专利名称：发光装置、曝光装置、图像形成装置以及发光控制方法
技术领域：
本发明涉及一种包括多个发光元件的发光装置、曝光装置、图 像形成装置以及发光控制方法。
背景技术：
近年来，在诸如打印机或复印机等电子照相式图像形成装置中 采用下述这种对诸如感光鼓等图像载体的外表面进行曝光的曝光装
置。该曝光装置包括有诸如发光二极管(LED)等发光元件排成一 行(或列)的发光元件阵列。另外，由于现在越来越多的图像形成 装置具有颜色再现能力，因此能够利用多个图像形成部分输出多色 图像的图像形成装置得到实际应用。在这种图像形成装置中，分别 包括曝光装置的多个图像形成部分并排布置。
在专利公报中披露了多种用于控制沿快速扫描方向的图像偏移 的传统技术。例如，其中一种传统技术使用分别包括具有多个LED 的LED阵列的图像形成部分，并且通过将LED的位置设定为发光目 标来控制图像偏移(见日本专利申请公开No.11-105344)。
同时，在专利公报所披露的另一种传统技术中，如下在图像形 成装置中控制沿快速扫描方向的图像偏移，其中该图像形成装置包 括分别包括有多个发光元件的多个记录头并且通过根据图像信息选 择性地使其中一些发光元件发光而形成图像(见日本专利申请公开 No.10-24619)。具体而言，通过在除了图像形成过程之外的时刻使 发光元件发光以便将记录头均匀加温至一定温度，从而在该图像形 成装置中控制图像偏移。
这里，当使用包括按列阵排列的多个发光元件的曝光装置时， 可通过对原始图像数据进行操作以改变待用于发光的LED，从而将 所得到的图像沿快速扫描方向的图像偏移控制在图像数据的一个像
6素之内。在此之前，如此小的图像偏移无关紧要。然而，随着近年 来图像形成装置的图像质量的提高，期望要求图像形成装置沿快速 扫描方向的定位精度比上述一个像素大小更精细。
本发明的目的是实现沿快速扫描方向的更精确的定位。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供一种发光装置，包括发光元件 阵列，其具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多个发光元
件；供给单元，其供给对应于第二分辨率的发光信号，所述第二分 辨率为所述第一分辨率的1/m，其中m为不小于2的整数；设定单 元，其将所述多个发光元件划分成分别包括所述发光元件阵列中连
续m个发光元件的多组，并且利用从所述供给单元供给的所述发光 信号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光元件是 否以单个组为单位发光；以及校正单元，其以单个发光元件为单位
校正由所述设定单元进行的对所述发光元件阵列中的多个发光元件 的划分。
根据本发明的第二方面，在所述发光装置的第一方面中，所述
校正单元通过使所述连续m个发光元件沿所述多个发光元件的任一 排列方向分别偏移n个发光元件来校正作为参考的对所述多个发光 元件的划分，其中n为不小于l的整数。
根据本发明的第三方面，在所述发光装置的第一方面或第二方 面中，所述校正单元通过从m起增加或减少构成所述多组中之一的 发光元件的数量来校正作为参考的对所述多个发光元件的划分。
根据本发明的第四方面，提供一种曝光装置，包括发光元件 芯片，其包括基板和发光元件阵列，所述发光元件阵列具有在所述 基板上沿快速扫描方向排列成一行的多个发光元件并且具有第一发 光元件组、第二发光元件组以及第三发光元件组，所述第一发光元 件组包括在所述快速扫描方向的中央部分排列的发光元件，所述第 二发光元件组包括从所述第一发光元件组沿所述快速扫描方向的一 端侧排列的发光元件，并且所述第三发光元件组包括从所述第一发光元件组沿所述快速扫描方向的另一端侧排列的发光元件；安装部 件，多个所述发光元件芯片以锯齿状安装到所述安装部件上以在每 两个相邻发光元件芯片之间的边界区域形成重叠部分，所述重叠部 分包括沿所述快速扫描方向彼此重叠的两个相邻发光元件芯片中之 一中的所述第二发光元件组和所述两个相邻发光元件芯片中另一个 中的所述第三发光元件组；供给部分，其向所述多个发光元件芯片 的每一个供给发光信号，所述发光信号将沿所述快速扫描方向连续 并且数目比构成所述发光元件阵列的所述多个发光元件少的发光元 件设定为发光对象；校正部分，其校正所述多个发光元件芯片的每 一个中被设定为所述发光对象的所述发光元件的位置和数量中至少 任何一个；以及光学部件，其将由所述多个发光元件芯片发射的光 聚焦到图像载体上。
根据本发明的第五方面，在所述曝光装置的第四方面中，所述 供给部分向所述多个发光元件芯片的每一个供给所述发光信号，以 使得被设定为所述发光对象的发光元件在每个所述重叠部分中沿所 述快速扫描方向是连续的。
根据本发明的第六方面，在所述曝光装置的第四方面中，如果 所述重叠部分中被设定为所述发光对象的两个发光元件沿所述快速 扫描方向彼此重叠，那么所述供给部分减小所述两个发光元件的每 一个的发光强度。
根据本发明的第七方面，在所述曝光装置的第四方面中，如果 所述重叠部分中被设定为所述发光对象的两个发光元件沿所述快速 扫描方向不连续，那么所述供给部分增大所述两个发光元件的每一 个的发光强度。
在根据本发明的第八方面中，提供一种图像形成装置，其包括 多个图像形成部分，每个图像形成部分包括图像载体；充电装置， 其对所述图像载体充电，曝光装置，其对由所述充电装置充电的所 述图像载体进行曝光，以在所述图像载体上形成静电潜像，所述曝 光装置包括发光元件阵列、供给单元、设定单元以及校正单元，所 述发光元件阵列具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多个发光元件，所述供给单元供给对应于第二分辨率的发光信号，所述
第二分辨率为所述第一分辨率的l/m，其中m为不小于2的整数， 所述设定单元将所述多个发光元件划分成分别包括所述发光元件阵 列中连续m个发光元件的多组，并且利用从所述供给单元供给的所 述发光信号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光 元件是否以单个组为单位发光，并且所述校正单元以单个发光元件 为单位校正由所述设定单元进行的对所述发光元件阵列中的多个发 光元件的划分；显影装置，其将形成在所述图像载体上的所述静电 潜像显影以在所述图像载体上形成图像；以及转印装置，其将形成 在所述图像载体上的所述图像转印到记录介质上。
根据本发明的第九方面，提供一种发光装置的发光控制方法， 所述发光装置包括具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多 个发光元件的发光元件阵列，所述发光控制方法包括供给对应于 第二分辨率的发光信号，所述第二分辨率为所述第一分辨率的1/m， 其中m为不小于2的整数；将所述多个发光元件划分成分别包括所 述发光元件阵列中连续m个发光元件的多组，并且利用所述发光信 号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光元件是否 以单个组为单位发光；以及以单个发光元件为单位校正对所述发光 元件阵列中的多个发光元件的划分。
根据本发明的第一方面，与没有采用根据本方面的构造的情况 相比，可以实现沿所述快速扫描方向更精确的定位。
根据本发明的第二方面，可以校正发光元件阵列的发光位置在 所述快速扫描方向上的位置偏移。
根据本发明的第三方面，可以校正发光元件阵列的发光位置在 所述快速扫描方向上的倍率偏差。
根据本发明的第四方面，与没有采用根据本方面的构造的情况 相比，可以实现沿所述快速扫描方向更精确的定位。
根据本发明的第五方面，与没有采用根据本方面的构造的情况 相比，可以减少在通过曝光而得到的图像上形成的沿慢速扫描方向 的黑色条纹和白色条纹。
9根据本发明的第六方面，与没有采用根据本方面的构造的情况 相比，可以减少在通过曝光而得到的图像上形成的沿慢速扫描方向 的黑色条纹或白色条纹。
根据本发明的第七方面，与没有采用根据本方面的构造的情况 相比，可以减少在通过曝光而得到的图像上形成的沿慢速扫描方向 的黑色条纹和白色条纹。
根据本发明的第八方面，与没有采用根据本方面的构造的情况 相比，所述图像形成部分可以沿所述快速扫描方向更精确地对准。
根据本发明的第九方面，与没有采用根据本方面的构造的情况 相比，可以实现沿所述快速扫描方向更精确的定位。
将基于以下附图详细地说明本发明的示例性实施例，其中
图1示出了应用第一示例性实施例的图像形成装置的整体构造
实例；
图2为LPH的结构的截面图3A为各LPH的电路板和发光单元的顶视图，而图3B为LPH
的棒状透镜阵列和保持器的顶视图4为在发光单元中三个发光芯片连接的区域的放大视图5示出了安装在电路板上的信号生成电路的构造和电路板的
配线构造；
图6为示出各发光芯片的电路构造的示意图7示出了发光信号生成单元的构造实例；
图8示出了 LPH分别安装在图像形成装置的框架上的实例；
图9A、 9C、 9E以及9G为示出存储在位置校正数据存储器中的
发光芯片名称与位置校正数据组之间关系的表，而图9B、 9D、 9F
以及9H为示出存储在倍率校正数据存储器中的发光芯片名称与倍
率校正数据组之间关系的表；
图IOA至IOC为分别示出位置校正数据组与各发光芯片中发光
点变化之间关系的示意图；图IIA至IIC为分别示出倍率校正数据组与各发光芯片中发光 点变化之间关系的示意图12为示出在第一示例性实施例中各发光芯片如何操作的时
序图13A至13D示出了 LPH中发光芯片的发光点；
图14A、 14C、 14E以及14G为示出在设置在各LPH中的位置
