专利名称：用于倒置型有机发光组件的阴极结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于倒置型有机发光组件的阴极结构，尤其涉及一种设置有电子注入层的用于倒置型有机发光组件的阴极结构。
背景技术：
过去十多年来，有机导电分子及高分子材料的研发，极为迅速，随着有机导体、绝缘体、及半导体材料的齐备，有机半导体材料在电子及光电组件的领域里，例如有机薄膜发光二极管(organic light-emitting diodes)、有机雷射(organic laser)、有机存储元件(organic memory)、太阳能电池(solar cells)、及薄膜晶体管(thin film transistors，TFTs)等，都逐渐展现实用的潜力。一般而言，有机半导体光电组件具有薄膜组件及低温加工的特性，适用于各种基板以及大面积的制作方式，将产生许多与传统无机半导体有明显不同的应用，如大面积的光电系统等。
历史上最早的有机发光组件(Organic Light-emitting Device，简称OLED)，是在1963年由Pope等人提出的，他们在厚度约为1毫米(mm)的antrhacene晶体两侧加上约1000伏特的偏压，观察到发光的现象，但是由于这种组件所需要的操作电压偏高，因此无法实际运用在显示器组件上。现今有机发光组件所使用的组件结构以及工艺方法，是在1987年由美国伊士曼柯达公司(EastmanKodak)的C.W.Tang和S.A.VanSlyke提出，利用真空蒸镀的方法，将非晶态有机材料薄膜依次淀积在已镀有氧化铟锡(Indium-Tin-Oxide，ITO)透明电极(阳极)的玻璃基板上，最后再镀上金属电极(阴极)而制成组件。通过这种工艺方法制作出来的有机电致发光组件，可以将组件的操作电压大幅降低至10伏特以内，大幅提高其实用的价值，而且使用真空蒸镀的工艺方法也适合用于大量生产大面积的显示器组件，再加上有机发光组件本身反应速度快、自发光及低温制程等特性，使得有机电致发光组件成为重要的平面显示器技术。
传统的有机发光组件皆为阳极在下阴极在上的顺向组件堆栈结构，如图一A所示，有机发光组件1为一基板11、一阳极层12、一有机结构层13以及一阴极层14依次堆栈而成，当应用在制作主动式矩阵有机发光显示器(active-matrix OLED，AMOLED)时，有机发光组件1透过阳极层12与基板11上的主动矩阵驱动电路的晶体管(图中未示出)相连，且我们希望驱动有机发光组件1的电路为一等效的电压控制电流源，所以一般使用p通道晶体管(p-channel transistor)，如图一B所示。但一般使用的晶体管，如多晶硅场效晶体管、非晶硅场效晶体管、或硅晶场效晶体管中，一般n通道的晶体管特性(如载子迁移率)明显优于p通道晶体管，甚至在非晶硅场效晶体管中一般只有n通道的晶体管可使用。而倒置结构的有机发光组件为阴极在下阳极在上的结构，如图2A所示，倒置型有机发光组件2为一基板21、一阴极层22、一有机结构层23以及一阳极层24依次堆栈而成，其可运用特性较好的n通道晶体管(如图2B所示)作为驱动之电压控制电流源，这样不仅可提高主动矩阵驱动电路设计上的可变化度，同时也可提高主动式有机发光显示器的效能。
制作倒置结构的有机发光组件，关键在于组件电极/有机材料接口以及有机材料/有机材料接口的电荷注入及传导特性。由于大部分常用的有机光电材料的电子亲和力(electron affinity，EA)较小(近似或小于3eV)，所以有机发光组件的阴极常会使用一些低功函数的金属，如镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)以及铯(Cs)等，但是这些金属有高活性容易反应变质的问题，在有机发光显示器大量制造过程中有工艺处理上的困难，而且金属和有机淀积的先后顺序不同，也会影响金属/有机接口的电子注入能力。
过去有关倒置结构有机发光组件的文献中，1997年V.Bulovic等人利用镁银合金电极作为有机发光组件的下电极阴极，制作出倒置型结构的有机发光组件，但是其组件阴极的电子注入特性欠佳，以致于组件操作电压偏高，且该文献使用低功函数高活性金属镁作为下电极阴极，会有易反应变质影响组件特性的问题，以及导致后续用以制作有机电激发光显示器时的工艺整合问题。
