专利名称：光偏振化结构及发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光偏振化结构，特别涉及一种具有不同宽度尺寸的金属栅，且以不同周期性地排列的光偏振化结构，及其使用此光偏振化结构的发光装置。
背景技术：
一般而言，光是以非偏振化的形式存在。然而，光必需经过偏振化后，才可使用于显示器中，例如液晶显示器(liquid crystal display)。在已知中，光可透过金属栅偏光片(wire grid polarizer)、高分子偏光片(polymer polarizer)或多层薄膜偏光片的方式，使其偏振化。然而，上述金属栅光偏振化结构的设计方式，通常会降低光的穿透率。此外，·在光以较大的角度入射时，光的穿透率及极化比(PS ratio)通常较低。发光二极管(light emitting diode;LED)因其具有高亮度、体积小、重量轻、低耗电量和寿命长等优点，所以被广泛地应用于显示产品中。特别是，显示器中的光源。然而，由发光二极管的发光层所发射的光，必需经过多个不同折射率的材料层，使得大部分发光层所发射的光会被反射回半导体基底中，而导致发光二极管的出光率偏低。图I显示一种发光二极管的剖面图。在图I中，外延层6及发光层4形成于基底2的上方，且包覆层8包覆上述元件。如图I所示，发光层4会发射光线。当光线入射至不同折射层的沉层叠，例如外延层6与包覆层8，部分的光线会被反射，且被发光层及电极层吸收或从发光二极管的侧面逃逸。一般而言，对在空气中以氮化镓为基质的发光二极管(GaNbased LED)的发光层而言,其所产生的光仅4. 59%左右可经折射出光至空气中。此外,发光二极管所产生的光同时也需偏振化后，才可使用于显示器中。然而，再经过偏振化处理，也会使发光二极管的出光效率更加降低。因此，亟需一种可提高入射光穿透率及极化比的光偏振化结构及使用此光偏振化结构的发光装置，且此发光装置可发射高极化比的光。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种光偏振化结构。上述光偏振化结构，包含基底(substrate),以及多个具有第一宽度的第一条状单体(elongated element)及多个具有第二宽度的第二条状单体，其平行且交错地形成于该基底上，且邻近的该第一条状单体间具有第一间距，而邻近的该第二条状单体间具有第二间距，其中该第一间距不等于该第二间距，且该第一宽度不等于该第二宽度。上述第一、第二条状单体还包含第一条状金属层与第一覆盖层的堆叠层及第二条状金属层与第二覆盖层的堆叠层。由于上述光偏振化结构具有不同宽度尺寸的条状单体，且以不同周期性地排列设置，使得可提高入射光的极化比(PSratio)及其穿透率(transmittance)。此外,依据上述光偏振化结构,在相对较大的入射角时，仍可获得相对较高的极化比及相对较高的穿透率。本发明另提供一种可发射偏振化光的发光装置。上述发光装置，包含具有一发光波段的发光元件；以及可作为高穿透率的极化光滤光片(filter)的光偏振化结构，其设置于该发光兀件上方，且该光偏振化结构，包含多个第一条状金属层与多个第二条状金属层，其平行且交错地设置于该发光元件上方，且邻近的该第一条状金属层间具有第一间距，而邻近的该第二条状金属层间具有第二间距，其中该第一间距不等于该第二间距。由于上述第一、二条状金属层具有不同的宽度尺寸及不相等的间距，使得可提高发光装置的极化比及穿透率。
图I显示一种发光二极管的剖面图；图2A显示根据本发明实施例的一种光偏振化结构的剖面图；
图2B显示根据本发明实施例的一种光偏振化结构的上视图；图2C显示根据本发明另一实施例的一种光偏振化结构的剖面图；图3显示光线入射至根据本发明实施例的光偏振化结构的示意图；图4A-4B显示根据本发明实施例的光偏振化结构的穿透率及极化比的分析图；以及图5显示根据本发明另一实施例的一种发光装置的剖面图；图6A-6B显不根据本发明一实施例的一种光偏振化结构的不意图。附图标记说明2 基底Γ发光层6 外延层包覆层1(Γ发光二极管5(Γ偏振化结构52 基底54 第一条状金属层56 第二条状金属层 57 第一条状单体58 覆盖层5扩第二条状单体6(Γ发光装置62 发光元件64 支撑层66 透光材料
