光学滤波器及摄像设备的制作方法

专利名称：光学滤波器及摄像设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及摄像设备和光学滤波器，该光学滤波器被布置 在摄影镜头与图像传感器之间，削弱被引导到图像传感器的光 束的高频成分并且适于截止该光束的红外成分。
背景技术：
在如数字式照相机等传统摄像设备中，在图像传感器的前
滤波器抑制伪色(false color)的产生，该伪色是由由电荷耦 合器件(CCD)或互补金属氧化物半导体(CMOS)构成的图 像传感器中的被摄体像的伪信号(pseudo signal)引起的。红 外吸收滤波器使图像传感器的感光度接近人眼的感光度。
由于光学滤波器的前表面被暴露于空气中，因此，在空气 中漂浮和在照相机中产生的如灰尘等异物不可避免地附着到光 学滤波器的前表面。结果，与被摄体像一起拍摄异物的像，使 得图像品质劣化。
在防止异物附着到光学滤波器或者在去除附着到光学滤波 器的异物时，以下方法是有效的。
(1) 对光学滤波器施加振动使得异物被抖落的方法。
(2) 去除光学滤波器的静电从而防止异物附着的方法。
(3) 涂覆光学滤波器的表面使得异物难以附着到光学滤波器 的方法。
关于抖落附着到光学低通滤波器的异物的方法(1),日本 特开2007-134801号公报论述了如下技术光学低通滤波器被 布置成粘附到压电元件，以跟随压电元件伸缩。
5关于防止静电荷积聚在光学滤波器上的方法(2),日本特 开2005-148379号公报论述了如下技术距光学滤波器的抗反 射(AR)膜的表面为两层以上的至少一层由如氧化铟锡(ITO) 等导电性膜形成。日本特开2007-193264号公报也论述了如下 技术形成ITO膜以增加涂层的表面的导电性。
关于涂覆光学滤波器的表面使得异物难以附着到光学滤波 器的方法(3),日本特开2006-163275号公报论述了如下技术 涂层由氟化镁(MgF2)或含有氟的高分子材料形成。因此，可 以减少光学滤波器的表面能，并且可以由鼓风机(air blower) 容易地去除异物。
一般地，与图像传感器的像素对应的滤色器的阵列基于由 四个RGBG像素形成的Bayer阵列。当一个点波束进入光学低 通滤波器时，通过进行将 一个点波束分成四个点波束的4点图 像分离来抑制摄影图像上的伪色的产生。
图14示出了通过将四个光学构件接合在一起以进行4点图 像分离而形成的一般的光学滤波器的构造。双折射晶体板300 由如晶体等双折射材料制成，并且转角为0。以沿水平方向进行2 点分离的双折射晶体板被用于晶体板300。红外吸收滤波器301 使如CCD等图像传感器的光语感光度与人眼的感光度基本上 一致。由晶体制成的消偏光4反(depolarization plate, X/4波 长板)3 0 2使通过双折射晶体板3 0 0而直线偏光的被摄体光束消 偏光。双折射晶体板303的转角是90°。如果被摄体光束通过双 折射晶体板303，则沿上下方向进行点像分离。通过具有上述 构造的光学滤波器并且被分成四点的被摄体光束最终进入图像 传感器106。因此，抑制摄影图像的伪色的产生。盖玻璃(cover glass ) 309将图像传感器106的光接收部106a密封在封装部 106b内。一般地，在双折射晶体板300的面对摄影镜头侧的表面上 形成大约四十层紫外(UV)线-红外(IR)线截止涂层401, 并且可以通过与红外吸收滤波器301的波长吸收特性相互作用 来获得进入图像传感器106的光的期望的光谱透射率。另外， 在双折射晶体板303的面对图像传感器侧的表面以及盖玻璃 309的两个表面上形成抗反射用的AR涂层402,以减少被摄体 光路上的各介质的界面处的反射光。
由于形成了许多层UV-IR截止涂层401,因此，去除附着于 沉积装置的内壁的不必要的沉积材料的定时对于保持光学性能 和生产效率是非常重要的。如Si02和Ti02等沉积材料通常被用 于UV-IR截止涂层和AR涂层。然而，由于氟基材料是树脂，因 此，这两种沉积材料在如沉积物质的基板温度和沉积材料的加
热温度等沉积条件方面是非常不同的。因此，就生产效率而言， 难以在一次处理中进^亍这些沉积材并牛的沉积。此外，在沉积氟 基材料之后，需要比平常更频繁地清洁内壁，使得附着到沉积 装置的内壁的材料不会影响随后的沉积。如果不频繁地清洁内 壁，则残留的氟基材料可能污染如Si02和Ti02等沉积材料。结 果，可能导致如模糊的增加、光谱的异常和缺陷的增加等性能 劣化。此外，频繁的清洁直接导致低通滤波器的制造成本的增 加。
此外，为了防止异物由于静电而附着，可以在光学基材上 形成透明的导电性膜(氧化铟锡(ITO)膜)，使得静电荷不会 积聚在光学滤波器上。然而，当由作为用于沉积光学薄膜的一 般装置的真空沉积装置来沉积透明的导电性膜时，沉积装置需 要满足如在室中形成氧气气氛等需要。为此， 一般由溅射方法 来沉积透明的导电性膜，并且需要在处理时设置专门用于沉积 透明的导电性膜的沉积装置。因此，需要形成于光学滤波器的面对摄影镜头侧的表面并 且无需使用透明的导电性膜也不会积聚静电荷的沉积膜，此外， 需要能够高品质且低成本地制造光学滤波器的沉积膜，该光学 滤波器可以通过在其最外层上形成异物附着防止膜来抑制异物 的附着。

发明内容
根据本发明的一方面，一种光学滤波器，其被布置在图像
传感器的前方，该光学滤波器包括第一光学构件；以及第二 光学构件，其比第一光学构件靠近图像传感器地布置，其中，
在第一光学构件的入射面上形成抗反射多层膜，在抗反射多层 膜的最外层形成由含氟材料制成的膜，并且在第一光学构件的 出射面和第二光学构件的入射面之间形成二向色多层膜。
根据本发明的另一方面， 一种光学滤波器，其被布置在图 像传感器的前方，该光学滤波器包括光学构件；抗反射多层 膜，其形成在光学构件的入射面上；以及二向色多层膜，其形 成在光学构件的出射面上，其中，在抗反射多层膜的最外层形 成由含氟材料制成的膜。
根据本发明的又一方面， 一种摄像设备，其包括第一光 学构件，其被布置在图像传感器的前方；以及第二光学构件， 其被布置在第一光学构件的出射面侧并且位于图像传感器的前 方，其中，在第一光学构件的入射面上形成抗反射多层膜，在 抗反射多层膜的最外层形成由含氟材料制成的膜，并且在第一 光学构件的出射面和第二光学构件的入射面之间形成二向色多 层膜。
