专利名称：：液晶显示装置的制造方法和液晶显示装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及液晶显示装置的制造方法和液晶显示装置。更详细而言，涉及通过在像素内形成两个以上的畴而能够实现高显示品质的矩阵型液晶显示装置的制造方法和矩阵型液晶显示装置。
背景技术：
：液晶显示装置作为低耗电的显示装置，能够被轻量化、薄型化，因此被广泛应用于电视机、个人计算机用监视器等中。但是，液晶显示装置通常通过与施加电压相对应的液晶分子的倾斜角度来控制光的偏光，因此具有光透过率的角度依赖性。由此，在液晶显示装置中，根据视角方向的不同，会发生对比度下降、中间色调显示时的灰度等级反转等。因此，一般液晶显示装置在视场角特性不充分这一点上存在改善的余地。于是，开发有将液晶分子的取向和倾斜方向在像素内分割成两个以上的区域的取向分割技术。根据该技术，当向液晶层施加电压时，由于液晶分子在像素内向不同的方向倾斜，因此能够改善液晶显示装置的视场角特性。其中，液晶分子的取向方位不同的各区域也被称为畴，取向分割也被称为多畴。作为进行取向分割的液晶模式，在水平取向模式中，能够举出多畴扭曲向列(TNTwistNematic)模式、多畴双折射控制(ECB=ElectricallyControledBirefringence电控双折射)模式、多畴OCB(OpticallyCompensatedBirefringence光学补偿双折射)模式等。另一方面，在垂直取向模式中，能够举出多畴垂直取向(MVA=Multi-DomainVerticalAlignment)模式、PVA(PatternedVerticalAlignment:垂直取向构型)模式等，在各个模式的液晶显示装置中，进行了用于实现进一步的广视场角化的各种改良。作为这样的进行取向分割的方法，能够举出摩擦法、光取向法等。在摩擦法中，提出有使摩擦区域和非摩擦区域通过基于抗蚀剂的图案化而分离进行取向分割的方法。但是，因为摩擦法是通过用卷绕在辊上的布来摩擦取向膜表面而进行取向处理，所以会发生由于布的毛、碎片等杂质、静电引起开关元件的破坏、特性改变、劣化等不良问题，存在改善的余地。与此相对，光取向法是使用光取向膜作为取向膜材料，通过在光取向膜上照射紫外线等光线，在取向膜中产生取向限制力的取向方法。由此，能够非接触地进行取向膜的取向处理，因此能够抑制在取向处理中的污染、杂质等的产生。此外，通过在曝光时使用光掩模，能够在取向膜面内的各区域中以不同的条件进行光照射，因此能够容易地形成具有期望的设计的畴。作为利用现有的光取向法的取向分割的方法，例如在将像素分割成两个畴的情况下，能够举出以下的方法。即，准备以与各像素相对应地一半一半地配置有透光部和遮光部的光掩模，首先对像素的一半区域进行第一曝光之后，使光掩模偏移半间距(half-pitch)左右，对像素的剩余区域以与第一曝光不同的条件进行第二曝光的方法。如果使用这样的光取向法，能够容易地使用光掩模将各像素分割为两个以上的畴。此外，例如，在专利文献1中，公开有通过光取向法进行取向处理，形成VAECB(VerticalAlignmentECB)模式的技术。此外，近年来，特别是液晶显示装置的大型化迅速发展，液晶电视迅速地进入从40型到60型这种在现有技术中曾为等离子体电视的主战场的尺寸领域中。但是，将这样的60型级别的液晶显示装置通过上述现有的光取向法进行取向分割是非常困难的。其理由是，在工厂内能够设置的曝光装置的尺寸上有限制，能够对60型级别的基板一次性曝光的曝光装置实际上是不可能设置在工厂内的，因此对60型级别的基板整个面一次性进行曝光是不可能的。因此，在对大型的液晶显示装置进行取向分割的情况下，必须分割多次对基板进行曝光。此外，在对20型级别的比较小型的液晶显示装置通过光取向法进行分割取向处理的情况下，也能够想到从使曝光装置的尺寸尽可能小的要求出发，而必须进行分割曝光的情况。但是，这样将基板分为多次进行曝光而制作的液晶显示装置，导致在显示画面上能够清楚地看到各曝光区域间的接缝。因此，在通过对基板分割进行曝光以进行液晶显示装置的取向分割的情况下，在抑制显示画面上的接缝的产生、提高成品率的这些问题点上还存在改善的余地。专利文献1日本特开2001-281669号公报
