专利名称：液晶面板的制造装置和制造方法
技术领域：
本发明涉及MVA(Multi-Domain Vertical Alignment，多区域垂直排列)方式的液晶面板的制造装置和制造方法，特别地，涉及在两片玻璃基板之间预先封入混合有具有通过施加电压进行取向的取向性的液晶、和与紫外线反应而引起聚合的光反应性物质的材料，通过向该液晶面板照射紫外线而使紫外线反应材料聚合，从而在玻璃板上形成取向膜的液晶面板的制造装置和制造方法。
背景技术：
图10表示液晶面板的构成例。液晶面板50是在两片透光性基板(第一玻璃基板 51、第二玻璃基板51)之间封入有液晶58的结构，在第一玻璃基板51上形成有多个有源元件(例如，薄膜晶体管TFT53)和液晶驱动用电极M(透明电极(ITO))，在其上形成取向膜 56。在第二玻璃基板52上，形成有滤色器57、取向膜56和透明电极(ITO) 55。而且，在两玻璃基板51、52的取向膜间封入液晶58，用密封剂59将周围密封。近年来，为了提高液晶面板的开口率，如专利文献5所示，有时在有源元件 (TFT53)和液晶驱动用电极M之间设置层间绝缘膜。图11示意性表示设置层间绝缘膜情况下的有源元件及其周边的构成例。作为有源元件的TFT53具有以下构成。在一个像素区域内形成的例如由Ta、Mo、Al等构成的栅电极531的上部，施加由例如SiNx膜构成的栅电极绝缘膜532。再有，在其上部重叠例如由非晶硅构成的半导体层 533。在该半导体层533的一部分设有例如由低电阻的Al系合金构成的源电极534、漏电极
535。在如上述那样构成的TFT53的源电极534上，设有例如由低电阻的Al系合金层构成的源电极配线M1，在漏电极535上设有例如由低电阻的Al系合金层构成的漏电极配线
536。此外，虽然省略了图示，但在栅电极531上设有栅电极配线。以覆盖这样的TFT53、源电极配线Ml、漏电极配线536、栅电极配线的上部的方式设有例如由丙烯酸类树脂构成的层间绝缘膜(有机绝缘膜)500。层间绝缘膜500的一部分通过光刻处理来除去，在漏电极配线536上形成触孔500a。在该层间绝缘膜500的整个表面上设有作为像素电极的液晶驱动用电极M(透明电极(ITO))。因此，液晶驱动用电极 54经触孔500a与漏电极配线536连接，并且也可经层间绝缘膜500而在源电极配线541上方、未图示的栅电极配线上方设置。即，可增大液晶驱动用电极M的有效面积(开口率)。这里，通过使层间绝缘膜500的膜厚形成得较厚(例如，几μ m)，可减小源电极配线Ml、栅电极配线相对于液晶驱动用电极M的寄生容量。此外，通过如上述那样设定层间绝缘膜500的膜厚，而使形成多个有源元件(TFT5;3)的第一玻璃基板51表面的凹凸平坦化，可抑制翻转倾斜区域等取向缺陷的产生。在这样的结构的液晶面板中，取向膜56用于在透明电极M、55间施加电压来控制使液晶取向的液晶取向的部件。以往，取向膜的控制通过研磨来进行，但是，近年来，正在尝试新的取向控制技术。该技术是，在设有TFT元件53的第一玻璃基板51和与该第一玻璃基板51相对的第二玻璃基板52之间，预先封入混合有具有通过施加电压而进行取向的取向性的液晶58、 和与紫外线反应而引起聚合的光反应性物质(紫外线反应材料)的材料，通过向该液晶面板照射紫外线而使紫外线反应材料聚合，将与玻璃基板51、52接触的液晶(即表层的大概一个分子层)的方向固定，由此对液晶施加预倾角(例如参照专利文献1)。根据该方法，不需要以往为了施加预倾角而具有所需的斜面的突起物，因此可简化液晶面板的制造工序。因此，具有可减少液晶面板的制造成本和制造时间，并且由于上述突起物所产生的阴影消失而改善了开口率，具有关联到背光的省电化的优点。