校正数据存储器中所存储的发光芯片名称与位置校正数据组之间关 系的表，而图14B、 14D、 14F以及14H为示出在设置在各LPH中 的倍率校正数据存储器中所存储的发光芯片名称与倍率校正数据组 之间关系的表；
图15A至15E为分别示出倍率校正数据组与由倍率校正引起的 各发光芯片中发光点的光强之间关系的示意图16A至16D示出了 LPH中发光芯片的发光点；
图17A至17C为分别示出所示的位置校正数据组与各发光芯片 中发光点变化之间关系的示意图18A至18C为分别示出倍率校正数据组与各发光芯片中发光 点变化之间关系的示意图；以及
图19为示出在第三示例性实施例中各发光芯片如何操作的时 序图。
具体实施例方式
在下文中，将参考附图详细地说明本发明的示例性实施例。
<第一示例性实施例>
图1示出了应用第一示例性实施例的图像形成装置1的整体构 造实例。图像形成装置1为串联型图像形成装置，并且包括图像形 成处理单元10和控制器20。图像形成处理单元10形成分别对应于 不同颜色的图像数据组的图像。与诸如个人计算机(PC) 2、或图像 读取装置3或FAX (传真机)调制解调器4等装置连接的控制器20 对从上述装置接收到的图像数据进行图像处理，并且控制整个图像形成装置1的操作。
图像形成处理单元10包括作为多个图像形成部分实例的四个
图像形成单元11 (具体为11Y、 11M、 11C以及11K)。每个图像 形成单元11包括感光鼓12、充电装置13、 LED打印头(LPH) 14 以及显影装置15。感光鼓12为图像载体的实例。作为充电装置实例 的充电装置13对感光鼓12进行充电。作为曝光装置实例的LPH 14 根据从控制器20发送的图像数据对已充电的感光鼓12进行曝光。 作为显影装置实例的显影装置15利用调色剂对形成在感光鼓12上 的静电潜像进行显影。另外，图像形成处理单元IO还包括传送带16、 驱动辊17、转印辊18以及定影装置19。传送带16用于传送纸张， 通过多重转印将分别在图像形成单元11的各感光鼓12上形成的各 颜色调色剂图像转印到纸张上。驱动辊17驱动传送带16。作为转印 装置实例的各转印辊18将形成在对应感光鼓12上的调色剂图像转 印到纸张上。定影装置19进行加热加压从而将已转印但未定影的调 色剂图像定影在纸张上。
图2为LPH 14的结构的截面图。LPH 14包括发光单元63、电 路板62、棒状透镜阵列64以及保持器65。发光单元63包括多个LED。 发光单元63、驱动发光单元63的信号生成电路100 (见后面将说明 的图5)等安装在电路板62上。作为光学部件实例的棒状透镜阵列 64将由发光单元63发射的光聚焦到感光鼓12的外表面上。保持器 65支撑电路板62和棒状透镜阵列64，并且从外部遮蔽发光单元63。
图3A为各LPH 14的电路板62和发光单元63的顶视图，而图 3B为LPH 14的棒状透镜阵列64和保持器65的顶视图。如图3A所 示，发光单元63包括在电路板62上沿慢速扫描方向按两行呈锯齿 状排列的60个发光芯片C (Cl至C60)。这里，60个发光芯片C 为多个发光元件芯片的实例，而电路板62为安装部件的实例。
同时，如图3B所示，棒状透镜阵列64包括沿慢速扫描方向按 两行以交错布置方式排列且由保持器65保持的多个棒状透镜64a。 例如，每个棒状透镜64a可以为具有圆柱形状的梯度折射率透镜， 该梯度折射率透镜沿其径向具有折射率分布以形成正立等倍实像。这种梯度折射率透镜的实例包括SELFOC (Nippon Sheet Glass Co., Ltd.的注册商标)透镜。图4为在上述发光单元63中发光芯片Cl、 C2以及C3连接的 区域的放大视图。这里，每个发光芯片C1至C60具有相同的结构。 以发光芯片C2为例，其包括芯片基板70和发光元件阵列71。作为 基板实例的芯片基板70具有矩形形状。作为发光元件阵列实例的发 光元件阵列71包括在芯片基板70的上表面上沿纵向延伸且按一行 布置的发光元件。具体而言，发光元件阵列71具有沿快速扫描方向 延伸且按一行排列的作为多个发光元件实例的260个发光晶闸管L。 在发光元件阵列71中，将每两个相邻发光晶闸管L之间的中心间距 离设定为约21.15nm。相应地，每个发光单元63，即每个LPH14沿 快速扫描方向具有每英寸1200点(dpi)的输出分辨率(第一分辨率)。此外，如图4所示，例如，在彼此相邻的发光芯片Cl与C2之 间的边界区域中形成重叠部分。在此重叠部分中，设置在发光芯片 C1右边缘部的四个发光晶闸管L沿着快速扫描方向分别与设置在发 光芯片C2左边缘部的四个发光晶闸管L相重叠。同时，例如，在彼 此相邻的发光芯片C2与C3之间的边界区域中也形成重叠部分。在 此重叠部分中，设置在发光芯片C2右边缘部的四个发光晶闸管L沿 着快速扫描方向分别与设置在发光芯片C3左边缘部的四个发光晶 闸管L相重叠。注意到，在发光芯片C3至C60中的每两个相邻发 光芯片之间的边界区域中形成相似的重叠部分。图5示出了安装在电路板62 (见图2)上的信号生成电路100 的构造和电路板62的配线构造。信号生成电路IOO接收来自控制器20 (见图1)的线路同步信 号Lsync、视频数据组Vdata、时钟信号clk以及诸如复位信号RST 等各种控制信号。信号生成电路IOO包括发光信号生成单元110。基 于从外部接收到的各种控制信号，发光信号生成单元110进行诸如 对视频数据组Vdata的内容进行排序(sorting)和校正输出值等处理， 并且将发光信号(pl (cpll至cpl60)输出到发光芯片C (Cl至C60)。 注意到，在第一示例性实施例中，向发光芯片C (Cl至C60)供给13元120。基于 从外部接收到的各种控制信号，转移信号生成单元120将开始转移 信号cpS、第一转移信号cpl以及第二转移信号cp2输出到各发光芯片 Cl至C60。电路板62设置有电源线路101和电源线路102。电源线路101 为与各发光芯片Cl至C60的Vcc端子连接的Vcc=-5.0V的电源线 路。电源线路102为接地线路，其与各发光芯片Cl至C60的GND 端子连接。电路板62还设置有开始转移信号线路103、第一转移信 号线路104以及第二转移信号线路105，从信号生成电路100的转移 信号生成单元120通过这些信号线路分别发送开始转移信号(pS、第 一转移信号cpl以及第二转移信号cp2。电路板62还设置有60条发 光信号线路106 (106—1至106—60)，通过这些发光信号线路从信号 生成电路100的发光信号生成单元110分别将发光信号(pl (cpll至 cpl60)输出到发光芯片C (C1至C60)。注意到，电路板62还设置 有分别用于防止过电流流过60条发光信号线路106 ( 106—1至 106—60)的60个发光电流限制电阻器RID。另外，可将每个发光信 号cpll至(pl60设定成后面将说明的高电平(H)或低电平(L)。低 电平对应于-5.0V的电位，而高电平对应于士O.OV的电位。图6为示出各发光芯片C (C1至C60)的电路构造的示意图。 每个发光芯片C包括260个转移晶闸管Sl至S260和260个发 光晶闸管L1至L260。注意到，各发光晶闸管L1至L260具有与各 转移晶闸管Sl至S260相同的p叩n结，并且利用pnpn结中的pn结 也用作发光二极管(LED)。发光芯片C还包括259个二极管Dl 至D259和260个电阻器Rl至R260。发光芯片C还包括用于防止 过电流流过用于供给第一转移信号cpl、第二转移信号cp2以及开始 转移信号(()S的信号线路的转移电流限制电阻器R1A、R2A以及R3A。 构成发光元件阵列71的发光晶闸管Ll至L260从图6的左侧以Ll， L2， ...， L259， L260的顺序排列，由此形成发光元件阵列71 。类似 地，转移晶闸管Sl至S260从图6的左侧以Sl， S2， ...， S259， S260的顺序排列，由此形成开关元件阵列72。此外，二极管D1至D259 从图6的左侧以D1， D2， ...， D258, D259的顺序排列，并且电阻 器Rl至R260从图6的左侧以Rl， R2， ...， R259， R260的顺序排 列。在下文中，将说明发光芯片C中各元件之间的电气连接。各转移晶闸管Sl至S260的阳极端子与GND端子连接。与电 源线路102 (见图5)连接的GND端子通过该线路接地。各奇数序号的转移晶闸管Sl， S3， ...， S259的阴极端子经由转 移电流限制电阻器R1A与(pl端子连接。通过第一转移信号线路104 (见图5)对与该线路104连接的cpl端子供给第一转移信号cpl。同时，各偶数序号的转移晶闸管S2， S4， ...， S260的阴极端子 经由转移电流限制电阻器R2A与cp2端子连接。通过第二转移信号 线路105 (见图5)对与该线路105连接的(p2端子供给第二转移信 号cp2。转移晶闸管Sl至S260的门极端子Gl至G260经由对应于各转 移晶闸管S1至S260设置的电阻器R1至R260分别与Vcc端子连接。 通过电源线路101 (见图5)对与该线路101连接的Vcc端子提供电 源电压Vcc (-5.0V)。转移晶闸管Sl至S260的门极端子Gl至G260还分别与发光晶 闸管Ll至L260的门极端子连接。具体而言，各转移晶闸管以一对 一的方式与标有与转移晶闹管相同序号的对应的发光晶闸管连接。另外，二极管Dl至D259的阳极端子分别与转移晶闸管Sl至 S259的门极端子Gl至G259连接。此外，这些二极管Dl至D259 的各阴极端子与相邻的所标序号比该二极管序号大1的转移晶闸管 S2至S260的门极端子G2至G260连接。换言之，二极管Dl至D259 在将转移晶闸管Sl至S260的门极端子G2至G259中之一夹在每两 个相邻二极管之间的状态下串联连接。