具体实施例方式接下来以实施例并配合图式以详细说明本发明，在图式或描述中，相似或相同部分使用相同的符号。在图式中，实施例的形状或厚度可扩大，以简化或是方便标示。图中元件的部分将以描述说明的。可了解的是，未绘示或描述的元件，可以是具有各种本领域技术人员所知的形式。本发明以一种光偏振化结构(light-polarizing structure),也可以称为偏光片(polarizer)的实施例作为说明。可以了解的是，上述光偏振化结构当然可应用于各种显示器，例如液晶显示器(liquid crystal display;LCD)、投影机或其它需要偏振化光源的装置。图2A显示根据本发明实施例的一种光偏振化结构50的剖面图。如图2A所示，首先，提供基底52，例如是玻璃、具有多晶结构的二氧化硅(fused silica)、氧化铪(HfO2)、氧化招(Al2O3)、氧化锌(ZnO)、可弯曲的塑胶(flexible plastic)或其它合适的透明基底。在一实施例中，上述基底52的折射率(refractive index;η)可以是介于1 1.78之间，且此基底52的光吸收率(K)为O或接近O。可以了解的是，上述各类基底的材料仅用以说明本发明具体实施的方式，并不用来限制本发明。此外，具有符合上述折射率范围及光吸收率条件的透明基材皆可作为本发明的基底。接着，形成多个第一条状金属层(elongated metal layer) 54与多个第二条状金属层56于上述基底52上,且上述第一条状金属层54具有第一宽度,而上述第二条状金属层56具有第二宽度,其中第一条状金属层54的第一宽度小于第二条状金属层56的第二宽度，如图2A中的wl及w2所示。此外，邻近的第一条状金属层54间具有第一间距(distance)，如图2A的Dl所示，而邻近的第二条状金属层56间具有第二间距，如图2A的D2，其 中第一条状金属层间的第一间距(Dl)大于第二条状金属层间的第二间距(D2)。再者，上述第一条状金属层54的第一宽度(wl)与第二条状金属层56的第二宽度(w2)的和小于第一间距或第二间距。在一实施例中，形成上述第一条状金属层54与第二条状金属层56的方式,可以是通过例如蒸镀(evaporating)、派射(sputtering)或其它合适的方式,沉积金属材料层(未显示)，例如是铝(Al)、金(Au)、银(Ag)或其它合适的金属材料及其合金(alloy)于上述基底52的上方。接着,通过光刻/蚀刻(photolithographic/etching)或搭配金属剥离(liftoff)的方式，图案化上述金属材料层，以形成具有不同宽度的第一条状金属层54与第二条状金属层56。由于上述条状金属层的间距及宽度皆为纳米等级(nano-scaled)，其光刻方式可以是激光全息干涉光刻(laser holography interference lithography)、浸润式光刻(immersion lithography)、纳米压印光刻(nano-imprint lithography)或其它合适的纳米级光刻技术。然而，上述蚀刻的方式可以是湿蚀刻(wet-etching)或干蚀刻(dry-etching),例如反应式离子蚀刻(reactive ion etching;RIE)或感应电稱等离子体蚀刻(inductive coupled plasma etching; ICP)。在图2A中，上述第一条状金属层54与第二条状金属层56彼此交错地设置于上述基底52上。也就是说,每一第二条状金属层56位于相邻的第一条状金属层54间的第一间距内，且每一第一条状金属层54位于相邻的第二条状金属层56间的第二间距内。或者说，每两相邻的第一条状金属层54夹置每一第二条状金属层56,而每两邻的第二条状金属层56也会夹置每一第一条状金属层54。此外，上述第一条状金属层54以第一周期性地，重复设置于上述基底52上方，而第二条状金属层56以第二周期性地，重复且与第一条状金属层54平行、交错地设置于基底52的上方，如图2A的pi及p2所示。上述第一周期(pi)指从任一第一条状金属层54至其邻近的第一条状金属层54的距离，而第二周期(p2)指从任一第二条状金属层56至其邻近的第二条状金属层56的距离。值得注意的是，上述第一周期(pi)可大于第二周期(p2)，且第一周期与第二周期可皆小于325纳米(nm)。另外，上述第一周期及第二周期与操作光波段有关系，例如第一、二周期小于或等于二分之一的作用光波长1/2 λ)，且第一、二周期小于或等于四分之一的作用光波长1/4λ)。