专利名称：有机场致发光器件的阴极接触结构的制作方法
技术领域：
本发明总的涉及有机场致发光(EL)器件，更具体地，涉及具有在器件的阴极与阴极连接器之间提供电接触的接触结构的有机EL器件。
在传统的象素化的有机EL器件中，光透射的阳极，例如铟锡氧化物(ITO)阳极，被形成在光透射的衬底上，诸如，玻璃衬底。对于相对较小的器件，ITO也可被使用来形成从衬底的边缘向里延伸的阳极和阴极连接器，用于提供到驱动电路的电连接，以便提供对于运行有机EL器件所需要的驱动信号。对于大面积的器件，至少对于阴极，需要低电阻的金属连接器，用来载送从有源的象素化的器件区域的电流去和来驱动电路。
因为在阳极与阴极之间形成的有机EL介质层是相对电绝缘的，在制做传统的有机EL器件时必须满足两个基本要求第一，有机EL介质层通常必须通过汽相沉积被形成，以使得该层不覆盖对于电连接到驱动电路所需要的、低电阻金属连接器部分；以及第二，有机EL介质层必须被形成使得在阳极与阴极之间不可能有直接电接触。也就是避免在电极之间的电短路。在制造传统的有机EL器件时，这两个要求可通过选择至少两个分开的掩膜处理过程而得以满足，即，提供第一汽相沉积掩膜，它限定用于形成限定的有机EL介质层的第一沉积区，以及提供第二汽相沉积掩膜，它限定用于形成限定的阴极或限定的阳极的第二沉积区。
因为有机EL介质层对于周围环境的湿气很敏感，制造有机EL器件的第三个要求是通过在真空汽相沉积系统中顺序汽相沉积而顺序形成有机EL介质层和阴极，同时不将有机EL介质层暴露在真空系统以外大气条件下普遍湿气水平。在形成有机EL介质层以前，虽然上面的第一汽相沉积掩膜可以在真空系统外面相对于衬底准确地放置，但通过在真空系统内操作而去除第一掩膜和相对于衬底以及相对于有机EL介质层准确地放置第二掩膜是相当复杂和费时的处理过程，以及可能造成误对准的错误。
这个目的是通过一种制做象素化的有机场致发光(EL)器件的方法而达到的，包括以下步骤(a)提供光透射的衬底，其具有在其上形成的、多个间隔开的光透射的阳极，以及从衬底边缘向里延伸的至少一个阴极连接器，用于提供电连接，使得驱动电压可被施加到选择的阳极与至少一个阴极之间，使从由选择的阳极与至少一个阴极形成的器件的一象素发射光；(b)在至少一个阴极连接器上形成电绝缘有机阴极连接器遮蔽结构；(c)提供限定在衬底上的沉积区的掩膜，用于沉积电绝缘有机EL介质层和在有机EL介质层上的导电阴极；(d)通过被引导到衬底上进入沉积区中的有机EL材料的汽相沉积而第一沉积有机EL介质层，和使用汽相沉积相对于阴极连接器遮蔽结构的方向，使得有机EL介质层的形成终结于与至少一个阴极连接器遮蔽结构的底部(base)隔开的一个位置；以及(e)通过被引导到有机EL介质层进入沉积区的导电材料的汽相沉积而第二沉积导电阴极，和使用汽相沉积相对于阴极连接器遮蔽结构的方向，使得在有机EL介质层上形成导电阴极，导电阴极在有机EL介质层与至少一个阴极连接器遮蔽结构的底部间隔开的一个位置处，以与至少一个阴极连接器进行电接触而终结。