通过以下参照附图对典型实施方式的详细说明，本发明的 其它特征和方面将变得明显。


包含在说明书中并且构成说明书的 一部分的附图与说明一 起示出了本发明的典型实施方式、特征和方面，用来解释本发 明的原理。
图l示出了根据第 一典型实施方式的数字式单镜头反光照 相机的示意性构造。
图2是示出根据第一典型实施方式的数字式单镜头反光照 相机的示意性构造的电气方框图。
图3是示出根据第一典型实施方式的数字式单镜头反光照 相机的操作的流程图。
图4是第一典型实施方式的图像传感器和光学滤波器的周 围部分的放大剖视图。
图5是示意性示出第一典型实施方式的第一光学构件的厚 度方向的样子的放大图。
图6是示出沉积在晶体基板上的UV-IR多层膜的截面的放 大的SEM照片。
图7示出了带电实验的概要。
图8示出了第一典型实施方式的图像传感器和光学滤波器 中的重影光路。
图9示出了各光学元件的光谱透射率的特性曲线。
图IO是第二典型实施方式的图像传感器和光学滤波器的 周围部分的放大剖视图。
图ll是第三典型实施方式的图像传感器和光学滤波器的 周围部分的放大剖视图。
图12是第四典型实施方式的图像传感器和光学滤波器的 周围部分的放大剖视图。
图13是第五典型实施方式的图像传感器和光学滤波器的
9周围部分的放大剖视图。
图14示出了光学滤波器的构成例。
具体实施例方式
下面将参照附图详细说明本发明的各种典型实施方式、特 征和方面。
图l示出了根据本发明的第一典型实施方式的数字式单镜 头反光照相机(下文中被称为"数字式照相机")的示意性构造。 在图l中，中央处理器(CPU) IOI控制数字式照相机的操作。
摄影镜头10 5通过聚焦摄影被摄体光而在图像传感器10 6 上形成图像。摄影镜头105被内置于可拆卸地安装到数字式照 相机的主体的镜头单元中。图像传感器106是以CCD为代表的 图像传感器。焦平面快门133控制从摄影镜头105到达图像传感 器106的摄影被摄体光的量。
由半透射主镜121和副镜122将摄影被摄体光的 一部分引 导到已知的相位差型焦点检测单元。因此，能够检测由摄影镜 头105形成为图像的被摄体光的焦点相对于图像传感器106的 光接收面朝哪个方向和错位多少作为散焦量。相位差型焦点检 测单元包括物镜123、 二次成像透镜124和焦点检测用的CCD 线传感器119。相位差型焦点检测单元能够检测取景器屏幕上 的沿上下方向和水平方向以3 x 5矩阵形式或任意组合布置的 15个区域的焦点。
摄影镜头驱动单元125被设置在镜头单元中。根据获得的 散焦量考虑摄影镜头105的透镜驱动灵敏度(透镜固有的控制 精度)，CPU101向摄影镜头驱动单元125发送用于驱动摄影镜 头10 5的驱动量脉冲。摄影镜头驱动单元12 5根据发送的脉沖驱 动脉冲马达，并且将摄影镜头105驱动到聚焦位置以进行自动的焦点调节。
数字式照相机包括接目透镜126;五棱镜127,其是用于 使像翻转的光学翻转单元；以及聚焦板128,其被置于摄影镜 头105的与图像传感器106的成像面等价的成像面。通过摄影镜 头105的被摄体光被半透射主镜121反射并且在聚焦板128上成 像。因此，形成通过透镜(TTL)的光学取景器，通过该光学 取景器，摄影者/使用者可以经由五棱镜127和接目透镜126看 到形成于聚焦板128上的被摄体像。
数字式照相机包括成像透镜130和测量摄影被摄体的可见 光的亮度的测光传感器131。由成像透镜130将形成在聚焦板 128上的被摄体像二次形成在测光传感器131上。测光传感器 131具有沿上下方向和水平方向被分成3 x 5矩阵形式的光接收 区域，并且将取景器的视野(被摄体区域)的主要区域分成3 x 5矩阵形式的区域。
光学滤波器F被布置在摄影镜头105和图像传感器106之 间，削弱被引导到图像传感器106的光束的高频成分，并且截 止光束的红外成分。光学滤波器F包括如下所述的多个光学构 件300至303。布置在摄影镜头105侧的双折射晶体板300通过 从外部施加的振动来去除附着到其表面上的如灰尘等异物。
外部显示单元132由薄膜晶体管(TFT)彩色液晶形成。
如果摄影者/使用者按下释放开关114 (参见图2),则半透 射主镜121退避到摄影镜头105的光路外，并且焦平面快门133 控制由摄影镜头105聚集的被摄体光量。此外，在由图像传感 器106将光光电地转换成被摄体像之后，在如闪速存储器等记 录介质上记录作为图像数据的被摄体像。此外，在显示单元132 上显示作为已摄影的图像的被摄体像。
图2是示出根据第一典型实施方式的数字式照相机的示意性构造的电气方框图，并且用相同的附图标记表示与图l所示
的元件相同的元件。存储控制程序的只读存储器(ROM) 102、 随机存取存储器(RAM) 103、数据存储单元104、图像处理 单元108、振动控制单元109、液晶显示器(LCD)控制单元lll、 释放开关114、直流/直流(DC/DC )转换器117、焦点检测控 制单元120、摄影镜头驱动单元125以及测光传感器131被连接 到CPUIOI。
在一个实施方式中，图像传感器控制单元107和图像传感 器106被连接到图像处理单元108。图像传感器106的有效像素 的凄t量是大纟々8，200，000 (3504 x 2336 )。显示马区动单元112禾口 显示单元132被连接到LCD控制单元111。显示单元132显示通 过转换由图像传感器106拍摄的图像获得的320x240像素的图 像。供给电源的电池116被连接到DC/DC转换器117。
振动元件(压电元件)305被接合固定到光学滤波器F的布 置于摄影镜头105侧的双折射晶体板300,并且产生振动以去除 异物。振动控制单元109包括使振动元件305振动的电路。由于 在日本特开2007-134801号公报中说明了对振动元件305的控 制，因此，本文将不对其进行说明。然而，CPU101向振动控 制单元10 9发出进行振动控制的命令。
CPU101基于存储在ROM102中的控制程序进行各种控 制。在控制中，存在读取从图像处理单元108输出的摄影图像 的信号、并且进行向RAM103传送直接内存访问(DMA)的处 理。此外，存在从RAM103向显示驱动单元112 DMA传送数据 的处理。此外，存在以联合图像专家组(JPEG)文件格式压 缩图像数据并且在数据存储单元10 4中存储图像数据的处理。 另外，CPU101指示图像传感器106、图像传感器控制单元107、 图像处理单元108、以及LCD控制单元111改变数字图像处理和