发明内容本发明是鉴于上述现状而提出的，其目的是提供一种在像素内形成两个以上的畴的液晶显示装置中，即使在将基板分割进行取向处理的情况下，也能够抑制在显示画面上产生接缝，提高成品率的液晶显示装置的制造方法和液晶显示装置。本发明的发明人们对即使通过分割基板进行曝光而进行取向分割也不能视觉辨认出显示画面上的接缝的液晶显示装置的制造方法进行了各种研究，最后着眼于分割基板进行曝光时的曝光方式。并且发现，即使在同一曝光区域内假设中心附近和周边附近的照射条件相异，该差异在面内连续变化，人的眼睛也几乎识别不出，另一方面，即使装置精度、光掩模的图案精度等为最大限度的高精度，实际上也不可能使分割并曝光的基板的各曝光区域间的照射条件完全一致，即使相邻的曝光区域间的照射条件的差别很微小，不连续的条件邻接，导致人的眼睛识别出接缝。因此，本发明的发明人们进一步进行研究，发现作为接缝产生的主要原因，考虑有例如在相邻的曝光区域间的照射量偏差、作为掩模和基板的间隔的邻近间隙的偏差、进行偏振紫外线照射的情况下的其偏光轴偏差等，在其中导致识别出接缝的最大的原因是相邻的曝光区域间的光掩模的对准精度的不同。即，可知即使是使对准精度在曝光装置上尽可能地为高精度，但是在现有的技术水平下也无法避免士数μm左右的对准偏差，而且即使在该士数Pm的对准偏差的范围中，在相邻的曝光区域的边界也确实地被人的眼睛识别为接缝。而且，发现到当产生该光掩模的对准偏差时，在像素内取向方位不同的区域间，即畴间的边界产生的暗线的位置和宽度在接缝两侧不连续地变化，作为其结果，导致识别出接缝，并且还发现在分割基板进行曝光时，通过与重复的曝光区域对应具有半色调(halftone)部的光掩模，以相邻曝光区域的一部分重复的方式进行曝光，由此能够使接缝附近的暗线的位置和宽度连续变化，作为其结果，即使通过分割基板进行曝光而进行取向分割处理，也能够实现在显示画面上看不到接缝的液晶显示装置的制造方法和液晶显示装置，从而想到能够很好地解决上述课题，达成本发明。S卩，本发明是一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置包括一对相对的基板、设置在上述基板间的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，并且在像素内具有取向方位不同的两个以上的区域，上述制造方法包括将基板面内分割为两个以上的曝光区域，在每个曝光区域中通过光掩模进行取向膜的曝光的曝光工序，上述曝光工序以相邻的曝光区域的一部分重复的方式进行曝光，上述光掩模具有与重复的曝光区域对应的半色调部。此外，本发明是一种液晶显示装置，其包括一对相对的基板、设置在上述基板间的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，并且在像素内具有取向方位不同的两个以上的区域，在上述取向方位不同的区域间产生的暗线的位置和宽度在相邻像素中连续变化。以下详细叙述本发明的液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置的制造方法包括将基板面内分割为两个以上的曝光区域，在每个曝光区域中通过光掩膜进行取向膜的曝光的曝光工序。因为这样分为多次对基板进行曝光，所以即使是大型的液晶显示装置，也能够使用通常的装置尺寸的曝光装置，遍及基板整个面地进行取向分割处理。其中，作为曝光区域的分割方式没有特别限定，适当设定即可，例如，能够举出将基板二等分的方式、条纹状地分割为三的方式、矩阵状地分割为四的方式等。上述取向膜通过曝光进行取向处理，通常是由液晶的取向方位与光照射的方向或光的照射区域的移动方向相对应地产生变化的材料形成的光取向膜。而且，光取向膜也可以通过光照射产生取向限制力。此外，在本说明书中，取向方位是指将包含在液晶层中的液晶分子的倾斜方向投影在基板面上时所示的方位。上述光掩模具有使光线透过的透光部和对光线进行遮光的遮光部。透光部只要是能够透过光线则无特别限定，可以使用透明的树脂等形成，优选为什么也没有形成的开口部。此外，作为光掩模，优选在玻璃等透明基板上形成有铬等金属膜图案。光掩模能够与期望的畴形状相结合，适当地设定图案，其中，优选上述光掩模具有透光部和遮光部的重复图案。