在进行该新的取向控制的液晶面板的制造技术中，对于将液晶和紫外线反应材料混合的材料(以下有时也称为含有紫外线反应材料的液晶)照射紫外线的处理方法，提出了几个方案。在专利文献2记载的“液晶显示装置及其制造方法”中，提出了将第一条件的紫外线照射和聚合速度比第一条件的紫外线照射大的第二条件的紫外线照射以该顺序组合进行的液晶显示装置的制造方法(参照段落0012等的记载)的方案。具体而言，以放射照度和累计强度为第二条件比第一条件大的条件进行紫外线照射。这样的话，在第一条件的紫外线照射中，由于聚合比较缓慢，因此可抑制取向异常的产生，然后即使提高聚合速度也没有问题，可得到取向异常消除或得到抑制的液晶层。此外，记载有在第二条件的紫外线照射中，优选增加310nm附近的低波长成分的比例(参照段落0037的记载等)。在专利文献3记载的“液晶显示装置及其制造方法”中，公开了 “已知为了不使液晶劣化，而照射使用滤光器将不足310nm的段波长区域删除的紫外线较好”、“但是，在使波长320nm的强度完全为零时难以得到期望的液晶取向。因此，希望使用含有波长310nm的强度为0. 02 0. 05mff/cm2左右的光源”的内容(参照段落0019等的记载)。在专利文献4记载的“液晶显示装置及其制造方法”中，公开了短波长的紫外线在短时间内得到液晶的垂直取向性上有利，但是，易于促进液晶分子等的变质，相反，长波长的紫外线虽然难以促进液晶分子等的变质，但需要很长时间来得到液晶的垂直取向性(参照段落0031等的记载)，还公开了照射的紫外线的波长范围。但是，在专利文献4中，没有提及滤色器的温度上升。专利文献1 日本特开2003-177408号公报专利文献2 日本特开2005-181582号公报专利文献3 日本特开2005-338613号公报专利文献4 日本特开2006-58755号公报专利文献5 日本特开2000-2887号公报专利文献6 国际公开第2009/016951号手册如上所述，虽然提出了几个有关对混合有液晶和紫外线反应材料的材料照射从紫外线光源射出的紫外线的处理方法的方案，但是本发明的发明人进了各种实验，研究的结果，得到了以下的见解。在向使用了含有紫外线反应材料的液晶的液晶面板照射紫外线，使该紫外线反应材料聚合来进行取向控制的液晶面板的一部分中，清楚了发生在液晶中产生气泡的不良情况。特别地，知道了在向液晶面板施加在输送中产生的振动那样的冲击时气泡的产生变得显著。该气泡产生的机理可认为如下。图12中表示液晶面板中的气泡的机理。再有，图12是将上述图10所示的液晶面板的一部分放大表示的图，对与图10、图11相同的部分标注相同标记。在对液晶面板照射紫外线时，如图10所示，从形成多个在每个像素分别配置的有源元件(图10的TFT53)的第一玻璃基板51侧照射紫外线。因此，在从紫外线光源射出的光中含有属于层间绝缘膜(有机绝缘膜)吸收的波长区域所属的波长的光时，由于在层间绝缘膜(有机绝缘膜)残留的感光基或者有机绝缘膜自身的光分解而产生气体。在层间绝缘膜产生的气体在产生时刻没有形成气泡。但是，随着时间经过而扩散， 如图12(a)所示那样，通过取向膜56而向液晶层58浸透。如上述那样，向液晶层58浸透的气体在液晶层58内溶解。在液晶层58内溶解的气体的量，随着从紫外线光源射出的光的照射时间的经过而增大。这样若对在液晶层58内较大量地溶解了气体的状态的液晶面板施加冲击，则发生在液晶层58内溶解的气体的凝聚，如图12(b)所示，在液晶层58内成长为目视等级大小的气泡。这样，在液晶层58内产生的气泡的除去变得困难，导致液晶面板的不良情况。即， 在气泡部分不存在液晶，因此在该部分不会显示图像。