专利名称：液晶显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。
背景技术：
横电场方式的液晶显示面板中，在夹着液晶层配置的一对基板中的一个基板的内表面侧相互绝缘地设置一对电极，对液晶分子施加大致横向的电场。为驱动液晶而使用薄膜晶体管。专利文献1:日本特开2007-133410号公报
发明内容
在专利文献I中公开了薄膜晶体管的制造方法。据此，能够通过五次的光刻工序来制造薄膜晶体管，但一对电极间的绝缘层由于为两层而变厚，必须提高液晶的驱动电压。为了使绝缘层为一层，需要增加光刻工序。或者，不论理由为何，希望避免增加光刻工序。本发明的目的在于不增加光刻工序地制造液晶显示装置。(I)本发明的液晶显示装置的特征在于，包括基板、形成在所述基板上的第一透明电极、以置于所述第一透明电极的端部的方式形成在所述基板上的第一绝缘层、配置在所述第一绝缘层之下的栅电极、形成在所述第一绝缘层之上的半导体层、形成为从所述半导体层上到所述第一透明电极上并与所述第一透明电极电连接的第一布线、相对于所述第一布线隔开间隔地从所述半导体层上引出的第二布线、覆盖所述第一布线、所述第二布线、所述半导体层及所述第一透明电极的第二绝缘层、形成在所述第二绝缘层上的第二透明电极、以及配置在所述第二透明电极之上的液晶层，借助在所述第一透明电极和所述第二透明电极之间施加的电压，在所述基板的面方向施加电场，从而使所述液晶层的液晶分子在与所述基板平行的面内旋转。根据本发明，第一布线在第一透明电极上电连接，因此不需要在第二绝缘层上形成通孔。因此，能够不增加光刻工序地制造能够通过不使用通孔的电连接而较低地抑制电阻值的液晶显示装置。(2)在(I)中记载的液晶显示装置中，其特征可以是，所述第一绝缘层的端部在所述第一透明电极的所述端部上，以朝向前端而厚度变薄的方式形成，且具有以锐角的倾斜角倾斜的倾斜面，在所述倾斜面上形成所述第一布线。(3)本发明的液晶显示装置的制造方法的特征在于，包括包含使用了通过第一光刻而形成的第一抗蚀层的蚀刻，由形成在基板上的第一透明导电膜及形成在所述第一透明导电膜上的金属膜形成第一透明电极及栅电极的工序；包含使用了通过第二光刻而形成的第二抗蚀层的蚀刻，在所述基板上形成置于所述第一透明电极的端部并且在之上具有半导体层的第一绝缘层的工序；包含使用了通过第三光刻而形成的第三抗蚀层的蚀刻，形成以从所述半导体层上到所述第一透明电极上的方式配置并与所述第一透明电极电连接的第一布线及相对于所述第一布线隔开间隔地从所述半导体层上引出的第二布线的工序；包含使用了通过第四光刻而形成的第四抗蚀层的蚀刻，形成覆盖所述第一布线、所述第二布线、所述半导体层及所述第一透明电极的第二绝缘层的工序；包含使用了通过第五光刻而形成的第五抗蚀层的蚀刻，在所述第二绝缘层上形成第二透明电极的工序；以及在所述第二透明电极之上配置含有液晶分子的液晶层的工序，借助在所述第一透明电极和所述第二透明电极之间施加的电压而在所述基板的面方向施加电场，从而所述液晶层的液晶分子在与所述基板平行的面内旋转。根据本发明，通过五次的光刻，能够在第一透明电极和第二透明电极之间形成由一层构成的第二绝缘层，因此能够以较少次数的光刻工序来制造液晶显示装置。(4)在(3)中记载的液晶显示装置的制造方法中，其特征可以是，在形成所述第一透明电极及所述栅电极的工序中，所述第一抗蚀层包括厚度不同的第一厚层部及第一薄层部，将所述第一厚层部配置在所述栅电极的形成区域，将所述第一薄层部配置在所述第一透明电极的形成区域，将所述第一厚层部及所述第一薄层部作为掩模来蚀刻所述第一金属膜，在所述第一厚层部之下形成所述栅电极，在所述第一薄层部之下以与所述第一透明电极的所述形成区域相对应的形状留下所述第一金属膜，通过使所述第一厚层部及所述第一薄层部变薄的处理，留下所述第一厚层部，除去所述第一薄层部，在所述第一透明电极的所述形成区域露出所述第一金属膜，将露出的所述第一金属膜及所述第一厚层部作为掩模来蚀刻所述第一透明导电膜从而在露出的所述第一金属膜之下形成所述第一透明电极，将所述第一厚层部作为掩模来蚀刻并除去露出的所述第一金属膜，剥离所述第一抗蚀层。(5)在(4)中记载的液晶显示装置的制造方法中，其特征可以是，在形成所述第一绝缘层的工序中，所述半导体层由半导体材料膜形成，所述第一绝缘层由第一绝缘材料膜形成，所述第二抗蚀层包括厚度不同的第二厚层部及第二薄层部，在所述第一绝缘材料膜之上形成所述半导体材料膜，在所述第一绝缘材料膜的上方且在所述半导体材料膜上，将所述第二厚层部配置在所述半导体层的形成区域，在所述第一绝缘材料膜的上方且在所述半导体材料膜上，将所述第二薄层部配置在所述第一绝缘层的形成区域，将所述第二厚层部及所述第二薄层部作为掩模来连续地蚀刻所述半导体材料膜及所述第一绝缘材料膜从而形成所述第一绝缘层，通过使所述第二厚层部及所述第二薄层部变薄的处理，留下所述第二厚层部，除去所述第二薄层部，在所述半导体层的所述形成区域以外使所述半导体材料膜露出，将所述第二厚层部作为掩模来蚀刻所述半导体材料膜，剥离所述第二抗蚀层。(6)在(5)中记载的液晶显示装置的制造方法中，其特征可以是，以所述第一绝缘层的端部在所述第一透明电极的所述端部上朝向前端而厚度变薄且具有以锐角的倾斜角倾斜的倾斜面的方式进行所述第一绝缘材料膜的蚀刻。(7)在(5)或￠)中记载的液晶显示装置的制造方法中，其特征可以是，在形成所述第一布线及所述第二布线的工序中，所述第一布线及所述第二布线由覆盖所述半导体层的第二金属膜形成，所述第三抗蚀层配置在所述第一布线及所述第二布线的形成区域，将所述第三抗蚀层作为掩模来蚀刻所述第二金属膜从而形成所述第一布线及所述第二布线，剥离所述第三抗蚀层。