由此，相对通常排列为矩阵状的像素能够高效地进行取向处理。而且，作为重复图案并无特别限定，优选为条纹图案和点图案。本发明的曝光工序以相邻的曝光区域的一部分重复的方式进行曝光。即，本发明的液晶显示装置的制造方法包括将基板面分割为两个以上的曝光区域，并且以相邻的曝光区域的一部分重复的方式，在每个曝光区域中通过光掩模对取向膜进行曝光的曝光工序。因此，在本发明中，通常，接缝附近的像素的取向膜的一部分或全部通过两个以上的光掩模重复地进行两次以上的曝光(以下也称为“重叠曝光”)。作为重复的曝光区域(以下也称为“重叠区域”)的面积没有特别限定，但尽可能大的情况下能够使相邻的曝光区域间的暗线的位置和宽度更为平滑连接。另一方面，当重叠区域过大时，光掩模变大，曝光装置尺寸也变大。因此，从实现抑制接缝的产生和曝光装置尺寸的小型化的观点出发，重叠区域的面积优选为足以视觉辨认不出接缝的程度的大小，更具体而言，作为重叠区域的宽度，优选为1080mm左右，更优选为3060mm左右，特别优选4050mm左右。此外，以不重复的曝光区域的照射量，即通过一个光掩模，仅对取向膜进行一次曝光的通常的区域的照射量为100%时，重叠曝光的区域(通过多个光掩模进行两次以上曝光的区域)的照射量的合计(以下也称为“合计照射量”)优选为50200%，更优选为70150%。当合计照射量不足50%时，重叠区域的中心附近的合计照射量不足，不能够赋予取向膜以充分的取向限制力，就在该位置导致看到斑驳的情况。此外，如果合计照射量超过200%，则在使用灵敏度高的材料作为取向膜的材料的情况下，在重叠区域中存在电特性恶化的情况，更具体而言，产生DC残留、烧接(焼t付t)等，电压保持率下降。作为上述曝光工序的曝光方法并无特别限定，但优选同时曝光和扫描曝光。艮口，上述曝光工序优选在对基板和光源的至少一个进行扫描的同时进行曝光的方式(扫描曝光)，或将基板和光源以固定的状态进行曝光的方式(同时曝光)。扫描的同时进行曝光的方法只要是使基板面上的光线的照射位置移动并进行曝光则没有特别限定，也被称为扫描曝光。作为扫描曝光的具体的方式，例如能够举出使光源和/或基板移动，同时将从该光源发出的光线照射在基板面上的方式。相比于使光源和被曝光区域固定并在被曝光区域内同时进行曝光的同时曝光，扫描曝光在基板面内的照射光量等的稳定性优异，因此能够有效地抑制取向方位、预倾角等取向膜的特性的偏差。此外，装置可以为小型，所以能够降低装置成本。而且，因为光掩模可以较小，所以能够提高掩模本身的精度。而且，在扫描曝光中扫描光源的情况下，光源与光掩模通常一体移动。此外，预倾角是指在液晶层上没有施加电压的状态(断开状态，无电压施加时)下，取向膜表面与取向膜附近的液晶分子的长轴方向所成的角度。而且，在扫描曝光中，在扫描方向上配置有透光部的间距不同的其他面板的情况下，必须配合该面板而更换掩模，但另一方面，在同时曝光中，通过预先在掩模内形成有多个面板用的图案，能够对不同种类的面板一次进行曝光。此外，同时曝光也被称为一同曝光。在进行上述扫描曝光的情况下，优选通过图像检测用摄像机等，在读取基板上的图案的同时控制基板和/或光源的扫描方向。由此，即使在基板歪斜的情况下，也能够沿着像素排列进行高精度的扫描曝光。作为在读取中使用的基板上的图案并无特别限定，但优选沿着扫描方向周期性或连续地设置，其中，优选设置在基板上的总线、黑矩阵(BM)等。此外，在本发明中，上述曝光工序，也根据被曝光的取向膜的材料而定，但是优选相对于基板面的法线从倾斜方向入射紫外线。由此，在各液晶模式中能够容易地对液晶层附加适宜的预倾角，其结果，能够提高液晶分子的响应速度。但是，如“EKimura，其他三人，“Photo-RubbingMethod:ASingle-ExposureMethodtoStableLiquid-CrystalPretiltAngleonPhoto-AlignmentFilm”，IDW^04!proceedingsofthe1IthInternationalDisplayWorkshops,IDW^04Publicationcommittee,2004年，LCT2-1,p.35-38”中公开的光取向法所示，在预倾角的发现基于光的照射区域的移动方向的情况下，不需要使光线相对于基板面倾斜入射，能够相对于基板面大致垂直地入射。