图1-7示意地显示制做现有技术的象素化的有机场致发光(EL)器件的各个方面，其中图1是衬底的平面图，衬底上具有多个间隔开的阳极，阴极连接器，和在垂直于阳极的方向上延伸的阴极间隔遮蔽结构；图2是沿着图1的截线2-2截取的、衬底的截面图；图3是沿着图1的截线3-3截取的、衬底的截面图；图3A是具有底部和在底部上的遮蔽结构的有机阴极间隔遮蔽结构的放大的截面图；图4是衬底的平面图，它具有由限定第一沉积区的第一掩膜覆盖的部分，用于在衬底上沉积有机EL介质层；图5是沿着图4的截线5-5截取的、衬底的放大的截面图，以及表示通过用蒸汽流汽相沉积形成的有机EL介质层的部分，该蒸汽流以基本上垂直于衬底的方向入射到衬底上第一沉积区；图6是具有由限定第二沉积区的第二掩膜覆盖的部分的衬底的平面图，该第二掩膜用于把导电阴极沉积在有机EL介质层上和在阴极连接器的部分，以使得有机EL介质层防止阳极与阴极的电接触；图7是沿着图6的截线7-7截取的放大的截面图，以及显示在阴极连接器与阴极之间形成的接触区，阴极由阴极间隔遮蔽结构将相邻的阴极分隔开，该遮蔽结构遮蔽沿基本上垂直于衬底的方向入射到衬底第二沉积区的阴极材料蒸汽流；图8-16示意地显示制做按照本发明的象素化的有机场致发光(EL)器件的各个方面，在衬底上具有多个间隔开的阳极、阴极间隔遮蔽结构、和阴极连接器，每个阴极连接器具有阴极连接器遮蔽结构，其中图8是衬底的平面图，衬底上具有多个间隔开的阳极，在垂直于阳极的方向上延伸的阴极间隔遮蔽结构，两个边界层，和分开的阴极连接器，每个阴极连接器具有阴极连接器遮蔽结构；图9是沿着图8的截线9-9截取的放大的截面图，显示在阳极和衬底上形成的一个边界层；图10是沿着图8的截线10-10截取的放大的截面图，显示在阴极连接器上形成的阴极连接器遮蔽结构；
图11是部分被限定沉积区的掩膜覆盖的衬底的平面图，该掩膜用于把有机EL介质层沉积在衬底上和用于把阴极沉积在有机EL介质层上；图12是沿着图11的截线12-12截取的、衬底的截面图，其中衬底被放置在支撑掩膜的掩膜框架结构内；图13是有机EL器件的平面图，其中有机EL介质层和阴极或多个阴极被形成在沉积区在图11的衬底上；图14是沿着图13的截线14-14截取的、阴极连接器和阴极连接器遮蔽结构的放大的截面图，以及显示第一(有机EL)和第二(阴极)汽相沉积，形成有机EL介质层和形成与阴极连接器电连接的阴极；图15是被放置在掩膜框架结构内的衬底的截面图，掩膜框架结构支撑限定较大的沉积区的掩膜和限定较小的覆盖(overlay)的沉积区的覆盖的掩膜，用于把第一有机EL介质层汽相沉积在衬底的选择的区域上；图16A是在阴极连接器上形成的阴极连接器遮蔽结构的放大的截面图，以及显示沿着垂直于衬底的方向入射的、第一(有机EL)和第二(阴极)汽相沉积，以形成有机EL介质层和形成在其上的阴极；以及图16B显示图16A的截面图，以及显示第三辅助金属汽相沉积，以在阴极上形成辅助金属层，并与阴极连接器进行电接触。
图17-20示意地显示制做有源矩阵有机场致发光(EL)器件的几个方面，其中图17是显示多个可寻址的薄膜晶体管(TFT)有机EL象素的电路图，其中每个TFT象素具有相关的光透射的阳极和共用的或公共的阴极；图18是衬底的平面图，它具有多个间隔开的TFT象素，集成的x和y驱动器电路，和阴极连接器，它具有在其上形成的多个阴极连接器遮蔽结构；图19是有源矩阵有机EL器件的平面图，其中有机EL介质层和阴极被形成在图18的衬底上在掩膜限定沉积区中；以及图20是沿着图19的截线20-20截取的、被形成在阴极连接器上的阴极连接器遮蔽结构的截面图，以及显示了用于形成有机EL介质层和形成位于每个遮蔽结构与阴极连接器电连接的阴极的第一(有机EL)和第二(阴极)汽相沉积。
具体实施例方式