12获取的数据的像素数。
焦点检测控制单元12 0对从焦点检测用的 一 对C C D线传感 器119获得的电压进行模数(A/D)转换，并且向CPU101发送 该电压。此外，在CPU101的指示下，焦点检测控制单元120 对CCD线传感器119的累积时间和自动增益控制(AGC)进行 控制。CPU101通过处理从焦点检测控制单元120发送的信号算 出从主要被摄体的焦,泉检测的当前状态到主要被摄体处于对好 焦的状态的透镜驱动量。然后，CPU向摄影镜头驱动单元125 发出指示。摄影镜头驱动单元125基于该指示通过使设置在摄 影镜头105中的焦点调节透镜移动而使主要被摄体对好焦。
测光传感器13l检测被摄体的亮度，并且向CPU101发送信 号。CPU101基于亮度信息算出曝光量，并且确定摄影镜头105 的快门速度和光圏值中的一者或者两者。
CPU101还控制与释放开关114的操作相关的摄影操作的 指示以及向DC/DC转换器117输出用于控制到各元件的电源的 供给的控制信号的处理。
RAM103包括图4象光栅化区域(image rasterization area) 103a、工作区域103b、视频随机存取存储器(VRAM) 103c以及临时退避区；或(temporary retreating area ) 103d。 图像光栅化区域10 3 a被用作临时存储从图像处理单元10 8发送 的摄影图像(YUV数字信号)和从数据存储单元104读取的 JPEG压缩图像数据的临时緩冲器。此外，图像光栅化区域103a 被用作用于图像压缩处理和图像解压缩处理的图像的专用工作 区域。工作区域103b被用于各种程序。VRAM103c存储将在显 示单元132上显示的显示数据。临时退避区域103d被用于临时 保存各种数据。
数据存储单元104是闪速存储器。数据存储单元104以文件形式存储由CPU 101进行JPEG压缩的摄影图像数据、参照用途 的各种附属数据等。
在一个实施方式中，图像传感器控制单元107包括定时 发生器，其向图像传感器106供给传送时钟信号和快门信号； 电路，其去除从图像传感器输出的信号的噪声并且进行增益处 理；以及A/D转换电路，其将模拟信号转换成10位数字信号。
在一个实施方式中，图像处理单元108对从图像传感器控 制单元10 7输出的10位数字信号进行如伽玛转换、色空间转换、 白平衡、自动曝光(AE)、闪光校正等图像处理，并且输出具 有YUV格式(4:2:2)的8位数字信号。
LCD控制单元lll接收从图像处理单元108传送的YUV数 字图像数据或者通过对数据存储单元104中的图像文件进行 JPEG解压缩获得的YUV数字图像数据。此外，在YUV数字图 像数据被转换成R G B数字信号之后，L C D控制单元111向显示 驱动单元112输出RGB数字信号。显示驱动单元112进行控制以 驱动显示单元132。
释放开关114用于指示摄影操作的开始。释放开关114根据 释放按钮(未示出)的加压力具有两阶段的切换位置。当检测 到第一位置(SW1-0N)时，如白平衡和AE等照相机设定被锁 定。当检测到第二位置(SW2-0N)时，获得被摄体像信号。
电池116是可再次充电的二次电池或者干电池。此外，乂人 电池116向DC/DC转换器117供给电源，通过增加电压并且进行 调整产生多个电源，并且向包括CPU101的各元件供给所需电 压的电源。DC/DC转换器117能够在CPU101的控制下控制各 电压的供给开始和停止。
下面将参照图3说明根据本典型实施方式的数字式照相机 的操作。CPU101读取并且执行存储在ROM102中的控制程序，以进行以下操作。
首先，在步骤S200中，如果在数字式照相机未操作时接通 电源开关(未示出)，则接通数字式照相机的电源。在步骤S201 中，由振动元件305使光学滤波器F的双折射晶体板300振动， 从而去除如灰尘等异物。
在步骤S202中，按下并且保持释放按钮，直到释放开关114 的SW1被接通。如果在步骤S202中接通SW1 (在步骤S202中 为是)，则在步骤S203中，由测光传感器131获得被分成3 x 5 矩阵形式或者任意组合的摄影被摄体的亮度信息，并且该亮度 信息被存储在存储器中。基于在步骤S203中获得的被摄体的亮 度信息，通过预定的测光算法的计算来确定摄影镜头的光圏值 和快门速度、即数字式照相机的曝光值。由从测光传感器131 获得的3 x 5矩阵形式或者任意组合的亮度信息计算最佳曝光 值的算法可以是简单的平均，或者可以是通过对与在步骤S206 中确定的焦点才企测区域对应的测光区域进行最大加权而进行的 计算。
在步骤S204中，判断数字式照相机的焦点检测区域选择模 式是否被设定成手动模式。如果焦点检测区域选择模式被设定 成手动模式(在步骤S204中为是)，则摄影者/使用者能够通过 操作开关拨盘(未示出)任意选择多个焦点检测区域中的一个。 此外，如果焦点检测区域选择模式被设定成自动模式(在步骤 S204中为否)，则处理前进到步骤S205。在步骤S205中，基于 与相位差型焦点4企测单元的15个焦点4全测区域显示单元对应 的焦点检测区域处的散焦量，用于自动选择焦点检测区域的子 程序选择上述15个焦点检测区域中的一个。可以考虑用于自动 选择焦点检测区域的一些算法，但是，对于多点AF照相机，用
于对中央焦点检测区域进行加权的已知的近点优先算法是有效
15的。不管焦点检测区域选择模式被设定成手动模式还是自动模
式，在步骤S205或S206中，结果都确定一个焦点检测区域。
然后，在步骤S207中，由在步骤S205或S206中确定的焦 点检测区域处获得的焦点检测偏差(散焦量)和安装在数字式 照相机上的摄影镜头105的透镜驱动灵敏度来确定将最终获得 的透镜移动距离。此外，在驱动透镜之前的状态下，根据CCD 线传感器119的信号向摄影镜头驱动单元125发送信号，使得摄 影镜头105被驱动预定距离。
