线性电机和包括线性电机的光刻布置的制作方法

专利名称：线性电机和包括线性电机的光刻布置的制作方法
技术领域：
本发明涉及光刻设备和照射均匀性校正系统。本发明主要涉及光刻术，且尤其涉及对照射不规则性的校正，以便在集成电路的光刻期间在交叉扫描方向上产生均匀的束。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成对应所述IC的单层的电路图案，并且可以将该图案转移到具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，单独的衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。通常，光刻设备包括照射系统，其布置用以在辐射入射到图案形成装置之前调节由辐射源产生的辐射。所述照射系统可以例如修改辐射的一个或更多个特性，例如偏振和/或照射模式。所述照射系统可以包括均匀性校正系统，其布置用以校正或减小存在于辐射中的非均匀性，例如强度非均匀性。所述均匀性校正装置可以运用插入辐射束边缘的致动指状物来校正强度变化。然而，能够被校正的强度变化中的空间周期的宽度依赖于用来移动均匀性校正系统的指状物的致动装置的尺寸。此外，在某些情况下，如果用于校正辐射束的不规则性的指状物的尺寸或形状被修改，则所述均匀性校正系统可能以不想要的方式累及或修改辐射束的一个或更多个特性，比如由辐射束形成的光瞳。光刻术被广泛地认为是制造集成电路(IC)以及其他器件和/或结构中的关键过程或工艺。光刻设备是一种在光刻术中使用的机器，其将所需的图案应用到衬底上，比如应用到衬底的目标部分上。在用光刻设备制造IC期间，图案形成装置(其可选地称为掩模或掩模版)在IC的单层上形成电路图案。这个图案能够转移到衬底(例如，硅衬底)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)。通常，图案的转移是通过将图像成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(例如，抗蚀剂)的层来实现的。通常，单独的衬底包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。为了降低IC的制造成本，通常曝光每个IC的多个衬底。同样，还通常几乎不变地使用光刻设备。即，为了将所有类型的IC的制造成本保持在可能的最低程度，还最小化衬底曝光之间的空闲时间。结果，所述光刻设备吸收引起所述设备的部件的膨胀的热，这种热可能导致漂移、移动和均匀性变化。为了在图案形成装置和衬底上保证好的成像品质，最小化或消除照射不规则性是有利的。执行其的一种方法是通过将“指状件”在适合的位置(甚至在照射的外面)插入到照射束中。各种机电子系统布置被用于或提出以为了束扫描而将指状件操纵到适合的位置上以及在不需要它们时将这些指状件从束路径移出。
市场要求用于操纵指状件的位置的子系统在光刻装置的环境中可靠地操作，使得光刻设备可以尽可能有效地执行光刻过程，以最大化制造能力和保持每一器件低的制造成本和保养费用。


这里附图并入说明书并且形成说明书的一部分，这些附图示出本发明并且和说明书一起进一步用来说明本发明的原理，以允许本领域技术人员能够实施和使用本发明。图1A和IB分别示出具有均匀性补偿器以及相关的传感器的反射式和透射式光刻设备。图2是示例性的极紫外(EUV)光刻设备的示意图。图3是具有“指状件”的IIC子系统300的补偿器子系统的机械部分的分解视图，所述“指状件”被移动到投影束中的促进均匀性的位置上。图4是补偿器子系统的一部分的结构的剖视透视图，其显示在使用中的移动方向。图5是用于操作图3和4中显示的补偿器子系统的控制系统的方块图。图6是线性电机布置的实施例的示意图，该线性电机布置可以替代图3和4中显示的补偿器子系统的一部分。图7是线性电机布置的实施例的示意图，该线性电机布置可以替代图3和4中显不的补偿器子系统的一部分。图8是用于操作包括图6和7中显示的实施例的补偿器子系统的控制系统的方块图。图9示出一个计算机系统1500的示例，其中本发明的实施例或其中的一些部分可以实现为计算机可读代码。通过以下详细的描述并结合附图，本发明的特征和优点将会变得更加清楚，其中相同的附图标记表示相同的元件。在附图中，相同的附图标记表示相同或功能相似的部件。此外，附图标记的最左边的数字表示附图标记首先出现的附图。
具体实施例方式本发明涉及光刻设备中的照射不规则性的校正。尤其是用于EUV光刻装置。本发明的实施例涉及用于形成校正照射不规则性的照射不规则性校正(IIC)子系统的一部分的线性电机(致动器)以及用于操作Iic子系统的控制系统。IIC子系统的实施例利用不需要如其他的Iic子系统所要求的大量的磁体的布置。本专利文件的一部分描述了包括本发明的特征的本发明的实施例。所描述的实施例是本发明的示例。本发明的范围不限于所描述的实施例。本发明由随附的权利要求限定。所述的实施例和在说明书提到的“ 一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是，每个实施例可以不必包括特定的特征、结构或特性。而且，这些措辞不必指的是同一个实施例。此外，当特定特征、结构或特性与实施例结合进行描述时，应该理解，无论是否明确描述，它们均落入本领域技术人员所知的知识范围内，而可以实现将这些特征、结构或特性与其他实施例(无论是否详细地描述)的结合。然而在详细地描述实施例之前，描述本发明实施例可以应用的示例环境是有指导意义的。1.示例性的光刻环境A.示例性反射和透射型光刻系统图1A和IB分别示意性地示出了光刻设备100和光刻设备100’。