专利名称：Soi基板的表面处理方法
技术领域：
本发明涉及一种SOI基板的表面处理方法。
背景技术：
为了降低寄生电容、实现器件(device)的高速化，SOI (Silicon on insulator) 晶片得到了广泛的应用。近年来，为了制造完全耗尽层型SOI器件，对SOI层(硅层)为 IOOnm以下的薄膜SOI的需求提高。这是因为通过将SOI层薄膜化，可期待实现器件的高速 化。对于此薄膜SOI晶片来说，硅层的面内膜厚分布是非常重要的要素，要求纳米水平的面 内均一性。然而，实际上以高产率达到纳米水平的精度是困难的，现状难以改善。作为制造面内膜厚均一性高的薄膜SOI的方法，还提出了所谓的等离子辅助化学 蚀刻(Plasma Assisted Chemical Etch :PACE)法以及气体团簇离子束(Gas Cluster Ion Beam =GCIB)法等，这些方法预先测定SOI膜的硅膜厚，按照其膜厚分布，在补正的同时对薄 膜进行蚀刻(etching)，从而制造均一的薄膜硅层。两者均通过使数毫米 数厘米直径的等 离子或离子束对晶片的整个表面进行扫描，在补正膜厚变化的同时能够进行蚀刻，可以说 这种技术适用于获得均一薄膜的目的。然而这些方法也存在缺点。含有SOI的硅晶片要求平滑的表面(依据JIS R1683 2007测定的均方根粗糙度[RMS]约为0. 3nm以下)，由于PACE或GCIB后，变成比上述面 粗糙度更为粗糙的表面，因此处理后需要再研磨，在该研磨过程中，面内的膜厚均一性可能 变差。另一方面，作为将PACE或GCIB后的粗糙表面平滑化的方法，提出了高温氢气退火 (anneal)(参照非专利文献1)，表明通过于1200°C氢气退火60分钟可达到平滑的表面，但 是已知氢气退火同时蚀刻硅表面(参照非专利文献2)。此文献中表明，于1100°C氢气氛围下以60nm/h以上的速度引起硅层蚀刻，可以说 此方法为不适于以纳米水平的单位来控制硅层的方法。非专利文献1 山田公著“Cluster Ion Beam基础与应用”(「夕，义夕一 4才> Ii 一 Λ基礎i応用」)第四章非专利文献 2. Habuka et al. , "Haze Generation on Silicon Surface Heated in Ambient at Atmospheric Pressure, " J. Electrochem. Soc. ,Vol. 144,No. 9,September 1997 pp.3261-326
发明内容
本发明是为了解决这些问题而完成的，目的在于提供一种将退火工序中的基板的 膜厚变化降到最小限度，而且达到表面平滑化的方法。本发明是为了解决上述课题而完成的，作为第一个方面，本发明提供一种SOI基 板的表面处理方法，其特征在于，所述处理方法为SOI基板的表面处理方法，其至少包括通 过使用等离子的PACE法或使用气体团簇离子束的GCIB法对上述SOI基板的表面进行处理的工序；以及在氩气氛围中或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中，对实施了上述 处理的SOI基板进行热处理退火的工序。作为第二个方面，本发明提供一种贴合晶片的制造方法，其包括在支撑晶片 (handle wafer)的表面形成半导体薄膜层的工序；通过使用等离子的PACE法或使用气体 团簇离子束的GCIB法对上述半导体薄膜层的表面进行处理的工序；以及在氩气氛围中或 含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中进行热处理退火的工序。通过包括这些工序、在氩气氛围中或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中 对SOI基板进行热处理的退火工序，在保持PACE法或GCIB法处理的基板膜厚均一性的同 时，可平滑化至所希望的表面粗糙度。此外，通过将非活性气体氛围中的氢气浓度设定为4体积％以下，可将氢气浓度 控制在爆炸下限以下，操作变得比较安全，而且与在100%氢气氛围中进行相比，退火引起 的蚀刻作用也可得到大幅度抑制，可将基板的膜厚均一性变差控制在最小限度。这种情况下，上述退火工序中，优选于900°C以上、1250°C以下的温度实施上述热处理。此外，上述退火工序中，上述非活性气体可为氮气、氩气、氦气中的任一种。本发明中，退火工序中使用的非活性气体可从这些当中适当选择。此外，上述退火工序中，可将上述基板的表面粗糙度调节为按照RMS计在 0. 3nm(lOymXlOym^ii0| )以下。这样，根据本发明，在制造含有SOI基板的硅基板时可达到所要求的平滑表面(按 照RMS计，约为0. 3nm以下)。