附图不得不具有示意的性质，因为各个层的厚度太薄，以及各个元件的厚度差别太短，不允许按尺度描绘，或不允许方便地按比例缩放。另外，为了清晰起见，附图显示单个有机场致发光(EL)介质层，实际上，它可包括几层，例如，有机空穴注入和空穴输送层；有机光发射层，可发射单个颜色或色调的光(“单色”EL器件)，或可以通过用选择的有机发光掺杂材料适当地掺杂在有机光发射主材料中，而发射一个红色、绿色、或蓝色光之一作为“区域色”；以及有机电子输送层。可替换地，有机EL介质层可包括一个或多个有机聚合层。
为了更全面地了解本发明，将结合图1-7描述制做现有技术的象素化的有机场致发光(EL)器件的各个方面。
图1是衬底结构10-1的平面图，它包括光透射的衬底12，具有被形成在其上的、多个间隔开的光透射的阳极14，以及从衬底的边缘向里延伸的、多个阴极连接器20。多个阴极间隔遮蔽结构30被形成在阳极和衬底12的部分之上，以及沿着垂直于阳极的方向延伸。阴极间隔遮蔽结构30是电绝缘的，用来提供多个间隔开的阴极，每个防极将与阴极连接器20进行电接触。在图1上表示了在x方向上的有源象素尺寸Px和在y方向上的有源象素尺寸Py。
光透射的衬底12可以用玻璃、石英、适当的塑料材料等制成。阳极14优选地用铟锡氧化物(ITO)制成，以及阴极连接器20优选地用低电阻材料，例如铜、铝、钼等制成。
虽然图上未示出，应当理解，每个阳极14可以具有形成在其上的低电阻材料连接器垫片，并从衬底12的边缘向里延伸，例如，从图1所示的下部边缘向里延伸。
图2是沿着图1的截线2-2截取的、结构10-1的截面图，以及显示在基础上的阴极间隔遮蔽结构30。
图3是沿着图1的截线3-3截取的、结构10-1的截面图，以及显示被放置在两个相邻的阴极间隔遮蔽结构30之间的阴极连接器20。
图3A是阴极间隔遮蔽结构30之一的放大的截面图，它包括电绝缘有机底部层32和被形成在底部层32上在中心线31附近的电绝缘有机遮蔽结构34。有机底部层32的宽度尺寸WB大于有机遮蔽结构34的的宽度尺寸WS。
阴极间隔遮蔽结构通常在制造传统的无源矩阵有机EL器件(以整体的遮蔽掩膜的形式)时被使用来提供在相邻的阴极之间的电绝缘，例如在美国专利US-A-5,276,380，US-A-5,701,055中所公开的，这两个专利的公开内容在此引用，以供参考。
图4是结构10-2的平面图，其中衬底12的一部分由限定第一沉积区52的第一掩膜50覆盖。有机EL介质层54被形成在沉积区52内的衬底上(为了表示简明起见，被形成在掩膜50上的EL介质沉积没有显示出)。第一掩膜50和它的沉积区52在抽空汽相沉积室外面相对于衬底12精确地取向，这在通过在汽相沉积室内汽相沉积而形成EL介质层54以前进行(未显示)。
转到图5，图上显示沿着图4的截线5-5截取的、衬底12的放大的截面图。所示的有机EL介质层54的部分是通过汽相沉积有机EL材料蒸汽流53形成的，该蒸汽流53以基本上垂直于衬底的汽相沉积的方向(或替换地，基本上平行于阴极间隔遮蔽结构30的中心线的方向)被导向衬底12沉积区52内。
图6是有机EL器件10的平面图，其中衬底12具有由限定第二沉积区62的第二掩膜60覆盖的部分，该第二掩膜用于在有机EL介质层54上汽相沉积一导电阴极66，以及该第二掩膜相对于所述衬底的部分偏移，以便提供在阴极(它们之间由阴极间隔遮蔽结构30分隔开)与阴极连接器20之间的接触区24。
将会看到，在形成阴极66之前，第一掩膜50(见图4)必须在真空沉积室内与衬底12分开，以及必须也在沉积室内操纵第二掩膜60使其相对于先前形成的有机介质层54尽可能好地定位。
