专利名称：纳米图案化方法及制造母板和离散轨道磁记录介质的方法
技术领域：
本发明涉及一种利用表面等离子体激元效应(plasmon effect)来实现高图案密度的纳米图案化的方法和利用该纳米图案化方法制造可复制纳米图案的纳米压印母板和用于高密度磁记录的离散轨道磁记录介质的方法。
背景技术：
近来，可实现微细线宽度的纳米图案化的方法已经受到很大关注。例如，在半导体设备中，为了获得高的集成密度，需要进一步增大每单位面积的装置的数目，为此，需要开发用于形成高密度微细图案的工艺。此外，磁记录领域中需要高记录密度的硬盘驱动器，为了满足该需求，已经开发出了被图案化的介质(例如离散轨道介质或位图介质)作为记录介质。被图案化的介质包括离散轨道介质和位图介质，在离散轨道介质中，轨道单元将记录区域分开；在位图介质中，位单元将记录区域分开。为了制造这些介质，采用形成微细图案的工艺。现有技术的光刻法在制造微细图案方面的能力有限，因此，对于在制造微细图案的过程中使用电子束光刻法和纳米压印法，已经进行了许多研究。图IA至图ID是示出了利用电子束光刻法进行纳米图案化的现有技术方法的剖视图。参照图1A，在基底10上形成蚀刻目标材料层20 (将要被蚀刻的材料层)和电子束抗蚀剂层30。如图IB中所示，通过利用电子束沿着将要被制造的图案形状进行辐射来执行曝光工艺。然后，如图IC中所示，对图IB中的所得产品进行显影，从而在电子束抗蚀剂层30中形成图案。接着，利用电子束抗蚀剂层30作为掩模对蚀刻目标材料层20进行蚀刻，然后形成纳米图案并去除电子束抗蚀剂层30，得到图ID中示出的所得产品。为了在蚀刻目标材料层20中稳定地实现具有甚至更深的结构的图案，能够通过在蚀刻目标材料层20和电子束抗蚀剂层30之间形成由诸如SiO2的材料形成的硬掩模层，并将电子束抗蚀剂层30的图案转印到硬掩模层，可通过将蚀刻目标材料层20图案化来形成微细图案。虽然上述利用电子束光刻来制造微细图案的方法的优点在于与传统的光刻工艺相比可以更精确地控制微细线宽度，但是存在以下缺点随着图案密度增大，需要不断增大的更高的光刻分辨率和不断延长的更长的曝光时间。因此，工艺成本增大并且缺陷增多的可能性增大。
发明内容
为了解决以上和/或其它问题，本发明的示例性实施例提供了一种可利用表面等离子体激元效应来实现微细线宽度和高图案密度的纳米图案化方法和一种利用该纳米图案化方法来制造纳米图案化母板和离散轨道磁记录介质的方法。
根据本发明的一方面，提供了一种纳米图案化的方法，该方法包括以下步骤(a)在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有图案以预定间隔被重复布置的结构；(b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得光致抗蚀剂层通过表面等离子体激元被曝光成第二图案；(C)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影；(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模对蚀刻目标材料层进行蚀刻。根据本发明的另一方面，提供了一种制造母板的方法，该方法包括以下步骤(a)在基底上顺序地形成光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有图案被重复布置并以预定间隔分开的结构；(b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得光致抗蚀剂层通过表面等离子体激元被曝光成第二图案；(c)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影；(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻基底。 根据本发明的又一方面，提供了一种制造离散轨道磁记录介质的方法，该方法包括以下步骤(a)在基底上顺序地形成下层、记录层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有形成同心圆的线图案以预定间隔被重复布置的结构；(b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得光致抗蚀剂层通过表面等离子体激元被曝光成第二图案；(C)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影；(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻记录层。