此外，与在步骤S206中确定的焦点检测区域对应的焦点检 测区域显示单元(未示出)被点亮，并且显示被摄体区域中的 摄影镜头105对好焦的位置。在步骤S208中，当摄影者/使用者 看见取景器的显示聚焦的视野、并且继续接通SW1 (在步骤 S208中为是)时，处理前进到步骤S209。在步骤S209中，如 果按下释放按钮并且接通SW2 (步骤S209中为是)，则处理前 进到步骤S210。在步骤S209中，信号被发送到快门控制单元 (未示出)、光圏驱动单元(未示出)以及图像传感器控制单元 107,并且进行已知的摄影操作。
如果在步骤S208中判断出SW1被断开(在步骤S208中为 否)，则处理返回到步骤S202并且SW1等待被接通。此外，在 步骤S209中，如果判断出SW2未被接通(在步骤S209中为否)， 则处理返回到步骤S208并且SW2等待被接通。
在摄影操作中，首先，经由马达控制单元(未示出)对马 达通电，半透射主镜121被向上倾斜，并且摄影镜头105的光圈 被缩小。然后，对快门133的磁体通电并且打开快门133的第一 帘幕，使得被摄体光开始积聚在图像传感器106中。在经过预 定的快门速度的时间之后，通过对磁体通电并且闭合快门133 的后帘幕来终止图像传感器106中的被摄体光的积聚。然后，再次对马达通电，使得半透射主镜121向下倾斜并且对快门施 力。因此，结束快门释放序列的一系列操作(摄影操作)。通过 上述操作，来自被摄体像的光积聚在图像传感器106中。
在一个实施方式的步骤S211中，由步骤S210的摄影操作对 暴露于图像传感器106的被摄体像进行光电转换，并且在图像 处理单元108中将该被摄体像转换成具有大约8,200,000 (3504x2336 )像素的数字数据，然后将该数字数据存储在 RAM103a中。具有3504x2336像素并且被存储在RAM103a中 的图像数字数据被转换成将被显示在显示单元132上的具有 320x240像素的图像数据，并且该图像数据再次被存储在用于 显示的VRAM103c中。当在显示单元132上显示具有320x240 像素的图像数据时，摄影者/使用者能够确认摄影图像。此外， 对具有3504 x 2336^f象素并且^皮存^f诸在RAM103a中的图4象数字 数据进行JPEG压缩处理，然后，在数据存储单元104(如 CompactFlash⑧等记录介质)中记录作为图像数据的图像数字 数据。
在步骤S212中，判断在显示图像的同时SW1是接通还是断 开。如果SW1被接通(在步骤S212中为是)，则显示单元132 的整个图像显示被熄灭(off),处理返回到步骤S209,并且SW2 等待被接通。如果SW1未被接通(在步骤S212中为否)，则处 理返回到步骤S202并且SW1等待被接通。
下面将参照图4至图9详细说明光学滤波器F。图4是图像传 感器106和光学滤波器F的周围部分的放大剖视图。根据本典型 实施方式的数字式照相机采用进行4点图像分离以抑制在图像 传感器的滤色器的阵列(Bayer阵列)上产生摄影图像的伪色 的光学低通滤波器。
在一个实施方式中，双折射晶体板300的转角为0°，并且双折射晶体板300沿水平方向将被摄体像分成两个像(水平2点 分离)。当切削角是45。的晶体的厚度是lmm时，由晶体的双折 射作用引起的点像分离的宽度是大约5.87pm。因此，可以通过 用值5.87乘以晶体的厚度来成比例地容易地算出分离的必要宽 度。双折射晶体板300形成第一光学构件。
红外吸收滤波器3 01用于使图像传感器10 6的光谱感光度 与人眼的感光度基本上一致。由晶体制成的消偏光板302 (X/4 波长板)使通过双折射晶体板300直线偏光的被摄体光束消偏 光，以再次将被摄体光束恢复到圆偏光，并且发出被摄体光束。 红外吸收滤波器301和消偏光板302彼此接合并且形成第二光 学构件。
在一个实施方式中，转角为90。的双折射晶体板303沿上下 方向将被摄体像分成两个像(上下2点分离)。双折射晶体板303 形成第三光学构件。双折射晶体板303被接合到陶瓷封装部 106b,该陶资封装部106b用于保护图^f象传感器106的光接收部 (光接收芯片)106a。
如上所述，振动元件3 0 5被接合固定到双折射晶体板3 0 0 的上端。振动元件305使双折射晶体板300振动，从而可以去除 附着到双折射晶体板300的面对摄影镜头105侧的表面的如灰 尘等异物。振动元件305是压电体和内部电极交替层叠的层叠 压电元件。由于在振动元件的层叠方向上产生大的振幅(位移)， 因此，能够使双折射晶体板300在与摄影光轴正交的方向上显 著地振动和移位。
如上所述，由包括第一至第三光学构件的光学滤波器F实 现低通滤波器的效果和红外吸收(可见度校正)的效果。如果 光学滤波器由如上所述的三个光学构件形成，则能够获得以下 效果。更具体地，通过仅使产生振动以去除异物的第一光学构件(双折射晶体板300)及其形状最优化，该光学构件能够有 效地产生振动。另外，可以通过用作为光学滤波器的一部分的 第三光学构件(双折射晶体板303 )代替图14所示的光学滤波 器的图像传感器的盖玻璃309来减小制造成本。
下面将说明第 一 至第三光学构件的构造。保持构件3 0 7被 布置在第一光学构件(双折射晶体板300)与第二光学构件(由 红外吸收滤波器301和消偏光板302形成的接合体)之间。被置 于保持构件3 0 7与双折射晶体板3 0 0之间的弹性构件3 0 4由弹性 体(高分子材料)制成。通过由具有弹性的金属板形成的加压 构件3 0 6使双折射晶体板3 0 0压靠弹性构件3 0 4,使得双折射晶 体板300被浮动地保持成在保持构件307上。因此，双折射晶体 板300能够对应于压电元件305的伸缩而振动，并且能够防止由 于振动造成的双折射晶体板300的损坏。此外，用弹性构件304 密封双折射晶体板300的四边附近和保持构件307，使得不形成 间隙。因此，双折射晶体板300的出射面与红外吸收滤波器301 的入射面被密封。包括第一和第二光学构件的滤波器单元和第 三光学构件(双折射晶体板303 )彼此紧密接触并且被粘合片 308固定，从而异物不会进入滤波器单元和第三构件之间的间 隙。
根据上述构造，光学滤波器F的有效光学范围可以被配置 于密封空间，使得一旦组装滤波器单元，异物就不会从外部进 入。