图7是沿着图6的截线7-7截取的放大的截面图，以及显示了在阴极连接器20的部分与阴极66之间的接触区24。当阴极66从阴极材料蒸汽流63被形成时，相邻的阴极66由阴极间隔遮蔽结构30互相分隔开，该阴极材料蒸汽流63沿基本上垂直于衬底的方向(或基本上平行于遮蔽结构的中心线31的方向)导向衬底进入第二沉积区。
如图5和7所示，当蒸汽流53和63被导向衬底到如图5和7所示的沉积区52和62时，由于遮蔽结构34的遮蔽效应，有机EL介质层54和阴极66终结在底部层32与遮蔽结构34的底部间隔开的一个位置。
在从图6的器件10去除掩膜60后，无源矩阵有机EL器件10是通过在经过阴极连接器选择的阴极与选择的阳极之间加上电位而运行的。当选择的阴极相对于选择的阳极加上负的偏压时，选择的象素，Py，Py，将发射光，穿过光透射的阳极14和光透射的衬底12。
图8-16示意地显示通过使用限定沉积区的单个汽相沉积掩膜和通过结合阴极连接器遮蔽结构而制做有源矩阵象素化的有机场致发光器件的处理过程顺序。
图8是在沉积有机EL介质层之前的衬底结构100-1的平面图。光透射的衬底112、光透射的阳极114、阴极连接器120和有机阴极间隔遮蔽结构130相应于图1的现有技术结构10-1的衬底12、阳极14、阴极连接器20和阴极间隔遮蔽结构30，所以不需要进一步详细描述。
有机阴极连接器遮蔽结构126被形成在每个阴极连接器120上，两个有机边界层140被提供在阳极114和衬底112上。有机遮蔽结构126和130，以及有机边界层140，是电绝缘的，并且通过光刻过程被形成。
图9是沿着图8的截线9-9截取的放大的截面图，以及显示被形成在阳极114上的有机边界层140。
图10是沿着图8的截线10-10截取的、阴极连接器遮蔽结构126的放大的截面图。阴极连接器遮蔽结构126被形成在阴极连接器120上，以及具有中心线127。阳极114被显示在背景(background)上。
在图11上，图8的衬底结构100-1具有由限定沉积区172的掩膜170覆盖的部分，用于以后形成汽相沉积的EL介质层和一个阴极或多个阴极。掩膜170和它的沉积区172在汽相沉积室外面相对于衬底112精确地定向，这个部件然后被转移到这样的室中。沉积区172包括阴极连接器120的部分和阴极连接器遮蔽结构126，以及有机边界层140的部分。
图12是沿着图11的截线12-12截取的截面图，显示可滑动地接受结构100-1的衬底112的掩膜框架结构178，以及掩膜框架结构178支撑掩膜170。
图13是在通过汽相沉积进入到沉积区172而形成有机EL介质层174和阴极176后的完整的有机EL器件100的平面图。为了表达简明起见，在掩膜170的被掩盖的部分上形成的沉积从图上被省略。
图14是沿着图13的截线14-14截取的、有机阴极遮蔽结构126的放大的截面图。
在第一沉积中，有机EL材料蒸汽流173以基本上垂直于衬底(或基本上平行于遮蔽结构126的中心线127)的方向被导向衬底112进入到沉积区172(见图13)。这个第一沉积形成有机EL介质层174，它在阴极连接器120上终结于与阴极连接器遮蔽结构126的底部间隔开的一个位置。
在第二沉积中，阴极材料蒸汽流175被导向有机EL介质层174进入到沉积区172。阴极材料蒸汽流175相对于遮蔽结构126的中心线对着一个角度Θ。这个第二沉积形成阴极176，并提供在有机EL介质层174与阴极连接器遮蔽结构126的底部间隔开的一个位置处的接触区180与阴极连接器120的电接触。