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其它特点及方面将变得更加清楚，在附图中图IA至图ID是用于解释形成微细图案的现有技术方法的剖视图；图2A至图2K是用于解释根据本发明示例性实施例的纳米图案化的方法的剖视图；图3A至图3J是用于解释根据本发明示例性实施例的纳米图案化母板的制造方法的剖视图；图4是在本发明的示例性实施例中将被制造的离散轨道磁记录介质的示意图；图5A至图5L是用于解释根据本发明示例性实施例的离散轨道磁记录介质的制造方法的剖视图。
具体实施例方式现在将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。在附图中，为了清晰起见，夸大了层和区域的厚度，并且相同的标号表示相同的元件。图2A至图2K是用于解释根据本发明示例性实施例的纳米图案化的方法的剖视图。参照图2A，在基底110上形成蚀刻目标材料层120、光致抗蚀剂层140、金属层150和聚合物层160。还可以在蚀刻目标材料层120和光致抗蚀剂层140之间形成诸如底部抗反射涂层(BARC)的抗反射膜130，抗反射膜130用于防止当在曝光工艺过程中辐射光时光致抗蚀剂层140被基底110反射的光再次曝光。形成金属层150，以在后续的工艺中通过激发表面等离子体激元来对光致抗蚀剂层140进行曝光，可由从例如Au、Al、Ag、Cr、Ni、Ti、Ta或W中的一种或多种中选择的材料来形成金属层150。可利用诸如溅射、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)或原子层沉积(ALD)的工艺来形成金属层150。形成聚合物层160，使得聚合物层160在被图案化成预定图案之后用于蚀刻金属层150的掩模，并且根据图案化聚合物层160的方法由适当的材料形成聚合物层160。例如，可以通过由紫外(UV)射线可固化聚合物或热可固化聚合物形成的纳米压印树脂来形成聚合物层160。更具体地讲，可以由包含光引发剂的丙烯酸酯类有机聚合物或有机-无机杂混聚合物或者用于光学装置的UV可固化负性光致抗蚀剂来形成聚合物层160。此外，可以由热压印树脂(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))或无机旋涂玻璃聚合物(例如含氢硅酸盐类(hydrogen silsesquioxane,HSQ))来形成聚合物层 160。可以利用分配(dispensing)、旋涂、喷涂、浸溃涂覆、喷墨涂覆或真空沉积来形成聚合物层160。如果利用电子束光刻来图案化聚合物层160，则可由电子束抗蚀剂材料来形成聚合物层160。参照图2B，制备具有预定图案的纳米压印母板(master) 190。例如，由诸如Si、石 英或Ni的材料形成纳米压印母板190。在纳米压印母板190上形成将形成在聚合物层160中的被雕刻的第一图案。第一图案被形成为具有周期性重复的预定图案形状，且第一图案的图案密度低于将形成在蚀刻目标材料层120中的第二图案的图案密度。例如，第一图案的线宽度可大于第二图案的线宽度，且第一图案的重复图案线之间的间隔可以是第二图案的重复图案线之间的间隔的几倍大。参照图2C，通过将纳米压印母板190置于聚合物层160上并将UV射线照射到纳米压印母板190上来执行压印。此时，根据聚合物层160的材料，可以将热施加到纳米压印母板190上，而不照射UV射线。图2D示出了将聚合物层160图案化成第一图案的结果。