专利名称：液晶显示装置及其形成方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示技术，特别涉及一种水平电场反转模式的液晶显示装置及其形成方法。
背景技术：
大体而言，基于液晶分子偏转方式的不同，液晶显示器(以下简称LCD)可分为两大类第一类为液晶分子沿与基板垂直的平面偏转，第二类为液晶分子沿与基板平行的平面偏转。如图1所示，现有技术的水平电场反转(Horizontal Field Switching,HFS)模式的液晶显示器为典型的第二类型液晶显示器。图1示出了该HFS模式液晶显示器的一个像素单元，图加为图1沿A-Al方向的剖面图，图2b为图1沿BBl方向的剖面图。结合图1、图加和图2b，可以得知，液晶显示面板主要包括第一基板129、第二基板1 和中间包含有多个液晶分子119的液晶分子层。在所述第一基板126内，形成有薄膜晶体管101，通过刻蚀孔的方法将栅电极121和漏电极IM分别与像素电极107和公共电极115相电连接，用以驱动显示装置。如图加所示，为了减小供应电极的驱动电压，每个像素单元包括有两个像素电极107和两个公共电极115，所述像素电极107和公共电极115 分别设置于相邻两个间隔体111相对的表面上，形成电场，用以驱动液晶分子119运动。由于所述像素电极111和115之间形成的电场水平方向分量显著大于垂直方向分量，大部分液晶分子119都朝水平方向运动，具有广视角的特点。但是由于现有技术的液晶显示装置中，每个像素单元都包含有多个间隔体，所述多个间隔体会阻碍一部分光透过液晶显示装置，极大的影响了液晶显示器的开口率和透过率。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有宽视角、高开口率和高透过率的液晶显示装置及其形成方法。为达到上述目的，本发明提供了一种液晶显示装置，包括第一基板；与所述第一基板相对设置的第二基板；设置于所述第一基板和所述第二基板间的多个间隔体；填充于所述多个间隔体、所述第一基板和所述第二基板形成的空腔内的液晶层；其特征在于，所述液晶显示装置包括多个像素单元，每个像素单元内包括至少两个间隔体；位于相邻两间隔体间的所述第一基板和/或所述第二基板面向所述液晶层的表面的第一电极；位于相邻两间隔体相对侧壁的第二电极。可选地，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。
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可选地，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。可选地，所述第一电极位于像素单元内第一基板或第二基板面向所述液晶层的表可选地，所述第一电极位于相邻两间隔体间的第一基板和/或第二基板面向所述液晶层的表面的中线处。可选地，所述第一电极和/或第二电极的材料为透明的氧化铟锡。可选地，所述第二电极的材料为不透明的铝或铝合金。可选地，所述间隔体呈提型。可选地，所述提型的腰与第一基板或第二基板形成一个夹角，所述夹角大于或等于45度而小于90度。可选地，所述间隔体的材料为有机膜材料或氮化硅材料。可选地，所述间隔体两端抵靠在所述第一基板与所述第二基板的表面。可选地，所述第一基板为阵列基板，包含有衬底、位于在衬底上的栅电极层和扫描线层、覆盖所述栅电极层、扫描线层和衬底的绝缘层、位于绝缘层上的数据线层、源电极层和漏电极层、以及覆盖所述数据线层、源电极层和漏电极层的钝化层。本发明公开了一种液晶显示装置的形成方法，包括提供第一基板和第二基板；在第一基板表面形成多个间隔体；在相邻两间隔体间的第一基板表面形成第一电极，并在所述间隔体的侧壁形成第二电极；在相邻两间隔体间的第二基板表面形成第一电极；安装所述第一基板和所述第二基板，并在所述多个间隔体、第一基板和第二基板形成的空腔内填充液晶层。可选地，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。本发明公开了一种液晶显示装置的形成方法，包括提供第一基板和第二基板；在第一基板表面形成多个间隔体；在相邻两间隔体间的第一基板表面形成第一电极，并在所述间隔体的侧壁形成第二电极；安装所述第一基板和所述第二基板，并在所述多个间隔体、第一基板和第二基板形成的空腔内填充液晶层。本发明公开了一种液晶显示装置的形成方法，包括提供第一基板和第二基板；在第一基板表面形成多个间隔体；在第二基板表面形成第一电极；在所述间隔体的侧壁形成第二电极；安装所述第一基板和所述第二基板，使所述第一电极位于相邻所述间隔体的中间位置，并在所述多个间隔体、第一基板和第二基板形成的空腔内填充液晶层。可选地，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。