这样，通过使用限定沉积区的和可相对于衬底上的特性精确地取向的单个掩膜，提供了用于制造单色无源矩阵有机EL器件的简单的、可靠的和时间节省的方法。
图15是类似于图12的截面图的截面图，以及显示被掩膜框架结构178支撑的掩膜170。一个覆盖的掩膜170-1被放置在掩膜170上，以提供沉积区172-1，例如，它可被使用来，在第一沉积时从有机EL材料蒸汽流173-1在衬底112的一部分上形成有机EL介质层174-1。有机EL介质层174-1，例如，可用来提供在由一个以上的象素覆盖的区域上的区域颜色或色调的光发射。层174-1也被形成在阴极间隔遮蔽结构130的部分(它在截面图的背景上是明显的)上和在覆盖的掩膜170-1的被掩盖的部分上。该覆盖的掩膜170-1然后被去除，并用一个保护膜(cover)(未示出)代替，该保护膜在形成有机EL介质层期间覆盖EL介质层174-1，该有机EL介质层在衬底的其余部分上提供第二颜色或色调，并在整个掩膜170的沉积区172包括未覆盖的部分中的阴极连接器遮蔽结构126。最后，保护膜被去掉，阴极材料蒸汽流175(见图14)被导向有机EL介质层(该介质层形成区域颜色)以提供阴极和图14的接触区。
图16A和16B是类似于图14的视图的截面图，显示阴极连接器遮蔽结构126和它相对于第一、第二、和第三沉积的功能。
在图16A上，有机EL介质层174是通过从有机EL材料蒸汽流173的第一沉积而被形成在衬底112上，如先前参照图14描述的。阴极176是通过导引阴极材料蒸汽流175沿着基本上垂直于衬底(或基本上平行于遮蔽结构126的中心线127)的方向进入沉积区172(见图13)而被形成在EL介质层174上。因此，层174和阴极176都在阴极连接器的部分上延伸，但与阴极连接器遮蔽结构126的底部间隔开。
在图16B上，辅助导电层196是通过把辅助导电材料蒸汽流195引导到阴极176而被形成在阴极176上，其中蒸汽流195相对于中心线127对着一个角度Θ。
辅助导电层196提供在接触区180、有机EL介质层174和阴极176与遮蔽结构126的底部间隔开的一个位置处与阴极连接器120的电接触。
当阴极176从辅助导电层获益或需要辅助导电层时，辅助导电层可提供对阴极的保护或它可增强阴极的环境稳定性，图16A和16B上描绘的处理过程被有利地使用。
图17-20示意地显示通过使用限定沉积区的、用于沉积有机EL介质层和与阴极连接器进行电连接的公共阴极的单个掩膜而制做有源矩阵有机EL器件的方面。
图17是显示多个可寻址的薄膜晶体管(TFT)有机EL象素的电路图。每个TFT-有机EL象素包括逻辑晶体管T1，电容Cs，和可导致从被夹在光透射的阳极与阴极之间的EL介质层进行光发射的功率晶体管T2。逻辑晶体管T1可以通过在栅极线和源极线上提供适当的信号而被激励。阴极线被显示为粗黑轮廓线，表示用于器件的所有的象素的公共阴极。有源矩阵场致发光器件的结构和功能在美国专利US-A-5,550,066中被公开，该专利的公开内容在此引用，以供参考。
图18是衬底结构300-1的平面图，其中多个TFT象素被提供在光透射衬底312上。用于寻址象素的逻辑电路T1的集成的驱动器电路可以提供在沿着衬底312的外围区域。
阴极连接器320被形成在衬底312，以及有机阴极连接器遮蔽结构336被形成在阴极连接器320上。
图19是有源矩阵有机EL器件300的平面图，以及显示形成在衬底上的有机EL介质层374，和形成在层374上、掩膜370限定的沉积区372内的阴极376。沉积区372包括阴极连接器遮蔽结构336，和阴极连接器320的一部分。