作为具有导电性的抗反射多层膜的抗反射涂层(AR涂层) 400被沉积在第一光学构件(双折射晶体板300)的面对摄影镜 头105侧的表面(摄影光束的入射面)上。AR涂层400在最外 层(最外表面)具有由含氟材料制成的异物附着防止膜。此外， 作为具有截止红外光和紫外光的效果的二向色(dichroic)多层膜的UV-IR截止涂层401被沉积在第 一光学构件(双折射晶体 板300)的面对图像传感器106侧的表面(摄影光束的出射面) 上，以改进摄影图像的色彩再现性。
通常的抗反射涂层(AR涂层)402形成在第二光学构件(由 红外吸收滤波器301和消偏光^反302形成的^妾合体)的两个表面 上以及被接合到图像传感器106的第三光学构件(双折射晶体 板303 )的两个表面上。
由含氟材料制成的异物附着防止膜的下层不是由通常的 UV-IR截止涂层形成而是由AR涂层400形成、并且形成在光学 滤波器F的面对摄影镜头105侧的表面上的原因有两个。
第一个原因如下由于AR涂层400的层数比UV-IR截止涂 层的层数少一个数量级，因此，几乎不产生分散到除了对象物 之外的其它部分的沉积材冲牛的孩i:粒、即灰尘。因此，如果沉积 抗反射材料，则沉积室的清洁周期比沉积UV-IR截止材料时沉 积室的清洁周期长。在沉积抗反射材料之后沉积氟材料和在沉 积U V-1R截止材料之后沉积氟材料的两种情况下，沉积室的清 洁周期比未沉积氟材料时沉积室的清洁周期短。如果在清洁周 期短的U V-1R截止材料沉积之后沉积氟材料，则进 一 步缩短了 清洁周期。因此，生产效率显著劣化。在本典型实施方式中， 在清洁周期较长的抗反射材料沉积之后沉积氟材料。因此，能 够在不使生产效率显著劣化的情况下沉积氟材料。
第二个原因如下UV-IR截止涂层401不是形成在第一光学 构件(双折射晶体板300)的面对摄影镜头105侧的表面(摄影 光束的入射面)上，而是形成在被第一和第二光学构件密封的 空间中的表面上。因此，即使UV-IR截止涂层401带静电，异物 也不会附着到UV-IR截止涂层401。因此，UV-IR截止涂层401 不需要具有导电性。在本典型实施方式中，由于UV-IR截止涂
20层401不需要具有导电性，因此，可以通过可靠性和光学性能 比通常的真空沉积优异的离子辅助沉积来沉积U V-1R截止涂层 401。
将参照图5进一 步说明UV-IR截止涂层401和包括形成于 第一光学构件(双折射晶体板300 )的表面上的异物附着防止 膜的AR涂层400。图5是示意性示出双折射晶体板300的沿厚度 方向的样子的放大图。双折射晶体板300的实际厚度是大约 1 mm,作为沉积层的沉积材料的Si02或者Ti02的 一 层的厚度是 大约100nm。
首先，将说明包括异物附着防止膜的AR涂层400。在双折 射晶体板3 0 0的面对摄影镜头10 5侧的表面上形成在真空沉积 中通过交替层叠Si02膜和Ti02膜形成的五层AR涂层400，并且 在AR涂层400的最外层上形成异物附着防止膜400a。
下面将说明异物附着防止膜400a。用含有氟原子的材料涂 覆基材的表面能有效地防止异物的附着。由于氟原子的半径和 极化率小，因此，在所有元素中，电负性(electro-negativity ) 是最高的。此外，由于碳与氟之间的键的结合能非常大，因此， 碳与氟之间的4定具有优异的耐热性和耐光性。此外，由于碳与 氟之间的键的极化率小，因此，分子间的内聚力也小，使得可 以减小表面自由能。表面自由能与由于范德华力导致的分散项 成分(variance term component )、 与库仑静电力相关的才及性 项成分、基于氢结合力的项以及如其它金属结合力等分子间力 相关。用具有小表面自由能的氟基材料涂覆能有效地防止如灰 尘等异物的附着。
期望含有通过用氟置换烃基的氢获得的全氟烷基的化合 物、例如全氟烷基硅烷被用作氟基材料。此外，如在日本特开 2006-163275号7>才艮所说明的那样，尽管不能获得与涂覆氟基树脂相同的效果，但是，使用作为氟化合物的一种并且通常用
作表面涂覆用的沉积材料的M g F 2也适于防止异物的附着。
然而，如果异物附着防止膜4 0 0 a仅形成在基板的表面上， 则不能充分地防止异物的附着。如果设置在异物附着防止膜 400a的下方的膜、即本典型实施方式中的AR涂层带电，则异 物易于由于静电力而附着。下面将说明设置在异物附着防止膜 400a的下方的AR涂层。
通过最常用的通常的真空沉积来沉积图5所示的形成A R涂 层的Si02和Ti02。如果通过真空沉积来沉积这些沉积材料，则 每种沉积材料的沉积层呈多孔状。图6的上方的图示出了该形 状。图6示出了通过扫描电子显微镜(SEM)拍摄的沉积在晶 体基板上的UV-IR多层膜的截面。如图6的上方的图所示，Ti02 膜清晰地呈多孔状。此外，图6的下方的图示出了通过作为真 空沉积的一种的离子辅助沉积使用Si02和Ta20s (沉积材料) 形成的UV-IR多层膜的截面。发现与通常的真空沉积的涂层 相比，形成使用Si02和Ta205的致密膜。
根据离子辅助沉积，在真空沉积期间，用具有数百eV的气 体离子照射基板，使得能够形成致密的沉积膜。相反地，对于 通常的真空沉积，以下是通常已知的。更具体地，由于形成的 多孔质层具有低密度和吸水性，因此，当沉积层含有水分时， 沉积层的折射率和涂层的光谱特性改变。此外，由于这些多孔 质层吸收水分，因此，沉积层的电阻可能改变。
进行如下实验测量当双折射晶体板300的沉积面被强制 带电并且通过导线被接地到地电平时沉积面上是否残留电荷 (成为0V)。图7示出了实验的概要。在图7中，为双折射晶体 板3 0 0的沉积面提供电荷的带电直流装置可以通过使带电棒靠 近晶体板移动而容易地使晶体板带电。接着，使表面电位计的探针靠近双折射晶体板300的沉积面，以检查沉积面带有500V 以上的电压。然后，通过导线将沉积面接地到地电平。进行如 下实验由表面电位计再次测量电荷是否残留在沉积面上(成 为0V ),并且判断电荷是否从双折射晶体板300的沉积面消失。 表l示出了实验结果。通过在晶体板上施加各种涂层来形 成样品。UV-IR1是如下的一般UV-IR截止涂层在最外表面上
形成Si02膜，并且在该Si02膜的下方朝向晶体基板交替层叠四
