步骤S2)。此后，测量上述液晶 层4B中流过的过渡电流(步骤S3 )。将由该步骤S3的过渡电流的测量 得到的绘制电流I相对电压V (时间t)的曲线表示于图3中。
下面，参照图3，给出上述绘制电流I相对电压V (时间t)的曲线 (V-I曲线)与后述的各种物理性质的关系。
首先，上述各种物理性质主要是以下的5种。
1、 液晶层4B的电阻值
2、 液晶层4B的电容
3、 液晶层4B的开关电压
4、 液晶层4B的离子密度
5、 液晶层4B的离子迁移率
此外，上述绘制电流I相对电压V (时间t)的曲线与上述各种物 理性质的关系如下所示。
首先，相对于V轴(t轴)的斜率21表示上述液晶层4B的电阻值。 另外，图3所示的近似平行四边形状的曲线的I轴方向的宽度23表示 上述液晶层4B的电容。另外，上述近似平行四边形状的曲线的I轴方向的峰值25的电压表示上述液晶层4B的开关电压。另外，近似平行四 边形状的突起部27内的面积表示上述液晶层4B的离子密度。此外，上 述液晶层4B的离子迁移率m可以根据下式算出。
<formula>formula see original document page 22</formula>
这里，d是上述液晶层4B的厚度(cm), t是上述突起部27的顶点 29处的时间(sec)， V是突起部27的顶点29处的电压值(V)。
利用以上所说明的方法，根据测量对上述液晶层4B施加了三角波 时所流过的过渡电流而得到的绘制电流I相对电压V(时间t)的曲线， 求出液晶层4B的电阻值、液晶层4B的电容、液晶层4B的开关电压、 液晶层4B的离子密度、以及液晶层4B的离子迁移率这些的液晶层4B 的各种物理性质(步骤S4)。
图4(a)是表示将上述液晶层4B用电阻R及电容C置换时的、对 上述液晶层4B (电阻R及电容C)施加三角波的电路的图。另外，图 4(b)是表示在图4(a)所示的电路中测量对上述液晶层4B施加了三
参照这些图4(a')、 (b)，来考察测量对液晶层4B施加了三角^时流过 的过渡电流而得到的绘制电流相对电压(时间)的曲线。
而且，由于图4 (a)所示的电路是将上述液晶层4B单纯地用电阻 R和电容C置换了的电路，因此图4(b)所示的曲线的波形并非如图3 所示的形状，而成为单纯的平行四边形。
首先，如果将对液晶层4B利用三角波发生器2B施加了三角波的情 况下在该电路中流过的电流设为I，将上述电阻R中流过的电流i史为IR， 将上述电容C中流过的电流设为IC，则上述电流I可以表示为
w i
," (式3)
另一方面，如果将dV/dt<0时的电流I设为电流In，则电流In可 以表示为
力 (式5)
即，根据上述(式5)可知，上述电容C的值是由上述近似平行四 边形的I轴方向的宽度23求得。另外可知，如果将上述(式2)用V 来微分，则成为
[数6
23根据相对于V轴(t轴)的斜率21来求得上述电阻R的值。
但是，根据本第一实施例，不仅可以求出如上所述的上述液晶层4B 的物理性质，而且还可以求出上述辅助电容4E中的各种物理性质。这 里所说的上述辅助电容4E中的物理性质主要是以下的2种。
1、 辅助电容4E的电阻值
2、 辅助电容4E的电容
而且，在测量上述辅助电容4E中的各种物理性质时，不是将用于 测量的电路构成设为图1B所示的构成，而是设为图5所示的构成。即， 不是将上述三角波发生器2B与上述对置电极4C连接，而是与上述辅 助电容4E连接。换言之，设为对上述辅助电容4E施加三角波的电路 构成。
而且，上述辅助电容4E由于不具有液晶层，因此可以单纯地用电 阻R及电容C置换。由此，图4 (a)所示的电路可以原样不动地作为 对上述辅助电容4E (电阻R及电容C)施加三角波的电路看待。另夕卜， 在图4 (a)所示的电路中测量对上述辅助电容4E施加了三角波时所流 过的过渡电流而得到的绘制电流相对电压(时间)的曲线成为图4(b) 所示的曲线。
这里，给出为了利用电气手法精密地测量TFT液晶面板4的液晶层 4B及辅助电容4E中的各种物理性质所需要的各种条件的一例。即，例 如在将利用上述三角波发生器2B施加的三角波的振幅设为IOV，将其 频率设为0.01Hz的情况下，为了保持上述栅极电极41A的电位Vg，上 述规定的电位就变为+10V。
而且，虽然也可以如上所述地依照步骤Sl —步骤S2 —步骤S3 —步 骤S4的顺序进行测量处理，然而并非必然一定要依照该顺序来进行测 量处理，除此以外当然也可以例如依照步骤S2 —步骤Sl —步骤S3 —步骤S4的顺序进行测量处理。
下面，对求出上述液晶层4B中的电压保持率的方法进行说明。图 6A表示用于向上述液晶层4B中写入脉冲电压的电路，图6B表示用于 检测上述液晶层4B的电位的变化的电路。图7是表示上述液晶层4B 的电压保持率测量方法的流程的图。
如图6A及图6B所示，为了能够利用上述监视器33检测出上述液 晶层4B中的电位的变化，将上述TFT4A的栅极电极41A的电位Vg 始终利用恒电压源6A保持为规定的电位(步骤S21 )。
该所谓规定的电位是能够将上述TFT4A的阻抗设成小到可以利用 上述监视器33测量加在上述液晶层4B上的电压的程度的值的电位。
在用于向上述液晶层4B中写入脉冲电压的电路中，如图6A所示由 电阻Rl、电阻R2和运算放大器OP构成的电压施加部31与具有上述 TFT4A和上述液晶层4B的TFT液晶面板4连接。也就是说，上述液 晶层4B被利用上述电压施加部31写入脉沖电压。
另外，上述电压施加部31与产生上述脉冲电压的电压源(未图示) 连接，由该电压源(未图示)供给电压信号。另外，上述电压施加部31 及上述TFT液晶面板4经由电阻R3与用于检测上述液晶层4B的电位 的变化的监视器33连接。此外，上述TFT4A的源极电极42A被接地。
在如上所述的电路构成之下，如图6A所示，将由上述电压施加部 31中的电阻R1的值和电阻R2的值的比率决定其值的脉冲电压利用上 述电压源(未图示)向上述液晶层4B施加，向上述液晶层4B中写入 脉冲电压(步骤S22)。
接下来，如图6B所示，将上述TFT4A的源极电极42A的输出向 上述运算放大器OP输入。换言之，将上述源极电极42A的输出向上述 运算放大器OP负反馈。
此时，如果考虑到上述液晶层4B具有电阻成分和电容成分，则可 以将由电阻R1、电阻R2、液晶层4B和运算放大器OP构成的部分看 作一种积分器。也就是说，根据图6B所示的电路，在液晶层4B中的电阻成分或电 容成分有变化的情况下，该变化可以表示为上述运算放大器OP的输出 电压的变化。所以，通过利用上述监视器33检测出该变化，来测量上 述液晶层4B的电压保持率(步骤S23)。下面，对该测量方法进行详细 说明。
图8是表示利用图6A所示的电路向上述液晶层4B中写入脉冲电压 时的脉冲电压的曲线(采样模式时的曲线)；及利用图6B所示的电路检 测出上述液晶层4B的电位的变化的曲线(保持模式时曲线)的图。
即，如采样模式时的曲线所示，将向上述液晶层4B中写入脉冲电 压时的脉冲电压例如以16.67ms间隔设为60jns宽的脉冲电压。此外， 通过施加此种脉冲电压，上述液晶层4B的电位首先变为VI，其后当然 会降低下去。这里，将对上述液晶层4B施加后面的脉冲电压之前的上 述液晶层4B的电位设为V2。
此时，上述液晶层4B的电压保持率可以作为由横轴(时间轴)与 上述液晶层4B中的电位变化曲线(电位Vl及电位V2)包围而形成的 梯形的面积S1(参照图9(a))、由在假定上述液晶层4B的电位从电位 VI起不降低的情况下得到的上述液晶层4B的曲线与横轴(时间轴)包 围而形成的长方形的面积S2 (参照图9(b))的比求得(参照保持模式 时的曲线)。也就是"i兌，上述液晶层4B的电压保持率可以作为Sl/S2求 出。