与现有技术相比，本发明具有以下优点将现有技术的像素单元内设置于像素单元两侧的间隔体内表面上的电极保持不变，而把最中间的间隔体去掉，分别设置两个透明电极于相邻两间隔体间的第一基板和/或第二基板相对的表面。该技术方案采用透明的电极取代了现有技术的部分间隔体，光线更容易透过，大幅度提高了液晶显示器的开口率，从而实现穿透率的提升。
图1是现有技术液晶显示装置像素单元的剖面结构示意图；图加是图1所示的液晶显示装置沿A-Al线的剖面结构示意图；图2b是图1所示的液晶显示装置沿B-Bl线的剖面结构示意图；图3是本发明第一实施例液晶显示装置像素单元的剖面结构示意图；图4是图3所示的液晶显示装置沿C-Cl线的剖面结构示意图；图5是本发明第一实施例液晶显示装置形成方法的流程示意图；图6是本发明第二实施例液晶显示装置像素单元的剖面结构示意图；图7是图6所示的液晶显示装置沿D-Dl线的剖面结构示意图；图8是本发明第二实施例液晶显示装置一形成方法的流程示意图；图9是本发明第二实施例液晶显示装置另一形成方法的流程示意图；图10是现有技术的液晶显示装置透过率模拟曲线图；图11是本发明第一实施例的液晶显示装置透过率模拟曲线图；图12是本发明第二实施例的液晶显示装置透过率模拟曲线图。
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。正如背景技术部分所述，采用现有的水平电场反转(HFS)模式的液晶显示器，仍然存在开口率、透过率低的问题。发明人发现，现有的水平电场反转(HFS)模式显示器的设置多个间隔体存在问题。由于每个像素单元中都设置有多个间隔体，光线在通过液晶显示器的时候，部分会被间隔体吸收，从而极大的影响了液晶显示器的开口率和透过率。针对上述问题，本发明的发明人提供了一种液晶显示装置及形成方法。将现有技术像素单元中，设置于像素单元两侧的间隔体内侧壁上的电极保持不变，而把中间的间隔体去掉，分别设置两个透明电极于相邻两个间隔体间第一基板和/或第二基板相对的表面。该技术方案采用透明的电极取代了中间的间隔体，光线更容易透过，大幅度提高了液晶显示器的开口率，从而实现穿透率的提升。第一实施例请参考图3和图4，图3是本发明第一实施例液晶显示装置像素单元的结构示意图，图4是图3所示的液晶显示装置沿C-Cl线的剖面结构示意图。本发明第一实施例的液晶显示装置，包括第一基板222 ；与所述第一基板222相对设置的第二基板223 ；设置于所述第一基板222和所述第二基板223间的多个间隔体211、212 ；填充于多个所述间隔体211、212、所述第一基板222和所述第二基板223形成的空腔内的液晶层217 ；本发明第一实施例的液晶显示装置中每个像素单元内包括至少两个间隔体211、212 ；位于相邻两间隔体211、212间的所述第一基板222和所述第二基板223面向所述液晶层217表面的第一电极213、215 ；位于相邻两间隔体相对侧壁的第二电极207、209。在第一实施例中，所述第一基板222为阵列基板，包含有衬底219、位于在衬底219 上的栅电极层(未图示)和扫描线层203、覆盖所述栅电极层、扫描线层203和衬底219的绝缘层220、位于绝缘层220上的数据线层205、源电极层(未图示)和漏电极层(未图示)、 以及覆盖所述数据线层205、源电极层和漏电极层的钝化层221。其中，所述扫描线层203 和数据线层205分别沿水平方向和垂直方向设置，在液晶显示装置的第一基板222上，N条扫描线和M条数据线彼此交叉，将液晶显示装置上分成了 nXm个像素单元，为便于观察，图 3和图4均为一个像素单元内的结构；所述栅电极层、源电极层和漏电极层，用于形成薄膜晶体管201。所述薄膜晶体管 201形成在扫描线层203中的扫描线和数据线层205中的数据线的交叉点处，所述薄膜晶体管201的栅电极层、源电极层与漏电极层分别与扫描线层203和数据线层205电连接。所述栅电极层可以借助扫描线层203输入的信号来导通开关元件。所述钝化层221主要是对数据线层205、源电极层和漏电极层进行保护和隔离，防止串扰的产生。考虑到液晶显示面板的透过率，所述钝化层221采用可以透光的材料，例如