在这种情况下，为了描述将第一图案图案化到聚合物层160中的方法，使用纳米压印法作为示例。然而，如果聚合物层160由电子束抗蚀剂材料形成，则可使用电子束光刻法将聚合物层160图案化。接着，如图2E中所示，利用被图案化的聚合物层160作为蚀刻掩模来蚀刻金属层150，并去除被图案化的聚合物层160。因此，将金属层150图案化成第一图案。可以通过湿蚀刻工艺、离子束研磨工艺或等离子体反应离子蚀刻(RIE)工艺来执行对金属层150的蚀刻。参照图2F，通过在金属层150的表面上激发表面等离子体激元来对光致抗蚀剂层140进行曝光。关于激发表面等离子体激元所需的条件，已经进行了许多研究。例如，已经发现，如果将波长足以比狭缝布置中的图案线之间的间隔大的光照射到其中重复地形成有小的狭缝的金属薄膜上，则沿着与狭缝交叉的方向偏振的光激发表面等离子体激元。在本实施例中，利用这样的表面等离子体激元效应对光致抗蚀剂层140进行曝光。也就是说，如果将波长足以比图案线之间的间隔T大，或者优选地，大于或等于4T的光照射到金属层150上，其中，金属层150被图案化为具有线图案被重复布置的结构的第一图案，则在金属层150的表面上激发表面等离子体激元，并且被激发的表面等离子体激元使光能以表面等离子体激元波的形式沿着金属层150的表面传递到光致抗蚀剂层140。在这种情况下，有助于金属层150的激发的光是沿着第一图案被重复布置的方向(即，沿着与线图案的纵向方向垂直的方向)偏振的光，并且是P偏振光，如图2F中所示。
然而，为此，不是必须使入射的非偏振光偏振成P偏振光从而利用P偏振光进行照射。这种情况是因为如果照射非偏振光(即，其中存在随机偏振光的光)，则只有P偏振光有助于表面等离子体激元的激发，而不穿过被图案化的金属层150的其余偏振的光无益于所述激发。然而，考虑到效率，采用起偏振片使光偏振从而产生P偏振光是有利的。传递到光致抗蚀剂层140的光能的分布图案确定由曝光导致的形成在光致抗蚀剂层140上的图案，并且光能的分布图案根据被图案化的金属层150的图案线之间的间隔T、线厚度t和线宽度w而变化。例如，光能的分布图案可以是这样，即，光能分布在金属层150的具有预定线宽度的图案线的两个侧表面上，以对光致抗蚀剂层140进行曝光，如图2G中所示；或者光能的分布图案可以是这样，即，由于金属层150的邻近表面上产生的表面等离子体激元波的相互作用，导致光能的分布使光致抗蚀剂层140的位于被图案化的金属层150的图案线之间的中部被曝光，如图2H中所示。被曝光的光致抗蚀剂层140的这两种图案是示例，可通过适当地控制被图案化成第一图案的金属层150的图案线之间的间隔T、线厚度t和线宽度w来将曝光图案改变成任何形式。在任何情况下，因为对光致抗蚀剂层140进行曝光的光能仅沿着金属层150的表面传递到光致抗蚀剂层140，所以光能形成的图案的线宽度小 于金属层150的图案的线宽度，并且光能形成的图案的图案之间的间隙减小。例如，形成在光致抗蚀剂层140上的图案的图案密度是金属层150的图案的图案密度的至少两倍大。由曝光导致的形成在光致抗蚀剂层140上的图案是将形成在蚀刻目标材料层120上的第二图案。当剥离金属层150时，形成具有图21中所示的形状的所得结构。接着，当对光致抗蚀剂层140进行显影时，如图2J中所示，光致抗蚀剂层140的图案对应于第二图案。也可以在光致抗蚀剂层140的显影过程中去除金属层150。接着，通过O2等离子体灰化来去除抗反射膜130，并利用被图案化的光致抗蚀剂层140作为掩模通过诸如RIE的干蚀刻法对蚀刻目标材料层120进行蚀刻。随后，去除残留的光致抗蚀剂层140和抗反射膜130，因此如图2K中所示，将蚀刻目标材料层120图案化成具