如上说明所示，根据本第一实施例，可以提供如下的TFT液晶面板 的物理性质测量方法，其能够利用电气手法精密地测量可以作为实际的 产品使用的TFT液晶面板的液晶层中期望的区域(像素)的各种物理 性质。
具体来说，通过执行本发明的主要特征之一、也就是将TFT4A中 的栅极电极41A的电位Vg保持为上述规定的电位的操作，而使TFT 液晶面板4的上述液晶层4B中的各种物理性质的利用电气手法的测量 首次成为可能。
而且，本发明并不限定于上述的实施例，当然可以在本发明的主旨
26的范围内进行各种变形及应用。 [变形例
例如可以将参照图1B说明过的用于实现上述第 一实施例的TFT液 晶面板的物理性质测量方法的装置构成的等效电路替换为如图10所示 的构成的电路。下面，对图1B所示的电路与图IO所示的电路的不同点 进行说明。
首先，在上述第一实施例中，将上述测量装置2中利用虚拟接地而 保持为接地电平的一侧(以后称作GND侧)与上述TFT4A中的源极 电极42A连接。
然而，在本变形例中，如图10所示将上述测量装置2中的GND侧 经由上述电流测量部2A与上述液晶层4B的对置电极4C连接。
另外，上述第一实施例中，上述测量装置2中与因利用上述三角波 发生器2B施加的电压而使电位变动的一侧(以后称作电位变动侧)连 接的是上述TFT液晶面板4中的上述液晶层4B的对置电极4C。
然而，在本变形例中，如图10所示，在上述测量装置2中的电位 变动侧，连接上述TFT4A中的上述源极电极42A。
此外，本变形例中，使用三角波发生器作为用于对上述TFT4A中 的栅极电极41A施加恒电压的恒电压源6A。
而且，本变形例中，作为恒电压源6A使用的三角波发生器按照比 施加在上述TFT4A中的上述源极电极42A上的电压高规定值的电压的 方式输出赋予偏移的三角波。由此就可以实现本发明的主要特征之一， 也就是将TFT4A中的栅极电极41A的电位Vg保持为上述规定的电位。
而且，上述的实施例及变形例并不限于TN型液晶，当然也可以应 用于采取例如利用IPS (In-Plane Switching )方式等各种方式的各种结 构的液晶面板中。
另外，在实际的测量中，只要上述的I-V曲线(参照图3及图4(b)) 不变钝地减小上述TFT4A中的源极-漏极间的阻抗即可。
27这里，对于TFT4A中的源极-漏极间的阻抗在上述的各种物理性质 的测量时是否达到充分小的值，可以在将栅极电极41A的电位Vg的值 例如从V慢慢地增大的同时(在普通的无定形TFT或n型通道的TFT 中，如果增大栅极电极41A的电位Vg的值，阻抗会降低)，进行上述 液晶层4B的离子密度等测量，根据上述的V-I曲线未钝化来确认。
此外，只要使用如此测量而得到的V-I曲线未钝化时的栅极电极41A 的电位Vg的值，进行上述的各种物理性质的测量即可.例如，上述的 实施例中，将栅极电极41A的电位Vg的值保持为IOV而进行测量。另 夕卜，如果将栅极电极41A的电位Vg的值设为0V,则V-I曲线就会钝化， 从而不适于测量。
该栅极电极41A的电位Vg的值及源极-漏极间的阻抗值由于随着液 晶面板的产品而不同，因此作为栅极电极41A的电位Vg的值来说10V 不一定是最合适的，另外，当然作为栅极电极41A的电位Vg的值来说 0V也不一定是不合适的。
而且，在上述的实施例及变形例中，在液晶层4B及辅助电容4E的 物理性质测量时，独立地测量了各自的物理性质。但是，当然也可以同 时测量液晶层4B的物理性质和辅助电容4E的物理性质。此时的测量 电路例如如图11所示。
这里，图11所示的用于同时测量液晶层4B的物理性质和辅助电容 4E的物理性质的测量电路与图1B所示的测量电路的不同点在于，在图 11所示的测量电路中，将液晶层4B和辅助电容4E相对于上述三角波 发生器2B并联连接。
通过使用该图11所示的测量电路，用与上述的实施例中说明过的测 量方法相同的测量方法来测量，就可以求出合成了液晶层4B的特性和 辅助电容4E的特性的物理性质。即，例如可以获得图3所示的表示液 晶层4B的电容的宽度23大出辅助电容4E的电容大小的值的V-I特性。 这样，根据该V-I特性，就可以如上所述地求出各种物理性质。
换言之，在图ll所示的测量电路中，通过使用上述第一实施例中说 明的测量方法，就可以测量施加了上述三角波电压的上述液晶层4B中流过的过渡电流与上述辅助电容4E中流过的过渡电流的合成电流，求 出合成了上述液晶层4B的特性和上述辅助电容4E的特性的物理性质。
另外，在图12及图13所示的电路中，通过应用上述的电压保持率 的测量方法，就可以测量出液晶层4B、与该液晶层4B并联电连接的辅 助电容4E的合成后的电压保持率。
这里，图12是表示用于向上述液晶层4B及上述辅助电容4E中同 时写入脉冲电压的电路的图。另外，图13是表示用于检测上述液晶层 4B与上述辅助电容4E的合成后的电位的变化的电路的图。
而且，图12及图13所示的电路与图6A及图6B所示的电路的不同 点在于，是否在上述液晶层4B上并联电连接有上述辅助电容4E。
[第二实施例
下面，参照附图对本发明的第二实施例进行说明。
上述第一实施例中，对于TFT液晶面板的物理性质测量方法，以其 测量原理为中心进行了说明。本第二实施例中，详细说明更为具体的测 量方法。
图14A是表示实现本第二实施例的TFT液晶面板的物理性质测量 方法的装置的一个构成例的图。图15是表示本第二实施例的TFT液晶 面板的物理性质测量方法的流程的图。
下面，参照图14A及图15，对本第二实施例的TFT液晶面板的物 理性质测量方法进行说明。而且，省略与上述第一实施例重复的说明。
如图14A所示，本第二实施例的TFT液晶面板的物理性质测量方 法是利用测量装置200实现的。也就是说，利用上述测量装置200来测 量TFT液晶面板400中的期望的区域的各种物理性质。
上述测量装置200具备包含I/V放大器的电流测量部200A1乃至 200An、三角波发生器200B、用于将后述的栅极线Gl至Gm的电位 Vg保持为规定的电位(VgH、 VgL)的栅极电位保持部260、用于切换 上述栅极线Gl至Gm的电位Vg的切换SW260A1至260Am。上述TFT液晶面板400如该图所示，具有栅极线Gl至Gm、数据 线Sl至Sn、 TFT400A11至400Amn、液晶层400B11至400Bmn、对 置电极400C11至400Cmn、像素电极400D11至400Dmn。也就是说， 在该图所示的例子中，上述TFT液晶面板400具有mxn个像素。
具体来说，如该图所示，例如在上述TFT400A11上连接有栅极线 Gl和数据线Sl，同样地在上述TFT400Amn上连接有栅极线Gm和数 据线Sn。
在本第二实施例中，使用上述的构成的测量装置200来测量上述 TFT液晶面板400的液晶层400B11至400Bmn中的期望的液晶层的物 理性质。在这里为了说明的方便，将由实施物理性质测量的液晶层构成 的区域(以后称作测量对象区域)例如i殳为由液晶层400B11、 400B12、 400B13、 400B21、 400B22、 400B23、 400B31、 400B32及400B33构成 的区域。
首先，在与测量对象区域对应的数据线S1至S3上，分别连接作为 与各条数据线对应的电流测量部的上述电流测量部200A1至200A3(步 骤Sllh另外，将上述三角波发生器200B与所有像素的共用对置电极 (图14A中为了方便而独立地记作对置电极400C11至400Cmn)连接。