氮化硅。所述第二基板223为其上形成有彩色滤光片以显示色彩的滤光片基板。所述多个间隔体211、212均呈提型。每个像素单元中包含有至少两个间隔体211、 212。在第一实施例中，所述像素单元中优选为包括两个间隔体211、212。所述间隔体211、212位于第一基板222上，且所述间隔体211、212呈提型。为使像素单元的结构均勻，以及后续形成的电场均勻，间隔体211、212优选位于数据线层203的正上方，所述间隔体211、212优选为等腰提型。所述间隔体211、212进一步优选为呈底部宽顶部窄的等腰提型。所述间隔体211、 212的侧壁与第一基板222之间形成一个夹角，为使后续过程中第一电极213、215和第二电极207、209之间形成的横向电场较平直，较少垂直分量，同时降低制作的难度，这个夹角优选为大于或等于45度而小于90度。所述间隔体211、212可以采用有机膜、氮化硅或类似的绝缘材料。位于钝化层221上多个间隔体211、212，可以在后续维持两个对立的第一基板 222和第二基板223之间的均勻间隔尺寸。需要说明的是，在每一个像素单元内，所述间隔体211、212并不会贯穿整个像素，而是在间隔体211、212下端(此处所述的“下”端为图4中方向)留有空隙，液晶分子217 可通过该空隙在各单位像素之间流通，以保证液晶分子217的均勻性。并且，在其他实施例中，像素单元中的间隔体211可以呈底部窄顶部宽的等腰提型，而间隔体212成呈底部宽顶部窄的等腰提型、或所述间隔体211可以底部宽顶部窄的等腰提型，而间隔体212成呈底部窄顶部宽的等腰提型、或两间隔体211、212均呈底部窄顶部宽的等腰提型。所述第一电极213、215，位于相邻两间隔体211、212间的所述第一基板222和所述第二基板223面向所述液晶层217的表面。所述第一电极213、215为公共电极，所述第一电极213、215的材料为透明的氧化铟锡(indium tin oxides, I TO)。为使后续形成的电场均勻，整个液晶显示的透过率高，第一电极213、215形成的位置优选为像素单元中心，即相邻两间隔体211、212围成的第一基板222和第二基板223 相对的两个表面的中线处，且所述第一电极213位于第一电极215的正上方。所述第一电极213、215为公共电极，所述第一电极213、215的材料为透明的氧化铟锡(indium tin oxides, I TO)。所述第二电极207、209位于相邻两间隔体211、212相对的内侧壁表面。所述第二电极207、209的材料可以为不透明的铝或铝合金，也可以为透明的氧化铟锡(indium tin oxides, I TO)。由于第二电极207、209是设置在间隔体211、212的内侧壁，而不是设置在第一基板222上，穿行于第一基板222、第二基板223的光线无需穿透第二电极207、209，因而第二电极207、209即便为不透明材料，也不会阻碍光线。不仅如此，由于第二电极207、209倾斜设置，因而不透明的第二电极207、209可阻挡电极在第二基板223上投影区域的光线透过，而该投影区域正是电场垂直分量较大的区域，也是引起光透过率降低的区域，所以通过设置不透明的电场将这部分区域遮挡，在某种程度上也可提高光透过率。但是考虑到后续制作工艺，在第一实施例中，所述第二电极207、209优选采用透明的氧化铟锡(indium tin oxides, IT0)。在第一实施例中，每个像素单元中包含相邻两个间隔体211、212相对侧壁上的两个第二电极207、209、相邻两个间隔体211、212间的第一基板222和第二基板223相对的两个表面的第一电极213、215 ；安装所述第一基板222与第二基板223，当安装完成之后，间隔体211、212会抵靠在所述第一基板222与所述第二基板223的表面，在两基板222、223之间限定一个底部窄顶部宽的等腰提型区域。