光刻设备100和光刻设备100’每个包括配置用以调节辐射束B (例如DUV或EUV辐射)的照射系统(照射器)IL ;配置用以支撑图案形成装置(例如掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA并连接到配置为精确地定位所述图案形成装置MA的第一定位装置PM的支撑结构(例如掩模台)MT ;以及配置用以保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的衬底)W并连接到配置为精确地定位所述衬底W的第二定位装置PW的衬底台(例如衬底台)WT。光刻设备100和100’还具有配置成通过图案形成装置MA将图案赋予给所述辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如包括一个或更多个管芯)C上的投影系统PS。在光刻设备100中，所述图案形成装置MA和所述投影系统PS是反射型的，在光刻设备100’中，所述图案形成装置MA和所述投影系统PS是透射型的。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射B。照射系统IL还可以包括提供能量(每个脉冲)的测量的能量传感器ES、用于测量光学束的运动的测量传感器MS以及允许控制照射狭缝均匀性的均匀性补偿器UC。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备100和100’的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。术语“图案形成装置”MA应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束B的图案可以与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置MA可以是透射式的(例如在图1B中的光刻设备100’)或反射式的(例如在图1A中的光刻设备100)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束B。术语“投影系统"PS可以包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。真空环境可以用于EUV或电子束辐射，因为其他气体可能吸收太多的辐射或电子。因此，在真空壁和真空泵的帮助下，真空环境可以提供给整个束路径。
光刻设备100和/或光刻设备100’可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多个掩模台)WT的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT用于曝光。参照图1A和1B，照射器IL接受来自辐射源SO的辐射束。源SO和光刻设备100和100’可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO看成形成光刻设备100和100’的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD (图1B)的帮助，将所述辐射束B从所述源SO传到所述照射器IL0在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备100、100’的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD 一起称作福射系统。照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD(图1B)。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件(图1Β)，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。可以通过使用将源输出的变化分割开的能量传感器ES和由可以插入到照射束以及可以移离照射束以调整其均匀性和强度的多个突出物(例如指状物)构成的均匀性补偿器UC来保持这种所需的均匀性。参照图1Α，辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)ΜΤ上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。在光刻设备100中，辐射束B被从图案形成装置(例如掩模)MA反射。在已经从图案形成装置(例如掩模)MA反射之后，辐射束B通过投影系统PS，投影系统PS将辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以使用所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IFl相对于所述辐射束B的路径精确地 定位图案形成装置(例如掩模)MA。可以使用掩模对准标记Ml、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。参照图1B，辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1B中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。同样，在图2中，存在在每个脉冲基础上结合能量传感器ES产生从照射系统IL到衬底W的标准化的强度数据的衬底平台狭缝传感器WS。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记Ml、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。光刻设备100和100’可以用于以下模式中的至少一种1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(B卩，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予辐射束B的图案投影到目标部分C上。