有第二图案。在根据本发明示例性实施例的纳米图案化的方法中，因为在形成低密度图案之后可由低密度图案形成高密度图案，所以可以容易地形成微细图案。图3A至图3J是用于解释根据本发明示例性实施例的纳米图案化母板的制造方法的剖视图。纳米压印母板被形成为大量印刷预定的微细图案结构，并且可以利用根据本发明的纳米图案化的方法来制造该纳米压印母板。参照图3A，在基底210上形成光致抗蚀剂层240、金属层250和聚合物层260。还可以在基底210和光致抗蚀剂层240之间形成诸如BARC的抗反射膜230，抗反射膜230用于防止当在曝光工艺过程中辐射光时光致抗蚀剂层240被基底210反射的光再次曝光。可由诸如Si、石英或Ni的材料形成基底210。形成金属层250，以在后续的工艺中通过激发表面等离子体激元来对光致抗蚀剂240进行曝光,可由从例如Au、Al、Ag、Cr、Ni、Ti、Ta或W中的一种或多种中选择的材料来形成金属层250。形成聚合物层260，使得在聚合物层260中形成预定线图案之后聚合物层260用作蚀刻金属层250的掩模，并且可根据图案化聚合物层260的方法由适当的材料(例如，可以是电子束抗蚀剂材料)形成聚合物层260。参照图3B，通过利用电子束进行照射从而将聚合物层260曝光成第一图案。第一图案被形成为具有这样的形状，即，例如，线图案重复并且被预定的间隔分开，并且第一图案的图案密度低于将形成在纳米压印母板上的第二图案的图案密度。第一图案的线宽度可大于第二图案的线宽度，并且第一图案的重复图案线之间的间隔可以是第二图案的重复图案线之间的间隔的几倍大。参照图3C，对聚合物层260进行显影，并且当利用被图案化成第一图案的聚合物层260对金属层250进行图案化时，如图3D中所示，将金属层250图案化成第一图案。在这种情况下，为了解释将聚合物层260图案化成第一图案的方法，采用电子束光刻法作为示例。然而，还可利用纳米压印法将聚合物层260图案化成第一图案。参照图3E，将光照射到被图案化的金属层250的表面上，从而可激发表面等离子体激元。可通过适当地控制金属层250的图案线之间的间隔T、线厚度t和线宽度w来控制光致抗蚀剂层240的曝光图案。例如，由于暴露于通过表面等离子体激元波传递的光能导致的图案可以是图3F或图3G中示出的图案。当剥除金属层250时，光致抗蚀剂层240具有图3H中示出的形状。接着，如图31中所示，在对光致抗蚀剂层240进行显影之后，利用 被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层240作为掩模来蚀刻抗反射膜230和基底210，去除残留的光致抗蚀剂层240和抗反射膜230。因此，形成如图3J中示出的具有第二图案的纳米压印母板。如上所述制造的母板的图案密度高于在图3B中利用电子束光刻法形成的第一图案的图案密度，且可以采用该母板印刷大量的微细图案。图4是在本发明的示例性实施例中将被制造的离散轨道磁记录介质的示意图。图5A至图5L是用于解释根据本发明示例性实施例的离散轨道磁记录介质的制造方法的剖视图。参照图4，离散轨道磁记录介质具有这样的结构，在该结构中，记录层沿着同心圆上的线图案被图案化，图5A至图5L中示出的剖视图是沿着图4的线A-A'截取的。参照图5A，在基底310上顺序地形成下层315、记录层320、光致抗蚀剂层340、金属层350和聚合物层360。还可以在记录层320和光致抗蚀剂层340之间形成诸如BARC的抗反射膜330，抗反射膜330用于防止当在曝光工艺过程中辐射光时光致抗蚀剂层340被基底310反射的光再次曝光。下层315包括软磁性层和中间层，由包括Ni或Fe的材料形成软磁性层，由诸如Ru的材料形成中间层。由具有良好的垂直磁各向异性的磁性材料形成记录层320,所述磁性材料包括从例如Co、Fe、Pt或Pd中选择的至少一种。形成金属层350,以通过激发表面等离子体激元来对光致抗蚀剂340进行曝光，由从例如Au、Al、Ag、Cr、Ni、Ti、Ta或W中的一种或多种中选择的金属来形成金属层350。在聚合物层360被图案化成预定的线图案之后，聚合物层360用作蚀刻金属层350的掩模，并可以根据图案化聚合物层360的方法由适当的材料形成聚合物层360。例如，可以通过由UV可固化聚合物或热可固化聚合物形成的纳米压印树脂来形成聚合物层360。参照图5B，制备其上形成有预定图案的纳米压印母板390。可由诸如Si、石英或Ni的材料形成纳米压印母板390，且纳米压印母板390上雕刻有将形成在聚合物层360上的第一图案。第一图案的图案密度低于将形成在记录层320上的第二图案的图案密度。