所述液晶层位于所述多个间隔体211、212、第一基板222和第二基板223形成的空腔内。本发明第一实施例的液晶显示装置，在薄膜晶体管(TFT) 201开关导通的情况下， 所述第一电极213、215和第二电极207、209之间形成电场，用于在后续驱动液晶分子运动。 由于所述间隔体211、212与第一基板222、第二基板223之间存在角度，而第二电极207、 209形成在间隔体211、212相对的内侧壁，与第一基板222、第二基板223之间也存在角度， 所述电场为倾斜的电场。然而，由于间隔体211、212与第一基板222、第二基板223之间的夹角优选为大于或等于45度而小于90度，所以所述电场水平方向上的分量大于垂直方向上的分量。因此，在所述电场的作用下，大多数的液晶分子在所述电场水平分量的驱动下沿水平方向运动，只有一小部分的液晶分子在所述电场垂直分量的驱动下沿垂直方向偏转， 所述液晶显示装置仍然可以达到较大的视角，开口率和透过率高。需要说明的是，在其他实施例中，所述第一基板可以为其上形成有彩色滤光片以显示色彩的滤光片基板，而所述第二基板为阵列基板，包含有衬底、位于在衬底上的栅电极层和扫描线层、覆盖所述栅电极层、扫描线层和衬底的阵列层、位于阵列层上的数据线层、 源电极层和漏电极层、以及覆盖所述数据线层、源电极层和漏电极层的钝化层。请参考图5，本发明第一实施例液晶显示装置的形成方法的具体步骤为执行步骤S301，提供第一基板和第二基板；执行步骤S303，在所述第一基板表面形成多个间隔体；执行步骤S305，在相邻两间隔体间的第一基板表面形成第一电极，并在所述间隔体的侧壁形成第二电极；执行步骤S307，在相邻两间隔体间的第二基板表面形成第一电极；执行步骤S309，安装所述第一基板和第二基板，并在所述多个间隔体、所述第一基板和所述第二基板形成的空腔内填充液晶层。请依旧参考图3和图4，首先，执行步骤S301，提供第一基板222和第二基板223 ；在第一实施例中，所述第一基板222的形成步骤为提供衬底219、依次在所述衬底219表面形成栅电极层(未图示)和扫描线层203、覆盖所述栅电极层、扫描线层203和衬底219的绝缘层220、形成在绝缘层220上的数据线层205、源电极层(未图示)和漏电极层(未图示)、以及覆盖所述数据线层205、源电极层和漏电极层的钝化层221 ；其中，所述衬底219为玻璃衬底，先采用沉积工艺，例如物理或化学气相沉积，在所述衬底219表面形成栅金属层(未图示)，然后掩膜图形化所述栅金属层，形成扫描线层 203和栅电极层。在所述扫描线层203与栅电极层形成之后，再采用沉积工艺形成绝缘层220，例如物理或化学气相沉积工艺，所述绝缘层220可采用G-SiNx、氮化硅、氧化硅等作材料；在所述绝缘层220形成之后，再采用沉积工艺形成数据线金属层(未图示)，例如物理或化学气相沉积工艺，掩膜图形化以形成数据线层205、源电极层和漏电极层；在所述数据线层205、源电极层和漏电极层形成之后，再采用沉积工艺形成覆盖所述数据线层205、源电极层和漏电极层的钝化层221，例如物理或化学气相沉积工艺。为使栅电极层、源电极层和漏电极层与后续形成的第一电极213、215和第二电极207、209电连接，所述绝缘层220内还刻蚀有导电孔(未图示)。上述步骤执行完成后，所述第一基板222制作完成。所述第二基板223为其上形成有彩色滤光片以显示色彩的滤光片基板。接着，执行步骤S303，在所述第一基板222表面形成多个间隔体211、212。在所述钝化层221形成之后，再采用沉积工艺形成与数据线层205相对应间隔体层(未图示)，例如物理或化学气相沉积工艺，然后刻蚀形成多个间隔体211、212。为便于制造，在第一实施例中，所述相邻的两间隔体211、212均形成在第一基板222上。需要说明的是，在其他实施例中，所述相邻的两间隔体211、212可以均形成在第一基板223上，也可以所述间隔体211、212中的一个形成在第一基板222上，而另一个形成在第二基板223上。接着，执行步骤S305，在相邻两间隔体211、212间的第一基板222表面形成第一电极215，并在所述间隔体211、212的侧壁形成第二电极207、209。