2002年，X.Zhou等人及S.R.Forrest等人提出倒置型p-i-n结构有机发光组件利用在有机材料间掺杂低功函数高活性金属如锂(Li)、铯(Cs)作为n型导电掺杂，增进电子自倒置型结构的有机发光组件下阴极注入有机材料，以容许使用活性较低稳定性较佳的导电材质作为倒置型结构有机发光组件的下阴极。然而此组件阴极结构中的电子注入层是将低功函数高活性金属掺杂在有机材料层中作为n型导电掺杂，由于此组件制程中仍然有必须处理低功函数、高活性金属的困难，此外根据报导锂(Li)、铯(Cs)等金属原子在有机材料中易有扩散问题，会影响组件运作。
整体而言，在过去有关倒置结构有机发光组件的文献当中，其下电极阴极结构与制程中皆含有低功函数高活性金属，易反应变质影响组件特性，另一方面在目前有机发光显示器制造中对于高活性金属的运用处理仍然相当困难。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种用于倒置型有机发光组件的阴极结构，这种阴极结构包含一不含低功函数高活性金属的电子注入层以及阴极电极层，利用这种电子注入层可增加倒置型有机发光组件的电子注入能力，以改善倒置型有机发光组件的光电特性。
本发明的另一目的在于提供一用于倒置型有机发光组件的阴极结构，这种阴极结构不需使用低功函数的高活性金属且具有良好电子注入特性，因此可避免反应变质的问题，同时也与目前有机发光显示器工艺环境更为兼容，以增进倒置型有机发光组件应用在主动矩阵有机发光显示器的实用价值。
为了达到上述目的，本发明的用于倒置型有机发光组件的阴极结构包括一导电电极层、一有机材料层、一介电材料层以及一金属层；其中所述有机材料层位于导电电极层之上，介电材料层位于有机材料层之上，金属层位于介电材料层之上；所述导电电极层作为阴极，有机材料层、介电材料层以及金属层作为电子注入层。
为了达到上述目的，本发明的倒置型有机发光组件包括一基板、一导电电极层、一有机材料层、一介电材料层、一金属层、一有机结构层以及一阳极层；其中所述导电电极层位于基板之上，有机材料层位于导电电极层之上，介电材料层位于有机材料层之上，金属层位于介电材料层之上，有机结构层位于金属层之上，阳极层位于有机结构层之上。
应用本发明制成的有机发光组件其有机层可为单层的有机层，兼具正负电荷传输及发光功能。组件中的有机层亦可为多层结构，例如(1)从阴极结构侧依次淀积电子传输层兼发光层，空穴传输层；(2)从阴极结构侧依次淀积电子传输层，空穴传输层兼发光层；(3)从阴极结构侧依次淀积电子传输层，发光层，空穴传输层等。以上仅列举几种可能的有机层堆栈结构，此外其它各种可能应用于本发明的有机发光组件有机层结构以及各种相关有机材料可参见各先前文献与专利。
为了进一步阐明本发明的结构、功效及其方法，下面配合图示详细说明。
图1A为现有技术的有机发光组件的示意图；图1B为p信道晶体管的电路示意图；图2A为倒置结构的有机发光组件的示意图；图2B为n信道晶体管的电路示意图；图3为本发明的倒置型有机发光组件的示意图；图4A为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例1中一个双阴极电子单载子组件的示意图；图4B为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例1中另一个双阴极电子单载子组件的示意图；图4C为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例1的电压-电流示意图；图5A为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例2中一个双阴极电子单载子组件的示意图；图5B为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例2中另一个双阴极电子单载子组件的示意图；图5C为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例2的电压-电流示意图；图6A为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