二极管Dl的阳极端子，即转移晶闸管Sl的门极端子Gl经由 转移电流限制电阻器R3A与cpS端子连接。通过开始转移信号线路 103 (见图5)对cpS端子供给开始转移信号cpS。同时，类似于各转移晶闸管Sl至S260的阳极端子，各发光晶间管Ll至L260的阳极端子与GND端子连接。各发光晶闸管L1至L260的阴极端子与cpl端子连接。通过发光 信号线路106 (对应于发光芯片Cl的发光信号线路106—1:见图5) 对与该线路106连接的cpl端子供给发光信号cpl (对应于发光芯片 Cl的发光信号cpll)。注意到，分别对其他发光芯片C2至C60供给 对应的发光信号cpl2至cpl60。这里，随着形成发光单元63，在每个发光芯片C中设置在图6 中左侧的四个发光晶闸管Ll至L4与设置在图6中右侧的四个发光 晶闹管L257至L260构成图4所示的重叠部分。注意到，每个发光芯片C具有如上所述的总共260个发光晶闸 管L1至L260。然而，在实际的图像形成操作中每个发光芯片C使 用数目少于总共260个发光晶闸管的发光晶闸管作为发光点。这里， "发光点"表示在图像形成操作(曝光操作)中使其发光或者不发 光的发光晶闸管L。更具体而言，通常将连续设置在中央部分的256 个发光晶闸管L3至L258用作发光点。然而，根据后面将说明的沿 快速扫描方向的位置校正结果，有时可将包括设置在图6中左侧的 发光晶闸管L2或设置在图6中右侧的发光晶闸管L259在内的连续 的256个发光晶闸管用作发光点。同时，根据后面将说明的沿快速 扫描方向的倍率校正结果，有时可将连续的255或257个发光晶闸 管用作发光点。此外，根据沿快速扫描方向的位置校正和倍率校正 的结果，有时可将包括设置在图6中左侧的发光晶闸管Ll和L2或 设置在图6中右侧的发光晶闸管L259和L260在内的连续的257个 发光晶闸管用作发光点。然而，在每两个相邻发光芯片C (例如，发光芯片Cl和C2) 的重叠部分中，将设置在沿快速扫描方向的相同点上的每两个发光 晶闸管中的任一个用作发光点，而另一个发光晶闸管不用作发光点 (例如，在发光芯片Cl和C2的重叠部分中，将发光芯片Cl的发 光晶闸管L258和发光芯片C2的发光晶闸管L2中的任一个用作发光 点，而另一个发光晶闸管不用作发光点)。注意到，在下面的说明中，在构成每个发光芯片C的发光晶闸管L1至L260中，将没有用 作发光点的发光晶闸管L称作"非发光点"。此外，在下面的说明中，将设置在每个发光芯片c的中央部分的256个发光晶闸管L3至L258统称为通常发光点组LA。同时，将 设置在发光芯片C最左侧部分的两个发光晶闸管Ll和L2统称为第 一备用发光点组LB，并且将设置在发光芯片C的最右侧部分的两个 发光晶闸管L259和L260统称为第二备用发光点组LC。这里，通常 发光点组LA、第一备用发光点组LB以及第二备用发光点组LC分 别等同于第一发光元件组、第二发光元件组以及第三发光元件组。 图7示出了如图5所示的发光信号生成单元IIO的构造实例。 发光信号生成单元110包括图像数据排序部分111。图像数据 排序部分111将接收到的视频数据组Vdata的内容进行排序，并且 将专用于发光芯片C1至C60的不同图像数据组分别输出到发光芯片 Cl至C60。发光信号生成单元110还包括位置校正数据存储器112 和倍率校正数据存储器113。位置校正数据存储器112在其中存储对 各发光芯片C1至C60预先设定的沿快速扫描方向的位置校正的数据 组。倍率校正数据存储器113在其中存储对各发光芯片Cl至C60 预先设定的沿快速扫描方向的倍率校正的数据组。此外，发光信号 生成单元110还包括对应于各发光芯片Cl至C60设置的60个发光 信号生成部分114 (114—1至114—60)。每个发光信号生成部分114 对从图像数据排序部分111输入的专用于对应的发光芯片的图像数 据组进行以下两种校正利用从位置校正数据存储器U2读出的专 用于该发光芯片的位置校正数据组来进行其中一种校正；利用从倍 率校正数据存储器113读出的专用于该发光芯片的倍率校正数据组 进行另一种校正。之后，发光信号生成部分114—1至114—60输出通 过这些校正所得到的各发光信号cpll至(pl60。注意到，在第一示例 性实施例中，发光信号生成部分114 (114—1至114_60)分别用作供 给单元、设定单元以及校正单元，也共同用作供给部分和校正部分。 注意到，尽管构成每个LPH 14的发光单元63沿快速扫描方向 具有如上所述的1200dpi的输出分辨率，但在第一示例性实施例中，输入到发光信号生成单元110中的视频数据组Vdata沿快速扫描方 向具有600dpi的分辨率(第二分辨率)。换言之，发光信号生成单 元110的分辨率为LPH 14的输出分辨率的一半(1/2)。相应地， 在第一示例性实施例中，在发光信号生成部分114(114—1至114—60) 生成各发光信号cpl (cpll至(pl60)的方法中添加新的手段以便以大 约600dpi的输出分辨率操作发光单元63。这可以通过使对应于各发 光信号生成部分114的各发光芯片C (Cl至C60)基本上驱动两个 相邻的发光晶闸管L对来实现。后面将对此进行详细说明。
在下文中，将说明在每个LPH 14中进行的沿快速扫描方向的位 置校正和倍率校正。
在第一示例性实施例中，使用参考图l所说明的图像形成装置 1中的四个图像形成单元11 (IIY、 IIM、 IIC、 11K)形成图像。 相应地，对应于各种颜色设置LPH 14。然而，由于安装有每个LPH 14的图像形成装置1的框架和LPH 14本身的精度限制，因此使得难 于以使LPH 14的位置沿快速扫描方向相对于图像形成装置l对准的 方式将LPH 14安装到图像形成装置1上。这样，在此图像形成装置 l中，为了沿快速扫描方向精确地对准由各LPH 14发射的光束，进 行沿快速扫描方向的位置校正。注意到，在下面的说明中，将沿快 速扫描方向的位置校正简称为位置校正。
另外，对于发光芯片C安装到每个LPH 14上的安装精度和在 每个发光芯片C中发光晶闸管L的形成精度也存在限制，并且这些 限制使得难于使设置在各LPH 14中的发光晶闸管阵列的长度彼此相 等。这样，在此图像形成装置1中，为了使由各LPH14发射的光束 沿快速扫描方向精确地具有相等的长度，进行沿快速扫描方向的倍 率校正。注意到，在下面的说明中，将沿快速扫描方向的倍率校正 简称为倍率校正。
图8示出了构成图像形成单元11 (具体为IIY、 IIM、 11C以 及11K)的LPH 14 (具体为14Y、 14M、 14C以及14K)分别安装 在图像形成装置1的未示出的框架上的实例。注意到，图8的左侧 和右侧分别对应于图1所示的图像形成装置1的前侧(IN)和后侧(OUT)。顺便提及，利用LPH 14中任一个作为参考进行上述位置 校正和倍率校正。下面，将说明利用黄色LPH 14Y作为参考而分别 对品红色LPH 14M、蓝绿色LPH 14C以及黑色LPH 14K进行位置校 正和倍率校正的情况。
注意到，在进行这些位置校正和倍率校正之前的初始条件下， 在LPH14的各发光芯片C (C1至C60)中将通常发光点组LA (发 光晶闸管L3至L258)设定为发光点。这样，位于每个LPH14的IN 侧端的第1个发光点为发光芯片Cl的发光晶闸管L3 (见图6)，而 位于每个LPH 14的OUT侧端的第15360个发光点为发光芯片C60 的发光晶闸管L258 (见图6)。
另外，在第一示例性实施例中，图像的每个像素基本上由两个 发光点形成，从而沿快速扫描方向分别具有1200dpi输出分辨率的各 LPH 14用于输出如上所述的600dpi的数据。这样，初始条件包括将 每个发光芯片C1的发光晶闸管L3和L4 (第l个和第2个发光点 见图6)用于形成第1个像素VI以及将每个发光芯片C60的发光晶 闸管L257和L258 (第15359个和第15360个发光点见图6)用于 形成第7680个像素V7680的设定。这里，假设在黄色LPH 14Y中 第一个像素VI和第7680个像素V7680沿快速扫描方向的位置分别 为第一参考位置Ul和第二参考位置U2。
然后，在品红色LPH14M中，第1个像素VI沿快速扫描方向 的位置相对于第一参考位置Ul向OUT侧偏移0.5个像素(一个发 光点)，并且第7680个像素V7680沿快速扫描方向的位置相对于第 二参考位置U2向OUT侧偏移0.5个像素(一个发光点)。相应地， 品红色LPH 14M相对于黄色LPH 14Y沿快速扫描方向向OUT侧呈 现0.5个像素的位置偏移。在下面的说明中，将此位置偏移称作OUT 侧位置偏移。
注意到，这里，已经说明了沿快速扫描方向向OUT侧发生位置 偏移的情况。然而，可能发生相反的情况§卩，第1个像素V1沿快 速扫描方向的位置相对于第一参考位置Ul向IN侧偏移0.5个像素 (一个发光点)，并且第7680个像素V7680沿快速扫描方向的位置
19相对于第二参考位置U2向IN侧偏移0.5个像素(一个发光点)， 从而沿快速扫描方向向IN侧发生0.5个像素的位置偏移。在下面的 说明中，将此位置偏移称作IN侧位置偏移。
同时，在蓝绿色LPH 14C中，第1个像素VI沿快速扫描方向 的位置相对于第一参考位置Ul没有偏移，但第7680个像素V7680 沿快速扫描方向的位置相对于第二参考位置U2向IN侧偏移0.5个 像素(一个发光点)。相应地，蓝绿色LPH 14C具有沿快速扫描方 向比黄色LPH 14Y短0.5个像素的长度差值(倍率偏差)。在下面 的说明中，将此倍率偏差称作尺寸縮小偏差。