此外，第一条状单体间的第一间距与第二条状单体间的第二间距与上述操作用光波段有关系。例如，第一间距与第二间距可以是小于或等于二分之一的操作光波段(< 1/2 λ)，且第一间距与第二间距小于或等于四分之一的操作光波段1/4入)。上述第一条状金属层54的第一宽度(Wl)也可以是大于第二条状金属层56的第二宽度(W2)，且在此实施例中，邻近的第一条状金属层54间的第一间距(Dl)小于邻近的第二条状金属层56间的第二间距(D2)。另外，上述条状金属层54及56的厚度(指金属层的顶部表面至基底上表面的距离)与入射光的发光波段(λ)有关系，例如条状金属层54及56的厚度大体上可以是1/4 λ或1/4 λ整数倍。如图2Α所不,在形成第一、二条状金属层54及56之后，形成覆盖层58于上述第一条状金属层54及第二条状金属层56上。在一实施例中，通过化学气相沉积(chemicalvapor deposition;CVD)、等离子体增强式化学气相沉积(plasma enhanced chemicalvapor deposition;PECVD)或其它合适的方式,顺应性地沉积例如氧化招(Al2O3)的透明介电材料层于上述基底52上，且覆盖条状金属层54及56。接着，再利用光刻/蚀刻的方式，图案化此透明材料层，以形成覆盖层58于第一条状金属层54及第二条状金属层56上。 上述覆盖层58的折射率范围介于I. 33^1. 85之间，且此覆盖层58的折射率可以是大于或等于基底52的折射率，由此可增加从基底52入射的入射光的折射及绕射(diffraction)效应,进而加强金属层等离子体效应(plasmonic effect),以提高入射光的极化比(PS ratio)及其穿透率(transmittance; Tp)。据此,上述作为覆盖层的氧化招仅用以说明，并不用以限制，只要其折射率不小于基底的折射率的合适的透明材料应皆可用来制作覆盖层。另外，上述覆盖层58也可作为保护层，以避免金属层氧化。举例来说，覆盖层58的厚度可以是与上述第一、第二条状金属层54及56的厚度大体上相同，且第一条状金属层54的高宽比可以是约为I. 5，而第二条状金属层56的高宽比可以是约为I。此外，上述第一条状金属层54与覆盖层58的堆叠层可定义为第一条状单体(elongated element) 57,而上述第二条状金属层56与覆盖层58的堆叠层也可以定义为第二条状单体59。同样地，上述第一条状单体57与第二条状单体59交错地设置于基底52上，邻近的第一条状单体57间具有第一间距大于邻近的第二条状单体59间的第二间距。值得注意的是，此条状单体57及59的厚度与入射光的发光波段(λ)有关系，例如条状单体57及59的厚度可以是约1/4 λ或1/4 λ整数倍。图2Β显示如图2Α所示的光偏振化结构50的上视图。如图2Β所示，多个具有第一宽度Wl的第一条状金属层54与多个具有第二宽度W2的第二条状金属层56平行、交错地排列于基底52上,其中上述第一条状金属层54以第一周期pi性地设置于基底52,而第二条状金属层56以第二周期p2性地设置于基底52上，且第一周期pi大于第二周期p2。图2C显不根据本发明另一实施例的光偏振化结构50的剖面图。相较于图2A所示的实施例，在此实施例中，仅形成条状金属层于基底上，且在条状金属层的上方并没有覆盖层。因此，相似元件的材料及形成方式，可以是与上述实施例相同，在此并不再赘述。在图2C中，形成多个具有不同宽度的第一条状金属层54及第二条状金属层56于基底52上，且第一条状金属层54的第一宽度Wl小于第二条状金属层56的第二宽度W2。此外，上述第一条状金属层54与第二条状金属层56平行且交错地排列于此基底52上方,且相邻的第一条状金属层54间具有第一间距Dl大于相邻的第二条状金属层56间的第二间距D2。再者，上述第一条状金属层54以第一周期pi性地设置于基底52，而第二条状金属层56以第二周期p2性地设置于基底52上，且第一周期pi大于第二周期p2。另外，上述第一周期及第二周期可以是与操作光波段有关系，例如第一、二周期小于或等于二分之一的操作光波段1/2 λ)，且第一、二周期小于或等于四分之一的操作光波段1/4λ)。再者，第一条状单 体间的第一间距与第二条状单体间的第二间距与上述操作光波段作用发光波长有关系。