参照图5C，将纳米压印母板390置于聚合物层360上并执行压印。在这一点上，照射UV射线。根据聚合物层360的材料，可以将热施加到纳米压印母板390上，而不照射UV射线。在压印操作之后，如图中所示，聚合物层360被图案化成第一图案。在这种情况下，为了将聚合物层360图案化成第一图案，不但可以采用纳米压印法，而且如果由电子束抗蚀剂材料形成聚合物层360，则可以采用电子束光刻法。接着，利用被图案化的聚合物层360作为掩模来蚀刻金属层350，并去除聚合物层360。因此，如图5E中所示，金属层350被图案化成第一图案。然后，参照图5F，将光照射到被图案化的金属层350的表面上，以激发表面等离子体激元。将被照射的光的波长大于第一图案的线之间的间隔T，或者优选地但不是必要地，大于或等于4T。有助于激发金属层350的表面上的表面等离子体激元的光是沿着第一图案被重复布置的方向(即，沿着与线图案的纵向方向垂直的方向)偏振的光，并且是P偏振光,如图5F中所示。然而,为此,不是必须使入射的非偏振光偏振成P偏振光从而利用P偏振光进行照射。这种情况是因为如果照射非偏振光(即，其中存在随机偏振光的光)，则只有P偏振光有助于表面等离子体激元的激发，而其余偏振的光无益于所述激发。然而，考 虑到效率，采用起偏振片使光偏振从而产生P偏振光是有利的。图5G是示出照射P偏振光的方法的剖视图。参照图5G，利用起偏振片480使非偏振光偏振成P偏振光，并将P偏振光照射到金属层350上。在这一点上，因为金属层350的线图案形成同心圆，所以在将其上形成有层的基底310放置在相对于旋转轴(S卩，同心圆的对称轴(Z轴))转动的旋转台470上之后，在光照射过程中可由第一驱动单元(例如主轴电机)驱动旋转台470。当以这种方式照射光时，将沿着线图案被重复布置的方向(即，沿着与半径对齐的方向(R方向))偏振的光照射在形成同心圆的线图案的任何部分上。如果起偏振片480的沿着R方向的长度没有基底310的半径长，则可在利用第二驱动单元沿着半径方向移动起偏振片480的同时照射光。通过P偏振光在金属层350的表面上激发的表面等离子体激元使光能沿着金属层350的表面传递到光致抗蚀剂层340，因此形成曝光图案。可通过控制金属层350的第一图案的图案线之间的间隔T、线厚度t和线宽度w来适当地控制光致抗蚀剂层340的曝光图案。例如，由通过表面等离子体激元传递的光能形成的曝光图案的形状可以与光能分布对应，例如，该图案可具有如图5H中所示的形状，其中，当光能分布在金属层350的具有预定线宽度的图案线的两个侧表面上以对光致抗蚀剂层340进行曝光时，得到如图5H中所示的形状。作为另一示例，曝光图案可具有如图51中所示的形状，其中，当由金属层350的邻近侧表面上产生的表面等离子体激元波的相互作用导致光能的分布使光致抗蚀剂层340的位于被图案化的金属层350的线之间的中部被曝光时，得到如图51中所示的形状。被曝光的光致抗蚀剂层340的这两种图案是示例，可通过适当地控制具有第一图案的金属层350的图案线之间的间隔T、线厚度t和线宽度w来将曝光图案改变成具有任何形式。在任何情况下，因为对光致抗蚀剂层340进行曝光的光能仅沿着金属层350的表面传递到光致抗蚀剂层340，所以光能形成的曝光图案的线宽度小于金属层350的图案的线宽度，并且在光能形成的曝光图案的形状中，图案之间的间隙减小。例如，形成在光致抗蚀剂层340上的图案的图案密度是金属层350的图案的图案密度的至少两倍大。当剥除金属层350时，形成具有如图5J中所示的形状的所得结构。接着，参照图5K，对光致抗蚀剂层340进行显影，并利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层340作为掩模来蚀刻抗反射膜330和记录层320，随后，去除残留的光致抗蚀剂层340和抗反射膜330。因此，如图5L中所示，形成被图案化成第二图案的离散轨道磁记录介质。虽然未示出，但是通常还在记录层320上形成保护记录层320不受外部的影响的保护膜和用于防止保护膜磨损的润滑膜，可在形成图5L的离散轨道磁记录介质之后执行该工艺。可选地，在图5A的操作中，在记录层320上形成保护膜和润滑膜之后，可执行后续的工艺。通过形成具有低图案密度的第一图案且随后利用该具有低图案密度的第一图案，根据上述方法制造的离散轨道磁记录介质被形成为具有高图案密度。因此，可以容易地形成具有高图案密度的离散轨道磁记录介质，从而提供了适合于高密度记录介质的离散轨道磁记录介质。虽然已经参照本发明的示例性实施例具体示出并描述了根据本发明的纳米图案
