局部表面处理的屏蔽方法
【专利摘要】本发明系提供一种局部表面处理的屏蔽方法，用以屏蔽一工件以对工件进行局部表面处理，工件具有一目标处理区域及一非处理区域，方法包括下列步骤：将一治具遮盖于工件的非处理区域，而暴露工件的目标处理区域；利用于治具与工件之间的一吸附力，而使治具与工件的非处理区域相互紧贴，并使治具的一开放边缘贴齐于工件的目标处理区域的边缘，吸附力为一真空吸附力或一静电吸附力，藉此表面处理的影响范围不会超过目标处理区域的边界，进而减少加工瑕疵产生的机会。
【专利说明】局部表面处理的屏蔽方法
【技术领域】[0001]本发明系关于一种屏蔽方法，特别是关于一种应用于局部表面处理的屏蔽方法。【背景技术】
[0002]在很多情况中，加工对象(以下称为工件)在未制造为成品前都会进行诸如电镀、涂敷、曝光等表面处理。当对工件进行某种表面处理时，若工件的其中一些区域不得接受该种处理，常常使用一治具将该些非处理区域加以遮蔽保护，以免其受到影响，而使得表面处理仅影响于需要处理的区域。
[0003]利用治具遮蔽保护非处理区域时，必须要注意到治具与工件间的配合关系，例如治具的开口与处理区域的对应性，以使处理区域确实不受遮蔽，而不得接受表面处理的区域确实地受到保护。
[0004]然而，在习知技术中，治具的开口与目标处理区域往往对应不佳，而造成电镀材料、涂敷材料、或曝光光线等的影响范围超过处理区域，因而产生加工瑕疵。
【发明内容】
[0005]本发明的主要目的是提供一种局部表面处理的屏蔽方法，以改善习知技术的问题，以确保表面处理不会影响到不得接受表面处理的区域，以使所期望的工件表面得以形成。
[0006]本发明为解决习知技术的问题所采用的技术手段为一种局部表面处理的屏蔽方法，用以屏蔽一工件以对工件进行局部表面处理，工件具有一目标处理区域及一非处理区域，屏蔽方法包括下列步骤:(a)将一治具遮盖于工件的非处理区域，而暴露工件的目标处理区域；(b)利用于治具与工件之间的一吸附力，而使治具与工件的非处理区域相互紧贴，并使治具的一开放边缘贴齐于工件的目标处理区域的边缘，吸附力为一真空吸附力或一静电吸附力。
[0007]在本发明的一实施例中，治具为一塑性材料所制成。
[0008]在本发明的一实施例中，吸附力为静电吸附力的情况中，步骤(a)之前还包括对治具进行静电处理的步骤。
[0009]在本发明的一实施例中，步骤(a)中包括将工件放置于治具中的步骤，而在治具与工件之间形成一间隙空间。
[0010]在本发明的一实施例中，在吸附力为真空吸附力的情况中，步骤(a)中包括抽吸间隙空间中的空气的步骤。
[0011 ] 在本发明的一实施例中，治具具有一吸孔，连通于间隙空间。
[0012]在本发明的一实施例中，步骤(b)之后还包括对工件的目标处理区域进行表面处理的步骤。
[0013]在本发明的一实施例中，表面处理为一曝光处理、一蚀刻处理、一电镀处理、或一
雷雕处理。[0014]经由本发明所采用的技术手段，藉由一吸附力而使治具与工件相互紧贴。治具与工件相互紧贴的好处是，治具的开放边缘可以确实地贴齐于工件的目标处理区域的边缘。如此，表面处理的影响范围将不会超过目标处理区域的边界，进而减少加工瑕疵产生的机
八
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[0015]特别是，本发明所利用的吸附力为真空吸附力或静电吸附力。真空吸附力或静电吸附力的产生过程容易。并且在表面处理后而工件必须抽离于治具时，真空吸附力或静电吸附力可以轻易地移除且不易破坏工件及治具的表面。因此，本发明所提供的屏蔽方法不仅遮蔽效果良好，且易于实施并破坏性低，相当适合于应用于局部表面处理。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1系显示本发明的第一实施例的局部表面处理的屏蔽方法的流程图。
[0017]图2A系显示本发明的第一实施例的治具与工件的非处理区域未紧贴时的剖视图。