此外，上述SOI基板的支撑晶片可为硅晶片、带有氧化膜的硅晶片、石英、玻璃、蓝 宝石、SiC、氧化铝、氮化铝中的任一种。本发明的表面处理方法中，SOI基板的支撑晶片可根据制作的半导体器件的目的 从这些当中适当选择。如上所述，根据本发明的SOI基板的表面处理方法及贴合晶片的制造方法，通过 在氩气或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中实施热处理的退火工序，与在100% 氢气氛围中实施热处理的退火工序相比，可抑制蚀刻作用。因此，在抑制SOI基板膜厚变化的同时，可将表面平滑化至所希望的表面粗糙度， 所述的SOI基板通过使用PACE法或GCIB法进行处理提高了膜厚均一性。此外，通过将非活性气体中含有的氢气浓度设定为4体积％以下，可抑制蚀刻作 用，且将氢气浓度控制在爆炸下限以下，操作变得比较安全。
图1表示PACE处理前后及在各氛围中退火(1100°C、4小时)后的面内膜厚变化 (in-plane thickness variation)0图2表示在各氛围中退火(1100°C、4小时)引起的硅蚀刻量。图3表示在各氛围中退火(1100°C、4小时)后的表面粗糙度。
具体实施例方式下面更具体地对本发明进行说明。如上所述，以往为了制作膜厚均一性高的SOI基板，即在支撑晶片的表面形成半 导体薄膜层的基板，先根据SiGen法制备SOI基板，再用PACE法或GCIB法对其进行处理， 膜厚均一性提高，但是存在该处理引起基板表面变粗糙的问题。因此，作为将其平滑化的方 法，有再研磨或在100%氢气氛围中实施退火的方法，但是由此导致膜厚均一性变差。本发明人等为了解决这些问题进行了研究。原来，PACE法、GCIB法均适于在补正膜厚出现变化的硅层的同时进行蚀刻的目 的。因此发现，为了将用PACE法或GCIB法处理的SOI基板表面平滑化，通过在氩气氛围中 或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中实施热处理可抑制蚀刻作用，由此可以纳米 水平控制膜厚，在减小膜厚变化的同时可达到充分平滑化。而且发现，通过将氢气浓度设定为4体积％以下，可抑制蚀刻作用，且通过将氢气 浓度设定为爆炸下限以下，操作变得比较安全，从而完成了本发明。下面说明本发明的实施方式，但是本发明并不限定于这些实施方式。首先，制备SOI基板(工序a)。对制备SOI基板的制造方法没有特别限定。例如，将多晶或单晶的、通过注入氢离 子形成离子注入层的硅晶片或带有氧化膜的、从氧化膜表面注入氢离子的硅晶片(氧化膜 的膜厚数纳米 500nm左右)作为施主晶片(donor wafer)，对支撑晶片的贴合面进行等 离子活化处理后贴合，然后，进行350°C以下的热处理以增加贴合强度，之后通过对离子注入 层施予机械性冲击，在离子注入层进行剥离，可制造SOI基板。根据这种SOI基板的制备方 法，可制备膜厚比较均一的SOI基板，因此可缩短使用PACE法或GCIB法的处理工序及之后的 退火工序的时间，且可得到膜厚均一性更高的基板，因此本发明的表面处理方法是有效的。SOI基板的制造方法也可以使用此SiGen法以外的制造方法，也可以根据所谓的 智能剥离(Smart Cut)法来制造。若使用SiGen法，则不需要高温热处理，因此适于贴合异 种基板的情况。这种情况下，SOI基板的支撑晶片可为硅晶片、带有氧化膜的硅晶片、石英、玻璃、 蓝宝石、SiC、氧化铝、氮化铝中的任一种。支撑晶片可根据制作的半导体器件的目的从这些 当中适当选择。当然也可以使用这些以外的材料。由于在后工序中不需要再研磨，不必确保用于再研磨的研磨余量等，因此SOI层 的层厚例如可以设定为500nm以下。其次，通过使用等离子的PACE法或使用气体团簇离子束的GCIB法对制备的SOI 基板的表面进行处理(工序b)。PACE法是通过等离子气体对基板的表面进行局部蚀刻的同时，将基板的厚度 (S0I层的膜厚)均一化的方法，用光学干涉法或静电容量法测定SOI层的厚度分布后，根据 其厚度分布来控制等离子气体引起的蚀刻除去量，由此可提高SOI层的膜厚均一性。GCIB法是在常温及常压下形成气体状物质的块状原子团簇(气体团簇，Gas Cluster)，将对其进行电子照射后生成的气体团簇离子(Gas Cluster Ion)通过加速电压 加速后照射到基板表面的方法，与PACE法相同，用光学干涉法或静电容量法测定SOI层的 厚度分布后，根据其厚度分布控制气体团簇离子引起的蚀刻除去量，由此可提高SOI层的