此外，将上述切换SW260A1至260A3切换为ON，将与测量对象 区域对应的栅极线Gl至G3的电位Vg保持为电位VgH (步骤S12 )。 这里，上述电位VgH是能够将测量对象区域中的各个TFT (这里是 TFT400A11至400A33;以后将测量对象区域的TFT总称为TFT400A) 的阻抗设成小到可以测量液晶层400B (这里是液晶层400B11至 400B33;以后将测量对象区域的液晶层总称为液晶层400B)中流过的 电流的程度的值的电位。
而且，将测量对象区域内的TFT400A中的源极420A11至420A33 总称为源极420A，将测量对象区域内的TFT400A中的漏极430A11至 430A33总称为漏极430A。
如果使用此种简称来表现，则上述VgH就是能够将作为测量对象 区域内的TFT的上述TFT400A中的源极420A-漏极电极430A间的阻抗值设成上述TFT400A中的源极420A-漏极430A间可以通电的值的电 位(具体的数值如第一实施例中所述)。
也就是说，本第二实施方式中，将与测量对象区域对应的栅极线 保持为上述规定的电位，并且将与测量对象区域对应的数据线与电流测 量部连接。另外，将三角波发生器200B与所有的像素的共用对置电极 连接。此外，使用第一实施例中说明过的测量方法来测量各种物理性质。 由此就可以仅对测量对象区域的液晶层精密地测量各种物理性质。
而且，虽然将上述栅极电极410A的电位Vg保持为上述电位VgH， 然而上述栅极电极410A的电位Vg只要是能够将上述TFT400A的阻抗 值设成上述TFT中的源极420A-漏极430A间可以通电的值的电位即 可，不一定需要保持为一定的值。
也就是说，上述栅极电极410A的电位Vg只要是能够将上述 TFT400A的阻抗值设成上述TFT中的源极420A-漏极430A间可以通 电的值的电位，则当然也可以设为随时间变化的电位。
但是，在上述步骤S12中的处理之后，将上述三角波发生器200B 所产生的三角波信号施加在上述TFT液晶面板400的对置电极400C 上，对上述液晶层400B施加周期性地变化的电压(步骤S13)。而且， 将测量对象区域的对置电极400C11至400C33总称为对置电极400C。
在上述步骤S13中的处理之后，测量上述液晶层400B中流过的 过渡电流(步骤S14)，测量上述液晶层400B中的各种物理性质(步骤 S15)。利用上述步骤S14的过渡电流的测量得到的绘制电流I相对电压 V(时间t)的曲线、以及该曲线与各种物理性质的关系与上述第一实 施例中"^兌明的相同。
而且，与上述测量对象区域以外的区域(以后称作测量对象外区 域)对应的数据线及栅极线的电位具体来说是如下所示地设定的。
即，与上述测量对象外区域对应的 一条或多条数据线既可以将其 一部分或全部接地(保持接地电位)，当然也可以不接地(保持接地电 位)，而保持为其他的电位。也就是说，与上述测量对象外区域对应的 数据线的电位只要是保持为不妨碍上述测量对象区域的上述测量的电位，则可以保持为任一种电位。
另一方面，与上述测量对象外区域对应的一条或多条数据线既可
以将其一部分或全部保持为VgL，当然也可以保持为其他的电位。也就 是说，与上述测量对象外区域对应的栅极线(图14所示的例子中为栅 极线G4、 G5、…，Gm)的电位只要保持为如下的值即可，即，使穿 过存在于上述测量对象外区域中并且与对应于上述测量对象区域的源 极线相连的液晶层(图14中所示的例子中是液晶层400B41、 400B42、 400B43、 400B51、 400B52、 400B53、…、400Bml、 400Bm2、 400Bm3 ) 而在上述电流测量部200A1、 200A2、 200A3中流动的电流的值与穿过 上述测量对象区域而流动的电流相比成为足够小的值。
而且，对于与上述测量对象外区域对应的栅极线的电位是否是上 述足够小的值，例如只要将VgL的值一点点地设定为小的值，基于上 述测量对象区域中的测量波形(参照图3)来判断即可。
例如，在与上述测量对象外区域对应的栅极线的电位不是上述足 够小的值的情况下，来自上述测量对象外区域的电流就会反映在上述测 量对象区域的测量波形中。此时的测量电流与未受到来自上述测量对象 外区域的电流的影响的情况相比，被作为更大的值算出。所以，根据此 时的测量波形算出的液晶层的电容就作为比实际的电容更大的值被算 出。另外，此种情况下，在如图3所示的测量波形中，当然地例如会产 生畸变等。
下面，作为上述测量对象区域设想各种区域，参照图14B至图 14D，对测量TFT液晶面板400中的各种物理性质的方法进行说明。而 且，为了避免说明的重复，仅对与参照图14A说明的测量装置及测量方 法的不同点进行说明。
图14B是表示将测量对象区域设为该TFT液晶面板400全面时的 物理性质测量装置的一个构成例的图。如该图所示，测量装置200具备 包含I/V放大器的电流测量部200Al、三角波发生器200B、用于将栅极 线Gl至Gm的电位Vg保持为规定的电位(VgH、 VgL)的栅极电位 保持部260、用于切换上述栅极线Gl至Gm的电位Vg的切换 SW260A1。虽然详情后述，然而所有的栅极线(栅极线Gl至Gm)都经由 切换SW260A1与栅极电位保持部260连接。另一方面，所有的数据线 (数据线Sl至Sn )都与上述电流测量部200A1连接。此外，上述三角 波发生器200B与所有的像素的共用对置电极(图14B中为了方便独立 地记作对置电极400C11至400Cmn )连接。
下面，参照图15所示的流程，对本第二实施例的TFT液晶面板 的物理性质测量方法进行说明。
首先，在与测量对象区域对应的数据线Sl至Sn上，连接上述电 流测量部200A1 (步骤Sll )。继而，将上述三角波发生器200B与所有 的像素的共用对置电极(图14B中为了方便独立地记作对置电极400C11 至400Cmn )连接。
此后，将上述切换SW260A1切换为ON,将与测量对象区域对应 的栅极线Gl至Gm的电位Vg保持为电位VgH (步骤S12 )。这里，上 述电位VgH是能够将测量对象区域中的各个TFT (这里是TFT400A11 至400Amn;以后将测量对象区域的TFT总称为TFT400A)的阻抗设 成小到可以测量液晶层400B (这里是液晶层400B11至400Bmn;以后 将测量对象区域的液晶层总称为液晶层400B)中流过的电流的程度的 值的电位。
而且，将测量对象区域内的TFT400A中的源极420All至420Amn 总称为源极420A，将测量对象区域内的TFT400A中的漏极430A11至 430Amn总称为漏极430A。
如果使用此种简称来表述，则上述VgH就是能够将作为测量对象 区域内的TFT的上述TFT400A的源极420A-漏极电极430A间的阻抗 值设成上述TFT400A的源极420A-漏极430A间可以通电的值的电位 (具体的数值如第一实施例中所述)。
但是，在上述步骤S12的处理之后，将上述三角波发生器200B 所产生的三角波信号施加在上述TFT液晶面板400中的对置电极400C 上，对上述液晶层400B施加周期性地变化的电压(步骤S13)。而且， 将测量对象区域中的对置电极400C11至400Cmn总称为对置电极400C。