十层的厚度均是大约100nm的TiO2膜和SiO2膜。通过通常的真 空沉积形成UV-IR1。 UV-IR2是如下的UV-IR截止涂层在最 外表面上形成Si02膜，并且在该Si02膜的下方朝向晶体基板交 替层叠四十层的厚度均是大约100nm的Ta205膜和SiOJ莫，并 且UV-IR2与UV-IR1具有相同的光谱规格(spectral specification )。通过离子辅助沉积形成UV-IR2 。作为这两种 涂层样品的带电实验的结果，由于通过导线接地导致通过通常 的真空沉积形成的U V-1R1涂层中的电荷消失，使得沉积面的电 位为0V。然而，通过离子辅助沉积形成的UV-IR2涂层中的多 数电荷未改变，并且未#1去除。
AR1是形成有包括Si02膜、Zr02膜和Al203膜的三层的抗 反射涂层，其中，Si02膜形成在最外面上，Zr02膜和Al203膜 形成在Si02膜的下方。当在AR1涂层上进行带电实验时，未去 除电荷。
AR2是具有与UV-IR1的膜构造类似的膜构造的AR涂层， 其中，在表面上形成Si02膜，朝向晶体基板交替层叠五层的厚 度均是大约100nm的Ti02膜和SiCM莫，并且在表面层的Si02 膜上形成厚度是大约100nm的MgF2膜作为最外表面层的异物 附着防止膜。在AR2涂层上进行带电实验，并且可以确认电荷 被去除。另外，在AR3涂层上进行带电实验，在该AR3涂层中，厚度为大约10nm的氟基材料膜代替AR2涂层的MgF2膜作为异 物附着防止膜形成在最外层上，并且可以确认电荷被去除。 [表l]
涂层名称沉积材料沉积方法除电
uv-miSi02， Ti02通常的真空沉积〇
UV-IR2Si02， Ta2()5离子辅助沉积X
AR1SiO2， Zr02, A1203通常的真空沉积X
AR2MgF2, Si02, Ti02通常的真空沉积〇
AR3氟基材料，Si02, Ti02通常的真空沉积〇
通过上述说明，通过通常的真空沉积在晶体基板上交替形
成Si02膜和Ti02膜的具有多孔质Ti02膜结构的涂层能够通过 使沉积面接地而去除电荷。另外，由含有氟或者MgF2(氟化镁) 的高分子材料制成并且形成在形成于涂层表面的S i O 2膜上的 异物附着防止膜的层不会阻止电荷的去除。
在本典型实施方式中，为了防止异物附着到双折射晶体板 300 ，通过真空沉积在双折射晶体寿反300上交替形成由Si02和 Ti02 (沉积层的沉积材料)制成的膜，并且在其最外层上形成 异物附着防止膜400a。因此，可以提供不产生静电力并且具有 低表面自由能的AR涂层400，换句话说，可以提供异物不容易 附着的AR涂层400。
下面将说明UV-IR截止涂层401。由于仅通过红外吸收滤波 器301不能使图像传感器的光谱感光度与人眼的感光度一致， 因此，为了截止预定波长区域，设置UV-IR截止涂层401。更具 体地，UV-IR截止涂层截止以下三个波长区域。即，截止400nm
24附近的波长区域，以减少摄影镜头105的蓝色的渗色。急剧截 止被红外吸收滤波器301緩慢吸收并且变暗淡的700nm(红光) 附近的波长区域。截止超过1000nm (红外区域)的波长区域， 在该波长区域中，红外吸收滤波器301的透射率逐渐增加。
如图5所示，UV-IR截止涂层401具有在最外表面上形成 的Si02膜；和在该Si02膜的下方通过真空沉积朝向晶体基板交 替层叠的大约40层的厚度均为大约lOOnm的Si02膜和TiOJ莫。 作为可选方案，UV-IR截止涂层也可以具有在最外表面上形 成的Si02膜；和在该Si02膜的下方通过离子辅助沉积朝向晶体 基板层叠的大约40层的Ta2CM莫和SiCM莫。
如上所述，AR涂层400被布置在包括红外吸收滤波器301 的光学滤波器F的前表面上，并且利用抗静电效果来防止异物 的附着。相反地，由于UV-IR截止涂层401被布置在光学滤波器 F的内部，因此，无需考虑带电。因此，能够通过离子辅助沉 积来形成U V-1R截止涂层4 01,该离子辅助沉积能够形成具有高 强度和光谱特性难以改变的致密膜并且显著有利于光谱特性和 环境可信赖性。
在图4中，UV-IR截止涂层401被布置在双折射晶体板300 的后表面(面对图像传感器106侧的表面)上，但是，UV-IR 截止涂层401也可以被布置在红外吸收滤波器301的面对摄影 镜头105侧的表面(即，面对双折射晶体板300的后表面的表面) 上。
此外，当第二光学构件的红外吸收滤波器301和消偏光板 302被布置在翻转位置(前后颠倒)时，第二光学构件的功能 完全相同。当红外吸收滤波器301和消偏光板302被翻转时， UV-IR截止涂层40 l被布置在消偏光板302的面对摄影镜头105 侧的表面上、即面对双折射晶体板3 0 0的后表面的表面上。换句话说，UV-IR截止涂层401形成在第一光学构件的后表 面(面对图像传感器106侧的表面)上或者形成在第二光学构 件的面对摄影镜头105侧的表面上。将参照图8和图9说明该构 造的原因。
图8仅示出了图4的光学元件，并且光学元件的配置和形成 在光学元件的表面上的涂层与如图4所述的相同。图9示出了 UV-IR截止涂层401的光谱透射率、红外吸收滤波器301的透射 率、以及这两个透射率的合成透射率的特性曲线。由合成透射 率来确定进入图像传感器106的被摄体光的光谱。如图9所示， UV-IR截止涂层401被设计成使得红外透射率在波长为670nm 附近为50%。换句话说，UV-IR截止涂层401的反射率在波长为 670nm以上的红外区域高(50%以上)。此外，反射率在波长为 400至670nm处^^中制在2o/o内。
图8将说明来自被摄体的点光(spot light)如何作为重影 光进入图像传感器106 (被摄像)。在一个实施方式中，从摄影 镜头105进入的来自被摄体的点光通过双折射晶体板300、红外 吸收滤波器301和消偏光板302。然后，该点光通过双折射晶体 板303并且进入图像传感器106的光接收部106a。 一般地，AR 涂层400和402中的每一方的反射率在波长为400至700nm的 可见光范围内是大约1%以下，但是，光接收部106a的反射率 在宽范围上较高(大约6%)。从而，在光接收部106a的表面上 的点A1处产生反射光束。该反射光束返回到光学滤波器F。然
围内高，即在波长为670至700nm的可见光范围内为50%以上。 因此，在点A1处反射的点光束在点A2处被再次反射，并且再次 进入图像传感器106的光接收部106a的表面上的点A3。结果， 在摄影图像中，在作为焦点对准的被摄体的点光附近产生未对焦并且直径基本上对应于点A1和A3之间的距离的重影光。