另一方面，在黑色LPH 14K中，第1个像素VI沿快速扫描方 向的位置相对于第一参考位置U1没有偏移，但第7680个像素V7680 沿快速扫描方向的位置相对于第二参考位置U2向OUT侧偏移0.5 个像素(一个发光点)。相应地，黑色LPH 14K具有沿快速扫描方 向比黄色LPH 14Y长0.5个像素的长度差值(倍率偏差)。在下面 的说明中，将此倍率偏差称作尺寸放大偏差。
图9A、 9C、 9E以及9G为示出存储在位置校正数据存储器112 (见图7)中的发光芯片名称与位置校正数据组P之间关系的表，而 图9B、 9D、 9F以及9H为示出存储在倍率校正数据存储器113 (见 图7)中的发光芯片名称与倍率校正数据组M之间关系的表。这里， 位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113设置在如上所 述的每个LPH 14中。图9A至9H示出了当在图8所示的条件下将 黄色LPH 14Y、品红色LPH 14M、蓝绿色LPH 14C以及黑色LPH 14K 安装到图像形成装置1中时所设定的各 种校正数据组。注意到，例 如获取对应于每个发光芯片C的位置校正数据组P和倍率校正数据 组M作为出厂默认设定值，并且将该位置校正数据组P和倍率校正 数据组M分别存储在对应的LPH 14的位置校正数据存储器112和 倍率校正数据存储器113中。
这里，图9A和9B分别示出了存储在黄色LPH 14Y的位置校 正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内容。图9C和 9D分别示出了存储在品红色LPH 14M的位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内容。图9E和9F分别示出了存储在蓝绿色LPH 14C的位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内容。图9G和9H分别示出了存储在黑色LPH 14K的位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内容。
如图9A所示，在黄色LPH 14Y的位置校正数据存储器112中，将参考位置校正数据组P0设定为对应于各发光芯片Cl至C60的各位置校正数据组P。同时，如图9B所示，在黄色LPH 14Y的倍率校正数据存储器113中，将参考倍率校正数据组MO设定为对应于各发光芯片Cl至C60的各倍率校正数据组M。
如图9C所示，在品红色LPH 14M的位置校正数据存储器112中，将第一位置校正数据组Pl设定为对应于各发光芯片Cl至C60的各位置校正数据组P。同时，如图9D所示，在品红色LPH 14M的倍率校正数据存储器113中，将参考倍率校正数据组MO设定为对应于各发光芯片Cl至C60的各倍率校正数据组M。
如图9E所示，在蓝绿色LPH 14C的位置校正数据存储器112中，将参考位置校正数据组P0设定为对应于各发光芯片Cl至C4的各位置校正数据组P，并且将第二位置校正数据组P2设定为对应于各发光芯片C5至C60的各位置校正数据组P。同时，如图9F所示，在蓝绿色LPH 14C的倍率校正数据存储器113中，将参考倍率校正数据组M0设定为对应于各发光芯片Cl至C3和C5至C60的各倍率校正数据组M，并且将第一倍率校正数据组Ml设定为对应于发光芯片C4的倍率校正数据组M。
如图9G所示，在黑色LPH 14K的位置校正数据存储器112中，将参考位置校正数据组P0设定为对应于各发光芯片Cl至C4的各位置校正数据组P，并且将第一位置校正数据组Pl设定为对应于各发光芯片C5至C60的各位置校正数据组P。同时，如图9H所示，在黑色LPH 14K的倍率校正数据存储器113中，将参考倍率校正数据组MO设定为对应于各发光芯片Cl至C3和C5至C60的各倍率校正数据组M，并且将第二倍率校正数据组M2设定为对应于发光芯片C4的倍率校正数据组M。图IOA至IOC为分别示出位置校正数据组P与由位置校正引起的各发光芯片C中发光点变化之间关系的示意图。如上所述，位置校正数据组P可以为参考位置校正数据组PO、或第一位置校正数据组Pl或第二位置校正数据组P2。这里，图10A至10C分别示出了P=P0， P=P1以及P=P2的情况。
如图10A所示，在P-P0的情况下，通常发光点组LA，即发光晶闸管L3至L258保持设定为发光芯片C中的发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L3至L258形成128个像素Wl至W128。在此情况下，各像素Wl至W128由奇数序号的发光晶闸管和邻近于该奇数序号的发光晶闸管右侧的偶数序号的发光晶闸管形成。具体而言，例如，位于图IOA左侧的像素Wl由发光晶闸管L3和L4形成，而位于图IOA右侧的像素W128由发光晶闹管L257和L258形成。
相反，如图10B所示，在P-P1的情况下，将通常发光点组LA中除了发光晶闸管L258之外的所有发光晶闸管以及第一备用发光点组LB的第2个发光晶闸管L2设定为发光芯片C中的发光点。换言之，将发光芯片C中的发光点设定成发光晶闸管L2至L257，这样发光点向IN侧偏移一个发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L2至L257形成128个像素Wl至W128。在此情况下，各像素W1至W128由偶数序号的发光晶闸管和邻近于该偶数序号的发光晶闸管右侧的奇数序号的发光晶闸管形成。具体而言，例如，位于图10B左侧的像素Wl由发光晶闸管L2和L3形成，而位于图10B右侧的像素W128由发光晶闸管L256和L257形成。
另一方面，如图IOC所示，在P二P2的情况下，将通常发光点组LA中除了发光晶闸管L3之外的所有发光晶闸管以及第二备用发光点组LC的第259个发光晶闸管L259设定为发光芯片C中的发光点。换言之，将发光芯片C中的发光点设定成发光晶闸管L4至L259，这样发光点向OUT侧偏移一个发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L4至L259形成128个像素Wl至W128。在此情况下，各像素W1至W128由偶数序号的发光晶闸管和邻近于该偶数序号的
22发光晶闸管右侧的奇数序号的发光晶闸管形成。具体而言，例如，
位于图IOC左侧的像素Wl由发光晶闸管L4和L5形成，而位于图10C右侧的像素W128由发光晶闸管L258和L259形成。
图11A至11C为分别示出倍率校正数据组M与由倍率校正引起的各发光芯片C中的发光点变化之间关系的示意图。如上所述，倍率校正数据组M可以为参考倍率校正数据组M0、或第一倍率校正数据组Ml或第二倍率校正数据组M2。这里，图11A至11C分别示出了 M=M0、 M=M1和M=M2的情况。
如图11A所示，在M-M0的情况下，通常发光点组LA，即发光晶闸管L3至L258保持设定为发光芯片C中的发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L3至L258形成128个像素Wl至W128。在此情况下，各像素Wl至W128由奇数序号的发光晶闸管和邻近于该奇数序号的发光晶闸管右侧的偶数序号的发光晶闸管形成。具体而言，例如，位于图IIA左侧的像素Wl由发光晶闸管L3和L4形成，而位于图IIA右侧的像素W128由发光晶闸管L257和L258形成。
相反，如图11B所示，在M=M1的情况下，将通常发光点组LA的所有发光晶闸管和第二备用发光点组LC的第259个发光晶闸管L259设定为发光芯片C中的发光点。换言之，将发光芯片C中的发光点设定成发光晶闸管L3至L259，这样发光点在图11B的右侧(图8中的OUT侧)增加一个发光点。结果，发光芯片C利用257个发光晶闸管L3至L259形成128个像素Wl至W128。在此情况下，各像素Wl至W127由奇数序号的发光晶闸管和邻近于该奇数序号的发光晶闸管的偶数序号的发光晶闸管形成。具体而言，例如，位于图IIB左侧的像素Wl由发光晶闸管L3和L4形成，而位于图11B右侧的像素W127由发光晶闸管L255和L256形成。同时，位于图11B右侧的像素W128由三个发光点，即奇数序号的发光晶闸管L257、邻近于发光晶闸管L257右侧的偶数序号的发光晶闸管L258以及邻近于发光晶闸管L258右侧的奇数序号的发光晶闸管L259形成。另一方面，如图11C所示，在M-M2的情况下，将通常发光点组LA中除了发光晶闸管L258之外的所有发光晶闸管设定为发光芯片C中的发光点。换言之，将发光芯片C中的发光点设定成发光晶闸管L3至L257，这样，发光点在图11C的右侧(图8中的OUT侦ij)减少一个发光点。结果，发光芯片C利用255个发光晶闸管L3至L257形成128个像素Wl至W128。在此情况下，各像素Wl至W127由奇数序号的发光晶闸管和邻近于该奇数序号的发光晶闸管右侧的偶数序号的发光晶闸管形成。具体而言，例如，位于图IIC左侧的像素Wl由发光晶闸管L3和L4形成，而位于图11C右侧的像素W127由发光晶闸管L255和L256形成。同时，位于图11C右侧的像素W128仅由一个发光点，即奇数序号的发光晶闸管L257形成。
在下文中，将说明由图1所示的图像形成装置1的各LPH 14进行的曝光操作。