上述紫外线优选为偏振紫外线。通过将这样的各向异性的紫外线照射在取向膜上，能够容易地引起取向膜内的分子的各向异性的再排列或化学反应。从而，能够更均勻地控制取向膜附近的液晶分子的取向方位。其中，紫外线的波长范围根据曝光的取向膜的材料适当地进行设定即可。本发明的光掩模具有与重复的曝光区域对应的半色调部。即，上述光掩模在与重复的曝光区域对应的区域中具有半色调部。由此，能够有效地抑制视觉辨认出接缝的情况。其结果，能够提高分割基板进行取向处理的液晶显示装置的成品率。关于不会视觉辨认出接缝的理由在后面详细叙述。因此，半色调部优选配置在光掩模的形成有透光部的区域内的端侧(周边侧)，更优选配置在端部(周边)。而且，在本说明书中，半色调部是指配置有相比于半色调部以外(重复的曝光区域以外)的透光部具有较小的开口率的透光部的部分。此外，开口率是指半色调部的各透光部的面积相对于半色调部以外的透光部的平均面积的比率(百分率)。如此处所说明的，在本发明中使用的光掩模通常在与重复的曝光区域(重叠区域)对应的部分的全部或一部分上形成有半色调部。作为上述半色调部的方式，优选随着接近光掩模的端部而透光部的开口率减小的方式。而且，在本说明书中，光掩模的端部，更具体而言，是指位于与重复的曝光区域以外的区域(通常的曝光区域)对应的区域的相反侧的光掩模的端部。由此，能够更平滑地连接相邻的曝光区域间的暗线的位置和宽度。作为这样的半色调部中的开口率的变化的方法，优选⑴开口率的变化以线性函数表示的方式，⑵开口率的变化以三角函数表示的方式。即，上述半色调部优选开口率的变化以线性函数表示，此外，上述半色调部优选开口率的变化以三角函数表示。根据(1)，能够防止在半色调部产生不连续的分级。根据0)，除了能够防止不连续的分级的产生之外，因为在半色调部的两端，开口率的变化的微分系数实质上为0，所以能够更平滑地连接重叠区域与其以外的区域的暗线的位置和宽度。从这样的观点出发，作为半色调部的开口率的变化的方式，也可以说是优选开口率基于线性函数变化的方式，或基于三角函数变化的方式。此外，作为半色调部的透光部的方式，优选(A)随着接近光掩模的端部而透光部的长度变短的方式、(B)随着接近光掩模的端部而透光部的宽度变窄的方式、(C)设置有具有相对于将透光部配置区域的宽度2等分的中心线呈线对称的形状的透光部的方式、(D)设置有具有台阶形状的透光部的方式。即，上述半色调部优选随着接近光掩模的端部而透光部的长度变短，上述半色调部优选随着接近光掩模的端部而透光部的宽度变窄，上述半色调部优选设置有具有相对于将透光部配置区域的宽度2等分的中心线呈线对称的形状的透光部，上述半色调部优选设置有具有台阶形状的透光部。具有(A)方式的光掩模适于扫描曝光用的掩模，由此能够容易地控制重叠区域的合计照射量。此外，具有(B)方式的光掩模适于同时曝光用和扫描曝光用的掩模，由此能够更有效地使暗线的位置和宽度在接线的左右连续地连接。其中，透光部的长度通常是指缝隙图案中长边方向的长度，在点图案中是扫描曝光的扫描方向的长度。而且，透光度的长度也可以是在缝隙图案中长边方向的长度。另一方面，透光部的宽度通常是指缝隙图案中的短边的方向的长度，在点图案中是与扫描曝光的扫描方向大致垂直方向的长度。而且，透光部的宽度也可以是在缝隙图案中相对长边方向大致垂直的方向的长度。根据(C)方式，能够更有效地使暗线的位置和宽度在接线的左右连续地连接。其中，透光部配置区域是指在半色调部中透光部的开口率未减少的情况下的透光部所占的区域，即，假设在半色调部中也具有在半色调部以外的光掩模所具有的透光部的配置图案的情况下的透光部所占的区域。此外，透光部配置区域的宽度是指与透光部的宽度相同的方向上的透光部配置区域的长度。而且，在该方式中，透光部不需要具有相对将透光部配置区域的宽度严格地2等分的中心线严格地线对称的形状，也可以具有相对将透光部配置区域的宽度大致2等分的中心线实质上线对称的形状。再者具有(D)方式的光掩模适于扫描曝光用的掩模，由此能够使从重叠区域中的合计照射量的100%的偏差比较小。而且，在上述(B)方式中，优选(B-I)上述光掩模的透光部的中心位置的间隔相同的方式、(B-2)上述半色调部的透光部从透光部配置区域的中心向两侧分割配置的方式。