在点A1处被反射的点光束进 一 步两次通过红外吸收滤波 器301直到最终到达点A3。红外吸收滤波器301的透射率在波 长为670至700nm处超过100/。。因此，当光接收部106a的表面 上的点A3处的反射率是6。/。并且UV-IR截止涂层401在波长为 670至700nm处的平均反射率是75%时，重影光的强度被削弱 到0.045% ( =6%x0.75x0.1x0.1 )。此夕卜，在形成有AR涂层的 介质的各界面处反射的光也作为重影光进入图像传感器106。 然而，由于AR涂层400的反射率是大约10/。，因此，重影光的强 度在波长为400至700nm的可见光范围内是0.06% (=6%x0.01 )。在与界面数量对应的五个表面上产生重影光。 因此，当重影光彼此重叠时，在400至700nm的可见光波长中 具有平坦光镨并且强度是直接光的强度的大约0.3%至0.4%的 重影光被拍摄而不会产生不舒适感。
在本典型实施方式中，UV-IR截止涂层401的沉积面被布置 在双折射晶体才反300的后表面上。然而，只要位于双折射晶体
止涂层401的沉积面就可以形成在任何面上。例如，UV-IR截止 涂层4 01的沉积面可以被i殳置在红外吸收滤波器3 01的入射面 (面对摄影镜头105侧的表面)上。在该情况下，重影光的尺 寸稍微减小并且重影光的强度增加，但是拍摄基本上同样的重影光。
将说明当UV-IR截止涂层401比红外吸收滤波器301更靠 近图像传感器106布置时的重影光的强度。作为例子，假定 UV-IR截止涂层401形成在消偏光板302的面对图像传感器106 侧的表面上，并且将考虑重影光的强度。在图8中，在光接收 部106a的表面上的点Al处产生的6%的反射光束被在波长为670至700nm处具有75。/。的高平均反射率的消偏光板302的表 面反射。然后，反射光束原样进入光接收部106a。如果在670 至700nm的相同波长处计算反射率，则获得4.5°/0 ( =6%x0.75 ) 的高强度。由于在其它界面的反射率为0.06%的五个面上产生 重影光，因此，重叠的重影光的强度在400至700nm的可见光 范围上是大约5% 。重叠的重影光在670至700nm的波长处的强 度占大约90%。结果，在摄影图像中，在作为对好焦的被摄体 的点光附近产生红重影光，该红重影光具有基本上对应于点A1 和B2之间的距离的直径并且具有比上述例子小的尺寸和高很 多的强度，使得图像品质显著劣化。
因此，为了使重影光不明显，对于图像品质，比红外吸收 滤波器301更靠近摄影镜头105地布置UV-IR截止涂层401是重要的。
以下将参照图IO说明根据本发明的第二典型实施方式。图 10是图像传感器106和光学滤波器F的周围部分的放大剖视图， 并且对应于第一典型实施方式的图4。用相同的附图标记表示 与图4所示的元件相同的元件。
第一和第二典型实施方式的不同之处在于除了第一典型
实施方式的第二光学构件是由红外吸收滤波器301和消偏光板 302形成的接合体之外，第二典型实施方式的第二光学构件还 包括转角为90。的双折射晶体板303。也就是说，第二典型实施 方式的第二光学构件包括彼此接合的三个光学元件。
第一和第二典型实施方式的相同之处在于最外层包括异
物附着防止膜的AR涂层400被沉积在第一光学构件(双折射晶 体板300 )的面对摄影镜头105侧的表面上，并且UV-IR截止涂 层4 01被沉积在第 一 光学构件(双折射晶体板3 0 0 )的后表面上。 然而，由于由第二典型实施方式的第一和第二光学元件来完成低通效果，因此，盖玻璃(保护玻璃)309用于保护图像传感 器106的光接收部106a。与第一典型实施方式类似，形成UV-IR 截止涂层401的表面可以不是双折射晶体板300的后表面，而是 第二光学元件的面对摄影镜头105侧的表面(摄影光束的入射 面)。
在第二典型实施方式中可以使用一般的图像传感器，在该 图像传感器中，盖玻璃309被用于图像传感器106。因此，选择 图像传感器的制造商的自由度增加，这有利于图像传感器的供 应和减少图像传感器的成本。这是因为在第一典型实施方式 中，为了制造双折射晶体板303被高可靠性地安装到陶瓷封装 部106b的图像传感器，要使陶瓷封装部106b的材料的线膨胀系 数尽可能接近晶体的线膨胀系数。
以下将参照图11说明根据本发明的第三典型实施方式。图 11是图像传感器106和光学滤波器F的周围部分的放大剖视图， 并且对应于第 一典型实施方式的图4。用相同的附图标记表示 与图4所示的元件相同的元件。
第一和第三典型实施方式的不同之处在于第三典型实施 方式的第二光学构件仅包括红外吸收滤波器301。
第一和第三典型实施方式的相同之处在于最外层包括异 物附着防止膜的AR涂层400被沉积在第一光学构件(双折射晶 体板300)的面对摄影镜头105侧的表面上，并且UV-IR截止涂 层401被沉积在第一光学构件(双折射晶体板300 )的后表面上。 此外，与第二典型实施方式类似，由盖玻璃309保护图像传感 器106。
在第三典型实施方式中，仅设置一个双折射晶体板，从而 仅进行水平2点像分离。因此，不能获得沿上下方向的低通效 果，并且增加了产生伪色的可能性。然而，由于可以去除两块晶体板，因此，第三典型实施方式适于便宜的数字式照相机。
可以使用转角是90°的双折射晶体板代替转角是0。的双折射晶体板。
以下将参照图12说明根据本发明的第四典型实施方式。图 12是图像传感器106和光学滤波器F的周围部分的放大剖视图 并且对应于第一典型实施方式的图4。用相同的附图标记表示 与图4所示的元件相同的元件。
第一和第四典型实施方式的不同之处在于与第三典型实
施方式类似，第二光学构件仅是红外吸收滤波器301。此外， 红外吸收滤波器301被接合到图像传感器106并且用于保护图 像传感器106的光接收芯片106a。
第一和第四典型实施方式的相同之处在于最外层包括异
物附着防止膜的AR涂层400被沉积在第一光学构件(双折射晶 体板300 )的面对摄影镜头105侧的表面(摄影光束的入射面) 上，并且UV-IR截止涂层401被沉积在第一光学构件(双折射晶 体板300)的后表面上。
在第四典型实施方式中，与第三典型实施方式类似，进行 水平2点像分离。然而，由于不需要盖玻璃309,因此，可以进 一步减少制造成本。此外，需要从线膨胀系数接近UV-IR截止 涂层401的线膨胀系数的材料中选择用于陶瓷封装部106b的材 料。