在开始图像形成操作时，控制器20将视频数据组Vdata分别发送到构成图像形成单元11的各LPH14的信号生成电路100。作为响应，在设置在各LPH14中的信号生成电路100中，转移信号生成单元120将基于所接收到的控制信号等而生成的开始转移信号cpS、第一转移信号cpl以及第二转移信号cp2输出到构成发光单元63的60个发光芯片C (Cl至C60)。另外，在信号生成电路100中，发光信号生成单元110将60个发光信号(pl (cpll至cpl60)分别输出到构成发光单元63的60个发光芯片C (Cl至C60)。这里，发光信号cpll至cpl60对应于沿快速扫描方向的一行且是基于所接收到的视频数据组Vdata而生成的。作为响应，在各LPH 14的发光单元63中，各发光芯片Cl至C60使得其发光晶闸管Ll至L260根据所接收到的发光信号cpll至cpl60中之一独立地发光或不发光，由此选择性地对对应的感光鼓12进行曝光。注意到，在此情况下，各发光芯片Cl至C60以如下方式设定其发光晶闸管L1至L260。具体而言，发光芯片C使得被设定为发光点的每个发光晶闸管L发光或不发光，而使得被设定为非发光点的每个发光晶闸管L不发光。
接下来，将参考图12所示的时序图详细地说明在此曝光操作过程中各发光芯片C如何操作。注意到，在图12中，示出第一发光信
号cpla、第二发光信号(plb、第三发光信号(plc、第四发光信号(pld 以及第五发光信号cple作为发光信号cpl。这里，当位置校正数据组P 和倍率校正数据组M分别为参考位置校正数据组PO和参考倍率校 正数据组MO时，采用第一发光信号(pla。此外，当位置校正数据组 P和倍率校正数据组M分别为第一位置校正数据组P1和参考倍率校 正数据组MO时，采用第二发光信号(plb。此外，当位置校正数据组 P和倍率校正数据组M分别为第二位置校正数据组P2和参考倍率校 正数据组MO时，采用第三发光信号(plc。此外，当位置校正数据组 P和倍率校正数据组M分别为参考位置校正数据组PO和第一倍率校 正数据组M1时，采用第四发光信号(pld。此外，当位置校正数据组 P和倍率校正数据组M分别为参考位置校正数据组PO和第二倍率校 正数据组M2时，采用第五发光信号cple。
注意到，图12所示的时序图说明了在发光芯片C中使得被设定 为发光点的所有发光晶闸管L发光的情况。此外，假设在初始条件 下，将开始转移信号cpS设定为低电平(L)，将第一转移信号(pl 设定为高电平(H)，将第二转移信号cp2设定为低电平，并且将每 个发光信号cpl (cpla至cple)设定为高电平。这里，将说明一个发光 芯片C的操作，但是实际上发光芯片C1至C60并行操作。
随着操作的开始，由信号生成电路100的转移信号生成单元120 输入的开始转移信号cpS从低电平变成高电平。结果，将高电平的开 始转移信号cpS供给到发光芯片C中的转移晶闸管Sl的门极端子 Gl。在此情况下，此开始转移信号(pS通过二极管Dl至D259而供 给到其他转移晶闸管S2至S260的门极端子G2至G260。然而，由 于各二极管Dl至D260引起电压降，因此最高电压施加在转移晶闸 管S1的门极端子G1上。
然后，在将开始转移信号cpS设定为高电平的状态下，由转移信 号生成单元120输入的第一转移信号cpl从高电平变成低电平。在从 第一转移信号cpl变成低电平起经过第一时间段ta之后，由转移信号 生成单元120输入的第二转移信号cp2从低电平变成高电平。在如上所述将开始转移信号cpS设定为高电平的状态下供给有 低电平的第一转移信号cpl的发光芯片C中，在供给有低电平的第一 转移信号cpl的奇数序号的转移晶闸管Sl， S3， ...， S259之中，具 有不低于阈值的最高门极电压的转移晶闸管Sl导通。同时，由于同 时将第二转移信号cp2设定为高电平，因此偶数序号的转移晶闸管 S2， S4， ...， S260保持为具有高阴极电压，从而保持关断。这样， 在发光芯片C中仅有奇数序号的转移晶闸管Sl导通。结果，其门极 端子与奇数序号的转移晶闸管Sl的门极端子连接的发光晶闸管Ll 导通而准备发光。
在转移晶闸管Sl导通的状态下在从第二转移信号cp2变成高电 平起经过第二时间段tb之后，第二转移信号(p2从高电平变成低电平。 作为响应，在供给有低电平的第二转移信号cp2的偶数序号的转移晶 闸管S2， S4， ...， S260之中，具有不低于阈值的最高门极电压的转 移晶闸管S2导通。这样，在发光芯片C中奇数序号的转移晶闸管 S1和与其相邻的偶数序号的转移晶闸管S2两者导通。结果，除了已 经导通的发光晶闸管L1之外，其门极端子与偶数序号的转移晶闸管 S 2的门极端子连接的发光晶闸管L 2也导通，进而发光晶闸管L1和 L2都准备发光。
在转移晶闸管Sl和S2都导通的状态下在从第二转移信号cp2 变成低电平起经过第三时间段tc之后，第一转移信号cpl从低电平变 成高电平。作为响应，奇数序号的转移晶闸管Sl关断，这样仅有偶 数序号的转移晶闸管S2导通。结果，奇数序号的发光晶闸管Ll关 断以至于不能够发光，仅偶数序号的发光晶闸管L2保持导通以准备 发光。注意到，在本实例中，在第一转移信号(pl变成高电平的同时， 开始转移信号cpS从高电平变成低电平。
在转移晶闸管S2导通的状态下在从第一转移信号cpl变成高电 平起经过第四时间段td之后，第一转移信号cpl从高电平变成低电平。 作为响应，在供给有低电平的第一转移信号cpl的奇数序号的转移晶 闸管Sl， S3， ...， S259之中，具有最高门极电压的转移晶闸管S3 导通。这样，在发光芯片C中偶数序号的转移晶闸管S2和与其相邻的奇数序号的转移晶闸管S3两者导通。结果，除了已经导通的发光
晶闸管L2之外，其门极端子与奇数序号的转移晶闸管S3的门极端 子连接的发光晶闸管L3也导通，进而发光晶闸管L2和L3都准备发光。
在转移晶闸管S2和S3都导通的状态下在从第一转移信号cpl 变成低电平起经过第五时间段te之后，第二转移信号cp2从低电平变 成高电平。作为响应，偶数序号的转移晶闸管S2关断，这样仅有奇 数序号的转移晶闸管S3导通。结果，偶数序号的发光晶闸管L2关 断以至于不能够发光，仅奇数序号的发光晶闸管L3保持导通以准备 发光。
如上所述，在插入第一转移信号cpl和第二转移信号cp2都被设 定为低电平的重叠时间段的同时，通过交替地将第一转移信号cpl和 第二转移信号q>2切换为高电平或低电平，从而在发光芯片C中按照 序号顺序依次导通转移晶闸管Sl至S260。另外，这使得发光晶闸管 Ll至L260也按照序号顺序依次导通。在此操作过程中，重复下面 的过程首先，在第二时间段tb中仅有奇数序号的转移晶闸管(例 如，转移晶闸管S1)导通；第二，在第三时间段tc中奇数序号的转 移晶闸管和所标序号比该奇数序号的转移晶闸管大1的相邻的偶数 序号的转移晶闸管(例如，转移晶闸管S1和S2)导通；第三，在第 四时间段td中仅有偶数序号的转移晶闸管(例如，转移晶闸管S2) 导通；第四，在第五时间段te中偶数序号的转移晶闸管和所标序号 比该偶数序号的转移晶闸管大l的相邻的奇数序号的转移晶闸管(例 如，转移晶闸管S2和S3)导通；然后，在第二时间段tb中，仅有 奇数序号的转移晶闸管(例如，转移晶闸管S3)导通。
在下文中，将说明由发光晶闸管L1至L260根据第一发光信号 cpla进行的发光操作。基本上，在一对奇数序号和偶数序号的转移晶 闸管都导通的各第三时间段tc中，第一发光信号(pla从高水平变成 低电平然后从低电平变成高电平。然而，在最左侧的两个转移晶闸 管S1和S2都导通的时间段和最右侧的两个转移晶闸管S259和S260 都导通的时间段不进行此变化。结果，除了位于两端部分的各一对
27发光晶闸管之外，发光芯片C中的各对发光晶闸管L3和L4， L5和 L6， ...， L255和L256， L257和L258依次发光。
接下来，将说明由发光晶闸管Ll至L260根据第二发光信号cplb 进行的发光操作。基本上，在一对偶数序号和奇数序号的转移晶闸 管都导通的各第五时间段te中，第二发光信号(plb从高电平变成低 电平然后从低电平变成高电平。然而，在最右侧的两个转移晶闸管 S258和S259都导通的时间段不进行此变化。结果，除了位于最右部 分的一对发光晶闸管之外，发光芯片C中的各对发光晶闸管L2和 L3， L4禾卩L5， ...， L254禾卩L255， L256和L257依次发光。
接下来，将说明由发光晶闸管L1至L260根据第三发光信号cpIc 进行的发光操作。基本上，在一对偶数序号和奇数序号的转移晶闸 管都导通的各第五时间段te中，第三发光信号cplc从高电平变成低 电平然后从低电平变成高电平。然而，在最左侧的两个转移晶闸管 S2和S3都导通的时间段不进行此变化。结果，除了位于最左部分的 一对发光晶闸管之外，发光芯片C中的各对发光晶闸管L4和L5， L6禾卩L7， ...， L256和L257， L258和L259依次发光。
接下来，将说明由发光晶闸管Ll至L260根据第四发光信号cpld 进行的发光操作。基本上，在一对奇数序号和偶数序号的转移晶闸 管都导通的各第三时间段tc中，第四发光信号cpld从高电平变成低 电平然后从低电平变成高电平。然而，在最左侧的两个转移晶闸管 Sl和S2都导通的时间段和最右侧的两个转移晶闸管S259和S260 都导通的时间段不进行此变化。另外，在仅有位于右侧的转移晶闸 管S259导通的第二时间段tb中，第四发光信号cpld从高电平变成低 电平然后从低电平变成高电平。结果，除了位于两端部分的各一对 发光晶闸管之外，发光芯片C中的各对发光晶闸管L3和L4， L5和 L6， ...， L255和L256， L257和L258依次发光，然后发光晶闸管 L259单独发光。
最后，将说明由发光晶闸管Ll至L260根据第五发光信号cple 进行的发光操作。基本上，在一对奇数序号和偶数序号的转移晶闸 管都导通的各第三时间段tc中，第五发光信号cple从高电平变成低电平然后从低电平变成高电平。然而，在最左侧的两个转移晶闸管