例如，第一间距与第二间距可以是等于或小于二分之一的作用光波长1/2 λ)，且第一间距与第二间距等于或小于四分之一的作用光波长(彡1/4入)。图3显示光线入射至根据本发明一实施例的光偏振化结构50的示意图。如图3所示，光线L以与法线间夹角的Θ角，入射至光偏振化结构50上。当光线L照射至上述光偏振化结构50时，光线L会部分地被反射，以及部分地穿透，如图3所示的反射光R及穿透光Τ。此外，S偏振化的光指具有与入射光平面垂直的偏振化分量的光,而P偏振化的光指具有与入射光平面平行的偏振化分量的光。换言之，S偏振化光与上述条状金属层平行，说P偏振化光与条状金属层垂直。图4Α及4Β显示根据本发明实施例的光偏振化结构的穿透率(transmittance; Tp)及极化比(PS ratio)的分析图。在图4A及4B中，以铝及金作为金属层，且配合发光波长为460纳米的光线的实验例作为说明，其中星形标志的曲线代表铝作为金属层的结果，而圆形标志的曲线代表金作为金属层的结果。如图4A所示，在入射角Θ为0(垂直入射)时，铝与金的实验例皆具有大于O. 8的穿透率，特别是铝作为金属层的光偏振化结构的穿透率更高达O. 95以上。此外，在入射角介于30°至80°之间时，铝作为金属层的实验例的穿透率皆可维持大于O. 8的穿透率。也就是说，光线以相对较大的角度入射时，根据本发明实施例的光偏振化结构仍可获得相对较高的穿透率。如图4B所示，实验例的极化比皆大于3. 4xl03。当入射角Θ大于70°时，以铝作为金属层的实验例，甚至有愈来愈高的极化比。也就是说，在大角度入射时，根据本发明实施例的光偏振化结构可使得P偏振光具有相对较高的穿透率，而大部分的S偏振光会被反射。因此，根据本发明实施例的光偏振化结构，在较大的入射角(例如θ>60° )时，仍具有相对较高的穿透率及极化比。此外，由于本发明实施例的光偏振化结构的制作步骤较少，因此，其制作成本及复杂度也相对较低。图5显示一种可发射偏振光的发光装置60的剖面图。虽然，图5以发光二极管的架构作为说明。可以了解的是，本发明实施例的偏片光，当然也可以应用于其它需要发射偏振光的发光装置。在图5中，提供具有发光波段(λ)的发光元件62，且覆盖支撑层64于此发光元件62上方。在一实施例中，上述发光波段范围可以是介于30(Γ1300纳米(nm)之间。上述发光兀件62可以是发射具有部分偏振化光或完全非偏振化光的光源。在一实施例中，上述发光元件 62 可以是发光二极管(light-emitting diode; LED)、激光二极管(laser diode)、半导体光放大器(semiconductor optical amplifier; S0A)、有机发光二极管(organiclighting-emitting diode;0LED)、交流发光二极管(AC LED)、高分子发光二极管(polymerlighting-emitting diode;PLED)或其它合适的发光半导体装置。
在另一实施例中，上述发光兀件62可以包含偏极层(未显不)，例如是光子晶体(photon crystal)、光栅(grating)、量子点(elongated quantum dot)或其它合适的方式，以发射部分偏振化的光。如图5所示，设置上述光偏振化结构50于支撑层64上，以偏振化发光元件62所发射的光。虽然在图5中显示光偏振化结构设置于支撑层64。然而，光偏振化结构50当然也可以直接设置于发光元件62上。另外，在一实施例中，上述偏振化结构50也可以设置于使用封装材料封装的发光元件上，以偏振化其发射光。在此实施例中，上述封装材料可以是环氧树脂(epoxy)、透明陶瓷材料(ceramic)或其它合适的封装材料。此外，虽然在图5显示的发光装置60中，光偏振化结构50设置于发光元件62的发光表面上方。然而，本发明实施例的光偏振化结构50也可以设置于相反于上述发光表面的位置，用以提供偏振化的反射光至发光表面，进而增加发光装置60的发光效率及其光的偏振化比。值得注意的是，上述光偏振化结构50包含具有第一宽度的第一条状金属层与具 有第二宽度的第二条状金属层。上述第一条状金属层以第一周期性地设置于发光元件62上，且第二条状金属层以第二周期性地设置于发光元件62，其中第一条状金属层更与第二条状金属交错地排列设置。上述第一周期及第二周期与发光元件62的发光波段有关系，例如第一、二周期小于或等于二分之一的发光波段1/2 λ)，且第一、二周期小于或等于四分之一的发光波段(< 1/4 λ )。