化的方法和利用该纳米图案化的方法制造纳米压印母板和离散轨道磁记录介质的方法，但是本领域普通技术人员应该理解，在不脱离本发明的由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以对本发明做出形式和细节上的各种变化。
权利要求
1.一种纳米图案化的方法，包括以下步骤 (a)在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有图案以预定间隔被重复布置的结构； (b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得表面等离子体激元传递的光能的分布使光致抗蚀剂层的位于金属层的图案之间的中部以及光致抗蚀剂层的位于金属层的图案的中部下方的部分被曝光，以使光致抗蚀剂层被曝光成第二图案； (c)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影； (d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模对蚀刻目标材料层进行蚀刻。
2.如权利要求I所述的方法，其中，第一图案由线图案组成。
3.如权利要求I所述的方法，其中，第二图案的图案密度大于第一图案的图案密度。
4.如权利要求I所述的方法，其中，在步骤(a)中，在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和金属层的步骤包括以下步骤 在光致抗蚀剂层上顺序地形成金属层和聚合物层； 在聚合物层中形成第一图案； 利用被图案化成第一图案的聚合物层作为蚀刻掩模来蚀刻金属层并去除聚合物层。
5.如权利要求4所述的方法，其中，利用压印法或电子束光刻法将聚合物层图案化成第一图案。
6.如权利要求I所述的方法，其中，在步骤(a)中，在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和金属层的步骤还包括在蚀刻目标材料层和光致抗蚀剂层之间形成抗反射膜。
7.如权利要求I所述的方法，其中，在步骤(b)中，将光照射到金属层的表面上的步骤包括照射偏振光，其中，偏振方向与第一图案被重复布置的方向对齐。
8.如权利要求I所述的方法，其中，(b)将光照射到金属层的表面上的步骤包括照射波长比第一图案的图案之间的预定间隔大的光。
9.如权利要求8所述的方法，其中，所述波长是第一图案的图案之间的预定间隔的至少四倍大。
10.一种制造母板的方法，包括以下步骤 (a)在基底上顺序地形成光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有图案以预定间隔被重复布置的结构； (b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得表面等离子体激元传递的光能的分布使光致抗蚀剂层的位于金属层的图案之间的中部以及光致抗蚀剂层的位于金属层的图案的中部下方的部分被曝光，以使光致抗蚀剂层被曝光成第二图案； (c)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影； (d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻基底。
11.如权利要求10所述的方法，其中，第一图案由线图案组成。
12.如权利要求10所述的方法，其中，第二图案的图案密度大于第一图案的图案密度。
