专利名称：光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物，其形成的光化射线敏感或辐射敏感膜以及使用该 ...的制作方法
技术领域：
本发明涉及光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物，由该组合物形成的光化射线敏感或辐射敏感膜，以及使用该组合物形成图案的方法。更具体地，本发明涉及在例如IC等半导体制造工艺、液晶电路板制造工艺、热敏头等或其他光加工光刻工艺中使用的组合物，并涉及由该组合物形成的膜以及使用该组合物形成图案的方法。特别地，本发明涉及适合使用以波长为300nm或更短的远紫外线作为光源的液浸型投影曝光装置进行曝光的组合物，并涉及由该组合物形成的膜以及使用该组合物形成图案的方法。
背景技术：
迄今为止，在半导体制造工艺等中，传统实践是使用抗蚀剂组合物。这样的组合物的一个实例是化学放大型抗蚀剂组合物。所述化学放大型抗蚀剂组合物通常包含当与酸作用时分解从而增加其在碱性显影剂中溶解度的树脂，以及当曝光于光化射线或辐射时分解从而产生酸的化合物。为了应付例如半导体的微型化，对于这种树脂和化合物已经进行了多种开发(参见例如专利参考文献I到4)。但是，对于这种组合物，仍然有进一步改善的余地。特别地，在最近几年，需要其能同时实现在更高尺寸具有优异的灵敏度以及优异的粗糙度特性和曝光宽容度(EL)。[现有技术文献][专利参考文献][专利参考文献I]日本专利申请公开公告号(在下文中称为JP-A-)2007_230913，[专利参考文献2] JP-A-2OO9-I22623,[专利参考文献3] JP-A-2003-307839，和[专利参考文献4]日本专利号3841406。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种具有优异灵敏度、粗糙度特性和曝光宽容度的光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物。本发明进一步的目的是提供一种由该组合物形成的光化射线敏感或辐射敏感膜，以及一种使用该组合物形成图案的方法。例如，本发明被定义如下。[I] 一种光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物，包含
(A)当与酸作用时分解从而增加其在碱性显影剂中溶解度的树脂，和(B)当曝光于光化射线或辐射时分解从而产生酸的化合物，所述化合物为下述通式(1-1)的任何化合物，
权利要求
1.一种光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物，包含 (A)当与酸作用时分解从而增加其在碱性显影剂中溶解度的树脂，以及 (B)当曝光于光化射线或辐射时分解从而产生酸的化合物，所述化合物为下述通式(1-1)的任何化合物，
2.根据权利要求I所述的组合物，进一步包含(C)当曝光于光化射线或辐射时分解从而产生酸的化合物，该化合物不同于上述通式(1-1)的化合物。
3.根据权利要求I所述的组合物，其中X或至少一个X由下面通式(1-2)表示，
4.根据权利要求I所述的组合物，其中X或至少一个X由下面通式(1-3)表示，
5.根据权利要求3所述的组合物，其中E是亚烷基键。
6.根据权利要求4所述的组合物，其中E是亚烷基键。
7.根据权利要求3所述的组合物，其中E包含至少一个选自由酯键和醚键组成的组的键。
8.根据权利要求4所述的组合物，其中E包含至少一个选自由酯键和醚键组成的组的键。
9.根据权利要求I所述的组合物，其中A是硫原子。
10.根据权利要求I所述的组合物，其中R1或每一个R1独立地为芳烃基。
11.根据权利要求I所述的组合物，其中Y—是有机酸阴离子。
12.根据权利要求I所述的组合物，其中r是磺酸阴离子、亚氨酸阴离子或甲基化物阴离子。
13.一种由根据权利要求I的组合物形成的光化射线敏感或辐射敏感膜。
14.一种形成图案的方法，所述方法包括 将根据权利要求I的组合物形成膜， 将所述膜曝光，并且 将所曝光的膜显影。
15.根据权利要求14的方法，其中所述曝光通过浸溃液体进行。
16.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括权利要求14的图案形成方法。
17.—种通过权利要求16的方法制造的半导体器件。
全文摘要
本发明提供一种光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物，其具有优异的灵敏度、粗糙度特性和曝光宽容度，以及一种使用其形成图案的方法。所述组合物包含(A)当与酸作用时分解从而增加其在碱性显影剂中溶解度的树脂，以及(B)当曝光于光化射线或辐射时分解从而产生酸的化合物，所述化合物为下述通式(1-1)的任何化合物。
文档编号G03F7/039GK102741748SQ20118000785
公开日2012年10月17日 申请日期2011年12月22日 优先权日2010年12月24日
发明者山口修平, 德川叶子, 松田知树, 涩谷明规, 藤田光宏 申请人:富士胶片株式会社