图20是沿着图19的截线20-20截取的放大的截面图，以及显示两个阴极连接器遮蔽结构336。在第一沉积中，通过有机EL材料蒸汽流373以基本上垂直于衬底312(或基本上平行于遮蔽结构336的中心线337)的方向通过沉积区372导向衬底312(见图19)，而在衬底和在阴极连接器320上形成有机EL介质层374。通过将阴极材料蒸汽流375引导到层374上而在有机EL介质层374形成阴极376，这里，蒸汽流375相对于中心线337对着一个角度Θ。因此，在接触区380，在有机EL介质层374与阴极连接器遮蔽结构336的底部间隔开的一个位置处，提供阴极376与阴极连接器320之间的电接触。
将会看到，按照本发明的阴极连接器遮蔽结构当在平面图上观看时可以是圆形或多边形。具体地，图18和19的遮蔽结构336可被拉长，以便构成单个阴极连接器遮蔽结构336。
本发明的其它特性包括在下面。
所述方法，其中导电阴极沉积步骤(e)还包括以下步骤(i)通过被引导到有机EL介质层进入到沉积区的导电阴极材料的汽相沉积而沉积导电阴极，并利用相对于阴极连接器遮蔽结构的蒸汽沉积，使导电阴极的形成终结在与至少一个阴极连接器遮蔽结构的底部间隔开的一个位置处；以及(ii)通过被引导到阴极进入到沉积区的辅助导电材料的汽相沉积而沉积辅助导电层，并利用相对于阴极连接器遮蔽结构的蒸汽沉积的方向，使辅助导电层形成在阴极上，辅助导电层在有机EL介质层和阴极与至少一个阴极连接器遮蔽结构的底部间隔开的一个位置处并与至少一个阴极连接器进行电接触而终结。
所述方法，其中掩膜作为框架结构的一部分被提供，用于相对于衬底精确地定位掩膜。
所述方法，其中有机EL材料的汽相沉积的方向基本上垂直于衬底的表面。
所述方法，其中导电材料的汽相沉积的方向相对于阴极连接器遮蔽结构的中心线对着一个角度Θ，使得导电阴极在比有机EL介质层的位置更接近于阴极连接器遮蔽结构的底部的一个位置处、以与阴极连接器进行电接触而终结。
所述方法，其中多个间隔开的电绝缘的有机阴极连接器遮蔽结构被形成在阴极连接器上。
权利要求
1.制做象素化的有机场致发光(EL)器件的一种方法，包括以下步骤(a)提供一个光透射的衬底，其具有在其上形成的、多个间隔开的光透射的阳极，以及从衬底边缘向里延伸的至少一个阴极连接器，用于提供电连接，使驱动电压可被施加到选择的阳极与至少一个阴极之间，导致由选择的阳极与至少一个阴极形成的器件的一个象素的光发射；(b)在至少一个阴极连接器上形成电绝缘有机阴极连接器遮蔽结构；(c)提供限定衬底上的沉积区的掩膜，以沉积电绝缘有机EL介质层和在该有机EL介质层上的导电阴极；(d)通过被引导到衬底进入到沉积区的有机EL材料的汽相沉积而第一沉积有机EL介质层，和利用汽相沉积相对于阴极连接器遮蔽结构的方向，使得有机EL介质层的形成终结在与至少一个阴极连接器遮蔽结构的底部隔开的一个位置；以及(e)通过被引导到有机EL介质层进入到沉积区的导电材料的汽相沉积而第二沉积导电阴极，和利用汽相沉积相对于阴极连接器遮蔽结构的方向，使得在有机EL介质层上形成导电阴极，导电阴极在有机EL介质层与至少一个阴极连接器遮蔽结构的底部间隔开的一个位置处、以与至少一个阴极连接器进行电接触而终结。
2.如权利要求1的方法，其中掩膜作为框架结构的一部分被提供，用于相对于衬底精确地定位掩膜。
3.如权利要求1的方法，其中有机EL材料的汽相沉积的方向基本上垂直于衬底的表面。