在上述步骤S13中的处理之后，测量上述液晶层400B中流过的 过渡电流(步骤S14 )，测量上述液晶层400B中的各种物理性质(步骤 S15)。利用上述步骤S14中的过渡电流的测量得到的绘制电流I相对电 压V (时间t)的曲线、以及该曲线与各种物理性质的关系如上述第一 实施例中说明的同样。
图14C是表示以将该TFT液晶面板400沿横向一分为二的一方 的分割区域(与数据线SI至Sk对应的区域，或与数据线Sk+1至Sn 对应的区域)作为测量对象区域时的物理性质测量装置的一个构成例的 图。如该图所示，测量装置200具备包含I/V放大器的电流测量部 200A1、 200A2、三角波发生器200B、用于将栅极线Gl至Gm的电位 Vg保持为规定的电位(VgH、 VgL)的栅极电位保持部260、用于切换 上述栅极线Gl至Gm的电位Vg的切换SW260A1。
虽然详情后述，然而所有的栅极线(栅极线Gl至Gm)都经由 切换SW260A1与栅极电位保持部260连接。另 一方面，数据线(数据 线SI至Sk)与上述电流测量部200A1连接，数据线(数据线Sk+1至 Sn )与上述电流测量部200A2连接。
此外，上述三角波发生器200B与所有的像素的共用对置电极(图 14B中为了方便独立地记作对置电极400C11至400Cmn)连接。
下面，参照图15所示的流程，对本第二实施例的TFT液晶面板 的物理性质测量方法进行说明。这里，将包括与数据线Sl至Sk连接的 TFT的区域作为测量对象区域。
首先，在与测量对象区域对应的数据线Sl至Sk上，连接上述电 流测量部200A1 (步骤Sll )。继而，将上述三角波发生器200B与所有 的像素的共用对置电极(图14C中为了方便独立地记作对置电极400C11 至400Cmn )连接。
此后，将上述切换SW260A1切换为ON，将与测量对象区域对应 的栅极线Gl至Gm的电位Vg保持为电位VgH (步骤S12 )。这里，上 述电位VgH是能够将测量对象区域中的各个TFT (这里将测量对象区域的TFT总称为TFT400A)的阻抗设成小到可以测量液晶层400B (这 里将测量对象区域中的液晶层总称为液晶层400B)中流过的电流的程 度的值的电位。
而且，将测量对象区域内的TFT400A中的源极总称为源极420A， 将测量对象区域内的TFT400A中的漏极总称为漏极430A。
如果使用此种简称来表述，则上述VgH就是能够将作为测量对象 区域内的TFT的上述TFT400A中的源极420A-漏极电极430A间的阻 抗值设成上述TFT400A中的源极420A-漏极430A间可以通电的值的电 位(具体的数值如第一实施例中所述)。
但是，在上述步骤S12中的处理之后，将上述三角波发生器200B 所产生的三角波信号施加在上述TFT液晶面板400中的对置电极400C 上，对上述液晶层400B施加周期性地变化的电压(步骤S13)。而且， 将测量对象区域的对置电极总称为对置电极400C。
在上述步骤S13中的处理之后，测量上述液晶层400B中流过的 过渡电流(步骤S14 )，测量上述液晶层400B中的各种物理性质(步骤 S15)。利用上述步骤S14中的过渡电流的测量得到的描绘电流I相对电 压V (时间t)的曲线、以及该曲线与各种物理性质的关系与上述第一 实施例中说明的相同。
而且，由上述电流测量部200A1的测量结果得到的各种物理性质 是与连接在数据线Sl至Sk上的TFT400A对应的液晶层400B(这里是 液晶层400B11至400Bmk)的各种物理性质。同样地，由上述电流测 量部200A2的测量结果得到的各种物理性质是与连接在数据线Sk+1至 Sn上的TFT400A对应的液晶层400B (这里是液晶层400B ( k+l)至 400Bmn)中的各种物理性质。
图14D是表示以将该TFT液晶面板400沿纵向一分为二的一方 的分割区域(与栅极线Gl至Gk对应的区域，或与栅极Gk+1至Gn 对应的区域)作为测量对象区域时的物理性质测量装置的一个构成例的 图。如该图所示，测量装置200具备包含I/V放大器的电流测量部 200Al、三角波发生器200B、用于将栅极线Gl至Gm的电位Vg保持为规定的电位(VgH、 VgL)的栅极电位保持部260、用于切换上述栅 极线Gl至Gk的电位Vg的切换SW260A1、用于切换上述栅极线Gk+1 至Gm的电位Vg的切换SW260A2。
虽然详情后述，然而栅极线Gl至Gk经由上述切换SW260A1与 栅极电位保持部260连接，栅极线Gk+1至Gm经由上述切换SW260A2 与栅极电位保持部260连接。另一方面，数据线(数据线Sl至Sn)与 上述电流测量部200A1连接。
此外，上述三角波发生器200B与所有的像素的共用对置电极(图 14B中为了方便独立地记作对置电极400C11至400Cmn )连接。
下面，参照图15所示的流程图，对本第二实施例的TFT液晶面 板的物理性质测量方法进行说明。这里，将包括与栅极线Gl至Gk连 接的TFT的区域作为测量对象区域。
首先，在数据线Sl至Sn上，连接上述电流测量部200A1 (步骤 Sll)。继而，将上述三角波发生器200B与所有的像素的共用对置电极 (图14D中为了方便独立地记作对置电极400C11至400Cmn)连接。
此后，将上述切换SW260A1切换为ON，将与测量对象区域对应 的栅极线Gl至Gk的电位Vg保持为电位VgH (步骤S12 )。这里，上 述电位VgH是能够将测量对象区域中的各个TFT (这里将测量对象区 域的TFT总称为TFT400A)的阻抗设成小到可以测量液晶层400B (这 里将测量对象区域的液晶层总称为液晶层400B)中流过的电流的程度 的值的电位。
而且，此时上述切换SW260A2切换为OFF，将栅极线Gk+1至 Gm的电位Vg保持为电位VgL。
但是，将测量对象区域内的TFT400A的源极总称为源极420A, 将测量对象区域内的TFT400A的漏极总称为漏极430A。
如果使用此种简称来表述，则上述VgH就是能够将作为测量对象 区域内的TFT的上述TFT400A的源极420A-漏极电极430A间的阻抗 值设成上述TFT400A中的源极420A-漏极430A间可以通电的值的电位(具体的数值如第一实施例中所述)。
但是，在上述步骤S12的处理之后，将上述三角波发生器200B 所产生的三角波信号施加在上述TFT液晶面板400中的对置电极400C 上，对上述液晶层400B施加周期性地变化的电压(步骤S13)。而且， 将测量对象区域中的对置电极总称为对置电极400C。
在上述步骤S13中的处理之后，测量上述液晶层400B中流过的 过渡电流(步骤S14 )，测量上述液晶层400B中的各种物理性质(步骤 S15)。利用上述步骤S14中的过渡电流的测量得到的描绘电流I相对电 压V (时间t)的曲线、以及该曲线与各种物理性质的关系如上述第一 实施例中说明过的。
而且，在按照将上述栅极线Gl至Gk的电位保持为VgH，并且 将上述栅极线Gk+1至Gm的电位保持为VgL的方式，切换上述切换 SW260A1、 260A2的情况下，由上述电流测量部200A1的测量结果得 到的各种物理性质是与上述连接在栅极线Gl至Gk上的TFT400A对应 的液晶层400B (这里是液晶层400B11至400Bkn)的各种物理性质。 同样地，在按照将上述栅极线Gk+1至Gm的电位保持为VgH，并且将 上述栅极线Gl至Gk的电位保持为VgL的方式，切换上述切换 SW260A1、 260A2的情况下，由上述电流测量部200A1的测量结果得 到的各种物理性质是与上述连接在栅极线Gk+1至Gm上的TFT400A 对应的液晶层400B (这里是液晶层400B ( k+l) 1至400Bmn )的各种 物理性质。