5膜厚均一性。然后，对SOI基板进行退火处理(工序C)。这样，通过用PACE法或GCIB法对表面变粗糙的SOI基板进行退火处理，在提高膜 厚均一性的同时，可实现SOI基板所要求的平滑的表面。这种情况下，本发明中，退火工序是在氩气氛围中或含有4体积％以下氢气的非 活性气体氛围中对SOI基板进行热处理。如图2所示，分别在氩气氛围中、含有4体积％以下氢气的非活性气体(图2的数 据为使用氩气)氛围中、100%氢气氛围中，对PACE处理后的SOI基板在1100°C进行4小时 的退火处理。这时，对于硅基板的蚀刻量，在100%氢气氛围中为330nm，而在氩气氛围中为 0.5nm、在含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中为16nm。因此，与100%氢气氛围相 比，氩气氛围或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围可显著抑制蚀刻作用，在SOI基板 表面的平滑化方面，可以纳米水平控制蚀刻作用，减小膜厚的变化，而且可保持高的膜厚均 一性。此外，通过将非活性气体中的氢气浓度设定为4体积％以下，可抑制蚀刻作用，同 时由于氢气浓度在爆炸下限以下，操作变得比较安全。这时，作为氩气气体或氩气/氢气混合气体的压力(总压力)，希望总压力使用常 压附近的105Pa(l个大气压附近)左右。这时，优选于900°C以上的温度实施退火工序中的热处理。通过于900°C以上进行 退火处理，SOI基板表面可达到足够的表面粗糙度。此外，作为非活性气体，可使用氮气、氩 气、氦气中的任一种。因为如果使用这些气体，几乎没有硅的蚀刻作用。通过进行上述退火工序，SOI基板表面的表面粗糙度可更准确地控制为按照RMS 计在0. 3ηπι(10μπιΧ10μπι)以下。因此，根据本发明的退火工序，可在保持膜厚均一性的同 时，实现SOI基板所要求的平滑表面。作为退火处理温度的上限，从石英管等的耐热温度的观点出发，例如可设定为 1250°C。根据石英部件的耐久性，希望为1150°C左右。经过上述工序(a c)可制造膜厚均一性高且表面平滑的SOI基板。如上所述，本发明中，工序c的退火工序中，通过在氩气氛围中或含有4体积％以 下氢气的非活性气体氛围中对SOI基板进行热处理，可抑制退火引起的蚀刻作用，在保持 SOI基板的膜厚均一性的同时，将表面平滑化。实施例下面列举实施例和比较例对本发明进行更具体地说明，但是本发明并不限定于 此。实施例1如下所述，根据采用贴合法的SOI基板的制造方法制造SOI基板。首先，根据SiGen法制备SOI基板(工序a)。该工序中，制备通过注入氢离子形成离子注入层的硅晶片作为施主晶片(注入条 件为注入能量为35keV、注入剂量为9X IOlfVcm2、注入深度为0. 3 μ m)、合成石英基板作为 支撑晶片，使用氮气作为等离子用气体，在平行平板电极间于高频功率50W的条件下外加 高频，使产生等离子，对其贴合面进行高频等离子活化处理10秒钟。
其次，将施主晶片与支撑晶片贴合，进行350°C热处理以增加结合强度，然后，通 过裁纸剪的刃形成剥离起点，对离子注入层施予机械性冲击，在离子注入层进行剥离，制备 SOI基板。根据上述工序得到的SOI基板的面内膜厚变化为5. 80nm。然后，通过PACE法对SOI基板进行处理(工序b)。该工序是用光学干涉法测定SOI基板的厚度分布后，使用SF6气体作为蚀刻气 体，根据其厚度分布进行蚀刻。处理过程中，3&气体流量保持为40sCCm，反应室内压力为 267Pa，高频电功率为125W。PACE处理后，SOI基板的表面粗糙度按照RMS计为3. IOnm,面内膜厚变化为 1. 40nm。这里，作为膜厚均一性指标的面内膜厚变化，是按放射状设定361点测定点，由平 均值的膜厚偏差(膜厚変位)的平方和的平方根定义的值，上述膜厚为用光学干涉法或静 电容量法测定的值。然后，对SOI基板进行退火处理(工序C)。该工序中，在100%氩气氛围中于1100°C退火4小时。这时，SOI基板的膜厚减少量 (蚀刻量)为0. 5nm,处理后的表面粗糙度为按照RMS计为0. 26nm,面内膜厚变化为1. 6nm。这样，通过在100%氩气氛围中退火得到的SOI基板的表面粗糙度为所希望的表 面粗糙度，按照RMS计在0. 3nm以下。实施例2与实施例1相同，只是退火工序(工序C)的氛围为在含有4体积％氢气的氩气 氛围中进行。这时，SOI基板的膜厚减少量(蚀刻量)为16nm，表面粗糙度按照RMS计为 0. 19nm，面内膜厚变化为11. Onm0这样，在含有4体积％氢气的氩气氛围中退火，SOI基板的表面粗糙度也为按照 RMS计在0. 3nm以下。比较例与实施例1相同，只是退火工序(工序C)的氛围为在100%氢气氛围中进行。这 时，SOI基板的膜厚减少量(蚀刻量)为330nm，表面粗糙度按照RMS计为0. 14nm，面内膜 厚变化为24. 5nm。上述实施例及比较例的结果如图1 3所示。如图2所示，根据本发明，与原来在 100 %氢气氛围中退火相比，可大幅度抑制蚀刻作用，抑制膜厚减少，可以纳米水平控制厚 度。此外，如图1所示，可相对低地减小退火引起的SOI基板的面内膜厚变化，保持膜厚均 一性。而且，如图3所示，根据本发明，可平滑化至使SOI基板表面的粗糙度达到所希望的 表面粗糙度(RMS 0. 3nm以下)。另外，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式为例示，只要是与本发明的 权利要求范围记载的技术思想具有实质上相同的构成、起到相同的作用效果的实施方式均 包含在本发明的技术范围内。