根据(B-I)的方式，在光掩模的大致整个区域中，透光部的中心位置的间隔没有变化，因此半色调部的曝光区域的位置的变化更为连续，能够使暗线的位置和宽度的变化在接线的左右更连续地变化。而且，在上述(B-I)方式中，光掩模只要是透光部的中心位置的间隔实质上相同即可，没有必要透光部的中心位置的间隔严格相同。这样，上述(B-I)方式也可以是在半色调部中，透光部的中心与透光部配置区域的中心大致一致的方式。即，上述光掩模也可以是在半色调部中，其中心与透光部配置区域的中心大致一致的方式。此外，根据(B-2)方式，半色调部的透光部以从中心向两侧打开的方式变细，因此通过与具有(B-I)方式的光掩模并用，能够进一步将重叠曝光的区域的面积抑制得更小，能够有效地抑制电特性的恶化，更具体而言，能够有效地抑制残留DC、烧接等的发生、电压保持率的下降等。而且，在上述￠-方式中，半色调部更优选透光部从透光部配置区域的中心向两侧大致均等地分割配置的方式。上述(A)、(B)、(C)、(D)、(B-I)和(B-2)方式，也可以根据需要在光掩模内适当地组合使用。此外，上述本发明的液晶显示装置的制造方法的各优选方式，也能够适当地组合使用。此外，本发明的光源的种类、曝光量、光掩模的尺寸等曝光的各种条件，根据期望的取向方位、预倾角等取向膜的形成条件而适当设定即可。此处，对在分割基板进行取向处理的情况下，视觉辨认出接缝的原因和利用本发明不会视觉辨认出接缝的理由进行说明。首先，对视觉辨认出接缝的原因进行说明。在分割基板进行曝光时，如果掩模的对准偏移，则因为在相邻的曝光区域间，暗线的位置偏移，因此在曝光区域间的畴的面积比变得不同。因此，由于各曝光区域的光学特性不同，特别是在从倾斜方向观察显示画面时，在各曝光区域间的亮度变得不连续，作为其结果，各曝光区域的边界被视觉辨认为接缝。此外，在相邻的曝光区域间的暗线的宽度不同的情况下，由于在曝光区域间的畴的亮度变得不同，因此与暗线的位置偏移的情况相同，导致各曝光区域间的亮度变得不连续，作为其结果，各曝光区域的边界被清楚地视觉辨认为接缝。接着，说明不会视觉辨认出接缝的理由。在光掩模的半色调部，如果使透光部逐渐变细等，使开口率连续地变化，则透光部的端部的位置，即暗线形成的位置逐渐变化。此外，如果利用半色调部的透光部逐渐变短等而使开口率连续变化的光掩模进行扫描曝光，则重叠区域的合计照射量逐渐变化，因此暗线形成的位置也逐渐变化。从而，在重叠区域中，畴的面积比和曝光区域间的亮度也连续变化，因此不会视觉辨认出接缝。此外，在暗线的宽度在曝光区域间不同的情况下，与暗线的位置偏移的情况相同，通过使用具有半色调部的光掩模，在重叠区域中，暗线的宽度逐渐变化，因此不会视觉辨认出接缝。这样在本发明的液晶显示装置的制造方法中，即使假设在接缝的左右，掩模的对准相互向反方向偏移，因为能够使用半色调部使接缝的暗线的偏移的不连续性变得连续化，所以难以视觉辨认出接缝。从而，使用本发明的制造方法，即使是60型级别的非常大的液晶显示装置，也能够以高成品率制造。而且，在本说明书中，暗线是指，与通过总线、黑矩阵等遮光体遮敝来自背光源的光的区域不同，由于取向方位与偏光板的偏光轴方向大致相同或大致正交而在显示画面上产生的亮度低、暗的线。即使取向分割的像素的各畴内在电压施加时液晶分子的倾倒方向相同，在不同的畴间液晶分子的倾倒方向也相互不同。此外，因为液晶分子是连续弹性体，所以在不同的畴间，液晶分子以使向不同的方向倾倒的液晶分子彼此连续连接的方式进行取向。从而，例如在4畴取向的不同畴间，在正面观察液晶显示装置时，液晶分子的取向方位与液晶显示装置中通常具有的偏光板的偏光轴方向大致相同或大致正交。关于透过液晶分子在与该偏光板的偏光轴方向大致相同或大致正交的方向上取向的区域的偏光，不会发生基于液晶分子的延迟(相位差)。因此，在该区域中，透过设置在背光源侧的下侧偏光板的偏光，在液晶层不受任何影响，被设置在显示画面侧的上侧偏光板切断。其结果，在液晶分子在与偏光板的偏光轴方向大致相同或大致正交的方向上取向的区域，成为亮度低、暗的线(在本说明书称暗线)。作为本发明的液晶显示装置的制造方法，只要必须包括上述曝光工序，则对其他的工序并无特别限定。根据本发明制造的液晶显示装置包括一对相对的基板、设置在上述基板间的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，而且在像素内具有取向方位不同的两个以上的区域。