下面，参照图16A及图16B,对求出本第二实施例的液晶层的电 压保持率的方法进行说明。
这里，图16A表示用于向上述液晶层400B中写入脉沖电压的电 路，图16B表示用于检测液晶层400B的电位的变化的电路。图17是 表示求出上述液晶层400B中的电压保持率的方法的流程的图。
为了能够利用上述监视器330检测出上述液晶层400B的电位的 变化，如图16A及图16B所示，将上述TFT400A中的栅极电极410A 的电位Vg始终利用恒电压源60A保持为规定的电位(步骤S31 )。用于向上述液晶层400B中写入脉冲电压的电路中，如图16A所 示将由电阻Rl、电阻R2和运算放大器OP构成的电压施加部310与具 有上述TFT400A和上述液晶层400B的TFT液晶面板400连接。也就 是iJL利用上述电压施加部310，向上述液晶层400B中写入脉冲电压 (步骤S32 )。
但是，上述电压施加部310与产生上述脉冲电压的电压源(未图 示)连接。也就是说，从上述电压源(未图示)向上述电压施加部310 供给电压信号。
另外，将上述电压施加部310及上述TFT液晶面板400经由电阻 R3与用于检测上述液晶层400B中的电位的变化的监视器330连接。此 外，将上述TFT400A中的源极420A接地。
在上述的电路构成之下，如图16A所示，将由上述电压施加部310 中的电阻Rl的值和电阻R2的值的比率决定其值的脉冲电压利用上述 电压源(未图示)施加在上述液晶层400B上，向上述液晶层400B中 写入脉冲电压(步骤S32)。
接下来，切换为图16B所示的构成，将上述TFT400A的源极420A 的输出向上述运算放大器OP中输入。换言之，将上述源极电极420A 的输出向上述运算放大器OP负反馈。
而且，此时仅将与测量对象区域内的液晶层400B对应的 TFT400A的源极420A向上述运算放大器OP输入，与测量对象区域外 的液晶层对应的TFT的源极接地。
这里，如果考虑到上述液晶层400B具有电阻成分和电容成分， 则可以将由电阻R1、电阻R2、液晶层400B和运算放大器OP构成的 部分看作一种积分器。
也就是说，根据图16B所示的电路，在液晶层400B的电阻成分 或电容成分中有变化的情况下，该变化可以作为上述运算放大器OP的 输出电压的变化来表示。所以，通过利用上述监视器330检测出该变化， 使用第一实施例中说明的测量方法，就可以测量上述液晶层400B的电 压保持率(步骤S33 )。如上说明所示，才艮据本第二实施例，可以提供如下的TFT液晶面 板的物理性质测量方法，其能够利用电气手法精密地测量可以作为实际 的产品使用的TFT液晶面板的液晶层中期望的区域(像素)的各种物 理性质。
具体来说，通过执行本发明的主要特征之一、也就是将TFT4A 的栅极电极41A的电位Vg保持为上述规定的电位的操作，使TFT液 晶面板4的上述液晶层4B的各种物理性质的利用电气手法的测量首次 成为可能。
以上虽然基于第一实施例及第二实施例对本发明进行了说明，然 而本发明并不限定于上述的实施方式，当然可以在本发明的主旨的范围 内进行各种变形及应用。
例如，作为第一实施例的变形例参照图ll说明的"同时测量液晶 层的物理性质和辅助电容的物理性质的方法"当然也可以应用于第二实 施例中。
同样地，作为第一实施例的变形例参照图12及图13说明的"在 电压保持率的测量中测量液晶层和与该液晶层并联电连接的辅助电容 的合成后的电压保持率的方法"当然也可以应用于第二实施例中。
而且，关于第二实施例，上述电流测量部200A1至200An的个数 并不限于与像素的列数相同数目的n个，只要至少设置一个即可。例如， 在仅设置一个上述电流测量部的情况下，为了测量由多个列构成的测量 对象区域，只要将该电流测量部与上述数据线Sl至Sn依次连接而测量 即可。
但是，当然上述电流测量部的个数越多，则越可以缩短该测量的时间。
此外，在上述的实施方式中包含各种阶段的发明，可以利用所公 开的多个构成要件的适当的组合来提取出各种发明。例如，即使从实施 方式中所示的全部构成要件中删除几个构成要件，也可以解决在发明所 要解决的课题的部分中所述的课题，在可以获得在发明的效果的部分中 所述的效果的情况下，该删除了构成要件的构成也可以作为发明而被提 取。
权利要求
1.一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其特征在于，具有阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，将所述TFT液晶面板(4，400)中的TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)-漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4，400)中的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。
2. 根据权利要求1所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法，其 特征在于，在所述阻抗设定步骤(步骤S1、步骤Sll、步骤S12)中， 通过对所述TFT (4A, 400A)的栅极电极(41A、 410A)施加规定值 的电压，而将所述TFT(4A, 400A)中的源极(42A， 420A)-漏极(43A， 430A)间的阻抗值设定为所述TFT(4A， 400A )中的源极(42A， 420A ) -漏极(43A， 430A)间可以通电的值。
3. 根据权利要求2所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法，其 特征在于，所述液晶层(4B、 400B)中的液晶分子被电场驱动，该电 场由利用所述TFT (4A， 400A)驱动的像素电极(4D， 400D )、与该 像素电极(4D， 400D)对应地设置的共用电极(4C、 400C)形成，在所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13 )中，对所述共用电极(4C、 400C)施加三角波电压作为所述周期性地变化的电压。
4. 根据权利要求3所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法，其 特征在于，所述规定值的电压是比施加在所述TFT (4A， 400A)中的 源极电极(42A, 420A)及漏极电极(43， 430A)上的电压高的电压。
5. 根据权利要求4所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法，其 特征在于，在所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)中，还将所述 TFT (4A， 400A)的源极电极(42A， 420A)的电位保持为地电平。
6. 根据权利要求5所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法，其 特征在于，在所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)中，利用虚拟接 地将所述TFT (4A， 400A)的源极电极(42A， 420A )的电位保持为 地电平。