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而研制的，其目的是提供在用于使紫外线反应材料聚合 (硬化)的光照射时，抑制层间绝缘膜内的气泡产生而减小该气体向液晶层注入的量，即使对实施了紫外线照射处理的液晶面板施加冲击，也几乎不会在液晶层内产生气泡的液晶面板的制造装置和制造方法。本发明的发明人经过锐意的研究，得到以下结果。首先，对于现在通常使用的液晶中混合的紫外线反应材料，测定对光的波长的吸光度。在图1中表示作为其结果的紫外线反应材料相对光的波长的吸光度的曲线图。在该图中，横轴是波长(nm)，竖轴是吸光度(% )。如该图所示，紫外线反应材料特别地吸收波长370nm以下的区域的光，该情况下， 紫外线反应材料产生聚合反应。但是，实际上，可知支配性地有助于聚合反应的是波长 360nm以下的光，波长比波长360nm长的光对聚合反应的作用明显减小。另一方面，作为本发明对象的丙烯酸类有机绝缘膜即层间绝缘膜含有感光基，该感光基通常吸收波长约430nm以下的光，其结果，产生气体。再有，在本发明中，层间绝缘膜是指含有感光基，可通过光照射进行反应，通过曝光、显影处理而形成图案的绝缘膜，多使用丙烯酸类绝缘膜来作为这样的绝缘膜。这里，为了将液晶面板的液晶层内的气泡的产生抑制为最小限度，可以考虑以下那样的使用紫外线光源来进行液晶面板的紫外线照射处理。S卩，第一，上述紫外线光源放射包含有助于液晶面板内的光反应性物质(紫外线反应物质)的反应的波长区域的光(紫外光)的光。第二，上述紫外线光源放射这样的光在上述波长区域的光的照射量(曝光量)是充分进行光反应性物质的聚合反应的照射量时，被层间绝缘膜吸收且在该层间绝缘膜产生气体的波长区域的光的照射量为满足以下条件的照射量，即向液晶层内浸透的上述产生气体的量是即使对液晶面板施加冲击也不会在液晶层内产生气泡的程度的气体量。即，可知在将液晶面板内的光反应性物质的聚合反应所需的能量设为A，将在层间绝缘膜内产生且向液晶层内浸透的气体量成为通过向液晶面板施加的冲击而达到在液晶层内产生气泡的气体量所需的能量设为B，将支配性地有助于聚合反应的波长360nm以下的光的照射量(能量)设为a，将层间绝缘膜所吸收的波长430nm以下的光的照射量(能量)设为b时，在a = A时，使用放出b < B那样的光的紫外线光源来进行液晶面板的紫外线照射处理较理想。再有，在液晶面板内的光反应性物质的反应所需的能量A，大于在层间绝缘膜内产生且向液晶层内浸透的气体量成为由于向液晶面板施加的冲击而达到在液晶层内产生气泡的气体量所需的能量B时，难以使液晶层内的气泡量尽可能小。即，在本发明中，作为液晶面板内的光反应性物质，必须使用具有满足B > A的条件的特性的物质。本发明的发明人调查了使用哪种灯来作为可照射上述光的灯。其结果，如后述那样，可知使用稀有气体荧光灯是理想的。再有，稀有气体荧光灯可改变放射的波长区域。因此，如后述那样，对于波长区域不同的三种稀有气体荧光灯和金属卤化物灯，调查光反应性物质的硬化所需的照射时间T、波长360nm以下的波长区域的放射照度(mW/cm2)、在照射时间T的条件下的照射量(mj/cm2)以及波长430nm以下的波长区域的放射照度(mW/cm2)、照射时间T的条件下的照射量(mj/cm2)、有无气泡。其结果，虽然在使用金属卤化物灯的情况下产生气泡，但在使用稀有气体荧光灯的情况下可抑制气泡的产生。根据以上内容，本发明中如下述那样解决上述问题。(1) 一种液晶面板的制造装置，具备工作台，保持液晶面板，所述液晶面板是在有源元件上具备层间绝缘膜且在内部封入了含有光反应性物质的液晶的MVA方式的液晶面板；和光照射部，相对于保持在上述工作台的上述液晶面板照射来自灯的光，通过相对于保持在上述工作台的液晶面板照射来自上述光照射部的光，从而使上述液晶面板内的光反应性物质反应而在液晶面板的内部形成取向部，使用如下的灯作为上述光照射部的灯。