[0018]图2B系显示 本发明的第一实施例的治具与工件的非处理区域紧贴时的剖视图。
[0019]图3系显示本发明的第二实施例的局部表面处理的屏蔽方法的流程图。
[0020]图4系显示本发明的第二实施例的治具与工件的非处理区域紧贴时的剖视图。
[0021]主要组件符号说明
[0022]1、Ia治具
[0023]IlUla开口
[0024]IllUlla 开放边缘
[0025]12吸孔
[0026]13抽吸管
[0027]2、2a工件
[0028]21、21a 目标处理区域
[0029]211、211a边缘
[0030]22、22a非处理区域
[0031]A空气
[0032]F1、F2吸附力
[0033]Vl间隙空间
【具体实施方式】
[0034]本发明所采用的具体实施例，将藉由以下的实施例及附呈图式作进一步的说明。
[0035]本发明提供一种屏蔽方法，利用治具与工件之间的一真空吸附力或一静电吸附力，而使治具与工件相互紧贴，以进一步对工件进行局部表面处理。以下分别提供真空吸附力以及静电吸附力的实施例并加以描述说明:
[0036]参阅图1所示，其系显示本发明的第一实施例的局部表面处理的屏蔽方法的流程图。本实施例为提供于治具与工件之间的吸附力为真空吸附力的情况。局部表面处理的屏蔽方法包括下列步骤:将一治具遮盖于工件的非处理区域，而暴露工件的目标处理区域(步骤S110);利用于治具与工件之间的一吸附力，而使治具与工件的非处理区域相互紧贴，并使治具的一开放边缘贴齐于工件的目标处理区域的边缘(步骤S120)。
[0037]进一步来说，在本实施例中，(步骤S110)中包括下列步骤:在将工件放置于治具中，而在治具与工件之间形成一间隙空间(步骤S111);将治具遮盖于工件的非处理区域(步骤S112)。而(步骤S120)中包括下列步骤:抽吸间隙空间中的空气(步骤S121);利用治具与工件之间的真空吸附力，使治具与工件的非处理区域相互紧贴(步骤S122)。
[0038]请参阅图2A及图2B，并配合图1对本发明的第一实施例作一说明如后。 [0039]治具I具有一开放边缘111，开放边缘111即治具I中具不遮盖功效的部分的边缘。例如，在本实施例中，治具I具有一开口 11，开口 11的边缘即开放边缘111。然而，本发明不以此为限，开放边缘111也可以是治具的穿孔的边缘，或是治具包括两个分开的板件，而开放边缘111为两个板件之间的间隙。
[0040]首先，将工件2放置于治具I中(步骤S111)。工件2的尺径为小于治具I的内径而得以使工件2放置于治具I中，因此治具I与工件2之间会形成一间隙空间VI。
[0041]接着，将治具I遮盖于工件2的非处理区域22 (步骤S112)。开口 11的形状及面积与工件2的目标处理区域21的形状及面积相同。当将开口 11对应于目标处理区域21而暴露目标处理区域21，工件2的非处理区域22即受治具I所遮盖。
[0042]然后，抽吸间隙空间Vl中的空气(步骤S121)。在本实施例中，治具I具有一吸孔12，连通于间隙空间VI。吸孔12连通接合有一连接于一抽气机(图未示)的抽吸管13。当抽气机运作时，间隙空间Vl中的空气A经由抽吸管13排出。如此，治具I与工件2之间的间隙空间Vl将逐渐成为真空状态。并且在本实施例中，治具I为一塑性材料所制成，例如PP、PVC等塑料材料或其它类似材料。塑性材料具有受力后易变形的特性。藉此，利用抽吸间隙空间Vl中的空气所形成的真空吸附力F1，会使得治具I变形而贴附于工件2，而使得治具I与工件2的非处理区域22相互紧贴(步骤S122)，如图2B所示。
[0043]接下来，对工件2的目标处理区域21进行表面处理(步骤S130)。在本实施例中，表面处理为一曝光处理，表面处理也可以为一蚀刻处理、一电镀处理、一雷雕处理、或其它类似处理。由于治具I与工件2的非处理区域22相互紧贴时，治具I的开口 11的开放边缘111会贴齐于工件2的目标处理区域21的边缘211。因此表面处理将不会影响到工件2的非处理区域22，而使所期望的工件表面得以形成。