7. 根据权利要求1至5中任意一项所述的TFT液晶面板的物理性 质测量方法，其特征在于，所述TFT液晶面板(4， 400)的物理性质 是所述液晶层(4B、 400B)的电阻值、所述液晶层(4B、 400B)的电 容、所述液晶层(4B、 400B)的开关电压、所述液晶层(4B、 400B) 的离子密度、所述液晶层(4B、 400B)的离子迁移率中的至少任意一 方。
8. —种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4， 400)的物理性质测量方法，其特征在于，具有阻抗设定步骤(步骤S1、步骤Sll、步骤S12)，将所述TFT液晶 面板(4, 400)中的TFT(4A， 400A)的源极(42A， 420A)-漏极(43A， 430A)间的阻抗值i殳定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对与所述TFT液晶面板(4， 400)中的液晶层(4B、 400B)并联电连接的辅助电容(4E )，施加周 期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15 ),测 量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地 变化的电压的所述辅助电容(4E)中流过的过渡电流，测量所述辅助电 容(4E)的物理性质。
9. 根据权利要求8所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法，其 特征在于，在所述阻抗设定步骤(步骤S1、步骤Sll、步骤S12)中， 通过对所述TFT (4A， 400A)的栅极电极(41A、 410A)施加规定值的电压，而将所述TFT(4A, 400A)中的源极(42A， 420A)-漏极(43A， 430A)间的阻抗值设定为所述TFT ( 4A， 400A)中的源极(42A， 420A ) 國漏极(43A， 430A)间可以通电的值。
10. 根据权利要求9所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法，其 特征在于，所述周期性地变化的电压是三角波电压。
11. 根据权利要求10所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，所述规定值的电压是比施加在所述TFT (4A， 400A)中 的源极电极(42A， 420A)及漏极电极(43， 430A)上的电压高的电压。
12. 根据权利要求11所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，在所述辅助电容(4E)的物理性质测量时，将所述TFT(4A， 400A)的源极电极(42A, 420A)的电位保持为地电平。
13. 根据权利要求8至12中任意一项所述的TFT液晶面板的物理 性质测量方法，其特征在于，所述TFT液晶面板(4， 400)的物理性 质是所述辅助电容(4E)的电阻值及所述辅助电容(4E)的电容中的 至少任意一方。
14. 一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4， 400)的物理性质测量方法，其特征在于，具有对所述TFT液晶面板(4, 400)中的TFT ( 4A， 400A)的栅极电 极(41A、 410A)施加规定值的电压的步骤(步骤S21、步骤S31);向所述TFT液晶面板(4， 400)中的液晶层(4B， 400B)中写入 脉冲电压的步骤(步骤S22、步骤S32);检测出写入了所述脉冲电压的所述液晶层(4B， 400B)的电位的变 化而测量所述液晶层(4B， 400B)中的电压保持率的步骤(步骤S23、 步骤S33 )。
15. 根据权利要求14所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，所述规定值的电压是将所述TFT (4A， 400A)中的源极-漏极间的阻抗值设定为所述TFT中的源极(42A， 420A)-漏极(43A，430A)间可以通电的值的电压。
16. —种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4, 400)的物理性质测量方法，其特征在于，具有阻抗设定步骤(步骤S1、步骤Sll、步骤S12)，将所述TFT液晶 面板U， 400)中的TFT(4A， 400A)的源极(42A， 420A)-漏极(43， 430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4， 400)中的液晶层(4B， 400B)以及与该液晶层(4B, 400B )并联电连 接的辅助电容(4E),施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15 )，测 量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地 变化的电压的所述液晶层(4B, 400B)中流过的过渡电流和所述辅助 电容(4E )中流过的过渡电流的合成电流，测量合成了所述液晶层(4B， 400B)的特性和所述辅助电容(4E)的特性的物理性质。
17. 根据权利要求16所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，在所述阻抗设定步骤(步骤S1、步骤Sll、步骤S12)中， 通过对所述TFT (4A， 400A)的栅极电极(41A、 410A)施加规定值 的电压，而将所述TFT(4A， 400A)中的源极(42A， 420A)-漏极(43A， 430A)间的阻抗值设定为所述TFT ( 4A， 400A)中的源极(42A, 420A) -漏极(43人，430A)间可以通电的值。
18. 根据权利要求17所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，所述液晶层(4B、 400B)中的液晶分子被电场驱动，该 电场由利用所述TFT (4A， 400A)驱动的像素电极(4D， 400D )、与 该像素电极(4D， 400D)对应地设置的共用电极(4C、 400C)形成，在所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13 )中，对所述共用电极(4C、 400C)施加三角波电压作为所述周期性地变化的电压。
19. 根据权利要求18所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，所述规定值的电压是比施加在所述TFT (4A， 400A)中的源极电极(42A, 420A)及漏极电极(43， 430A)上的电压高的电压。
20. 根据权利要求19所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，在所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)中，还将所述 TFT (4A， 400A)的源极电极(42A， 420A)的电位保持为地电平。