例3的电压-电流示意图；图6B为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例3的亮度-电流示意图；图6C为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例3的发光效率-电流密度示意图；图7A为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例4的电压-电流示意图；图7B为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例4的亮度-电流示意图；图7C为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例4的发光效率-电流密度示意图；图8A为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例5的亮度-电压示意图；以及图8B为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例5的亮度-电流密度示意图。
其中，附图标记1-有机发光组件11-基板12-阳极层13-有机结构层14-阴极层2-倒置型有机发光组件21-基板22-阴极层23-有机结构层24-阳极层3-倒置型有机发光组件31-基板32-阴极层33-电子注入层331-有机材料层332-介电材料层333-金属层34-有机结构层35-阳极层41-基板
42-下电极阴极层43-有机电子传输层44-上电极阴极层51-基板52-下电极阴极层53-电子注入层54-有机电子传输层55-上电极阴极层61-基板62-下电极阴极层63-有机电子传输层64-上电极阴极层71-基板72-下电极阴极层73-电子注入层74-有机电子传输层75-上电极阴极层具体实施方式
图3为本发明的倒置型有机发光组件的示意图。其中，本发明的倒置型有机发光组件3包括一基板31、一阴极层32、一电子注入层33、一有机结构层34以及一阳极层35；阴极层32位于基板31之上，电子注入层33位于阴极层32之上，有机结构层34位于电子注入层33之上，阳极层35位于有机结构层34之上；其中电子注入层33还包括一有机材料层331、一介电材料层332以及一金属层333，有机材料层331位于阴极层32之上，介电材料层332位于有机材料层331之上，金属层333位于介电材料层332之上。
有机材料层331可为Alq3；介电材料层332可为碱金属卤素化合物、碱土金属的卤化物、碱金属氧化物、碱土金属的氧化物、或其它碱金属及碱土金属化合物，如氟化锂(LiF)、氧化锂(LiO2)、氟化钠(NaF)、氯化钠(NaCl)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)、氟化镁(MgF2)等，或这些材料的堆栈或混合组合；金属层333可为铝(Al)或含有铝的合金；基板3l可为透明基板，如玻璃、石英、塑料等；亦可为不透明基板，如硅芯片、砷化镓芯片等；阴极层32可为透明阴极，如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，亦可为不透明阴极，如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、铱(Ir)、钨(W)、以及钽(Ta)等，或这些材料的堆栈或混合组合；阳极层35可包含空穴注入层及导电阳极(图中未示出)，其中空穴注入层可为含有导电掺杂的空穴注入层，如m-MTDATAF4-TCNQ、α-NPDF4-TCNQ等；所述导电阳极可为透明的导电阳极，如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟(Indium Oxide)、氧化锡(Tin Oxide)、氧化锌(Zinc Oxide)等，或这些材料的堆栈或混合组合，亦可为半透明或不透明阴极，如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、铱(Ir)、钨(W)、以及钽(Ta)等，或这些材料的堆栈或混合组合。