[0044]参阅图3所示，其系显示本发明的第二实施例的局部表面处理的屏蔽方法的流程图。本实施例为提供于治具与工件之间的吸附力为静电吸附力的情况。本实施例的局部表面处理的屏蔽方法包括下列步骤:对治具进行静电处理(步骤S200);将治具遮盖于工件的非处理区域(S210)利用治具与工件之间的静电吸附力，使治具与工件的非处理区域相互紧贴(S220);对工件的目标处理区域进行表面处理(S230)。
[0045]请参阅图4，并配合图3对本发明的第二实施例作一说明如后。
[0046]首先，对治具Ia进行静电处理(步骤S200)。接着，将治具Ia遮盖于工件2a的非处理区域22a (步骤S210)。在本实施例中，治具Ia具有一开口 11a，开口 Ila的形状及面积与工件2a的目标处理区域21a的形状及面积相同。当将开口 Ila对应于目标处理区域21a而暴露目标处理区域21a，工件2a的非处理区域22a即受治具Ia所遮盖。
[0047]若将经过静电处理后的治具Ia接触于工件2a，治具Ia与工件2a之间会具有一静电吸附力。所以接下来，将经过静电处理后的治具Ia接触于工件2a，而利用治具Ia与工件2a之间的静电吸附力F2，使治具Ia与工件2a的非处理区域22a相互紧贴(S220)，如图4所示。并且本实施例的治具Ia与第一实施例的治具I同样为塑性材料所制成，而具有受力后易变形的特性，所以紧贴的效果相当良好。
[0048]接下来，对工件2a的目标处理区域21a进行表面处理(步骤S230)。在本实施例中，表面处理为一蚀刻处理，表面处理也可以为一曝光处理、一电镀处理、一雷雕处理、或其它类似处理。由于治具Ia与工件2a的非处理区域22a相互紧贴时，治具Ia的开口 Ila的开放边缘11 Ia会贴齐于工件2a的目标处理区域21a的边缘211a。因此表面处理不会影响到工件2a的非处理区域22a，而使所期望的工件表面得以形成。
[0049]由以上的实施例可知，本发明所提供的局部表面处理的屏蔽方法确具产业上的利用价值。然而，以上的叙述仅为本发明的较佳实施例说明，凡精于此项技艺者当可依据上述的说明而作其它种种的改良，然而这些改变仍属于本发明的发明精神及所界定的专利范围中。
【权利要求】
1.一种局部表面处理的屏蔽方法，用以屏蔽一工件以对该工件进行局部表面处理，该工件具有一目标处理区域及一非处理区域，其特征在于，该屏蔽方法包括下列步骤: (a)将一治具遮盖于该工件的非处理区域，而暴露该工件的目标处理区域； (b)利用于该治具与该工件之间的一吸附力，而使该治具与该工件的非处理区域相互紧贴，并使该治具的一开放边缘贴齐于该工件的目标处理区域的边缘，该吸附力系为一真空吸附力或一静电吸附力。
2.如权利要求1所述的局部表面处理的屏蔽方法，其特征在于，该治具系为一塑性材料所制成。
3.如权利要求1所述的局部表面处理的屏蔽方法，其特征在于，在该吸附力为静电吸附力的情况中，步骤(a)之前还包括对该治具进行静电处理的步骤。
4.如权利要求1所述的局部表面处理的屏蔽方法，其特征在于，步骤(a)中包括将该工件放置于该治具中的步骤，而在该治具与该工件之间形成一间隙空间。
5.如权利要求4所述的局部表面处理的屏蔽方法，其特征在于，在该吸附力为真空吸附力的情况中，步骤(b)中包括抽吸该间隙空间中的空气的步骤。
6.如权利要求4所述的局部表面处理的屏蔽方法，其特征在于，该治具具有一吸孔，连通于该间隙空间。
7.如权利要求1所述的局部表面处理的屏蔽方法，其特征在于，步骤(b)之后还包括对该工件的目标处理区域进行表面处理的步骤。
8.如权利要求7所述的局 部表面处理的屏蔽方法，其特征在于，该表面处理系为一曝光处理、一蚀刻处理、一电镀处理、或一雷雕处理。
【文档编号】G03F7/00GK103572342SQ201210254278
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2012年7月23日 优先权日:2012年7月23日
【发明者】刘维林 申请人:崇鼎科技有限公司