4.如权利要求3的方法，其中导电材料的汽相沉积的方向相对于阴极连接器遮蔽结构的中心线对着一个角度Θ，使得导电阴极在比有机EL介质层的位置更接近于阴极连接器遮蔽结构的底部的一个位置处、以与阴极连接器进行电接触而终结。
5.如权利要求1的方法，其中导电阴极以与多个间隔开的阴极连接器的每一个进行电接触而终结，以及在阳极和衬底上形成多个间隔开的有机阴极间隔遮蔽结构，其在垂直于阳极的方向上延伸，以提供多个间隔开的阴极。
6.如权利要求5的方法，其中每个间隔开的有机阴极间隔遮蔽结构包括电绝缘的有机底部层和被形成在底部层上的电绝缘的有机阴极间隔遮蔽结构。
7.如权利要求6的方法，其中有机底部层的宽度尺寸WB大于有机遮蔽结构的宽度尺寸WS。
8.如权利要求1的方法，其中掩膜提供步骤(c)还包括以下步骤在掩膜上提供覆盖掩膜，该覆盖掩膜限定衬底上的覆盖沉积区，其小于用于在衬底的第一部分上沉积第一电绝缘有机EL介质层的掩膜所限定的沉积区。
9.如权利要求1的方法，其中沉积步骤(d)和(e)还包括以下步骤(i)通过被导向衬底到覆盖的沉积区的第一有机EL材料的汽相沉积而第一沉积第一有机EL介质层于衬底的第一部分上；(ii)去除覆盖掩膜，并保护第一有机EL介质层不受另一个有机EL介质沉积；(iii)通过被导向衬底到覆盖的沉积区的第二有机EL材料的汽相沉积而第二沉积第二有机EL介质层于衬底的其余未保护的部分上；(iv)去除在第一有机EL介质层上的保护；以及(v)通过导向第一和第二有机EL介质层进入到沉积区的导电材料的汽相沉积而第三沉积导电阴极。
10.制做象素化的有源矩阵有机场致发光(EL)器件的方法，包括以下步骤(a)提供一个光透射的衬底，其具有在其上形成的、多个间隔开的薄膜晶体管(TFT)电路和被电连接到每个TFT电路上的光透射的阳极，以及从衬底边缘向里延伸的一个阴极连接器，其用于提供电连接，使得驱动电压可被施加到选择的TFT电路的阳极与公共的阴极之间，以引起由选择的TFT电路形成的器件的一个象素的光发射；(b)在阴极连接器上形成至少一个电绝缘有机阴极连接器遮蔽结构；(c)提供一个限定衬底上的沉积区的掩膜，用于沉积一个电绝缘有机EL介质层和在该有机EL介质层上的一个导电阴极；(d)通过被导向衬底进入到沉积区的有机EL材料的汽相沉积而第一沉积有机EL介质层，和利用汽相沉积相对于至少一个阴极连接器遮蔽结构的方向，以使得有机EL介质层的形成终结在与至少一个阴极连接器遮蔽结构的底部隔开的一个位置；以及(e)通过被导向有机EL介质层进入到沉积区的导电材料的汽相沉积而第二沉积导电阴极，和利用汽相沉积相对于至少一个阴极连接器遮蔽结构的方向，以使得在有机EL介质层上形成导电阴极，该导电阴极在有机EL介质层与至少一个阴极连接器遮蔽结构的底部间隔开的一个位置处、以与阴极连接器进行电接触而终结。
全文摘要
无源矩阵和有源矩阵有机场致发光(EL)器件可通过使用限定沉积区的单个掩膜并通过将相应的蒸汽流导向沉积区中的衬底上沉积有机EL介质层和阴极而被制成。电绝缘有机遮蔽结构被形成在阴极连接器上,以便在有机EL介质层与遮蔽结构的底部间隔开的一个位置处提供阴极与阴极连接器之间的的电接触。电接触是通过以垂直于衬底的方向引导有机EL材料蒸汽流到衬底上以及通过以一对角引导阴极材料蒸汽流到衬底上而实现的。
文档编号H01L51/52GK1347267SQ01140720
公开日2002年5月1日 申请日期2001年9月21日 优先权日2000年9月22日
发明者S·A·范斯利克, C·W·邓 申请人:伊斯曼柯达公司