在所述多个间隔体211、212制作完成之后，再在相邻两个所述间隔体211、212间的第一基板221表面形成第一电极215，并在间隔体211、212的侧壁上形成第二电极207、 209。所述第一电极215和第二电极207、209的形成工艺为沉积工艺，例如通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的方式在间隔体211、212相对的内侧壁以及相邻两个所述间隔体211、212间的第一基板221表面形成导电层，然后采用图形掩膜化的方法形成第一电极215和第二电极207、209。在第一实施例中，由于第一电极215和第二电极207、209均采用透明的氧化铟锡 (indium tin oxides，IT0)材料。因此，所述第二电极207、209和第一电极215的形成工艺优选为采用沉积工艺在两相邻的间隔体211、212相对的内侧壁以及相邻两个所述间隔体211、212间的下基板221表面同时形成导电层，然后采用图形掩膜化的方法在同一步骤中形成第二电极207、209和第一电极215。需要说明的是，在其他实施例中，由于第二电极207、209可以采用不透明的铝或铝合金。当第二电极207、209为不透明的铝或铝合金时，则需分别形成第二电极207、209 和第一电极215。形成所述第二电极207、209和第一电极215具体为可以先在相邻两间隔体211、212相对的内侧壁表面采用沉积工艺形成第二导电层(未图示)，然后图形掩膜化，刻蚀所述第二导电层形成第二电极207、209 ；然后在相邻两间隔体211、212间的第一基板表面形成第一导电层(未图示)，然后图形掩膜化，刻蚀所述第一导电层形成第一电极215。也就可以先在相邻两间隔体211、212间的第一基板表面形成第一导电层(未图示)，然后图形掩膜化，刻蚀所述第一导电层形成第一电极215 ；然后在相邻两间隔体211、 212相对的内侧壁表面采用沉积工艺形成第二导电层(未图示)，然后图形掩膜化，刻蚀所述第二导电层形成第二电极207、209。然后，执行步骤S307，在相邻两间隔体211、212间的第二基板223表面形成第一电极 213。第一电极213的形成方法为采用沉积工艺，例如物理气相沉积，在与下基板222 相对的上基板223的表面沉积第一导电层(未图示)，然后采用图形掩膜化的方法刻蚀形成第一电极213。考虑到液晶显示装置的透过率，所述第一电极213采用的材料为透明的氧化铟锡(indium tin oxides, I TO)。在本实施例中，为使第二电极207、209与第一电极213之间形成的电场与第二电极207、209与第一电极215之间形成的电场一致，使电场均勻，透过率高，因此，优选第一电极213形成在像素单元内相邻间隔体211、212间第二基板的中线处。最后，执行步骤S309，安装所述第一基板222和第二基板223，在相邻两个所述间隔体211、212、所述第一基板222和所述第二基板223形成的空腔内填充液晶层217。上述步骤完成之后，本发明第一实施例液晶显示装置制作完成。采用本发明第一实施例制作的液晶显示装置，由于第一电极213、215分别形成在第一基板222和第二基板223相对的两个表面，而不用形成在间隔体211、212的侧壁上，每个像素单元中间的间隔体可以省略掉，提高了液晶显示装置的开口率和透过率。而且所述第一电极213、215均采用透明的氧化铟锡(indium tin oxides, IT0)，也有助于提高液晶显示装置的透过率。第二实施例请参考图6和图7，图6是本发明第二实施例液晶显示装置的剖面结构示意图，图 7是图6所示的液晶显示装置沿D-Dl线的剖面结构示意图。本发明第二实施例的液晶显示装置，包括第一基板322;与所述第一基板322相对设置的第二基板323 ；设置于所述第一基板322和所述第二基板323间的多个间隔体311、312 ；填充于多个所述间隔体311、312、所述第一基板322和所述第二基板323形成的空腔内的液晶层317 ；本发明液晶显示装置中每个像素单元包括至少两个间隔体311、312 ；位于相邻两间隔体311、312间的所述第一基板322或所述第二基板323面向所述液晶层317表面的第一电极315 ；位于相邻两间隔体311、312相对侧壁的第二电极307、309。