此外，第一条状金属层间的第一间距与第二条状金属层间的第二间距与上述发光元件62的发光波段有关系。例如，第一间距与第二间距可以是小于或等于二分之一的发光波段1/2 λ)，且第一间距与第二间距小于或等于四分之一的发光波段1/4入)。由于上述光偏振化结构，使得发光装置可发射偏振化的光。此外，由于光偏振化结构具有不同尺寸的条状金属层，且以不同周期的方式交错地排列，使得发光装置可发射具有相对较高极化比的光，且发光元件所发射的光也具有相对较高的穿透率。图6Α-6Β显不本发明另一实施例的一种光偏振化结构50的剖面图。在图6Α中，具有第一宽度Wl的第一条状金属层54与具有第二宽度W2的第二条状金属层56交错地排列设置。如同上述，邻近的第一条状金属层54间具有第一间距D1，且邻近的第二条状金属层56间具有第二间距D2,以及透光材料66形成于相邻的第一条状金属层54与第二条状金属层56之间。在一具体实施例中,在完成第一条状金属层54及第二条状金属层56的制作后(可参阅图2C)，顺应性形成例如是二氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化锌或其它合适材料的沉层叠于基底上，接着，进行研磨步骤，以移除部分的沉层叠，且形成透光材料66于相邻的第一、二条状金属层54及56之间。最后，移除基底，以完成如图6Α所不的光偏振化结构的制作。可以了解的是，相似元件的材料及制作方法可参阅上述实施例的说明，在此并不再赘述。上述透光材料66具有一折射率，其介于1 1. 78之间。图6Β显示如图6Α所示的光偏振化结构50的上视图。第一条状金属层54与第二条状金属层56平行且交错地排列设置，且上述透光材料66设置于相邻的第一条状金属层54与第二条状金属层56之间。也就是说，每一相邻的第一条状金属层54与第二条状金属层56,夹置透光材料66。值得注意的是，由于第一间距Dl并不等于第二间距D2，因此，上述透光材料66也会具有不同的宽度。
如图6A及6B所示的光偏振化结构50，当然也可以应用于如图5所示的发光装置，以偏振化其发射光。虽然本发明以优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，本领域技术人员 在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定为准。
权利要求
1.一种光偏振化结构，包含 基底，其具有一折射率； 多个具有第一宽度的第一条状金属层，形成于该基底上，且邻近的该第一条状金属层间具有第一间距； 多个具有第二宽度的第二条状金属层，与该第一条状金属层平行且交错地形成于该基底上，且邻近的该第二条状金属层间具有第二间距，其中该第一宽度不等于该第二宽度，该第一条状金属层的第一宽度与第二条状金属层的第二宽度的和小于第一间距或第二间距，第一条状金属层与第二条状金属层之间具有一间隔，该第一条状金属层以第一周期排列于该基底上，而该第二条状金属层以第二周期排列于该基底上，且该第一周期大于该第二周期，以及 覆盖层，分别设置于各该第一及第二条状金属层上方。
2.如权利要求I所述的光偏振化结构，其中该第一条状金属层与该第二条状金属层选自包含金、铝、银及其合金所组成的群组。
3.如权利要求I所述的光偏振化结构，其中该覆盖层具有折射率大于该基底的折射率。
4.如权利要求I所述的光偏振化结构，其中该覆盖层的折射率范围介于I.33^1. 85之间。
5.如权利要求I所述的光偏振化结构，其中该覆盖层由透明材料形成。
6.如权利要求5所述的光偏振化结构，其中该覆盖层由氧化铝形成。
7.如权利要求I所述的光偏振化结构，其中该覆盖层的厚度与该第一及第二条状金属层的厚度大体上相同。
8.如权利要求I所述的光偏振化结构，其中该基底的折射率介于fI. 78之间。
9.如权利要求I所述的光偏振化结构，其中该基底选自包含玻璃、氧化铪、多晶结构的二氧化硅、氧化铝、氧化锌或塑胶所组成的群组。
10.如权利要求I所述的光偏振化结构，其中该第一宽度小于该第二宽度。
11.如权利要求I所述的光偏振化结构，其中该第一间距不等于该第二间距。
12.如权利要求11所述的光偏振化结构，其中该第一间距大于该第二间距。
13.如权利要求I所述的光偏振化结构，其中该第一间距及该第二间距皆小于325纳米。