可以采用脉冲辐射源S0，并且在衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。虽然在本文中详述了光刻设备用在制造IC中的应用，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应 用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将会认识到，在这些可选的应用情形中，任何使用的术语“衬底”或“管芯”可以分别认为与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所述的衬底可以在曝光之前或之后在例如轨道工具(通常将抗蚀剂的层应用到衬底并将曝光后的抗蚀剂显影)、量测工具和/或检验工具中进行处理。在可应用的情况下，可以将这里公开的内容应用于这种和其他衬底处理工具中。此外，衬底可以处理一次以上，例如以便形成多层1C，使得这里所用的术语“衬底”还可以指已经包含多个已处理层的衬底。在另一实施例中，光刻设备100包括极紫外(EUV)源，其被配置成产生EUV辐射束以用于EUV光刻。通常，所述EUV源配置在辐射系统(见下文)中，并且配置相应的照射系统以调节EUV源的EUV辐射束。B.示例性EUV光刻设备图2示意性地示出了根据本发明的一个实施例的示例性的EUV光刻设备。在图2中，EUV光刻设备包括辐射系统202、照射光学单元204和投影系统PS。辐射系统202包括辐射源S0，其中辐射束可以通过放电等离子体形成。在一个实施例中，EUV辐射可以通过气体或蒸气生成，例如从Xe气体、Li蒸气或Sn蒸气中产生,在其中产生极热的等离子体以发射在电磁谱的EUV范围内的辐射。可以通过产生至少部分电离的等离子体(例如通过放电)来产生所述极热的等离子体。为了有效地产生辐射，可以需要分压为(例如)10帕的Xe、L1、Sn蒸气或任何其他合适的气体或蒸气。由福射源SO发射的福射经由定位在源腔206中的开口之内或之后的气体阻挡装置或污染物陷阱210从源腔206传送至收集装置腔208。在一个实施例中，气体阻挡装置210可以包括沟道结构。收集装置腔208包括可以由掠入射收集装置形成的辐射收集装置212 (其还可以称为收集装置反射镜或收集装置)。辐射收集装置212具有上游辐射收集装置侧214和下游辐射收集装置侧216，并且经过收集装置212的辐射可以被光栅光谱滤光片218反射以聚焦在位于收集装置腔208内的孔处的虚源点220上。辐射收集装置212对于技术人员是已知的。从收集装置腔208，辐射束226经由垂直入射反射器222和224在照射光学单元204中被反射至位于掩模版台或掩模台MT上的掩模版或掩模(未示出)上。形成图案化束228，其在投影系统PS中经由反射元件230和232被成像至支撑在衬底平台或衬底台WT上的衬底(未示出)上。在多种实施例中，照射光学单元204和投影系统PS可以包括比图2中示出的元件更多(或更少)的元件。例如，照射光学单元204还可以包括提供能量(每个脉冲)测量的能量传感器ES、用于测量光学束的运动的测量传感器MS，以及允许控制照射狭缝均匀性的均匀性补偿器UC。另外，依赖于光刻设备的类型，光栅光谱滤光片218是可选的。进一步，在一个实施例中，照射光学单元204和投影系统PS可以包括比图2中示出的反射镜更多的反射镜。例如，除了反射元件230和232之外，投影系统PS还可以包含一个到四个反射元件。在图2中，附图标记240表示在两个反射器之间的空间，例如在反射器234和236之间的空间。在一个实施例中，收集装置反射镜212还可以包括代替掠入射反射镜或除了掠入射反射镜之外附加的垂直入射收集装置。进一步地，尽管参考具有反射器234、236和238的嵌套收集装置进行描述，但是这里用收集装置反射镜212作为收集装置的例子。此外，正如在图2中示意性地示出的，还可以应用透射式光学滤光片代替光栅218。对EUV透射的光学滤光片，以及对UV辐射透射较少或甚至基本上吸收UV辐射的光学滤光片是本领域技术人员已知的。因此，这里“光栅光谱纯度滤光片”的使用还互换地表示为“光谱纯度滤光片”，其包括光栅或透射式滤光片。尽管未在图2中示出，EUV透射光学滤光片可以作为附加的光学元件被包括，例如其配置在收集装置反射镜212的上游或照射单元204和/或投影系统PS内的光学EUV透射滤光片的上游。相对于光学元件的术语“上游”和“下游”分别表示一个或更多个光学元件处在一个或更多个另外的光学元件的“光学上游”和“光学下游”的位置。沿着辐射束通过光刻设备的光路，比第二光学元件靠近源SO的第一光学元件被配置在第二光学元件的上游；第二光学元件被配置在第一光学元件的下游。例如，收集装置反射镜212配置在光谱滤光片218的上游，而光学元件222被配置在光谱滤光片218的下游。在图2示出的所有光学元件(以及在这个实施例的示意图中未示出的附加的光学元件)可以对由源SO产生的污染物(例如Sn)的沉积是易受损的。对于辐射收集装置212和(如果存在)光谱纯度滤光片218也是这样。因此，可以采用清洁装置以清洁这些光学元件中的一个或更多个，以及可以应用清洁方法到这些光学元件上，而且也可以应用到垂直入射反射器222和224以及反射元件230和232或其他光学元件，例如附加的反射镜、光栅等。