与第一实施例不同，在每个像素单元内，所述第一电极315位于相邻两间隔体 311、312间的所述第一基板322或所述第二基板323面向所述液晶层317表面。在第二实施例中，所述第一电极315优选形成在像素单元内相邻两间隔体311、 312间的第一基板322或第二基板323面向所述液晶层317表面的中线处。优选的，当第一电极315位于第二基板323表面时，其为公共电极。其他的器件的位置关系及形状与第一实施例相同，请参考第一实施例，在此不再一一赘述。请参考图8，在像素单元内，当所述第一电极315形成在相邻两间隔体311、312间的第一基板322面向所述液晶层317的表面，本发明第二实施例液晶显示装置的形成方法的具体步骤为执行步骤S601，提供第一基板和第二基板；执行步骤S603，在所述第一基板表面形成多个间隔体；执行步骤S605，在相邻两间隔体间的第一基板表面形成第一电极，并在所述间隔体的侧壁形成第二电极；执行步骤S607，安装所述第一基板和第二基板，并在所述多个间隔体、第一基板和第二基板形成的空腔内填充液晶层。依旧参考图6和图7，首先，执行步骤S601，提供第一基板322 ；所述第一基板322包含有衬底319、形成在衬底319上的栅电极层(未图示)和扫描线层303、覆盖所述栅电极层、扫描线层303和衬底319的绝缘层320、形成在绝缘层320 上的数据线层305、源电极层(未图示)和漏电极层(未图示)、以及覆盖所述数据线层305、 源电极层和漏电极层的钝化层321。
接着，执行步骤S603，形成在所述第一基板322表面的多个间隔体311、312 ；上述步骤S601 S603的具体步骤与第一实施例中的步骤S301 S303相同，具体可参考第一实施例中的步骤S301 S303。接着，执行步骤S605，在相邻两间隔体311、312间的第一基板322表面形成第一电极315，并在所述间隔体311、312的侧壁形成第二电极307、309。所述第一电极315可以为公共电极，也可以为像素电极。所述第二电极307、309可以为公共电极，也可以为像素电极。考虑到电场的均勻性和液晶显示装置的透过率，在第二实施例中，优选第一电极 315形成在相邻两间隔体311、312间第一基板323面向所述液晶层317表面的中线处。在第二实施例中，由于所述第一电极315和第二电极307、309的材料均优选为透明的氧化铟锡(ITO)。若第一电极315形成在与上基板323相对的下基板322的表面，那么在本实施例中优选为采用沉积工艺同时在两相邻的间隔体311、312相对的内侧壁和相邻两间隔体311、312间的下基板322表面沉积导电层(未图示)，然后采用图形掩膜化的方法刻蚀形成第一电极315和第二电极307、309 ；若第一电极315形成在与下基板322相对的上基板323的表面，那么在本实施例中则需要采用沉积工艺和图形掩膜化的方法分别形成第一电极315和第二电极307、309。需要说明的是，在其他实施例中，若第二电极307、309采用不透明的铝或铝合金材料，那么也需要采用沉积工艺和图形掩膜化的方法分别形成第一电极315和第二电极 307,309ο需要说明的是，在其他实施例中，所述间隔体311、312也可以均形成在与第一基板322相对的第二基板323的表面；所述间隔体311、312中的一个也可以形成在第一基板 322表面，而另一个形成在与第一基板322相对的第二基板323的表面。然后，执行步骤S607，安装所述第一基板322和第二基板323，在所述多个间隔体 311、312、第一基板322和第二基板323形成的空腔内填充液晶层317。在第一基板322与第二基板323安装完成之后，间隔体311、312会抵靠在第一基板322与第二基板323的表面，会在两基板之间限定一个底部窄顶部宽的等腰提型区域。这个区域随后会填充入液晶分子，形成用于透光或阻止光透过的液晶层317。所述液晶层317 中的液晶分子在电场的驱动下发生偏转。请参考图9，在像素单元内，当所述第一电极315形成在相邻两间隔体311、312间的第一基板322表面，本发明第二实施例液晶显示装置的形成方法的具体步骤为执行步骤S701，提供第一基板和第二基板；执行步骤S703，在所述第一基板表面形成多个间隔体；执行步骤S705，在第二基板表面形成第一电极；执行步骤S707，在所述间隔体的侧壁形成第二电极；执行步骤S709，安装所述第一基板和第二基板，并在所述多个间隔体、第一基板和第二基板形成的空腔内填充液晶层。