14.一种发光装置,其可发射一偏振化光,包含 具有一发光波段的发光兀件；以及 光偏振化结构，设置于该发光兀件上，且该光偏振化结构，包含 多个第一条状金属层与多个第二条状金属层以及分别形成于该第一条状金属层与该第二条状金属层的上方的覆盖层，多个第一条状金属层与多个第二条状金属层平行且交错地设置于该发光元件上方，且邻近的该第一条状金属层间具有第一间距，而邻近的该第二条状金属层间具有第二间距，其中该第一间距不等于该第二间距，其中该第一条状金属层以第一周期排列于该发光元件上，而该第二条状金属层以第二周期排列于该发光元件上，且该第一周期不等于该第二周期，第一条状金属层与第二条状金属层之间具有一间隔。
15.如权利要求14所述的发光装置，其中该发光元件所发射的光包含非偏振化光或部分偏振化光。
16.如权利要求14所述的发光装置,其中该发光兀件包含发光二极管、电射二极管或半导体光放大装置。
17.如权利要求16所述的发光装置，其中该发光元件包含有机发光二极管、高分子发光二极管或交流发光二极管。
18.如权利要求14所述的发光装置，其中该发光元件的该发光波段范围介于3001300纳米之间。
19.如权利要求14所述的发光装置，其中该第一间距大于该第二间距。
20.如权利要求14所述的发光装置，其中该第一间距及该第二间距皆小于或等于四分之一的该发光波段。
21.如权利要求14所述的发光装置，其中各该第一条状金属层具有第一宽度，而各该第二条状金属层具有第二宽度，且该第一宽度不等于该第二宽度。
22.如权利要求21所述的发光装置，其中各该第一条状金属层的该第一宽度与各该第二条状金属层的该第二宽度的和小于该第一间距或该第二间距。
23.如权利要求14所述的发光装置，其中该第一间距或该第二间距小于1/2的该发光波段。
24.如权利要求14所述的发光装置，其中各该第一条状金属层与各该第二条状金属层的厚度大体上等于1/4的该发光波段或1/4的该发光波段的整数倍。
25.如权利要求14所述的发光装置，其中该覆盖层与各该第一条状金属层的堆叠层，以及该覆盖层与各该第二条状金属层的堆叠层的厚度大体上等于1/4的该发光波段或1/4的该发光波段的整数倍。
26.如权利要求14所述的发光装置,还包含一封装材料,位于该发光兀件与该光偏振化结构之间。
27.如权利要求26所述的发光装置，其中该封装材包含环氧树脂或透明陶瓷材料。
28.—种光偏振化结构,包含 多个具有第一宽度的第一条状金属层，且邻近的该第一条状金属层间具有第一间距；以及 多个具有第二宽度的第二条状金属层，与该第一条状金属层平行且交错地排列设置，且邻近的该第二条状金属层间具有第二间距，其中该第一宽度大于该第二宽度；以及 具有一折射率的材料，设置于相邻的该第一条状金属层与该第二条状金属层之间， 其中该第一条状金属层以第一周期排列于基底上，而该第二条状金属层以第二周期排列于该基底上，且该第一周期不等于该第二周期，第一条状金属层与第二条状金属层之间具有一间隔。
29.—种光偏振化结构,包含 基底，其具有一折射率； 多个具有第一宽度的第一条状金属层，形成于该基底上，且邻近的该第一条状金属层间具有第一间距； 多个具有第二宽度的第二条状金属层，与该第一条状金属层平行且交错地形成于该基底上，且邻近的该第二条状金属层间具有第二间距，其中该第一宽度不等于该第二宽度，该第一条状金属层的第一宽度与第二条状金属层的第二宽度的和小于第一间距或第二间距， 第一条状金属层与第二条状金属层之间具有一间隔，该第一条状金属层以第一周期排列于该基底上，而该第二条状金属层以第二周期排列于该基底上，且该第一周期大于该第二周期。
全文摘要
本发明提供一种光偏振化结构及发光装置。上述光偏振化结构，包含具有不同宽度尺寸的第一、二条状单体，以不同周期交错地排列设置于一基底上。上述相邻的第一条状单体间具有第一间距不等于相邻的第二条状单体间的第二间距。由于上述不同尺寸的第一、二条状单体以不同周期性地排列设置，使得可提高入射光的极化比及其穿透率。此外，依据上述光偏振化结构，在相对较大的入射角时，仍可获得相对较高的极化比及相对较高的穿透率。
文档编号G02B5/30GK102798924SQ20121031572
公开日2012年11月28日 申请日期2007年12月12日 优先权日2007年12月12日
发明者王日富, 赵嘉信, 薛翰聪, 赖俊峰, 祁锦云, 孙健仁, 许荣宗 申请人:财团法人工业技术研究院