Sl和S2都导通的时间段、位于右侧的两个转移晶闸管S257和S258 都导通的时间段以及最右侧的两个转移晶闸管S259和S260都导通 的时间段不进行此变化。另外，在仅有位于右侧的转移晶闸管S257 导通的第二时间段tb中，第五发光信号cple从高电平变成低电平然 后从低电平变成高电平。结果，除了位于两端部分的各一对发光晶 闸管之外，发光芯片C中的各对发光晶闸管L3和L4， L5和L6，...， L255和L256依次发光，然后发光晶闸管L257单独发光。
图13A至13D示出了在图8所示条件下安装到图像形成装置1 上的LPH 14中的发光芯片Cl至C6的发光点。这里，图13A至13D 分别示出了黄色LPH 14Y、品红色LPH14M、蓝绿色LPH 14C以及 黑色LPH14K。注意到，基于对应于图9A至9H所示的不同颜色而 准备的对应的位置校正数据组P和倍率校正数据组M对构成各LPH 14的发光芯片C (C1至C60)的发光点进行校正。
如图13A所示，将通常发光点组LA设定为黄色LPH14Y的各 发光芯片Cl至C60中的发光点。这使得在发光芯片Cl至C60中每 两个相邻的发光芯片的重叠部分(见图4)形成沿快速扫描方向连续 的发光点。
相反，如图13B所示，将相对于通常发光点组LA向IN侧偏移 一个发光点的发光点组设定为品红色LPH 14M的各发光芯片C1至 C60中的发光点。这样可校正图8所示的品红色LPH 14M的OUT 侧位置偏移，以使得品红色LPH 14M的发光点与黄色LPH 14Y的发 光点一致。同样在此情况下，在发光芯片Cl至C60中每两个相邻的 发光芯片的重叠部分(见图4)，发光点沿快速扫描方向是连续的。
同时，在蓝绿色LPH14C中，如图13C所示，将通常发光点组 LA设定为各发光芯片Cl至C3中的发光点，将由通常发光点组LA 和添加到通常发光点组LA的OUT侧的一个发光点形成的发光点组 设定为发光芯片C4中的发光点，并且将相对于通常发光点组LA向 OUT侧偏移一个发光点的发光点组设定为各发光芯片C5至C60中 的发光点。这样可校正图8所示的蓝绿色LPH 14C的尺寸縮 偏差，以使得蓝绿色LPH 14C的发光点与黄色LPH 14Y的发光点一致。同 样在此情况下，在发光芯片Cl至C60中每两个相邻发光芯片的重叠 部分(见图4)，发光点沿快速扫描方向是连续的。注意到，尽管在 本实例中增加发光芯片C4中的发光点，但如果增加发光芯片Cl至 C60中任一发光芯片中的发光点，将获得大致相同的结果。
此外，在黑色LPH 14K中，如图13D所示，将通常发光点组 LA设定为各发光芯片Cl至C3中的发光点，将除了位于通常发光点 组LA的OUT侧的一个发光点之外的通常发光点组LA设定为发光 芯片C4中的发光点，并且将相对于通常发光点组LA向IN侧偏移 一个发光点的发光点组设定为各发光芯片C5至C60中的发光点。这 样可校正图8所示的黑色LPH 14K的尺寸放大偏差，以使得黑色LPH 14K的发光点与黄色LPH 14Y的发光点一致。同样在此情况下，在 发光芯片C1至C60中每两个相邻发光芯片的重叠部分(见图4)， 发光点沿快速扫描方向是连续的。注意到，尽管在本实例中减少发 光芯片C4中的发光点，但如果减少发光芯片Cl至C60中任一发光 芯片中的发光点，将获得大致相同的结果。
注意到，在上述实例中，已经说明了在各发光芯片C中必须采 用参考位置校正数据组P0和参考倍率校正数据组M0中的任一个的 情况。这样，位于各发光芯片Cl至C60的IN侧和OUT侧最末端部 的发光晶闸管Ll和L260都不设定为发光点。然而，如果在某一发 光芯片C中采用下述的组合第一位置校正数据组Pl和第二位置校 正数据组P2中的任一个；与第一倍率校正数据组Ml和第二倍率校 正数据组M2中的任一个，那么可将发光晶闸管Ll或L260设定为 发光点。
作为另一种选择，图像形成装置1可以构造成在各发光芯片C 中必须采用参考位置校正数据组P0和参考倍率校正数据组M0中的 任一个，这样采用附加的位置校正数据组P，以使发光点可以向IN 侧和OUT侧偏移一个以上发光点(高达两个)。
<第二示例性实施例>第二示例性实施例与第一示例性实施例基本相同，但是不同之 处在于不是通过增加或减少各发光芯片C中的发光点来实现倍率 校正，而是通过增大或减小被设定为各发光芯片c端部的发光点的 发光晶闸管L的发光强度来实现倍率校正。注意到，在第二示例性 实施例中，与第一示例性实施例中相同或相似的组件由相同的附图 标记表示，并且省略其详细说明。
图14A、 14C、 14E以及14G为示出存储在位置校正数据存储器 112中的发光芯片名称与位置校正数据组P之间关系的表，而图14B、 14D、 14F以及14H为示出存储在倍率校正数据存储器113中的发光 芯片名称与倍率校正数据组M之间关系的表。这里，位置校正数据 存储器112和倍率校正数据存储器113设置在每个LPH 14中。类似 于第一示例性实施例，图14A至14H示出了当在图8所示条件下将 黄色LPH 14Y、品红色LPH 14M、蓝绿色LPH 14C以及黑色LPH 14K 安装在图像形成装置1中时所设定的各种校正数据组。
这里，图14A和14B分别示出了存储在黄色LPH 14Y的位置 校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内容。图14C 和14D分别示出了存储在品红色LPH 14M的位置校正数据存储器 112和倍率校正数据存储器113中的内容。图14E和14F分别示出 了存储在蓝绿色LPH 14C的位置校正数据存储器112和倍率校正数 据存储器113中的内容。图14G和14H分别示出了存储在黑色LPH 14K的位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内 容。注意到，图14A、 14C、 14E以及14G中分别示出的位置校正数 据组P与第一示例性实施例中所说明的位置校正数据组P(如图9A、 9C、 9E以及9G所示)相同。
如图14B所示，在黄色LPH 14Y的倍率校正数据存储器113中， 对于各发光芯片Cl至C60设定参考倍率校正数据组Q0。如图14D 所示，在品红色LPH14M的倍率校正数据存储器113中，对于各发 光芯片C1至C60设定参考倍率校正数据组Q0。如图14F所示，在 蓝绿色LPH 14C的倍率校正数据存储器113中，对于各发光芯片Cl 至C3和C6至C60设定参考倍率校正数据组QO，对于发光芯片C4设定第一倍率校正数据组Ql，并且对于发光芯片C5设定第二倍率
校正数据组Q2。如图14H所示，在黑色LPH 14K的倍率校正数据 存储器113中，对于各发光芯片Cl至C3和C6至C60设定参考倍 率校正数据组QO，对于发光芯片C4设定第三倍率校正数据组Q3， 并且对于发光芯片C5设定第四倍率校正数据组Q4。
图15A至15E为分别示出倍率校正数据组Q与由倍率校正引起 的每个发光芯片C中发光点的发光强度之间关系的示意图。如上所 述，倍率校正数据组Q可以为参考倍率校正数据组QO、或第一倍率 校正数据组Ql、或第二倍率校正数据组Q2、或第三倍率校正数据 组Q3或第四倍率校正数据组Q4。这里，图15A至15E分别示出了 Q=Q0， Q=Q1， Q=Q2， Q=Q3以及Q-Q4的情况。注意到，在第二 示例性实施例中，不论是否存在倍率校正每个发光芯片C中的发光 点的数量都为常数(256)。这样，在下面的说明中，将每个发光芯 片C的发光点称为发光点El至E256。
如图15A所示，在Q-QO的情况下，将发光点E1至E256设定 为具有相等的发光强度。相反，在Q=Q1的情况下，尽管将发光点 El至E255设定为具有相等的发光强度，但将OUT侧最末端部发光 点E256设定为具有高于其他发光点El至E255的发光强度。同时， 在Q=Q2的情况下，将发光点E2至E256设定为具有相等的发光强 度，并且将IN侧最末端部发光点E1设定为具有高于其他发光点E2 至E256的发光强度。在Q=Q3的情况下，将发光点El至E255设定 为具有相等的发光强度，并且将OUT侧最末端部发光点E256设定 为具有低于其他发光点El至E255的发光强度。在Q=Q4的情况下， 将发光点E2至E256设定为具有相等的发光强度，并且将IN侧最末 端部发光点El设定为具有低于其他发光点E2至E256的发光强度。
在第二示例性实施例中，在对应的转移晶闸管Sl至S260导通 的同时通过调节发光信号cpl保持设定为低电平的时间段(发光时间 段)的长度来控制各发光晶闸管L1至L260的发光强度。具体而言， 为了减小发光强度，将对应的发光时间段设定为短于预先设定以达 到参考发光强度的参考发光时间段。另一方面，为了增大发光强度，将对应的发光时间段设定为长于参考发光时间段。
图16A至16D示出了在图8所示条件下安装到图像形成装置1 上的LPH 14中发光芯片Cl至C6的发光点。这里，图16A至16D 分别示出了黄色LPH 14Y、品红色LPH14M、蓝绿色LPH 14C以及 黑色LPH14K。注意到，基于如图14A至14H所示的对应于不同颜 色而准备的对应的位置校正数据组P和倍率校正数据组Q对构成每 个LPH 14的发光芯片C (Cl至C60)的发光点进行校正。
如图16A所示，将通常发光点组LA设定为黄色LPH14Y的各 发光芯片Cl至C60中的发光点。这使得在发光芯片Cl至C60中每 两个相邻的发光芯片的重叠部分(见图4)，发光点沿快速扫描方向 是连续的。
相反，如图16B所示，将相对于通常发光点组LA向IN侧偏移 一个发光点的发光点组设定为品红色LPH 14M的各发光芯片Cl至 C60中的发光点。这样可校正图8所示的品红色LPH 14M的OUT 侧位置偏移，以使得品红色LPH 14M的发光点与黄色LPH 14Y的发 光点一致。同样在此情况下，在发光芯片Cl至C60中每两个相邻的 发光芯片的重叠部分(见图4)，发光点沿快速扫描方向是连续的。