辐射收集装置212可以是掠入射收集装置，并且在这样的实施例中，收集装置212沿着光学轴线O对准。源SO或其图像也可以沿光学轴线O设置。辐射收集装置212可以包括反射器234、236和238 (也称为“壳”或包括多个沃尔特型反射器的沃尔特型反射器)。反射器234、236和238可以是嵌套的并且相对于光学轴线O旋转地对称。在图2中，内反射器用附图标记234表示，中间反射器用附图标记236表示，外反射器用附图标记238表示。辐射收集装置212包围一个特定的体积，例如在外反射器238内的体积。通常，外反射器238内的体积是圆周地封闭的，但是可以存在小的开口。反射器234、236和238可以分别包括至少一部分表现为一反射层或多个反射层的表面。因此，反射器234、236和238 (或者在包括多于三个反射器或壳的辐射收集装置的实施例中的附加的反射器)至少部分地设计用于反射和收集来自源SO的EUV辐射，并且反射器234、236和238的至少一部分可以不设计用于反射和收集EUV辐射。例如，反射器的背面的至少一部分可以不设计为反射和收集EUV辐射。此外，在这些反射层的表面上，还可以具有用于保护的盖层或作为光学滤光片设置在反射层的表面的至少一部分上的盖层。辐射收集装置212可以被放置在源SO附近或源SO的图像附近。每个反射器234、236和238可以包括至少两个邻近的反射表面，距离源SO较远的反射表面与较靠近源SO的反射表面相比以与光学轴线O呈较小的角度方式放置。以这种方式，掠入射收集装置212被配置成产生沿光学轴线O传播的EUV辐射束。至少两个反射器可以被基本同轴地放置并且相对于光学轴线O基本上旋转 地对称地延伸。应该理解，辐射收集装置212可以具有在外反射器238的外表面上的其他特征或在外反射器238周围的其他特征，例如保护性保持装置、加热器等。在此处描述的实施例中，在上下文允许的情况下，术语“透镜”和“透镜元件”可以涉及各种类型光学部件中的任一个或其组合，包括折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型光学部件。此外，此处使用的术语“辐射”和“束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如具有365、248、193、157或126纳米的波长λ)、极紫外(EUV或软X-射线)辐射(例如具有在5-20纳米范围内的波长，例如13. 5纳米)，或者以小于5纳米工作的硬X-射线，以及粒子束，例如离子束或电子束。通常，具有在大约780-3000纳米(或更长)之间的波长的辐射被认为是IR辐射。UV指具有大约100-400纳米的波长的辐射。在光刻技术中，通常UV还用于能够由汞放电灯产生的波长G-线436纳米；H-线405纳米；和/或1-线365纳米。真空UV，或VUV(即被空气吸收的UV)，指的是具有大约100-200纳米波长的辐射。深紫外(DUV)通常指具有从126纳米到428纳米范围的波长的辐射，在一实施例中，准分子激光器可以产生用在光刻设备内的DUV辐射。应该明白，具有在例如5-20纳米范围内的波长的辐射涉及具有特定波长带的辐射，其中至少一部分在5-20纳米范围内。I1.用于照射不规则性补偿(IIC)的系统和方法图3是根据一实施例的IIC子系统300的机械部分的分解视图。IIC子系统300具有28个移动指状件302，每个指状件具有指状件尖端304，所述指状件尖端在曝光之前选择性地阻挡小部分的照射束，以校正照射不规则性和在交叉的扫描方向上提供均匀的束。每个指状件302由包括磁体308的单指状件组件306支撑。多个单指状件组件306 —起形成指状件组件310。IIC子系统300包括框架312，所述框架312用于使用底座314保持和支撑指状件组件310以及IIC子系统300的剩余部分。电机线圈组件316将单指状件组件306移动到适合的位置上，用于根据需要补偿照射不规则性和在不被需要时移动到路径外面。IIC子系统300还包括指状件屈曲件318和指状件停止件320，用于在末端位置处停止指状件组件306的运动。编码器板组件330提供用于对指状件组件306的机械位置进行编码的电/机械接口，以及给电机线圈组件316提供指令。IIC子系统300的配置需要112个磁体，每个指状件组件36四个磁体。这些磁体由钕铁硼制成，且需要被保护免遭极紫外(EUV)扫描器的4环境以防止磁体失效。对于EUV光刻扫描器来说实现保护磁体308是困难的，这是因为磁体必须保持在真空中。在IIC子系统300有效地操作时，每个IIC子系统300使用的112个磁体在任何磁体失效时由于其复杂的构造而需要昂贵的维护费用。每次需要维护时，需要重新校准。电机设计还需要平坦的线圈板，且28个线圈布置在公共平面中。这呈现出实现需要的整体平坦度和脱气的制造挑战性。额外的复杂性是IIC子系统300需要28个指状件302围绕电机线圈组件316的线圈板缠绕。这呈现动力学挑战性。图4是图3中显示的IIC子系统300的一部分400的结构的剖视透视图。在该剖视图中，可以看到四个磁体308的内边缘402。部分400的行进方向由箭头404显示。电机线圈组件316中的线圈由标记406显示。行进方向由箭头408显示。图5是用于操作图3和4中显示的IIC子系统300的伺服控制系统500的方块图。物理连接或软件关联由实线箭头显示。虚拟关系由虚线箭头显示。设定点生成器502设定期望的指状件位置且将承载所述信息的信号发送至前馈位置速度加速块504。设定点生成器502还将类似的信号发送至比较器506，其将该信号与来自编码器电子装置508的表示指状件的实际位置的信号进行比较。编码器电子装置508被安装在编码器头510上，且读取编码器头510和编码器标尺512之间的相对位置。编码器读取头510接收来自编码器组件514的其控制信号。比较器516接收来自编码器读取头510和编码器标尺512的输入且将信号提供至编码器电子装置508。来自比较器516的输出信号506耦接至控制器和滤波器518。另外的比较器520将控制器和滤波器518的输出与前馈位置速度加速块504的输出相比较，和提供信号至滤波器522。滤波器522的输出耦接至TAPA 524，其继而提供控制信号至线圈板526。线圈板526还接收来自Unicom NXE框架528的输入，且对磁体组件530提供控制。Unicom NXE框架528还提供信号至编码器组件514和指状件组件532。指状件组件532还由磁体组件530来控制，且又提供表示指状件尖端的位置的输出534。ILL框架540提供输入至UnicomNXE框架528。