21. 根据权利要求20所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，在所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)中，利用虚拟 接地将所述TFT (4A， 400A)的源极电极(42A， 420A)的电位保持 为地电平。
22. 根据权利要求16至20中任意一项所述的TFT液晶面板的物理 性质测量方法，其特征在于，所述TFT液晶面板(4, 400)的物理性 质是所述液晶层(4B， 400B)与所述辅助电容(4E)的合成电阻值、 所述液晶层(4B, 400B)与所述辅助电容(4E)的合成电容、所述液 晶层(4B， 400B)的开关电压、所述液晶层(4B， 400B)的离子密度、 所述液晶层(4B， 400B)的离子迁移率中的至少任意一方。
23. —种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4， 400)的物理性质测量方法，其特征在于，具有对所述TFT液晶面板(4， 400)中的TFT(4A， 400A)的栅极电 极(41A、 410A)施加规定值的电压的步骤(步骤S21、步骤S31);向所述TFT液晶面板(4， 400)中的液晶层(4B， 400B)及与该 液晶层(4B, 400B)并联电连接的辅助电容(4E)中写入脉沖电压的 步骤(步骤S22、步骤S32);检测出写入了所述脉冲电压的所述液晶层(4B， 400B)和所述辅助 电容(4E)的合成后的电位的变化，测量所述液晶层(4B， 400B)和 所述辅助电容(4E )的合成后的电压保持率的步骤(步骤S23、步骤S33 )。
24. —种TFT液晶面板的物理性质测量装置，是TFT液晶面板(4, 400)的物理性质测量装置，其特征在于，具有三角波生成部(2B， 200B),用于对所述TFT液晶面板(4， 400) 中的液晶层(4B、 400B)施加三角波电压；测量部(2， 200),用于测量在利用所述三角波生成部(2B， 200B) 施加了三角波电压的所述液晶层(4B、 400B)中流过的过渡电流；栅极电位保持部(6A， 60A, 260),用于对所述TFT液晶面板(4， 400)中的TFT (4A， 400A)的栅极电极(41A， 410A)施加规定值的 电压。
25. 根据权利要求24所述的TFT液晶面板的物理性质测量装置， 其特征在于，所述规定值的电压是将所述TFT (4A， 400A)中的源极(42A， 420A)-漏极(43A, 430A)间的阻抗值设定为所述TFT ( 4A， 400A)中的源极(42A， 420A)-漏极(43A, 430A)间可以通电的值 的电压。
26. 根据权利要求24所述的TFT液晶面板的物理性质测量装置， 其特征在于，所述规定值的电压是所述三角波电压的最大值。
27. 根据权利要求24至26中任意一项所述的TFT液晶面板的物理 性质测量装置，其特征在于，在所述液晶层(4B、 400B)的物理性质 测量时，将所述TFT (4A, 400A)的源极电极(42A， 420A)的电位 保持为地电平。
28. 根据权利要求27所述的TFT液晶面板的物理性质测量装置， 其特征在于，利用虚拟接地将所述TFT(4A， 400A)的源极电极(42A， 420A)的电位保持为地电平。
29. 根据权利要求28所述的TFT液晶面板的物理性质测量装置， 其特征在于，所述TFT液晶面板(4， 400)的物理性质是所述液晶层(4B、 400B)的电阻值、所述液晶层(4B、 400B)的电容、所述液晶 层(4B、 400B)的开关电压、所述液晶层(4B、 400B)的离子密度、 所述液晶层(4B、 400B)的离子迁移率、所述辅助电容(4E)的电阻 值、及所述辅助电容(4E)的电容中的至少任意一方。
30. —种TFT液晶面板的物理性质测量装置，是TFT液晶面板(4, 400)的物理性质测量装置，其特征在于，具有脉冲电压施加电路(31， 310)，用于向所述TFT液晶面板(4, 400) 中的液晶层(4B、 400B)中写入脉冲电压；电位变化检测电路(31， 310)，用于检测出利用所述脉冲电压施加 电路(31， 310)施加了脉冲电压的所述液晶层(4B、 400B)的电位的 变化，测量所述液晶层(4B、 400B)的电压保持率；栅极电位保持部(6A， 60A， 260)，用于对所述TFT液晶面板(4， 400)中的TFT (4A， 400A )的栅极电极(41A, 410A)施加规定值的 电压。
31. 根据权利要求30所述的TFT液晶面板的物理性质测量装置， 其特征在于，所述规定值的电压是将所述TFT (4A， 400A)中的源极(42A， 420A)-漏极(43A, 430A)间的阻抗值设定为所述TFT (4A， 400A)中的源极(42A, 420A)-漏极(43A, 430A )间可以通电的值 的电压。
32. —种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板 (400)的液晶层(400B)的物理性质测量方法，其特征在于，具有设定步骤(步骤Sll、步骤S12)，在与所述TFT液晶面板(400) 的物理性质测量对象区域内的TFT (400A)对应的数据线(S)上连接 电流测量部(200A)，并且将与所述物理性质测量对象区域内的TFT (400A)对应的栅极线(G)的电位保持为规定的电位；电压施加步骤(步骤S13 )，对所述物理性质测量对象区域内的所述 液晶层(400B)施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施 加步骤(步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层 (400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(400B)的物理性质。
33. 根据权利要求32所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，所述规定的电位是通过对所述物理性质测量对象区域内的所述TFT (400A)的栅极电极(410A)施加规定值的电压，而将所述 TFT (400A)中的源极(420A)-漏极(430A)间的阻抗值设定为所述 TFT (400A)中的源极(420A)-漏极(430A)间可以通电的值的电位。
34. 根据权利要求33所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，所述液晶层(400B)的液晶分子被电场驱动，该电场由利 用所述TFT (400A)驱动的4象素电极(400D)、与该4象素电极(400D ) 对应地设置的共用电极(400C)形成，在所述电压施加步骤(步骤S13 )中，对所述共用电极(400C )施 加三角波电压作为所述周期性地变化的电压。
35. 根据权利要求34所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，所述规定值的电压是比施加在所述TFT (400A)中的源 极(420A)及漏极(430A)上的电压高的电压。
36. 根据权利要求35所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，在所述电压施加步骤(步骤S13 )中，还将所述TFT( 400A ) 的源极(420A)的电位保持为地电平。