同时，在蓝绿色LPH14C中，如图16C所示，将通常发光点组 LA设定为各发光芯片Cl至C4中的发光点，并且将相对于通常发光 点组LA向OUT侧偏移一个发光点的发光点组设定为各发光芯片C5 至C60中的发光点。在此情况下，在发光芯片C1至C4中每两个相 邻发光芯片的重叠部分和发光芯片C5至C60中每两个相邻发光芯片 的重叠部分，发光点沿快速扫描方向是连续的。相反，发光芯片C4 和C5的重叠部分缺少发光点沿快速扫描方向连续所必需的一个发 光点。然而，在发光芯片C4和C5的重叠部分中，增大作为发光芯 片C4的OUT侧最末端部发光点的发光晶闸管L258和作为发光芯片 C5的IN侧最末端部发光点的发光晶闸管L4的发光强度。这将使由 发光点沿快速扫描方向的不连续性而导致的在对应感光鼓12上形成 的静电潜像中出现条纹的可能性最小化。具体而言，当采用反转显 影时条纹表现为白色条纹，而当采用已充电区域显影时条纹表现为
33黑色条纹。这样可校正图8所示的蓝绿色LPH 14C的尺寸縮小偏差，
以使得蓝绿色LPH 14C的发光点与黄色LPH 14Y的发光点一致。注 意到，尽管在本实例中是在发光芯片C4和C5的重叠部分调节发光 强度，但如果在其他任意两个相邻发光芯片C的重叠部分调节发光 强度，也将获得大致相同的结果。
此外，在黑色LPH 14K中，如图16D所示，将通常发光点组 LA设定为各发光芯片Cl至C4中的发光点，并且将相对于通常发光 点组LA向IN侧偏移一个发光点的发光点组设定为各发光芯片C5 至C60中的发光点。在此情况下，在发光芯片C1至C4中每两个相 邻发光芯片的重叠部分和发光芯片C5至C60中每两个相邻发光芯片 的重叠部分，发光点沿快速扫描方向是连续的。相反，在发光芯片 C4和C5的重叠部分中，两个发光点沿快速扫描方向重叠。然而， 在发光芯片C4和C5的重叠部分中，减小作为发光芯片C4的OUT 侧最末端部发光点的发光晶闸管L25 8和作为发光芯片C 5的IN侧最 末端部发光点的发光晶闸管L2的发光强度。这将使由发光点沿快速 扫描方向的重叠而导致的在对应感光鼓12上形成的静电潜像中出现 条纹的可能性最小化。具体而言，当采用反转显影时条纹表现为黑 色条纹，而当采用已充电区域显影时条纹表现为白色条纹。这样可 校正图8所示的黑色LPH 14K的尺寸放大偏差，以使得黑色LPH 14K 的发光点与黄色LPH14Y的发光点一致。注意到，尽管在本实例中 是在发光芯片C4和C5的重叠部分调节发光强度，但如果在其他任 意两个相邻发光芯片C的重叠部分调节发光强度，也将获得大致相 同的结果。
这里，在第一和第二示例性实施例中，在每个LPH 14具有 1200dpi的输出分辨率的同时，视频数据组Vdata具有为每个LPH 14 的输出分辨率的一半(1/2)即600dpi的分辨率。然而，视频数据组 Vdata的分辨率不限于此，而是可以为LPH 14的输出分辨率的l/m (m为2或更大的整数)。在此情况下，每个像素可以由连续m个 发光晶闸管L形成。<第三示例性实施例>
第三示例性实施例与第一示例性实施例基本相同，但是与第一 示例性实施例的不同之处在于利用具有1200dpi分辨率的视频数据
组Vdata而不是具有600dpi分辨率的视频数据组Vdata驱动具有 1200dpi输出分辨率的每个LPH 14。注意到，在第三示例性实施例 中，与第一示例性实施例相同或相似的组件由相同的附图标记表示， 并且省略其详细说明。
图17A至17C为分别示出图9所示的位置校正数据组与由位置 校正引起的每个发光芯片C中发光点的变化之间关系的示意图。这 里，位置校正数据组可以为参考位置校正数据组PO、或第一位置校 正数据组P1或第二位置校正数据组P2。这里，图17A至17C分别 示出了 P=PO， P=P1以及P=P2的情况。
如图17A所示，在P二PO的情况下，通常发光点组LA，即发光 晶闸管L3至L258保持设定为发光芯片C中的发光点。结果，发光 芯片C利用256个发光晶闸管L3至L258形成256个像素Wl至 W256。具体而言，例如，位于图17A左侧的像素Wl由发光晶闸管 L3形成，而位于图17A右侧的像素W256由发光晶闸管L258形成。
相反，如图17B所示，在P-P1的情况下，将发光芯片C中的 发光点设定成发光晶闸管L2至L257，这样发光点向IN侧偏移一个 发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L2至L257形成 256个像素Wl至W256。具体而言，例如，位于图17B左侧的像素 Wl由发光晶闸管L2形成，而位于图17B右侧的像素W256由发光 晶闹管L257形成。
另一方面，如图17C所示，在P=P2的情况下，将发光芯片C 中的发光点设定成发光晶闸管L4至L259，这样发光点向OUT侧偏 移一个发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L4至L259 形成256个像素W1至W256。具体而言，例如，位于图17C左侧的 像素Wl由发光晶闸管L4形成，而位于图17C右侧的像素W256由 发光晶闸管L259形成。
图18A至18C为分别示出图9所示的倍率校正数据组与由倍率校正引起的每个发光芯片C中发光点的变化之间关系的示意图。这 里，倍率校正数据组可以为参考倍率校正数据组MO、或第一倍率校
正数据组Ml或第二倍率校正数据组M2。这里，图18A至18C分别 示出了 M=M0， M=M1以及M=M2的情况。
如图18A所示，在M-M0的情况下，通常发光点组LA，即发 光晶闸管L3至L258保持设定为发光芯片C中的发光点。结果，发 光芯片C利用256个发光晶闸管L3至L258形成256个像素Wl至 W256。
相反，如图18B所示，在M-M1的情况下，将发光芯片C中的 发光点设定成发光晶闸管L3至L259，这样发光点在图18B的右侧 (图8中的OUT侧)增加一个发光点。结果，发光芯片C利用257 个发光晶闸管L3至L259形成257个像素Wl至W257。具体而言， 例如，位于图18B左侧的像素W1由发光晶闸管L3形成，而位于图 18B右侧的像素W257由发光晶闸管L259形成。
另一方面，如图18C所示，在M-M2的情况下，将发光芯片C 中的发光点设定成发光晶闸管L3至L257，这样发光点在图18C的 右侧(图8中的OUT侧)减少一个发光点。结果，发光芯片C利用 255个发光晶闸管L3至L257形成255个像素Wl至W255。具体而 言，例如，位于图18C左侧的像素Wl由发光晶闸管L3形成，而位 于图18C右侧的像素W255由发光晶闸管L257形成。
图19为示出在第三示例性实施例的曝光操作过程中每个发光 芯片C如何操作的时序图。注意到，开始转移信号cpS、第一转移信 号cpl以及第二转移信号cp2的波形分别与第一示例性实施例中的波 形相同。
在下文中，将说明由发光晶闸管L1至L260根据第一发光信号 cpla进行的发光操作。注意到，如同第一示例性实施例，当位置校正 数据组P和倍率校正数据组M分别为参考位置校正数据组P0和参 考倍率校正数据组MO时，采用第一发光信号cpla。基本上，分别在 第二时间段tb和第四时间段td中，第一发光信号(pla从高电平变成 低电平然后从低电平变成高电平。这里，第二时间段tb为奇数序号的转移晶闸管单独导通的时间段，而第四时间段td为偶数序号的转 移晶闸管单独导通的时间段。然而，在最左侧的两个转移晶闸管SI
和S2以及最右侧的两个转移晶闸管S259和S260分别导通的时间段 中不进行此变化。结果，发光芯片C中的发光晶闸管L3， L4，...， L257， L258 —个接一个地依次发光。
接下来，将说明由发光晶闸管Ll至L260根据第二发光信号cplb 进行的发光操作。如同第一示例性实施例，当位置校正数据组P和 倍率校正数据组M分别为第一位置校正数据组Pl和参考倍率校正 数据组MO时，采用第二发光信号(plb。基本上，分别在第二时间段 tb和第四时间段td中，第二发光信号cplb从高电平变成低电平然后 从低电平变成高电平。这里，第二时间段tb为奇数序号的转移晶闸 管单独导通的时间段，而第四时间段td为偶数序号的转移晶闸管单 独导通的时间段。然而，在最左侧的一个转移晶闸管Sl以及最右侧 的三个转移晶闸管S258至S260分别导通的时间段中不进行此变化。 结果，发光芯片C中的发光晶闸管L2， L3， ...， L256， L257 —个 接一个地依次发光。
此外，将说明由发光晶闸管Ll至L260根据第三发光信号cplc 进行的发光操作。如同第一示例性实施例，当位置校正数据组P和 倍率校正数据组M分别为第二位置校正数据组P2和参考倍率校正 数据组MO时，采用第三发光信号cplc。基本上，分别在第二时间段 tb和第四时间段td中，第三发光信号cplc从高电平变成低电平然后 从低电平变成高电平。这里，第二时间段tb为奇数序号的转移晶闸 管单独导通的时间段，而第四时间段td为偶数序号的转移晶闸管单 独导通的时间段。然而，在最左侧的三个转移晶闸管Sl至S3以及 最右侧的 一个转移晶闸管S260分别导通的时间段中不进行此变化。 结果，发光芯片C中的发光晶闸管L4， L5， ...， L258， L259 —个 接一个地依次发光。
此外，将说明由发光晶闸管Ll至L260根据第四发光信号cpld 进行的发光操作。如同第一示例性实施例，当位置校正数据组P和 倍率校正数据组M分别为参考位置校正数据组PO和第一倍率校正
37数据组M1时，采用第四发光信号cpld。基本上，分别在第二时间段 tb和第四时间段td中，第四发光信号(pld从高电平变成低电平然后 从低电平变成高电平。这里，第二时间段tb为奇数序号的转移晶闸 管单独导通的时间段，而第四时间段td为偶数序号的转移晶闸管单