作为根据本发明制造的液晶显示装置的结构，只要必须具有这样被取向分割的矩阵型液晶显示装置的标准的结构要素，则对其他结构要素并无特别限定。而且，在本说明书中，取向方位不同的两个以上的区域是指，在液晶层上施加有一定的阈值以上或低于一定的阈值的电压时(电压施加时)，或在液晶层上没有施加电压时(无电压施加时)，包括在液晶层中的液晶分子倾斜的方向相互不同的多个区域，即所谓的畴。这样，取向方位不同的两个以上的区域优选是在液晶层上施加的电压变化时，包括在液晶层中的液晶分子倾斜方向相互不同的多个区域。上述一对相对的基板中的任一个基板，优选是矩阵状设置有作为开关元件的薄膜晶体管(以下也称为“TFT”)和像素电极的TFT阵列基板。此外，上述一对相对的基板中的另一个基板，优选是具有滤色器和共用电极的滤色器基板(以下也称为“CF基板”)。这样，根据本发明制造的液晶显示装置优选是有源矩阵型液晶显示装置，但也可以是单纯矩阵型液晶显示装置。根据本发明制造单纯矩阵型液晶显示装置的情况下，第一基板和第二基板通常是设置有条纹状的信号电极(列电极)的基板和设置有与该信号电极正交的条纹状的扫描电极(行电极)的基板的组合。而且，在本说明书中，像素在有源矩阵型液晶显示装置中由像素电极和与此相对的共用电极规定。此外，在单纯矩阵型液晶显示元件中，由条纹状的信号电极和扫描电极的交叉部规定。此外，在本发明的液晶显示装置的制造方法中，光掩模的图案能够适当地进行设定，因此根据本发明制造的液晶显示装置只要是具有两个以上的畴的液晶模式则无特别限定，能够具有作为水平取向模式的多畴TN模式、多畴STN(SuperTwistedNematic超扭曲向列)模式、多畴ECB模式和多畴OCB模式、以及作为垂直取向模式的MVA模式和PVA模式等多畴的全部的液晶模式。其中，作为根据本发明制造的液晶显示装置的液晶模式，优选多畴TN模式和多畴VATN模式。而且，在制造水平取向模式的液晶显示装置的情况下，上述液晶层优选包括具有正的介电常数各向异性的液晶分子，另一方面，在制造垂直取向模式的液晶显示装置的情况下，上述液晶层优选包括具有负的介电常数各向异性的液晶分子。如以上所说明的，本发明也可以是包括通过具有半色调部的光掩模使设置在基板的表面的取向膜曝光的工序，并且在像素内具有取向方位不同的两个以上的区域的液晶显示装置的制造方法。此外，本发明也可以是包括通过具有第一半色调部的第一光掩模使取向膜的第一曝光区域曝光的第一曝光工序、和将具有第二半色调部的第二光掩模以与通过第一半色调部曝光的区域相对应配置第二光色调部的方式进行定位之后，通过第二光掩模对与取向膜的第一曝光区域局部重复的第二曝光区域进行曝光的第二曝光工序，并且在像素内具有两个以上取向方位不同的区域的液晶显示装置的制造方法。再者，本发明也可以是一种包括相对的一对基板、设置在上述基板间的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，并且在像素内具有取向方位不同的两个以上的区域的液晶显示装置的制造方法，上述制造方法包括通过在遮光区域内形成有多个透光部的第一光掩模使取向膜曝光，由此形成第一曝光区域的第一曝光工序；和通过在遮光区域内形成有多个透光部的第二光掩模使取向膜的与第一曝光区域局部重复的区域曝光，由此形成第二曝光区域的第二曝光工序，上述第一光掩模和第二光掩模在与第一曝光区域和第二曝光区域重复的曝光区域(重叠区域)对应的区域具有半色调部，上述第二曝光工序是对在第一曝光工序中通过第一光掩模的半色调部曝光过的像素内的至少一部分的取向膜通过第二光掩模进行曝光。以下详细叙述本发明的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置包括一对相对的基板、设置在上述基板间的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，并且在像素内具有取向方位不同的两个以上的区域。因此，本发明的液晶显示装置适于被取向分割的矩阵型液晶显示装置，具有优异的视场角特性。在本发明的液晶显示装置中，在取向方位不同的区域(畴)间产生的暗线的位置和宽度在相邻的像素中连续变化。