使用具有这样的发光光谱的灯在有助于液晶面板内的光反应性物质的反应的波长区域的光的照射量(a)与该光反应性物质的反应所需要的能量(A)相等时，被层间绝缘膜吸收的波长区域的光的照射量(b)，小于在吸收了该波长区域的光的层间绝缘膜内产生的气体的产生量成为向液晶层内浸透而达到在液晶层内产生气泡的量所需要的能量(B)。(2)在上述(1)中，有助于上述液晶面板内的光反应性物质的反应的波长区域的光的照射量(a)是310nm 360nm的波长区域的光的照射量，被上述层间绝缘膜吸收的波长区域的光的照射量(b)是430nm以下的波长区域的光的照射量。(3)在上述(1) (2)中，使用实质上不放射波长300nm以下的光的稀有气体荧光灯来作为上述灯。在本发明中，使用具有以下的发光光谱的灯，在有助于液晶面板内的光反应性物质的反应的波长区域的光的照射量(a)与该光反应性物质的反应所需要的能量(A)相等时，被层间绝缘膜吸收的波长区域的光的照射量(b)，小于在吸收了该波长区域的光的层间绝缘膜内产生的气体的产生量成为向液晶层内浸透而达到在液晶层内产生气泡的量所需要的能量(B)，使用具备上述灯的紫外线光源来照射液晶面板，因此在使光反应性物质(紫外线反应材料)硬化时，抑制层间绝缘膜的气体生成，可将液晶面板的液晶层处的气泡抑制为最小限度。
图1是表示紫外线反应材料对光的波长的吸光度的图。图2是表示本发明的液晶面板的制造装置的构成例的图。图3是表示稀有气体荧光灯的构成例的图。图4是表示稀有气体荧光灯的其他构成例的图。图5是表示稀有气体荧光灯A的分光放射光谱的图。图6是表示稀有气体荧光灯B的分光放射光谱的图。图7是表示稀有气体荧光灯C的分光放射光谱的图。图8是将稀有气体荧光灯A、B、C的分光放射光谱重叠表示的图。图9是表示金属卤化物灯的分光放射光谱的图。图10是表示液晶面板的构成例的图。图11是表示设置层间绝缘膜的情况下的有源元件及其周边的构成例的图。图12是说明气泡的机理的图。符号说明1 光照射部；Ia 光源(灯)；Ib 反射镜；Ic 电源；111:内侧管(电介质)；112 外侧管(电介质)；IlAUlB 两端部；2 :工作台；2a 施加电压的机构；3 液晶面板；3a,3b 透光性基板(玻璃基板)；3c 含有紫外线反应材料的液晶；3d 密封剂；4 控制部；10,20 灯；11,21 容器(发光管)；12、13 电极；22,23 电极；14,26 低软化点玻璃层；15,27 荧光体层；16 电源装置；24 保护膜；25 紫外线反射膜；S 放电空间；W11、W12 导线；50 液晶面板；51 第一玻璃基板；52 第二玻璃基板；53 =TFT ；54 液晶驱动用电极；55 透明电极(ITO) ；56 取向膜；57 滤色器；58 液晶(液晶层)；59 密封剂；531 栅电极；532 栅电极绝缘膜；533 半导体层；534 源电极；535 漏电极；536 漏电极配线；541 源电极配线；500 层间绝缘膜(有机绝缘膜)；500a 触孔。
具体实施例方式图2中表示本发明的液晶面板的制造装置(紫外线照射装置)的构成例。本发明的液晶面板的制造装置(紫外线照射装置)具备装载光照射部1和液晶面板3的工作台2。在工作台2上，设有对已装载的液晶面板3施加电压的机构加。对于在工作台2上装载的液晶面板3，如上述专利文献1所述，在从施加电压的机构加施加电压的同时，照射来自光照射部1的光。如上所述，液晶面板3是在两片透光性基板(玻璃基板)3a,3b之间封入含有紫外线反应材料的液晶3c的结构，虽然该图表示概念图，但如上述那样在玻璃基板上形成有多个有源元件(TFT)和液晶驱动用电极、滤色器、透明电极(ΙΤ0)，用密封剂3d将周围密封。