13.如权利要求10所述的方法，其中，在步骤(a)中，在基底上顺序地形成光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层的步骤包括以下步骤 在光致抗蚀剂层上顺序地形成金属层和聚合物层；在聚合物层中形成第一图案； 利用被图案化成第一图案的聚合物层作为蚀刻掩模来蚀刻金属层并去除聚合物层。
14.如权利要求13所述的方法，其中，利用压印法或电子束光刻法将聚合物层图案化成第一图案。
15.如权利要求10所述的方法，其中，(b)将光照射到金属层的表面上的步骤包括照射偏振光，其中，偏振方向与第一图案被重复布置的方向对齐。
16.如权利要求10所述的方法，其中，在步骤(b)中，将光照射到金属层的表面上的步骤包括照射波长比第一图案的图案之间的预定间隔大的光。
17.如权利要求16所述的方法，其中，所述波长是第一图案的图案之间的预定间隔的至少四倍大。
18.—种制造离散轨道磁记录介质的方法，包括以下步骤 (a)在基底上顺序地形成下层、记录层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有形成同心圆的线图案以预定间隔被重复布置的结构； (b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得表面等离子体激元传递的光能的分布使光致抗蚀剂层的位于金属层的图案之间的中部以及光致抗蚀剂层的位于金属层的图案的中部下方的部分被曝光，以使光致抗蚀剂层被曝光成第二图案； (c)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影； (d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻记录层。
19.如权利要求18所述的方法，其中，第二图案的图案密度大于第一图案的图案密度。
20.如权利要求18所述的方法，其中，在步骤(a)中，在基底上顺序地形成下层、记录层、光致抗蚀剂层和金属层的步骤包括以下步骤 在光致抗蚀剂层上顺序地形成金属层和聚合物层； 在聚合物层中形成第一图案； 利用被图案化成第一图案的聚合物层作为蚀刻掩模来蚀刻金属层并去除聚合物层。
21.如权利要求20所述的方法，其中，利用压印法或电子束光刻法将聚合物层图案化成第一图案。
22.如权利要求18所述的方法，其中，在步骤(b)中，将光照射到金属层的表面上的步骤包括照射偏振光，其中，偏振方向与第一图案被重复布置的方向对齐。
23.如权利要求22所述的方法，其中，在相对于所述同心圆的对称轴转动基底的同时，穿过起偏振片照射光，其中，所述起偏振片的偏振轴沿着第一图案被重复布置的方向。
24.如权利要求23所述的方法，其中，在驱动起偏振片使起偏振片沿着所述同心圆的半径方向移动的同时照射光。
25.如权利要求18所述的方法，其中，在步骤(b)中，将光照射到金属层的表面上的步骤包括照射波长比第一图案的线图案之间的间隔大的光。
全文摘要
本发明提供了一种纳米图案化的方法和一种制造纳米压印母板和离散轨道磁记录介质的方法。该纳米图案化的方法包括以下步骤(a)在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有图案以预定间隔被重复布置的结构；(b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得表面等离子体激元传递的光能的分布使光致抗蚀剂层的位于金属层的图案之间的中部以及光致抗蚀剂层的位于金属层的图案的中部下方的部分被曝光，以使光致抗蚀剂层被曝光成第二图案；(c)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影；(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模对蚀刻目标材料层进行蚀刻。
文档编号G03F7/00GK102759854SQ20121019288
公开日2012年10月31日 申请日期2008年8月4日 优先权日2007年10月1日
发明者孙镇昇, 李明馥, 金海成 申请人:三星电子株式会社