下列实施例l至实施例5为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例，是针对本发明的用于倒置型有机发光组件的阴极结构与一般倒置型有机发光组件的阴极结构做一比较，以显示本发明增进的功效。
实施例1为了说明利用本发明的电子注入层可有效提高以银(Ag)作为阴极导电金属的倒置结构有机发光组件的电子注入能力，故制作双阴极电子单载子组件用以比较。
于本实施例中，组件A的结构请参考图4A，其中基板4l为玻璃基板，下电极阴极层42为80纳米厚的银(Ag)，有机电子传输层43为80纳米厚的Alq3，上电极阴极层44为0.5纳米厚的氟化锂(LiF)/100纳米厚的铝(Al)。
组件B的结构请参考图4B，其中基板5l为玻璃基板，下电极阴极层52为80纳米厚的银(Ag)，电子注入层53为0.2纳米厚的Alq3/0.2纳米厚的氟化锂(LiF)/0.3纳米厚的铝(Al)，有机电子传输层54为80纳米厚的Alq3，上电极阴极层55为0.5纳米厚的氟化锂(LiF)/100纳米厚的铝(Al)。
由上面的描述与相关图式可知，组件A及组件B的差别在于组件B的下电极阴极层52与有机电子传输层54间存在有本发明所提出的电子注入层53。
图4C为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例1的电压-电流示意图。由本图可知，当我们对这对组件加入正向偏压时(即电子由上电极阴极注入)，由于上电极阴极为已知具有良好电子注入特性的阴极结构，故组件A及组件B皆具有良好且几乎一致的电压对电流特性曲线。但是当我们对组件A和组件B分别加入反向偏压时(即电子由下电极阴极注入)，组件A在相同操作电压下的注入电流明显低于组件B的注入电流，且组件B的正反偏压电压-电流曲线几乎是以0伏特电压为镜像对称，此现象表明利用本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的电子注入层可大幅提高组件下电极阴极的电子注入特性，且此下电极阴极的电子注入能力已与现有技术中具有良好电子注入特性的传统上电极阴极相当。
实施例2为了说明利用本发明的电子注入层可有效提高以铝(Al)作为阴极导电金属的倒置结构有机发光组件的电子注入能力，故制作双阴极电子单载子组件用以比较。
在本实施例中，组件C的结构请参考图5A，其中基板61为玻璃基板，下电极阴极层62为80纳米厚的银(Ag)，有机电子传输层63为80纳米厚的Alq3，上电极阴极层64为0.5纳米厚的氟化锂(LiF)/100纳米厚的铝(Al)。
组件D的结构请参考图的B，其中基板71为玻璃基板，下电极阴极层72为80纳米厚的银(Ag)，电子注入层73为0.2纳米厚的Alq3/0.2纳米厚的氟化锂(LiF)/0.3纳米厚的铝(Al)，有机电子传输层74为80纳米厚的Alq3，上电极阴极层75为0.5纳米厚的氟化锂(LiF)/100纳米厚的铝(Al)。
由上面的描述与相关图式可知，组件C及组件D的差别在于组件D的下电极阴极层72与有机电子传输层74间存在有本发明所提出的电子注入层73。
图5C为本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的实施例2的电压-电流示意图。由本图可知，当我们对这对组件加入正向偏压时(即电子由上电极阴极注入)，由于上电极阴极为已知具有良好电子注入特性的阴极结构，故组件C及组件D皆具有良好且几乎一致的电压对电流特性曲线。但是当我们对组件C和组件D分别加入反向偏压时(即电子由下电极阴极注入)，组件C在相同操作电压下的注入电流明显低于组件D的注入电流，且组件D的正反偏压电压-电流曲线几乎是以0伏特电压为镜像对称，此现象表明利用本发明用于倒置型有机发光组件的阴极结构的电子注入层可大幅提高组件下电极阴极的电子注入特性，且此下电极阴极的电子注入能力已与现有技术中具有良好电子注入特性的传统上电极阴极相当。
实施例3在本实施例中，为了说明本发明的电子注入层对于以银(Ag)作为下电极阴极的倒置结构有机发光组件光电特性的影响，故制作以下组件用以比较在本实施例中，组件E的结构可参考图2A，其中基板21为玻璃基板，阴极层22为80纳米厚的银(Ag)，有机结构层23为50纳米厚的Alq3/40纳米厚的α-NPD/20纳米厚、重量百分比为2(2wt.％)的m-MTDATA与F4-TCNQ混合物，阳极层24为20纳米厚的银(Ag)，且最表层设有一30纳米厚的氧化碲(TeO2)作为折射率匹配层。