光照射部1具备光源(灯)Ia和反射镜lb，作为光源(灯)1，可使用射出具有 3IOnm 360nm波长区域的光的稀有气体荧光灯。上述光源Ia从电源Ic被供电而点亮。该电源lc、施加上述电压的机构加与控制部4连接，控制部4控制光源Ia的点亮、熄灭、照射时间、向液晶面板3施加的电压的值和时间等。液晶面板3通过未图示的输送机构等而装载于工作台2上。控制部4从施加电压的机构加施加电压，并且从光照射部1向液晶面板照射光。而且，控制向液晶面板施加的电压、时间等，并控制光源Ia的点亮时间，在抑制液晶面板的温度上升的同时，使在液晶混合的紫外线反应材料(光反应性物质)硬化，如上述那样向液晶施加预倾角。这里，作为在液晶中混合的紫外线反应材料，可使用具有如下特性的材料使该紫外线反应材料硬化所需的能量(上述A)不大于在层间绝缘膜内产生且向液晶层内浸透的气体量为通过向液晶面板施加的冲击而导致液晶层内产生气泡的气体量所需的能量B。图3是表示上述稀有气体荧光灯的构成例的图。稀有气体荧光灯是管状结构，图 3是用含有管轴的平面剖开的剖视图。稀有气体荧光灯10具有将内侧管111和外侧管112 大致同轴地配置的大体双层管结构的容器(发光管)11，通过将该容器11的两端部11A、 IlB密封，而在内部形成圆筒状的放电空间S。放电空间S中封入氙气、氩气、氪气等稀有气体。容器11由石英玻璃构成，在内周面设有低软化点玻璃层14，在该低软化点玻璃层14的内周面还设有荧光体层15。该低软化点玻璃层14可使用例如硼酸玻璃和铝硅酸玻璃等硬质玻璃。此外，荧光体层15可使用例如铈活化铝酸镁镧(La-Mg-Al-O = Ce)荧光体。在内侧管111的内周面设有内侧电极12，在外侧管112的外周面设有网状的外侧电极13。这些电极12、13隔着容器12和放电空间S而配置。电极12、13经导线Wll、W12而连接电源装置 16。若由电源装置16施加高频电压，则在电极12、13间形成隔着电介质(111、112)的放电 (所谓的电介质屏障放电)，在氙气的情况下产生波长172nm的紫外线。在这里得到的紫外线是荧光体的激励用的光，通过照射荧光体层，而放射中心波长为340nm附近的紫外线。图4中表示稀有气体荧光灯的其他构成例。该图(a)表示用含有管轴的平面剖开的剖视图，(b)表示(a)的A-A线剖视图。在图4中，灯20具有一对电极22、23，电极22、23 在容器(发光管)21的外周面配置，在电极22、23的外侧设有保护膜M。相对于容器21的内周面的光出射方向侧而在相反侧的内面设有紫外线反射膜25(参照图4(b))，在其内周设有低软化点玻璃层沈，在该低软化点玻璃层沈的内周面，设有荧光体层27。其他的构成与图3所示的构成相同，封入容器21内的放电空间S中的气体、荧光体层27所使用的荧光体也同样。在向电极22、23施加高频电压时，在电极22、23间产生电介质屏障放电，如上述那样产生紫外线。这样，将荧光体激励，从荧光体层产生中心波长为340nm附近的紫外线， 该光由紫外线反射膜25反射，从没有设置紫外线反射膜25的开口部分向外部放射。图5-图7表示在本发明的实施例中使用的稀有气体荧光灯的分光放射光谱。再有，横轴是波长(nm)，竖轴是分光放射照度(yW/Cm7nm)。如上所述，稀有气体荧光灯可通过荧光物质的配合等来改变稀有气体荧光灯放射的波长区域，图5-图7表示放射的波长区域不同的三种稀有气体荧光灯A、B、C的分光放射光谱。再有，在图8中，为了比较而重叠表示三种稀有气体荧光灯A、B、C的分光光谱。这里，稀有气体荧光灯A在放电空间S中封入以氙气为主成分的稀有气体，荧光体层15使用了铈活化铝酸镁·镧(La-Mg-AL-0 Ce)荧光体(简称LAM荧光体)。