编码器标尺512接收来自指状件组件534的输入。市场要求用于操纵指状件的位置的子系统可靠地在光刻装置的环境中操作，使得光刻设备可以尽可能有效率地执行光刻过程，以便最大化制造能力和保持每个器件的成本和维护费用低。本发明提供了各种设备、方法以及布置，其可以用于满足该市场要求。本发明的实施例是光刻设备。照射系统配置成调节辐射束。支撑结构配置成保持图案形成装置，图案形成装置配置和布置成使被调节的辐射束形成图案。衬底台配置和布置成保持在其上进行光刻过程的衬底。投影系统将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。照射不规则性校正系统定位在一平面中，且配置成在被辐射束照射时容纳大致恒定的光瞳。均匀性校正系统中的指状件配置和布置成可移入与辐射束相交的位置和从与辐射束相交的位置移出，以便校正辐射束的相应部分的强度。致动装置耦接至指状件中对应的指状件，且配置成移动对应的指状件。致动装置包括固定的定子，该定子具有以空间顺序设置在一平面中的第一极、第二极和第三极。第一极和第三极在其上缠绕有线圈。致动装置还包括转子，该转子具有设置在所述平面中的第四极和第五极。转子被构造和布置成当固定的定子中的第一极、第二极和第三极响应于被以时间顺序激励的、缠绕到第一和第三极上的线圈而被激励时在两维上可线性移动。第四极和第五极设置成与第一极、第二极和第三极相对，固定的定子构造和布置成相对于转子是固定的。转子可以被构造和布置成响应于以微步进(micro step)对每一线圈中的电流的调节来定位指状件中的至少一个指状件。可以用正弦余弦微步进方式来调节每一线圈中的电流。固定的定子可以由铁制成。转子也可以由铁制成。光刻系统还可以包括伺服控制系统，所述伺服控制系统构造和布置成控制致动装置。伺服控制系统包括构造和布置成设定指状件的期望位置的模块。另一模块构造和布置成感测指状件的当前位置。另一模块构造和布置成产生适合于控制指状件的位置的电流，使得它定位在期望位置上。本发明的另一实施例提供线性开关磁阻电机。电机的定子具有固定的线圈布置，该定子包括以空间顺序设置在平面中的至少三个极。电机的转子包括设置在所述平面中的至少两个极，转子被构造和布置成能够通过固定的线圈布置来在两维上线性移动。定子构造和布置成相对于转子保持静止。两个转子极设置成与三个定子极相对。固定的线圈布置可以包括在定子的至少两个极中的每个极上的绕组。本发明的实施例提供了线性开关磁阻电机。电机的固定的定子包括以空间顺序设置在一平面上的第一极、第二极和第三极，其中第一极和第三极具有缠绕到其上的线圈。电机的转子包括设置在所述平面中的第四极和第五极，所述转子构造和布置成在固定的定子的第一极、第二极和第三极响应于被以时间顺序激励、被缠绕到第一极和第三极上的线圈而被激励时在两维上是可线性移动的。转子的第四极和第五极设置成与固定的定子的第一极、第二极和第三极相对，该固定的定子布置成相对于转子是固定的。转子可以耦接至指状件，使得指状件的位置可以响应于以微步进的形式对每一线圈中的电流的调节而被控制。线圈中的电流可以以正弦余弦微步进方式来调节。本发明的实施例涉及照射不规则性校正系统(IICS)，其定位在配置成在被用辐射束照射时容纳大致恒定的光瞳的平面处。Iics包括配置成可移入与辐射束相交的位置和从与辐射束相交的位置移出的多个指状件，以便校正辐射束的相应部分的强度。耦接至指状件中的对应的指状件的多个致动装置配置和布置成移动对应的指状件。致动装置包括固定的定子，所述固定的定子包括以空间顺序设置在一平面上的第一极、第二极和第三极。第一极和第三极具有缠绕到其上的线圈。致动装置还包括转子，该转子具有设置在所述平面中的第四极和第五极。所述转子构造和布置成在固定的定子的第一极、第二极和第三极响应于被以时间顺序激励的、缠绕到第一极和第三极上的线圈而被激励时在两维上是可线性移动的。转子的第四极和第五极设置成与第一极、第二极和第三极相对，该固定的定子构造和布置成相对于转子是固定的。转子可以构造和布置成响应于以微步进的形式对每一线圈中的电流的调节来定位至少一个指状件。每个线圈中的电流可以以正弦余弦微步进的方式来调节。
本发明的实施例提供了一种校正光刻系统的辐射束中的照射不规则性的方法。Iics定位在一平面处，且该IICS配置成在被用辐射束照射时容纳大致恒定的光瞳。多个指状件设置和配置成可移入与辐射束相交的位置和从与辐射束相交的位置移出，以便校正辐射束的相应部分的强度。多个致动装置耦接至指状件中的对应的指状件，所述多个致动装置配置成移动对应的指状件。致动装置配置成具有固定的定子，所述固定的定子包括以空间顺序设置在一平面上的第一极、第二极和第三极，其中第一极和第三极具有缠绕到其上的线圈。转子包括设置在所述平面中的第四极和第五极，所述转子构造和布置成在固定的定子的第一极、第二极和第三极响应于被以时间顺序激励的、缠绕到第一极和第三极上的线圈而被激励时在两维上是可线性移动的。第四极和第五极设置成与第一极、第二极和第三极相对。该固定的定子构造和布置成相对于转子是固定的。可以以微步进的方式来调节在每个线圈中的电流，以使得转子响应于电流的调节而定位指状件中的至少一个指状件。以微步进的方式调节每个线圈中的电流的步骤可以包括以正弦余弦微步进方式来调节线圈中的每个线圈中的电流的步骤。本发明的一个实施例涉及一种线性开关磁阻电机。定子具有固定的线圈布置，该定子包括以空间顺序设置在一平面上的至少两个极。转子包括设置在所述平面中的至少一个极，所述转子构造和布置成可以通过固定的线圈布置在两维上线性移动。定子构造和布置成相对于转子保持静止。转子的极设置成与定子的两个极相对。固定的线圈布置还可以包括缠绕到这两个极中的每个极上的线圈。本发明的实施例提供了一种光刻设备，包括配置成调节辐射束的照射系统。支撑结构配置和布置成保持图案形成装置，该图案形成装置配置成将被调节的辐射束图案化。衬底台配置成保持在其上执行光刻术的衬底。投影系统配置和布置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。