此外，上述暗线优选在显示画面的整体中显示这样的关系。在理想地被取向分割的液晶显示装置中，畴间通常产生的暗线的位置和宽度在各像素中具有相同的位置和宽度。但是，在进行取向分割处理的情况下，通常由于处理装置的精度的极限、处理条件的偏差等原因，暗线的位置和宽度很多情况下在各像素间不均勻。与此相对，例如即使在各像素间，暗线的位置和宽度不同，如本发明的液晶显示装置所示，暗线的位置和宽度在相邻的像素间连续变化，由此亮度也连续变化，因此在显示画面上变得视觉辨认不出接缝。而且，作为制造本发明的液晶显示装置的方法并无特别限定，这样由于暗线的位置和宽度连续变化，能够适用上述本发明的液晶显示装置的制造方法。而且，在本说明书中，暗线的位置是指在总线上、黑矩阵上等的液晶显示面板面内的除去遮光体区域(配置有遮光体的区域)的液晶取向区域中，在不同的畴间亮度表示出极小值的位置。此外，暗线的宽度是指相对暗线大致垂直方向的亮度截面曲线中为最大亮度的90%的两点间的距离。而且，暗线的位置和宽度的测定，能够以下述方式进行例如在偏光板正交尼科耳配置[化学式2]权利要求1.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置包括一对相对的基板、设置在该基板间的液晶层、和设置在至少一个基板的液晶层侧的表面的取向膜，并且在像素内具有取向方位不同的两个以上的区域，该制造方法的特征在于该制造方法包括将基板面内分割为两个以上的曝光区域，通过设置有透光部和遮光部的光掩模在每个曝光区域中进行取向膜的曝光的曝光工序，该曝光工序在对光源和光掩模的组合、以及基板中的至少任一个进行扫描的同时进行扫描曝光，并且以相邻的曝光区域的一部分重复的方式进行重复曝光，该光掩模具有半色调部，该半色调部配置有透光部，该透光部的开口率小于在其它部分设置的透光部的开口率，该半色调部与重复曝光的区域对应设置，所述重复曝光的区域的曝光量的合计，相对于不重复曝光的区域的曝光量为70150%。2.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于在所述曝光工序中对取向膜照射紫外线，所述紫外线的照射方向在俯视基板时在像素内为反平行方向。3.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述液晶层包含液晶分子，所述液晶分子的预倾角方向在俯视基板时在像素内为反平行方向。4.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述取向膜产生选自交联反应、异构化反应和光致再取向中的至少一个反应或取向。5.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述取向膜包括具有选自4-查耳酮基、4’-查耳酮基、香豆素基和肉桂酰基中的至少一个感光性基的材料。6.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述光掩模的透光部和遮光部配置成条纹状。7.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述曝光工序中从相对于基板面的法线倾斜的方向入射紫外线。8.如权利要求7所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述紫外线是偏振紫外线。9.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述重复曝光的区域的宽度为1080mm。10.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述半色调部中，随着朝向光掩模的端部而透光部的开口率减少。11.如权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述半色调部的开口率的变化以线性函数或三角函数表示。12.如权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述半色调部中，随着朝向光掩模的端部而透光部的长度变短。13.