此外，稀有气体荧光灯B在放电空间S中封入以氙气为主成分的稀有气体，荧光体层15使用了铈活化铝酸钡镁(Ce-Mg-BA-AL-O)荧光体(简称CAM荧光体)。另一方面，稀有气体荧光灯C在放电空间S中封入以氙气为主成分的稀有气体，荧光体层15使用了铈活化磷酸钇(Y-P-0:Ce)荧光体(简称YPC荧光体)。再有，如图8所示，在310nm 360nm的波长区域，短波长侧的波长比率为[稀有气体荧光灯A] > [稀有气体荧光灯B] > [稀有气体荧光灯C]。如图5-图7所示，稀有气体荧光灯放射波长450nm以下的波长区域的光、360nm以下的波长区域的放射照度所占的比例为支配性的光。S卩，在使支配性地有助于聚合反应的波长360nm以下的波长区域的放射照度为 aii(W/cm2)、被层间绝缘膜吸收的波长430nm以下波长区域的放射照度为(W/cm2)时，bXi >ali;但是，和aXi的差较小。因此，在使照射时间t时的360nm以下的波长区域的光的照射量为a ( = BliXtQ/ cm2))、被层间绝缘膜吸收的波长430nm以下波长区域的光的照射量为h ( = I^li X t (J/cm2)) 时，ID1 > a1;但是，ID1和B1的差较小。另一方面，作为比较对照用，在图9中表示将450nm以上的波长区域的光用滤光器除去的情况下的金属卤化物灯的分光放射光谱(使用滤光器)。再有，横轴是波长(nm)，竖轴是分光放射照度(yW/Cm7nm)。上述金属卤化物灯一直以来在紫外线照射装置中使用，在内部封入水银和金属。从图9可知，上述构成的金属卤化物灯放射波长450nm以下的波长区域的光、特别是360nm 430nm以下的波长区域的放射照度所占的比例为支配性的光。S卩，在使支配性地有助于聚合反应的波长360nm以下的波长区域的放射照度为 ^(W/cm2)、被层间绝缘膜吸收的波长430nm以下波长区域的放射照度为bmi (W/cm2)时，bmi > ^li，但是，bmi和‘的差比稀有气体荧光灯的情况下显著增大。因此，在使照射时间t时的360nm以下的波长区域的光的照射量为= &乂^(^2))、被层间绝缘膜吸收的波长43011111以下波长区域的光的照射量为13111(= bffliXt(J/cm2))时，bm>am，但是，\和％的差较大，与稀有气体荧光灯的情况相比，成为
bm-Am I > IVA11。因此，在以支配性地有助于聚合反应的波长360nm以下的光的照射量(能量)a与液晶面板内的光反应性物质的反应所需的能量A相等的方式向液晶面板照射来自灯的光的情况下，将此时的照射时间设为tl，将从稀有气体荧光灯放出的被层间绝缘膜吸收的波长430nm以下的光的照射量(能量)设为Bl ( = X、)，从上述构成的金属卤化物灯射出的被层间绝缘膜吸收的波长430nm以下的光的照射量(能量)设为B2 ( = bmi X、)，此时， 成为B2 > Bi。
如从后面的实验所知那样，在将使层间绝缘膜内产生的气体的产生量成为向液晶层内浸透后冲击等达到在液晶层内产生气泡的量所需的能量设为B时，在使用上述那样的稀有气体荧光灯来作为紫外线照射装置的光源的情况下，成为Bl < B，在使用上述那样的金属卤化物灯的情况下，成为B < B2。S卩，通过向液晶面板照射从装载上述那样的稀有气体荧光灯的紫外线照射装置射出的光，而使紫外线反应材料聚合来固定与玻璃基板接触的液晶(即表层的大体一个分子层)的方向而对液晶施加预倾角，此时，可抑制有源元件上的层间绝缘膜的气体生成量，显著抑制液晶层的气泡。因此，可抑制液晶面板的制造上的不良情况。再有，波长300nm以下的光被液晶吸收，在照射量增多时有可能对液晶产生损伤， 因此优选为实质上不放射波长300nm以下的光的灯，在图5-图7所示的稀有气体荧光灯中，几乎不放射波长300nm以下的光。