光学系统定位在照射系统内，且包括致动装置。致动装置包括固定的定子，其具有以空间顺序设置在一平面上的第一极、第二极和第三极，其中第一极和第三极具有缠绕到其上的线圈。转子包括设置在所述平面中的第四极和第五极，所述转子构造和布置成在固定的定子的第一极、第二极和第三极响应于被以时间顺序激励的、缠绕到第一极和第三极上的线圈而被激励时在两维上是可线性移动的，其中转子的第四极和第五极设置成与定子的第一极、第二极和第三极相对，该固定的定子构造和布置成相对于转子是固定的。本发明的实施例提供了一种光刻设备，包括配置成调节辐射束的照射系统。支撑结构配置成保持图案形成装置，该图案形成装置配置和布置成将被调节的辐射束图案化。衬底台配置成保持在其上执行光刻术的衬底。投影系统配置和布置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。光学系统定位在投影系统内。该光学系统包括致动装置。致动装置包括固定的定子，其具有以空间顺序设置在一平面上的第一极、第二极和第三极，其中第一极和第三极具有缠绕到其上的线圈。转子包括设置在所述平面中的第四极和第五极，所述转子构造和布置成在固定的定子的第一极、第二极和第三极响应于被以时间顺序激励的、缠绕到第一极和第三极上的线圈而被激励时在两维上是可线性移动的。转子的第四极和第五极设置成与定子的第一极、第二极和第三极相对。定子构造和布置成相对于转子是固定的。一些实施例将关于下文的附图被描述。图6是线性电机布置的实施例的示意图，其可以替代图3和4中显示的补偿器子系统的一部分。铁“定子”602具有三个极604，606，608和两个线圈610，612。可移动的铁“转子”620被基于通过激励线圈610和612而被控制的力622，624来定位。通过调节每个线圈610和612中的电流，可以精确地控制转子620的位置。这可以由转动步进电机以“正弦余弦微步进”方式来完成。继而，连接至转子620的指状件主体630的位置可以被控制，用于沿着由箭头632显示的方向移动。该配置主要是通过对用于当前设计的EUV光刻设备的组件的已有的封装来确定，在一“步长”内实现短为+/_3_的行程。其它的配置是可行的。上文显示和描述的所述配置消除了对于用于卷绕线圈板的指状件主体的需要(如在图3和4中的布置中)，且允许以内嵌有水冷却装置的厚线圈板。该配置可以用在其他的光刻术模块中，也从H2环境内去除了磁体。通过沿着给定的方向(例如顺时针)设置线圈610中的电流和沿着相反的方向(例如逆时针)设置线圈612中的电流，磁通量将被驱动通过定子602的极和通过转子620的极。这将施加力到转子620上，以将其的极与定子602的极对准，从而有效地驱动指状件主体630。沿相反的方向施加电流将沿相反的方向驱动指状件主体。图7是线性电机布置的另一实施例的示意图，其可以替代图3和4中显示的补偿器子系统的一部分。本实施例类似于图6中显示的实施例，但是具有三个线圈710，712和714，而不是仅具有两个线圈。使用额外的线圈提供了在转子620的位置上更精细的控制，因此提供了对指状件主体630更精细的控制。图6和7中显示的实施例的操作原理适用于包括与两个极配对的两极转子、单线圈定子的许多配置，该单线圈定子可以仅沿着一个方向施加力(例如用于抵靠弹簧定位指状件主体)。图8是用于操作包括图6和7中显示的实施例的IIC子系统的控制系统800的方块图。如在图5中，物理连接或软件关联由实线箭头显示。虚拟关系由虚线箭头显示。相对于图5中显示的控制系统500，TAPA 524被放大器824替换，线圈板526被线圈和定子组件替换，磁体组件530被铁“转子”830替换。在其它方面上，伺服系统以类似于图5中显示的伺服系统500的方式操作。控制系统800的块协作以形成被构造和布置成设定指状件的期望位置的模块；被构造和布置成感测指状件的当前位置的模块；以及被构造和布置成生成适合于控制指状件的位置使得将其定位在期望的位置上的电流的模块。图9是本发明实施例或其一部分可以作为计算机可读代码执行的计算机系统900的示例。由图5和8示出的方法和控制布置可以被实施为计算机可读代码。它们还可以被在包括与显示器930耦合的显示器接口 902的计算机系统900中分别执行。本发明的多种实施例参照此示例性计算机系统900进行描述。在阅读了所述描述之后，对于相关领域的技术人员来说，如何使用其他计算机系统和/或计算机架构执行本发明的实施例是很明显的。计算机系统900包括一个或更多个处理器，例如处理器904。处理器904可以是一个特定用途的或一般用途的处理器。处理器904连接至通信基础结构906 (例如总线或网络)。计算机系统900还包括主存储器905，优选是随机存取存储器(RAM)，并且还可以包括辅助存储器910。辅助存储器910可以包括例如硬盘驱动器912、可移除存储驱动器914和/或记忆棒。可移除存储驱动器914可以包括软盘驱动器、磁带驱动器和光盘驱动器、闪存存储器或类似物。可移除存储驱动器914以公知的方式从可移除存储单元918中读取和/或写入到可移除存储单元918中。可移除存储单元918可以包括软盘、磁带和光盘等，它们由可移除存储驱动器914读取和写入。相关领域的技术人员可以认识到的，可移除存储单元918包括计算机可用的、存储有计算机软件和/或数据的存储介质。在替代的实施例中，辅助存储器910可以包括其他类似的允许计算机程序或其他指令加载至计算机系统900中的装置。这些装置可以包括例如可移除存储单元918和接口920。这些装置的例子可以包括程序卡带和卡带接口(例如那些在视频游戏装置中可以找到的)，可移除存储芯片(例如EPROM或PR0M)和相关联的插座，以及允许软件和数据从可移除存储单元918转移至计算机系统900的其他的可移除存储单元918和接口 920。计算机系统900还可以包括通信接口 924。通信接口 924允许软件和数据在计算机系统900和外部设备之间转移。