上述步骤完成之后，本发明第二实施例液晶显示装置制作完成。采用本发明第二实施例制作的液晶显示装置，与第一实施例不同，仅在相邻两间隔体间的第一基板或第二基板表面形成第一电极315，所述第二电极307、309与第一电极315之间形成电场，也可以达到本发明的目的，提高了液晶显示装置的开口率和透过率。而且所述第一电极315采用透明的氧化铟锡(indium tin oxides，ΙΤΟ)，也有助于提高液晶显示装置的透过率。图10是现有技术的液晶显示装置的透过率曲线图。请参照图10，现有技术的液晶显示装置的每个像素单元内包含有第一间隔体703、第二间隔体704、第三间隔体705、第一电极707、第二电极709、第三电极711和第四电极713。第一电极707、第二电极709为像素电极，第三电极711和第四电极713为公共电极。所述像素电极和公共电极之间形成电场。所述第一电极707、第二电极709、第三电极711和第四电极713的材料均为透明的氧化铟锡(ΙΤ0)。所述第一电极707、第二电极709与第三电极711、第四电极713的电压分别为5V和0V，上下基板之间的距离为3. 5微米，第一间隔体703和第二间隔体704之间的中心距离为51微米，间隔体703、704、705的侧壁与上下基板之间的夹角为45°。透过率曲线701反映的是其下方的液晶显示装置各处的透过率大小，其中X轴表示与液晶显示装置某处对应的位置信息，Y轴表示透过率大小。从透过率曲线55可以看出第三间隔体705上方区域Ql对光的透过率远小于其他区域。综合各区域的透过率，得出整个液晶显示装置的透过率为14.6%。图11为本发明第一实施例的液晶显示装置透过率曲线图。其中像素电极和公共电极的材料均为透明的氧化铟锡(ITO)，像素电极和公共电极的电压分别为5V和0V，上下基板之间的距离为3. 5微米，两间隔体之间的中心距离为51微米，间隔体侧壁与上下基板之间夹角为45°。请参考图11，并与图10相比较，可发现，虽然透过率曲线801还是存在透过率减小的区域Q2，但是整个液晶显示装置的透过率已显著提高，达到沈.44%。由此可知，本发明的第一实施例确实可以提高液晶显示装置的透过率。图12为本发明第二实施例的液晶显示装置透过率曲线图。其中像素电极和公共电极的材料均为透明的氧化铟锡(ITO)，像素电极和公共电极的电压分别为5V和0V，上下基板之间的距离为3. 5微米，两间隔体之间的中心距离为51微米，间隔体侧壁与上下基板之间夹角为45°。请参考图12，并与图10相比较，可见透过率曲线中虽然也存在透过率表笑的区域Q3，但透过率也已显著提高，达到沈.22%。由此可知，本发明的第二实施例确实可提高液晶显示装置的透过率。另外，与图11相比较，图11中第一实施例的液晶显示装置的透过率略大于第二实施例的液晶显示装置的透过率，这是因为在第一实施例中虽然透明电极会吸收一小部分光，但是由于其电场强度更强，液晶分子的运动更加迅速，有助于提高液晶显示装置的透过率。因此，第一实施例的液晶显示装置的透过率略高于第二实施例液晶显示装置的透过率。本发明第一实施例的方案优于第二实施例的方案。综上所述，本发明提供了一种液晶显示装置及其形成方法，通过将现有技术像素单元中，设置于像素单元两侧的间隔体内表面上的透明电极保持不变，而把最中间的间隔体去掉，分别设置两个透明电极于上基板、下基板相对的表面，或设置一个透明电极在上基板、下基板中的任意一块基板面向所述液晶层的表面。该技术方案采用透明的电极取代了部分的间隔体，光线更容易透过，大幅度提高了液晶显示器的开口率，从而实现穿透率的提升。本发明虽然已较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
权利要求
1.一种液晶显示装置，包括第一基板；与所述第一基板相对设置的第二基板；设置于所述第一基板和所述第二基板间的多个间隔体；填充于所述多个间隔体、所述第一基板和所述第二基板形成的空腔内的液晶层；其特征在于，所述液晶显示装置包括多个像素单元，每个像素单元内包括至少两个间隔体；位于相邻两间隔体间的所述第一基板和/或所述第二基板面向所述液晶层的表面的第一电极；位于相邻两间隔体相对侧壁的第二电极。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一电极位于像素单元内第一基板或第二基板面向所述液晶层的表面。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一电极位于相邻两间隔体间的第一基板和/或第二基板面向所述液晶层的表面的中线处。