权利要求
一种SOI基板的表面处理方法，其特征在于，所述处理方法为SOI基板的表面处理方法，其至少包括通过使用等离子的PACE法或使用气体团簇离子束的GCIB法对上述SOI基板的表面进行处理的工序；以及在氩气氛围中或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中，对实施了上述处理的SOI基板进行热处理退火的工序。
2.如权利要求1所述的SOI基板的表面处理方法，其特征在于，上述退火工序中，于 9000C以上、1250°C以下的温度实施上述热处理。
3.如权利要求1或2所述的SOI基板的表面处理方法，其特征在于，上述退火工序中， 上述非活性气体为氮气、氩气、氦气中的任一种。
4.如权利要求1所述的SOI基板的表面处理方法，其特征在于，上述退火工序中，上述 基板的表面粗糙度按照RMS计在0. 3nm(10 μ mX 10 μ m范围)以下。
5.如权利要求1所述的SOI基板的表面处理方法，其特征在于，上述SOI基板的支撑晶 片为硅晶片、带有氧化膜的硅晶片、石英、玻璃、蓝宝石、SiC、氧化铝、氮化铝中的任一种。
6.如权利要求1所述的SOI基板的表面处理方法，其特征在于，上述进行表面处理的 SOI基板通过下述工序制备将形成离子注入层的硅晶片作为施主晶片，之后对上述施主晶片和支撑晶片的至少一 方的贴合面进行等离子活化处理后贴合，然后，进行350°C以下的热处理以增加贴合强度；之后通过对上述离子注入层施予机械性冲击，在上述离子注入层进行剥离。
7.—种贴合晶片的制造方法，其包括下述工序在支撑晶片的表面形成半导体薄膜层的工序；通过使用等离子的PACE法或使用气体团簇离子束的GCIB法对上述半导体薄膜层的表 面进行处理的工序；以及在氩气氛围中或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中进行热处理退火的工序。
8.如权利要求7所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，上述退火工序中，于900°C 以上、1250°C以下的温度实施上述热处理。
9.如权利要求7或8所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，上述退火工序中，上述 非活性气体为氮气、氩气、氦气中的任一种。
10.如权利要求7所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，上述退火工序中，上述半 导体薄膜层的表面粗糙度按照RMS计在0. 3nm(10 μ mX 10 μ m范围)以下。
11.如权利要求7所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，上述支撑晶片为硅晶片、 带有氧化膜的硅晶片、石英、玻璃、蓝宝石、SiC、氧化铝、氮化铝中的任一种。
12.如权利要求7所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，上述进行表面处理的半导 体薄膜层通过下述工序制备将形成离子注入层的硅晶片作为施主晶片，之后对上述施主晶片和支撑晶片的至少一 方的贴合面进行等离子活化处理后贴合，然后，进行350°C以下的热处理以增加贴合强度；之后通过对上述离子注入层施予机械性冲击，在上述离子注入层进行剥离。
全文摘要
本发明提供一种将退火工序中的基板的膜厚变化降到最小限度、而且达到表面平滑化的方法。一种SOI基板的表面处理方法，其至少包括通过使用等离子的PACE法或使用气体团簇离子束的GCIB法对SOI基板的表面进行处理的工序；以及在氩气氛围中或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中，对实施了上述处理的SOI基板进行热处理退火的工序。
文档编号H01L21/02GK101946303SQ200980105188
公开日2011年1月12日 申请日期2009年2月12日 优先权日2008年2月14日
发明者久保田芳宏, 伊藤厚雄, 川合信, 田中好一, 田村博, 秋山昌次, 飞坂优二 申请人:信越化学工业株式会社