通信接口 924可以包括调制解调器、网络接口(例如以太网卡)、通信端口、PCMCIA槽和卡以及类似的装置。经由通信接口 924传递的软件和数据是信号的形式，其可以是电的、电磁的、光学的信号或其他能够被通信接口 924接收的信号。这些信号经由通信路径926和928被提供给通信接口 924。通信路径926和928传送信号并且可以使用电线或电缆、光学光纤、电话线、手机链接、RF链接或其他通信通道实现。在本文中，术语“计算机程序介质”和“计算机可用介质”用于广义地指例如可移除存储单元918和安装于硬盘驱动器912的硬盘等介质。计算机程序介质和计算机可用介质还可以指存储器，例如主存储器905和辅助存储器910，其可以是存储器半导体(例如DRAM等)。这些计算机程序产品为计算机系统900提供了软件。计算机程序(也称计算机控制逻辑)存储于主存储器905和/或辅助存储器910中。计算机程序还可以经由通信接口 924被接收。这些计算机程序在执行的时候能够使得计算机系统900执行此处所述的本发明的实施例。具体地，当执行这些计算机程序时，能够使处理器904实现本发明的过程。据此，这些计算机程序表示计算机系统900的控制器。在使用软件执行本发明的实施例的情形中，该软件可以存储在计算机程序产品中并且使用可移除存储驱动器914、接口 920、硬盘驱动器912或通信接口 924加载至计算机系统900中。本发明的实施例还涉及包括存储在任何计算机可用介质上的软件的计算机程序产品。这些软件，当在一个或更多个数据处理装置中执行时，导致数据处理装置如此处所述的进行操作。本发明的实施例采用任何现在或以后所知的计算机可用或可读的介质。计算机可用介质的例子包括，但是并不限于主存储器装置(例如任何类型的随机存取存储器)、辅助存储装置(例如硬盘驱动器、软盘、CD只读存储器、ZIP盘、磁带、磁存储装置、光学存储装置、MEMS、纳米技术存储装置等)，和通信介质(例如有线和无线通信网络、局域网、广域网、内部网等)。结论应该明白，所述具体实施方式
部分，而不是发明内容和摘要部分，是用来解释权利要求的。发明内容和摘要部分阐述发明人所构思的本发明的一个或更多个但不是所有的示例性实施例，因此并不是为了以任何方式来限制本发明和所附的权利要求。上面借助示出特定功能的执行及其关系的功能构造模块描述了本发明。为了描述方便，这些功能构造模块的边界在此处被任意地限定。只要恰当地执行具体的功能和它们的关系，可以限定其他替代的边界。
前面具体实施例的描述充分地揭示了本发明的通常含义，在不脱离本发明的发明构思的情况下，通过应用本领域的知识，可以对应不同的应用容易地修改和/或调整这些具体实施例。因此，基于此处给出的教导和指引，这些修改和变更是在所公开的实施例的等价物的含义和范围内的。应该明白，此处的措辞或术语是用于描述而不是限制用途，以便本领域技术人员在教导和指导下解释所给出的具体描述的措辞或术语。本发明的宽度和范围不受上述任一示例性实施例的限制，而是仅根据随附的权利要求及其等同物而被限定。当前申请中的权利要求不同于母案或其他相关申请中的权利要求。因此，申请人撤销在母案申请中或与当前申请有关的任何之前申请中所作出的权利要求的范围中的任何放弃。因此，建议审查员任何这样的之前放弃的范围和避免采用的被引用的对比文献可能需要被重新考虑。此外，还提醒审查员在当前申请中作出的任何放弃不应当被读入到母案申请中或被母案申请曲解。
权利要求
1.一种光刻设备，包括 照射系统，配置成调节辐射束； 支撑结构，配置成保持图案形成装置，该图案形成装置配置成将被调节的辐射束图案化； 衬底台，配置成保持衬底； 投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；和照射不规则性校正系统，定位在配置成在被用辐射束照射时容纳大致恒定的光瞳的平面处，所述均匀性校正系统包括指状件，所述指状件配置成能够移入与辐射束相交的位置和从与辐射束相交的位置移出，以便校正辐射束的相应部分的强度；和耦接至指状件中的对应的指状件的致动装置，所述致动装置配置成移动相应的指状件，所述致动装置包括固定的定子，包括以空间顺序设置在一平面上的第一极、第二极和第三极，其中第一极和第三极具有缠绕到其上的线圈；和 转子，该转子包括设置在所述平面中的第四极和第五极，所述转子构造和布置成在固定的定子的第一极、第二极和第三极响应于被以时间顺序激励的、缠绕到第一极和第三极上的线圈而被激励时在两维上是能够线性移动的，其中第四极和第五极设置成与第一极、第二极和第三极相对，固定的定子构造和布置成相对于转子是固定的。
2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述转子被构造和布置成响应于以微步进的形式对每一线圈中的电流的调节来定位所述指状件中的至少一个指状件。
3.根据权利要求2所述的光刻设备，其中每个线圈中的电流被以正弦余弦微步进方式来调节。
4.根据权利要求1所述的光刻设备，还包括被构造和布置成控制致动装置的伺服控制系统，所述伺服控制系统包括 被构造和布置成设定指状件的期望位置的模块； 被构造和布置成感测指状件的当前位置的模块；和 被构造和布置成生成适合于控制指状件的位置使得将其定位在期望的位置上的电流的模块。
5.—种线性开关磁阻电机,包括 定子，具有固定的线圈布置，所述定子包括以空间顺序设置在一平面上的至少三个极；和 转子，包括设置在所述平面中的至少两个极，所述转子构造和布置成在定子被构造和布置成相对于转子保持静止的同时通过固定的线圈布置在两维上能够线性移动，其中所述至少两个极设置成与所述至少三个极相对。
6.根据权利要求5所述的线性开关磁阻电机，其中所述固定的线圈布置还包括缠绕到所述至少三个极中的至少两个极中的每个极上的线圈。