37. 根据权利要求36所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，在所述电压施加步骤(步骤S13)中，利用虚拟接地将所 述TFT (400A)的源极(420A)的电位保持为地电平。
38. 根据权利要求32至37中任意一项所述的TFT液晶面板的物理 性质测量方法，其特征在于，所述TFT液晶面板(400)的物理性质是 所述液晶层(400B)的电阻值、所述液晶层(400B)的电容、所述液 晶层(400B)的开关电压、所述液晶层(400B)的离子密度、所述液 晶层(400B)的离子迁移率中的至少任意一方。
39. —种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板 (400)的物理性质测量方法，其特征在于，具有设定步骤(步骤Sll、步骤S12),在与所述TFT液晶面板(400) 的物理性质测量对象区域内的TFT (400A)对应的数据线(S)上连接 电流测量部(200A)，并且将与所述物理性质测量对象区域内的TFT(400A)对应的栅极线(G)的电位保持为规定的电位；电压施加步骤(步骤S13 )，对与所述物理性质测量对象区域内的液 晶层(400B)并联电连接的辅助电容(4E),施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施 加步骤(步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述辅助电容 (4E)中流过的过渡电流，测量所述辅助电容(4E)的物理性质。
40. 根据权利要求39所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，在所述阻抗设定步骤(步骤Sll、步骤S12)中，通过对 所述TFT (400A)的栅极电极(410A)施加规定值的电压，而将所述 TFT (400A)中的源极(420A)-漏极(430A)间的阻抗值设定为所述 TFT (400A)中的源极(420A)-漏极(430A)间可以通电的值。
41. 根据权利要求40所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，所述周期性地变化的电压是三角波电压。
42. 根据权利要求41所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，所述规定值的电压是比施加在所述TFT (400A)中的源 极电极(420A)及漏极电极(430A)上的电压高的电压。
43. 根据权利要求42所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法， 其特征在于，在所述辅助电容(4E)的物理性质测量时，将所述TFT(400A)的源极电极(420A)的电位保持为地电平。
44. 根据权利要求39至43中任意一项所述的TFT液晶面板的物理 性质测量方法，其特征在于，所述TFT液晶面板(400)的物理性质是 所述辅助电容(4E)的电阻值及所述辅助电容(4E)的电容中的至少 任意一方。
45. —种TFT液晶面板的物理性质测量装置，是TFT液晶面板 (400)的液晶层(400B)的物理性质测量装置，其特征在于，具有恒电压源(60A)，对所述TFT液晶面板(400)的物理性质测量对 象区域内的TFT (400A)的栅极(410A)施加规定值的电压；电压施加部(R1， R2, OP)，用于向所述物理性质测量对象区域内 的所述TFT液晶面板(400)的液晶层(400B)中写入脉沖电压；测量部(OP， 330 ),检测出写入了所述脉冲电压的所述液晶层 (400B)的电位的变化，测量所述液晶层(400B)的电压保持率；反馈部，在利用所述测量装置进行电压保持率的测量时，将所述物 理性质测量对象区域内的所述TFT (400A)的源极(420A)的输出向 所述电压施加部(OP)反馈。
46. 根据权利要求45所述的TFT液晶面板的物理性质测量装置， 其特征在于，所述规定值的电压是将所述TFT (400A)中的源极-漏极 间的阻抗值设定为所述TFT中的源极(420A)-漏极(430A)间可以通 电的值的电压。
47. —种TFT液晶面板的物理性质测量装置，是TFT液晶面板 (400)的物理性质测量装置，其特征在于，具备栅极电位保持部(260)，将与所述TFT液晶面板(400)中的物理 性质测量对象区域内的TFT (400A)对应的栅极线(G)的电位保持为 规定的电位；三角波生成部(200B)，用于对所述TFT液晶面板(400)中的液 晶层(400B)施加三角波电压；电流测量部(200A)，与所述物理性质测量对象区域内的TFT (400A)所对应的数据线(S)连接，测量在利用所述三角波生成部 (200B)施加了三角波电压的所述液晶层(400B)中流过的过渡电流。
48. 根据权利要求47所述的TFT液晶面板的物理性质测量装置， 其特征在于，所述规定值的电压是将所述TFT( 400A )中的源极(420A) -漏极(430A)间的阻抗值设定为所述TFT (400A)中的源极(420A ) -漏极(430A)间可以通电的值的电压。
49. 根据权利要求47所述的TFT液晶面板的物理性质测量装置， 其特征在于，所述规定值的电压是所述三角波电压的最大值。
50. 根据权利要求47至49中任意一项所述的TFT液晶面板的物理 性质测量装置，其特征在于，在所述液晶层(400B)的物理性质测量时， 将所述物理性质测量区域内的TFT (400A)的源极电极(420A)的电 位保持为地电平。
51. 根据权利要求50所述的TFT液晶面板的物理性质测量装置， 其特征在于，利用虚拟接地将所述TFT (400A)的源极电极(420A) 的电位保持为地电平。
52. 根据权利要求51所述的TFT液晶面板的物理性质测量装置， 其特征在于，所述TFT液晶面板(4， 400)的物理性质是所述液晶层(4B、 400B)的电阻值、所述液晶层(4B、 400B)的电容、所述液晶 层(4B、 400B)的开关电压、所述液晶层(4B、 400B)的离子密度、 所述液晶层(4B、 400B)的离子迁移率、所述辅助电容(4E)的电阻 值、及所述辅助电容(4E)的电容中的至少任意一方。
全文摘要
本发明提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其具有阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，将所述TFT液晶面板(4，400)的TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)-漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4，400)的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。
文档编号G02F1/13GK101589338SQ20088000308
公开日2009年11月25日 申请日期2008年1月16日 优先权日2007年1月25日
发明者久米康仁, 井上胜, 佐佐木邦彦, 栗原直 申请人:东阳特克尼卡株式会社;夏普株式会社