如权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述半色调部中，随着朝向光掩模的端部而透光部的宽度变窄。14.如权利要求13所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述光掩模的透光部的中心位置的间隔相同。15.如权利要求13所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述半色调部的透光部从透光部配置区域的中心向两侧分割配置。16.如权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述半色调部设置有具有相对将透光部配置区域的宽度2等分的中心线呈线对称的形状的透光部。17.如权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述半色调部设置有具有台阶形状的透光部。18.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于以对在一个基板上设置的取向膜的扫描曝光的扫描方向，与对在另一个基板上设置的取向膜的扫描曝光的扫描方向大致正交的方式，进行所述一对相对的基板的贴合。19.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述在其它部分设置的透光部的宽度为与扫描方向垂直的方向的像素间距的大致一半。20.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于由在所述其它部分设置的透光部和遮光部构成的条纹图案的间距，和与扫描方向垂直的方向的像素间距大致相同。21.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于所述液晶显示装置具有与一对相对的基板的一个邻接的第一偏光板；和与一对相对的基板的另一个邻接的第二偏光板，在与所述第一偏光板邻接的基板的液晶层侧的面上形成的取向膜的取向方位，与所述第一偏光板的吸收轴平行，并且，在与所述第二偏光板邻接的基板的液晶层侧的面上形成的取向膜的取向方位，与所述第二偏光板的吸收轴平行。22.—种曝光装置，对基板表面设置的取向膜进行曝光，其特征在于包括以在像素内形成取向方位不同的两个以上的区域的方式设置有透光部和遮光部的光掩模；和光源，将基板面内分割为两个以上的曝光区域，通过光掩模在每个曝光区域中进行取向膜的曙光，在对光源和光掩模的组合、以及基板中的至少任一个进行扫描的同时对各曝光区域进行扫描曝光，并且以相邻的曝光区域的一部分重复的方式进行重复曝光，该光掩模具有半色调部，该半色调部配置有透光部，该透光部的开口率小于在其它部分设置的透光部的开口率，该半色调部与重复曝光的区域对应设置，所述重复曝光的区域的曝光量的合计，相对于不重复曝光的区域的曝光量为70150%。23.如权利要求22所述的曝光装置，其特征在于包括图像检测用摄像机，通过该图像检测用摄像机对基板的图案进行读取，同时控制扫描方向。24.一种VATN模式液晶显示装置，使用权利要求121中任一项所述的液晶显示装置的制造方法制造，或者，使用权利要求22或23所述的曝光装置制造，其特征在于所述取向方位不同的区域间产生的暗线的位置和宽度，在相邻的像素连续地变化。全文摘要本发明提供一种液晶显示装置的制造方法，即使分割基板进行取向处理的情况下，也能够抑制显示画面上产生接缝，能够提高成品率。该制造方法包括将基板面内分割为两个以上的曝光区域，通过设置有透光部和遮光部的光掩模在每个曝光区域中进行取向膜的曝光的曝光工序，在对光源和光掩模的组合、以及基板中的至少任一个进行扫描的同时进行扫描曝光，并且以相邻的曝光区域的一部分重复的方式重复曝光，该光掩模具有配置有透光部的半色调部，该透光部的开口率小于在其它部分设置的透光部的开口率，该半色调部与重复曝光的区域对应设置，重复曝光的区域的曝光量的合计相对于不重复曝光的区域的曝光量为70～150％。文档编号G02F1/1337GK102298235SQ20111016324公开日2011年12月28日申请日期2007年1月25日优先权日2006年1月26日发明者井上威一郎,宫地弘一,寺下慎一,箱井博之申请人:夏普株式会社