7.—种线性开关磁阻电机,包括 固定的定子，包括以空间顺序设置在一平面上的第一极、第二极和第三极，其中第一极和第三极具有缠绕到其上的线圈；和 转子，包括设置在所述平面中的第四极和第五极，所述转子构造和布置成在固定的定子的第一极、第二极和第三极响应于被以时间顺序激励的、缠绕到第一极和第三极上的线圈而被激励时在两维上是能够线性移动的，其中第四极和第五极设置成与第一极、第二极和第三极相对，固定的定子构造和布置成相对于转子是固定的。
8.根据权利要求7所述的线性开关磁阻电机，其中所述转子耦接至指状件，所述转子构造和布置成响应于以微步进的方式对每一线圈中的电流的调节来定位指状件，其中每个线圈中的电流被以正弦余弦微步进方式来调节。
9.一种照射不规则性校正系统，定位在配置成在被用辐射束照射时容纳大致恒定的光瞳的平面处，所述均匀性校正系统包括 多个指状件，配置成可移入与辐射束相交的位置和从与辐射束相交的位置移出，以便校正辐射束的相应部分的强度；和 多个致动装置，耦接至指状件中的对应的指状件，和配置成移动对应的指状件，致动装置包括 固定的定子，包括以空间顺序设置在一平面上的第一极、第二极和第三极，其中第一极和第三极具有缠绕到其上的线圈；和 转子，该转子包括设置在所述平面中的第四极和第五极，所述转子构造和布置成在固定的定子的第一极、第二极和第三极响应于被以时间顺序激励的、缠绕到第一极和第三极上的线圈而被激励时在两维上是能够线性移动的，其中第四极和第五极设置成与第一极、第二极和第三极相对，固定的定子构造和布置成相对于转子是固定的。
10.根据权利要求9所述的照射不规则性校正系统，其中所述转子构造和布置成响应于以微步进的形式对每一线圈中的电流的调节来定位所述指状件中的至少一个指状件，其中每个线圈中的电流被以正弦余弦微步进方式来调节。
11.一种校正光刻系统的辐射束中的照射不规则性的方法，所述方法包括步骤 将照射不规则性校正系统定位在一平面处，所述照射不规则性校正系统配置成在被用辐射束照射时容纳大致恒定的光瞳； 提供多个指状件，所述指状件配置成能够移入与辐射束相交的位置和从与辐射束相交的位置移出，以便校正辐射束的相应部分的强度；和 将多个致动装置耦接至指状件中的对应的指状件，所述多个致动装置配置成移动对应的指状件，其中致动装置包括 固定的定子，包括以空间顺序设置在一平面上的第一极、第二极和第三极，其中第一极和第三极具有缠绕到其上的线圈；和 转子，包括设置在所述平面中的第四极和第五极，所述转子构造和布置成在固定的定子的第一极、第二极和第三极响应于被以时间顺序激励的、缠绕到第一极和第三极上的线圈而被激励时在两维上是能够线性移动的，其中第四极和第五极设置成与第一极、第二极和第三极相对，所述固定的定子构造和布置成相对于转子是固定的。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括步骤 以微步进的方式调节在每个线圈中的电流，以使得转子响应于电流的调节而定位指状件中的至少一个指状件，其中以微步进的方式调节每个线圈中的电流的步骤还包括以正弦余弦微步进方式调节每个线圈中的电流。
13.—种线性开关磁阻电机,包括 定子，具有固定的线圈布置，所述定子包括以空间顺序设置在一平面上的至少两个极；和 转子，包括设置在所述平面中的至少一个极，所述转子构造和布置成能够通过固定的线圈布置在两维上线性移动，同时定子构造和布置成相对于转子保持静止，其中所述至少一个极设置成与所述至少两个极相对。
14.根据权利要求13所述的线性开关磁阻电机，其中所述固定的线圈布置还包括缠绕到所述至少两个极中的每个极上的线圈。
15.—种光刻设备,包括 照射系统，配置成调节辐射束； 支撑结构，配置成保持图案形成装置，该图案形成装置配置成将被调节的辐射束图案化； 衬底台，配置成保持衬底； 投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；和光学系统，定位在照射系统内，所述光学系统包括致动装置，所述致动装置包括固定的定子，包括以空间顺序设置在一平面上的第一极、第二极和第三极，其中第一极和第三极具有缠绕到其上的线圈；和 转子，包括设置在所述平面中的第四极和第五极，所述转子构造和布置成在固定的定子的第一极、第二极和第三极响应于被以时间顺序激励的、缠绕到第一极和第三极上的线圈而被激励时在两维上是能够线性移动的，其中第四极和第五极设置成与第一极、第二极和第三极相对，所述固定的定子构造和布置成相对于转子是固定的。
16.—种光刻设备,包括 照射系统，配置成调节辐射束； 支撑结构，配置成保持图案形成装置，该图案形成装置配置成将被调节的辐射束图案化； 衬底台，配置成保持衬底； 投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；和光学系统，定位在投影系统内，所述光学系统包括致动装置，所述致动装置包括固定的定子，包括以空间顺序设置在一平面上的第一极、第二极和第三极，其中第一极和第三极具有缠绕到其上的线圈；和 转子，包括设置在所述平面中的第四极和第五极，所述转子构造和布置成在固定的定子的第一极、第二极和第三极响应于被以时间顺序激励的、缠绕到第一极和第三极上的线圈而被激励时在两维上是能够线性移动的，其中第四极和第五极设置成与第一极、第二极和第三极相对，固定的定子构造和布置成相对于转子是固定的。
全文摘要
本发明公开了一种线性电机和包括线性电机的光刻布置。光刻设备包括均匀性校正系统。根据本发明的实施例，提供了一种光刻设备，包括照射系统，配置成调节辐射束。照射系统包括定位在一平面处的均匀性校正系统，配置成在被用辐射束照射时容纳大致恒定的光瞳。所述均匀性校正系统包括配置成可移入与辐射束相交的位置和从与辐射束相交的位置移出的指状件，以便校正辐射束的相应部分的强度。线性电机致动器布置驱动指状件至它们相应的适合位置，用于补偿非均匀照射。由精确地操纵指状件的承载装置的控制系统来提供控制。
文档编号G03F7/20GK103064256SQ20121031651
公开日2013年4月24日 申请日期2012年8月30日 优先权日2011年9月9日
发明者皮特·C·康切尔斯伯格 申请人:Asml控股股份有限公司