独导通的时间段。然而，在最左侧的两个转移晶闸管Sl和S2以及 最右侧的一个转移晶闸管S260分别导通的时间段中不进行此变化。 结果，发光芯片C中的发光晶闸管L3， L4， ...， L258， L259 —个 接一个地依次发光。注意到，是否允许发光晶闸管L259发光取决于 是否允许相邻的发光晶闸管L258发光。具体而言，如果使发光晶闸 管L258发光，也会使发光晶闸管L259发光。相反，如果使发光晶 闸管L258不发光，也会使发光晶闸管L259不发光。
最后，将说明由发光晶闸管Ll至L260根据第五发光信号cple 进行的发光操作。如同第一示例性实施例，当位置校正数据组P和 倍率校正数据组M分别为参考位置校正数据组PO和第二倍率校正 数据组M2时，采用第五发光信号cple。基本上，分别在第二时间段 tb和第四时间段td中，第五发光信号(ple从高电平变成低电平然后 从低电平变成高电平。这里，第二时间段tb为奇数序号的转移晶闸 管单独导通的时间段，而第四时间段td为偶数序号的转移晶闸管单 独导通的时间段。然而，在最左侧的两个转移晶闸管Sl和S2以及 最右侧的三个转移晶闸管S258至S260分别导通的时间段中不进行 此变化。结果，发光芯片C中的发光晶闸管L3， L4， ...， L256， L257 一个接一个地依次发光。
同样在第三示例性实施例中，在每个LPH 14中保持发光点沿快 速扫描方向的连续性的同时，可校正LPH 14的相对位置偏移和倍率 偏差。
在第一至第三示例性实施例中，将每个发光芯片C中的各转移 晶闸管Sl至S260的阳极端子设定为具有彼此相同的电位，而将各 转移晶闸管Sl至S260的阴极端子设定为随着向其供给第一转移信 号cpl还是第二转移信号cp2而具有不同的电位。然而，转移晶闸管 Sl至S260的电位设定不限于此，而是可将各转移晶闸管Sl至S260的阴极端子设定为具有彼此相同的电位，而将各转移晶闸管Sl至 S260的阳极端子设定为随着向其供给第一转移信号cpl还是第二转 移信号cp2而具有不同的电位。
此外，在第一至第三示例性实施例中，将各发光晶闸管Ll至 L260的阳极端子设定为具有彼此相同的电位，而将各发光晶闸管Ll 至L260的阴极端子设定为响应发光信号cpl (cpll至cpl60)而具有不 同的电位。然而，发光晶闸管Ll至L260的电位设定不限于此，而 是可将各发光晶闸管Ll至L260的阴极端子设定为具有彼此相同的 电位，而将各发光晶闸管Ll至L260的阳极端子设定为响应发光信 号cpl而具有不同的电位。
此外，例如通过以将所谓自扫描发光芯片用作每个发光芯片C 的情况为例说明了第一至第三示例性实施例。这里，发光芯片C设 置有包括多个发光晶闸管L的发光元件阵列71和包括多个转移晶闸 管的开关元件阵列72。然而，发光芯片C的构造不限于此，而是可 以包括多个发光二极管和用于在导通模式与非导通模式之间切换对 应的发光二极管的多个开关元件。换言之，发光芯片C仅须包括多 个发光元件和用于使这些发光元件发光或不发光的一个或多个开关 元件。
出于解释和说明的目的提供了本发明的示例性实施例的前述说 明。其本意并不是穷举或将本发明限制为所公开的确切形式。显然， 对于本技术领域的技术人员可以进行许多修改和变型。选择和说明
该示例性实施例是为了更好地解释本发明的原理及其实际应用，因 此使得本技术领域的其他技术人员能够理解本发明所适用的各种实 施例并预见到适合于特定应用的各种修改。目的在于通过所附权利 要求及其等同内容限定本发明的范围。
权利要求
1.一种发光装置，包括发光元件阵列，其具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多个发光元件；供给单元，其供给对应于第二分辨率的发光信号，所述第二分辨率为所述第一分辨率的1/m，其中m为不小于2的整数；设定单元，其将所述多个发光元件划分成分别包括所述发光元件阵列中连续m个发光元件的多组，并且利用从所述供给单元供给的所述发光信号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光元件是否以单个组为单位发光；以及校正单元，其以单个发光元件为单位校正由所述设定单元进行的对所述发光元件阵列中的多个发光元件的划分。
2. 根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述校正单元通过使所述连续m个发光元件沿所述多个发光元件的任一排列方向分别偏移n个发光元件来校正作为参考的对所述多个发光元件的划分，其中n为不小于l的整数。
3. 根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述校正单元通过从m起增加或减少构成所述多组中之一的发光元件的数量来校正作为参考的对所述多个发光元件的划分。
4. 一种曝光装置，包括发光元件芯片，其包括基板和发光元件阵列，所述发光元件阵列具有在所述基板上沿快速扫描方向排列成一行的多个发光元件并且具有第一发光元件组，其包括在所述快速扫描方向的中央部分排列的发光元件；第二发光元件组，其包括从所述第一发光元件组沿所述快速扫描方向的一端侧排列的发光元件；以及第三发光元件组，其包括从所述第一发光元件组沿所述快速扫描方向的另 一 端侧排列的发光元件；安装部件，多个所述发光元件芯片以锯齿状安装到所述安装部件上以在每两个相邻发光元件芯片之间的边界区域形成重叠部分，所述重叠部分包括沿所述快速扫描方向彼此重叠的两个相邻发光元件芯片中之一中的所述第二发光元件组和所述两个相邻发光元件芯片中另一个中的所述第三发光元件组；供给部分，其向所述多个发光元件芯片的每一个供给发光信号，所述发光信号将沿所述快速扫描方向连续并且数目比构成所述发光元件阵列的所述多个发光元件少的发光元件设定为发光对象；校正部分，其校正所述多个发光元件芯片的每一个中被设定为所述发光对象的发光元件的位置和数量中至少任何一个；以及光学部件，其将由所述多个发光元件芯片发射的光聚焦到图像载体上。
5. 根据权利要求4所述的曝光装置，其中，所述供给部分向所述多个发光元件芯片的每一个供给所述发光信号，以使得被设定为所述发光对象的发光元件在每个所述重叠部分中沿所述快速扫描方向是连续的。
6. 根据权利要求4所述的曝光装置，其中，如果所述重叠部分中被设定为所述发光对象的两个发光元件沿所述快速扫描方向彼此重叠，那么所述供给部分减小所述两个发光元件的每一个的发光强度。
7. 根据权利要求4所述的曝光装置，其中，如果所述重叠部分中被设定为所述发光对象的两个发光元件沿所述快速扫描方向不连续，那么所述供给部分增大所述两个发光元件的每一个的发光强度。
8. —种图像形成装置，其包括多个图像形成部分，每个图像形成部分包括图像载体；充电装置，其对所述图像载体充电，曝光装置，其对由所述充电装置充电的所述图像载体进行曝光，以在所述图像载体上形成静电潜像，所述曝光装置包括发光元件阵列，其具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多个发光元件；供给单元，其供给对应于第二分辨率的发光信号，所述第二分辨率为所述第一分辨率的l/m，其中m为不小于2的整数；设定单元，其将所述多个发光元件划分成分别包括所述发光元件阵列中连续m个发光元件的多组，并且利用从所述供给单元供给的所述发光信号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光元件是否以单个组为单位发光；以及校正单元，其以单个发光元件为单位校正由所述设定单元进行的对所述发光元件阵列中的多个发光元件的划分；显影装置，其将形成在所述图像载体上的所述静电潜像显影以在所述图像载体上形成图像；以及转印装置，其将形成在所述图像载体上的所述图像转印到记录介质上。
9. 一种发光装置的发光控制方法，所述发光装置包括具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多个发光元件的发光元件阵列，所述发光控制方法包括供给对应于第二分辨率的发光信号，所述第二分辨率为所述第一分辨率的1/m，其中m为不小于2的整数；将所述多个发光元件划分成分别包括所述发光元件阵列中连续m个发光元件的多组，并且利用所述发光信号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光元件是否以单个组为单位发光；以及以单个发光元件为单位校正对所述发光元件阵列中的多个发光元件的划分。
全文摘要
本发明公开了一种发光装置、曝光装置、图像形成装置以及发光控制方法，所述发光装置包括发光元件阵列，其具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多个发光元件；供给单元，其供给对应于第二分辨率的发光信号，所述第二分辨率为所述第一分辨率的1/m，其中m为不小于2的整数；设定单元，其将所述多个发光元件划分成分别包括所述发光元件阵列中连续m个发光元件的多组，并且利用从所述供给单元供给的所述发光信号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光元件是否以单个组为单位发光；以及校正单元，其以单个发光元件为单位校正由所述设定单元进行的对所述发光元件阵列中的多个发光元件的划分。
文档编号G03G15/04GK101673752SQ20091012943
公开日2010年3月17日 申请日期2009年3月18日 优先权日2008年9月10日
发明者土屋健 申请人:富士施乐株式会社