组件F的结构请参考图3，其中基板31为玻璃基板，阴极层32为80纳米厚的银(Ag)，电子注入层33为0.2纳米厚的Alq3/0.2纳米厚的氟化锂(LiF)/0.3纳米厚的铝(Al)，有机结构层34为50纳米厚的Alq3/40纳米厚的α-NPD/20纳米厚、重量百分比为2(2wt.％)的m-MTDATA与F4-TCNQ混合物，阳极层35为20纳米厚的银(Ag)，且最表层设有一30纳米厚的氧化碲(TeO2)作为折射率匹配层。
由上面的描述与相关图式可知，组件E及组件F的差别在于组件F的阴极层32与有机结构层34间存在本发明所提出的电子注入层33。在本实施例中，50纳米厚的Alq3作为电子传输层及发光层、40纳米厚的α-NPD作为空穴传输层、20纳米厚的m-MTDATA与F4-TCNQ混合物作为空穴注入层。
图6A显示这对组件的电流密度对电压特性曲线，由图中可知组件F(具有电子注入层)在相同操作电压下的电流较组件E增加，表示电子注入层提高了组件F的电子注入特性；图6B显示这对组件亮度对电流的特性曲线，图6C显示这对组件发光效率对电流密度的特性曲线。由图6B可知，在相同注入电流下组件F的发光亮度远高于组件E，故在图6C中组件F的发光效率可达5.3烛光/安培(cd/A)，远高于组件E的～0烛光/安培(cd/A)，此结果显示组件F中的电子注入层能有效提高组件的电子注入能力，而使得注入组件的电子空穴数目较为平衡，因而可得到较高的发光效率。
实施例4在本实施例中，为了说明本发明的电子注入层对于以铝(Al)作为下电极阴极的倒置结构有机发光组件光电特性的影响，故制作以下组件用以比较在本实施例中，组件G的结构可参考图2A，其中基板21为玻璃基板，阴极层22为80纳米厚的铝(Al)，有机结构层23为50纳米厚的Alq3/45纳米厚的α-NPD/20纳米厚、重量百分比为2(2wt.％)的m-MTDATA与F4-TCNQ混合物，阳极层24为20纳米厚的银(Ag)，且最表层设有一30纳米厚的氧化碲(TeO2)作为折射率匹配层。
组件H的结构请参考图3，其中基板31为玻璃基板，阴极层32为80纳米厚的铝(Al)，电子注入层33为0.2纳米厚的Alq3/0.2纳米厚的氟化锂(LiF)/0.3纳米厚的铝(Al)，有机结构层34为50纳米厚的Alq3/45纳米厚的α-NPD/20纳米厚、重量百分比为2(2wt.％)的m-MTDATA与F4-TCNQ混合物，阳极层35为20纳米厚的银(Ag)，且最表层设有一30纳米厚的氧化碲(TeO2)作为折射率匹配层。
由上面的描述与相关图式可知，组件G及组件H的差别在于组件H的阴极层32与有机结构层34间存在本发明所提出的电子注入层33。在本实施例中，50纳米厚的Alq3作为电子传输层及发光层、45纳米厚的α-NPD作为空穴传输层、20纳米厚的m-MTDATA与F4-TCNQ混合物作为空穴注入层。
图7A显示这对组件的电流密度对电压的特性曲线，由图中可知组件H(具有电子注入层)在相同操作电压下的电流较组件G增加，表示电子注入层提高了组件H的电子注入特性；图7B显示这对组件亮度对电流的特性曲线，图7C显示这对组件发光效率对电流密度的特性曲线。由图7B可知，在相同注入电流下组件H的发光亮度远高于组件G，故在图7C中组件H的发光效率可达4.5烛光/安培(cd/A)，远高于组件G的1.7烛光/安培(cd/A)，此结果显示组件H中的电子注入层能有效提高组件的电子注入能力，而使得注入组件的电子空穴数目较为平衡，因而可得到较高的发光效率。
实施例5在本实施例中，为了说明本发明的电子注入层对于以氧化铟锡(ITO)作为下电极阴极的倒置结构有机发光组件光电特性的影响，故制作以下组件用以比较在本实施例中，组件I的结构可参考图2A，其中基板21为玻璃基板，阴极层22为120纳米厚的氧化铟锡(ITO)，有机结构层23为40纳米厚的Alq3/30纳米厚的α-NPD/20纳米厚、重量百分比为2(2wt.％)的m-MTDATA与F4-TCNQ混合物，阳极层24为100纳米厚的银(Ag)。