为了确认本发明的效果，进行以下的实验，对从灯放射的波长和有无液晶面板的气泡进行验证。在表1中表示其结果。表1表示使用三种稀有气体荧光灯A C和金属卤化物灯来照射层间绝缘膜的组成不同的三种液晶面板时的单体(紫外线反应材料)的硬化所需的照射时间tc、过度照射时间(单体的硬化所需的照射时间的2倍时间)2tc、310nm 360nm的波长区域的累计放射照度、在时间tc及时间2tc的期间照射310nm 360nm的波长区域的光时的各照射量a、 3IOnm 430nm的波长区域的累计放射照度、在时间tc及2tc照射310nm 430nm的波长区域的光时的各照射量b、在时间tc期间进行光照射后对液晶面板施加冲击是否在液晶层内产生气泡以及仅在时间2tc期间进行光照射后对液晶面板施加冲击是否在液晶层内产生气泡。再有，照射量是放射照度乘以照射时间的值。表 权利要求
1.一种液晶面板的制造装置，具备工作台，保持液晶面板，所述液晶面板是在有源元件上具备层间绝缘膜且在内部封入了含有光反应性物质的液晶的MVA方式的液晶面板；和光照射部，相对于保持在上述工作台的上述液晶面板照射来自灯的光，在该液晶面板的制造装置中，通过相对于保持在上述工作台的液晶面板照射来自上述光照射部的光，从而使上述液晶面板内的光反应性物质反应而在液晶面板的内部形成取向部，其特征在于，上述光照射部的灯是具有如下的发光光谱的灯在有助于液晶面板内的光反应性物质的反应的波长区域的光的照射量(a)与该光反应性物质的反应所需要的能量(A)相等时，被层间绝缘膜吸收的波长区域的光的照射量(b)，小于在吸收了该波长区域的光的层间绝缘膜内产生的气体的产生量成为向液晶层内浸透而达到在液晶层内产生气泡的量所需要的能量(B)0
2.根据权利要求1所述的液晶面板的制造装置，其特征在于，有助于上述液晶面板内的光反应性物质的反应的波长区域的光的照射量(a)是 310nm 360nm的波长区域的光的照射量，被上述层间绝缘膜吸收的波长区域的光的照射量(b)是430nm以下的波长区域的光的照射量。
3.根据权利要求1或2所述的液晶面板的制造装置，其特征在于，上述灯是实质上不放射波长300nm以下的光的稀有气体荧光灯。
4.一种液晶面板的制造方法，通过对在有源元件上具备层间绝缘膜且在内部封入了含有光反应性物质的液晶的MVA方式的液晶面板进行光照射，从而使上述液晶面板内的光反应性物质反应而在液晶面板的内部形成取向部，其特征在于，如下地进行光照射在有助于液晶面板内的光反应性物质的反应的波长区域的光的照射量(a)与该光反应性物质的反应所需要的能量(A)相等时，被层间绝缘膜吸收的波长区域的光的照射量(b)，小于在吸收了该波长区域的光的层间绝缘膜内产生的气体的产生量成为向液晶层内浸透而达到在液晶层内产生气泡的量所需要的能量(B)0
全文摘要
在用于使紫外线反应材料聚合(硬化)的光照射处理中尽可能抑制液晶面板在液晶层产生气泡。对于在两片透光性基板(玻璃基板)(3a)、(3b)间封入含有紫外线反应材料的液晶(3c)的液晶面板(3)，在施加电压的同时从光照射部(1)照射光。作为光照射部的光源(1a)，使用具有如下发光光谱的灯(例如稀有气体荧光灯)在有助于液晶面板内的光反应性物质的反应的波长区域的光的照射量(a)与该光反应性物质的反应所需的能量(A)相等时，被层间绝缘膜吸收的波长区域的光的照射量(b)，小于在吸收该波长区域的光的层间绝缘膜内产生的气体的产生量成为向液晶层内浸透而达到在液晶层内产生气泡的量所需的能量(B)。可抑制在液晶层产生气泡。
文档编号G02F1/1333GK102375262SQ20111022362
公开日2012年3月14日 申请日期2011年8月5日 优先权日2010年8月6日
发明者关匡平, 铃木信二 申请人:优志旺电机株式会社