以下将参照图13说明根据本发明的第五典型实施方式。图 13是图像传感器106和光学滤波器F的周围部分的放大剖视图， 并且对应于第 一典型实施方式的图4。用相同的附图标记表示 与图4所示的元件相同的元件。
在第五典型实施方式中，第二光学构件是具有以下结构的 光学滤波器以与图14所示的方式类似的方式使包括转角为0°的双折射晶体板300、红外吸收滤波器301、消偏光板302和转 角为90。的双折射晶体板303的四个光学元件接合。通常的抗反 射涂层402形成在具有四元件接合结构的光学滤波器的前表面 上。
此外，由S-BSL7制成并且具有良好光学特性的玻璃板310 形成第一光学构件。最外层包括异物附着防止膜的AR涂层400 被沉积在第一光学构件(玻璃板310)的面对摄影镜头105侧的 表面上，并且UV-IR截止涂层401被沉积在第一光学构件(玻璃 板310)的后表面上。此外，在本典型实施方式中，玻璃板310 是为了去除附着到玻璃板的面对摄影镜头10 5侧的表面上的异 物而振动的对象。
在第五典型实施方式中，当使用于去除异物的振动产生最 优化时，不需要考虑包括传统红外吸收滤波器和光学低通滤波 器的光学滤波器F。在振动产生中，仅与作为振动对象的玻璃 板310相关的参数，如材料、厚度和形状、以及振动元件的驱 动电压和驱动波形等需要被确定和优化。 一 旦使振动最优化， 即使改变光学滤波器F的规格，也不需要改变振动机构。
虽然已经参照典型实施方式说明了本发明，但是，应该理 解，本发明不限于所公开的典型实施方式。所附权利要求书的 范围将符合最宽的解释，以包含所有变型、等同结构和功能。
3权利要求
1.一种光学滤波器，其被布置在图像传感器的前方，所述光学滤波器包括第一光学构件；以及第二光学构件，其比所述第一光学构件靠近所述图像传感器地布置，其中，在所述第一光学构件的入射面上形成抗反射多层膜，在所述抗反射多层膜的最外层形成由含氟材料制成的膜，并且在所述第一光学构件的出射面和所述第二光学构件的入射面之间形成二向色多层膜。
2. 根据权利要求l所述的光学滤波器，其特征在于，在所 述抗反射多层膜中形成Si02膜和TiOJ莫。
3. 根据权利要求l所述的光学滤波器，其特征在于，所述 抗反射多层膜的最外层由含有全氟烷基的化合物制成。
4. 根据权利要求l所述的光学滤波器，其特征在于，所述 抗反射多层膜的最外层由MgF2制成。
5. 根据权利要求2所述的光学滤波器，其特征在于，通过 真空沉积形成Si02膜和Ti02膜。
6. 根据权利要求l所述的光学滤波器，其特征在于，通过 离子辅助沉积来沉积所述二向色多层膜。
7. 根据权利要求l所述的光学滤波器，其特征在于，所述 第二光学构件吸收红外成分。
8. 根据权利要求l所述的光学滤波器，其特征在于，所述 抗反射多层膜具有导电性。
9. 根据权利要求l所述的光学滤波器，其特征在于，所述 光学滤波器还包括保持构件，其被构造成保持所述第一和第二光学构件。
10. 根据权利要求9所述的光学滤波器，其特征在于，所述 第一光学构件的出射面和所述第二光学构件的入射面之间的间 隙被密封。
11. 一种光学滤波器，其被布置在图像传感器的前方，所 述光学滤波器包括光学构件；抗反射多层膜，其形成在所述光学构件的入射面上；以及 二向色多层膜，其形成在所述光学构件的出射面上， 其中，在所述抗反射多层膜的最外层形成由含氟材料制成 的膜。
12. 根据权利要求ll所述的光学滤波器，其特征在于，所 述抗反射多层膜包括形成为多孔质膜状的Si02和Ti02。
13. 根据权利要求ll所述的光学滤波器，其特征在于，所 述抗反射多层膜的最外层由含有全氟烷基的化合物制成。
14. 根据权利要求ll所述的光学滤波器，其特征在于，所 述抗反射多层膜的最外层由MgF2制成。
15. 根据权利要求ll所述的光学滤波器，其特征在于，通 过真空沉积在所述抗反射多层膜中形成Si02膜和TiOJ莫。
16. 根据权利要求ll所述的光学滤波器，其特征在于，通 过离子辅助沉积来沉积所述二向色多层膜。
17. 根据权利要求ll所述的光学滤波器，其特征在于，所 述光学构件被保持为能够振动，并且封。
18. —种摄像设备，其包括第一光学构件，其被布置在图像传感器的前方；以及 第二光学构件，其被布置在所述第一光学构件的出射面侧并且位于所述图像传感器的前方，其中，在所述第一光学构件的入射面上形成抗反射多层膜， 在所述抗反射多层膜的最外层形成由含氟材料制成的膜，并且在所述第一光学构件的出射面和所述第二光学构件的入射 面之间形成二向色多层膜。
19. 根据权利要求18所述的摄像设备，其特征在于，所述 抗反射多层膜包括形成为多孔质膜状的Si02和Ti02。
20. 根据权利要求18所述的摄像设备，其特征在于，所述 抗反射多层膜的最外层由含有全氟烷基的化合物制成。
21. 根据权利要求18所述的摄像设备，其特征在于，所述 抗反射多层膜的最外层由MgF2制成。
22. 根据权利要求18所述的摄像设备，其特征在于，通过 真空沉积在所述抗反射多层膜中交替形成SiOJ莫和Ti02膜。
23. 根据权利要求18所述的摄像设备，其特征在于，通过 离子辅助沉积来沉积所述二向色多层膜。
24. 根据权利要求18所述的摄像设备，其特征在于，所述 抗反射多层膜具有导电性。
25. 根据权利要求18所述的摄像设备，其特征在于，所述 摄像设备还包括保持构件，其被构造成保持所述第一和第二光学构件；以及振动单元，其被构造成使所述第一光学构件振动。
26. 根据权利要求25所述的摄像设备，其特征在于，所述 第一光学构件的出射面和所述第二光学构件的入射面之间的间 隙被密封。
全文摘要
光学滤波器及摄像设备。该光学滤波器被布置在图像传感器的前方。该光学滤波器包括第一光学构件；以及第二光学构件，其比第一光学构件靠近图像传感器地布置。在第一光学构件的入射面上形成抗反射多层膜。在抗反射多层膜的最外层形成由含氟材料制成的膜。在第一光学构件的出射面和第二光学构件的入射面之间形成二向色多层膜。
文档编号G02B1/10GK101598828SQ20091014238
公开日2009年12月9日 申请日期2009年6月4日 优先权日2008年6月6日
发明者入江良昭 申请人:佳能株式会社