6.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一电极和/或第二电极的材料为透明的氧化铟锡。
7.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第二电极的材料为不透明的铝或铝合金。
8.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述间隔体呈提型。
9.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述提型的腰与第一基板或第二基板形成一夹角，所述夹角大于或等于45度而小于90度。
10.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述间隔体的材料为有机膜材料或氮化硅材料。
11.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述间隔体两端抵靠在所述第一基板与所述第二基板的表面。
12.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一基板为阵列基板，包含有衬底、位于在衬底上的栅电极层和扫描线层、覆盖所述栅电极层、扫描线层和衬底的绝缘层、位于绝缘层上的数据线层、源电极层和漏电极层、以及覆盖所述数据线层、源电极层和漏电极层的钝化层。
13.—种如权利要求1 12中的任一项所述的液晶显示装置的形成方法，包括提供第一基板和第二基板；在第一基板表面形成多个间隔体；在相邻两间隔体间的第一基板表面形成第一电极，并在所述间隔体的侧壁形成第二电极；在相邻两间隔体间的第二基板表面形成第一电极；安装所述第一基板和所述第二基板，并在所述多个间隔体、第一基板和第二基板形成的空腔内填充液晶层。
14.如权利要求13所述的液晶显示装置的形成方法，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。
15.一种如权利要求1 12中的任一项所述的液晶显示装置的形成方法，包括 提供第一基板和第二基板；在第一基板表面形成多个间隔体；在相邻两间隔体间的第一基板表面形成第一电极，并在所述间隔体的侧壁形成第二电极；安装所述第一基板和所述第二基板，并在所述多个间隔体、第一基板和第二基板形成的空腔内填充液晶层。
16.一种如权利要求1 12中的任一项所述的液晶显示装置的形成方法，包括 提供第一基板和第二基板；在第一基板表面形成多个间隔体； 在第二基板表面形成第一电极； 在所述间隔体的侧壁形成第二电极；安装所述第一基板和所述第二基板，使所述第一电极位于相邻所述间隔体的中间位置，并在所述多个间隔体、第一基板和第二基板形成的空腔内填充液晶层。
17.如权利要求16所述的液晶显示装置的形成方法，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。
全文摘要
本发明公开了一种液晶显示装置，包括第一基板、与所述第一基板相对设置的第二基板、设置于所述第一基板和所述第二基板间的多个间隔体、填充于相邻两个所述间隔体、所述第一基板和所述第二基板形成的空腔内的液晶层，其特征在于，所述液晶显示装置包括多个像素单元，每个像素单元内包括至少两个间隔体、位于相邻两间隔体间的所述第一基板和/或所述第二基板面向所述液晶层表面的第一电极、位于相邻两间隔体相对侧壁的第二电极。本发明的液晶显示装置采用透明电极取代了现有技术中的部分间隔体，开口率和透过率高。
文档编号G02F1/1339GK102566147SQ201010609238
公开日2012年7月11日 申请日期2010年12月27日 优先权日2010年12月27日
发明者任娇燕, 凌志华, 霍思涛 申请人:上海天马微电子有限公司