组件J的结构请参考图3，其中基板31为玻璃基板，阴极层32为120纳米厚的氧化铟锡(ITO)，电子注入层33为0.2纳米厚的Alq3/0.2纳米厚的氟化锂(LiF)/0.3纳米厚的铝(Al)，有机结构层34为40纳米厚的Alq3/30纳米厚的α-NPD/20纳米厚、重量百分比为2(2wt.％)的m-MTDATA与F4-TCNQ混合物，阳极层35为100纳米厚的银(Ag)。
由上面的描述与相关图式可知，组件I及组件J的差别在于组件J的阴极层32与有机结构层34间存在本发明所提出的电子注入层33。在本实施例中，40纳米厚的Alq3作为电子传输层及发光层、30纳米厚的α-NPD作为空穴传输层、20纳米厚的m-MTDATA与F4-TCNQ混合物作为空穴注入层。
图8A显示这对组件亮度对电压的特性曲线，图6B显示这对组件亮度对电流密度的特性曲线。由图8A可知，在相同注入电流下组件J的发光亮度远高于组件I，故在图8B中组件J的发光效率可达1.7烛光/安培(cd/A)，远高于组件I的～0烛光/安培(cd/A)，此结果显示组件J中的电子注入层能有效提高组件的电子注入能力，而使得注入组件的电子空穴数目较为平衡，因而可得到较高的发光效率。
以上所述仅为本发明较佳实施例而已，不能以此限定本发明所实施的范围。根据本发明权利要求所作的任何变化与修饰，都应属于本发明专利涵盖的范围。
权利要求
1.一种倒置型有机发光组件，包括一基板；一导电电极层；其位于上述基板之上；一电子注入层，其位于上述导电电极层之上，且所述电子注入层还包括一有机材料层，其位于上述导电电极层之上；一介电材料层，其位于上述有机材料层之上；一金属层，其位于上述介电材料层之上；一有机结构层，其位于上述电子注入层之上；以及一阳极层，其位于上述有机结构层之上。
2.根据权利要求1所述的倒置型有机发光组件，其特征在于所述导电电极层选择由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、铱(Ir)、钨(W)、以及钽(Ta)中至少一种及其合金所组成。
3.根据权利要求1所述的倒置型有机发光组件，其特征在于所述有机材料层由Alq3组成。
4.根据权利要求1所属的倒置型有机发光组件，其特征在于所述介电材料层选择由碱金属卤化合、碱土金属的卤化物、碱金属氧化物、碱土金属的氧化物、以及其它碱金属与碱土金属化合物中至少一种组成。
5.根据权利要求1所述的倒置型有机发光组件，其特征在于所述金属层选择由铝以及含有铝的合金中的一种组成。
6.一种用于倒置型有机发光组件的阴极结构，包括一导电电极层；以及一电子注入层，其位于上述导电电极层之上，且所述电子注入层还包括一有机材料层，其位于上述导电电极层之上；一介电材料层，其位于上述有机材料层之上；一金属层，其位于上述介电材料层之上。
7.根据权利要求6所述的倒置型有机发光组件，其特征在于所述导电电极层选择由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、铱(Ir)、钨(W)、以及钽(Ta)中至少一种及其合金所组成。
8.根据权利要求6所述的用于倒置型有机发光组件阴极结构，其特征在于所述有机材料层由Alq3组成。
9.根据权利要求6项所述的倒置型有机发光组件的阴极结构，其特征在于所述介电材料层选择由碱金属卤化物、碱土金属的卤化物、碱金属氧化物、碱土金属的氧化物、以及其它碱金属与碱土金属化合物中至少一种所组成。
10.根据权利要求6项所述的用于倒置型有机发光组件的阴极结构，其特征在于所述金属层选择由铝以及含有铝的合金中的一种组成。
全文摘要
一种用于倒置型有机发光组件的阴极结构，包括一导电电极层、一有机材料层、一介电材料层以及一金属层；其特征在于所述有机材料层位于导电电极层之上，介电材料层位于有机材料层之上，金属层位于介电材料层之上；这种用于倒置型有机发光组件的阴极结构，可避免使用低功函数、高活性的金属，因此有利于有机发光组件和显示器的制作以及环境稳定性。
文档编号C09K11/06GK1764338SQ20041008412
公开日2006年4月26日 申请日期2004年10月18日 优先权日2004年10月18日
发明者叶永辉, 吴忠帜, 陈介伟, 林俊良, 杨志仁 申请人:财团法人工业技术研究院