(8)在(7)中记载的液晶显示装置的制造方法中，其特征可以是，以包括下层及杂质的添加量比所述下层多的上层的方式形成所述半导体层，在蚀刻了所述第二金属膜之后，将所述第三抗蚀层作为掩模，以留下所述半导体层的所述下层的方式蚀刻所述上层。(9)在(7)或(8) 中记载的液晶显示装置的制造方法中，其特征可以是，在形成所述第二绝缘层的工序中，所述第二绝缘层由所述第二绝缘材料膜形成，所述第四抗蚀层配置在所述第二绝缘层的形成区域，将所述第四抗蚀层作为掩模来蚀刻所述第二绝缘材料膜从而形成所述第二绝缘层，剥离所述第四抗蚀层。(10)在(9)中记载的液晶显示装置的制造方法中，其特征可以是，在形成所述第二透明电极的工序中，所述第二透明电极由所述第二透明导电膜形成，所述第五抗蚀层配置在所述第二透明电极的形成区域，将所述第五抗蚀层作为掩模来蚀刻所述第二透明导电膜从而形成所述第二透明电极，剥离所述第五抗蚀层。
图1是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图2是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图3是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图4是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图5是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图6是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图7是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图8是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图9是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图10是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图11是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图12是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图13是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图14是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图15是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图16是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图17是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图18是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图19是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图20是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图21是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图22是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图23是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图24是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图25是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。图26是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。附图标记说明10基板、12第一透明导电膜、14第一透明电极、16第一金属膜、18栅电极、20薄膜晶体管、22第一抗蚀层、24第一厚层部、26第一薄层部、28第一绝缘材料膜、30第一绝缘层、32半导体材料膜、34半导体层、36下层、38上层、40第二抗蚀层、42第二厚层部、44第二薄层部、46第一布线、48第二布线、50第二金属膜、52第三抗蚀层、54第二绝缘层、56第二绝缘材料膜、58第四抗蚀层、60第二透明电极、62第二透明导电膜、64第五抗蚀层、66液晶层、68TFT基板、70滤色器基板、72基板、74滤色器、76黑色矩阵、78平坦化层、80取向膜、82取向膜。
具体实施例方式以下，参照附图来说明本发明实施方式。图1 图26是说明本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法的图。如图1所示，在基板10上形成第一透明导电膜12。此外，在图2 图25中省略基板10的图示。基板10由玻璃等具有透光性的材料构成。第一透明导电膜12例如由ITOdndium Tin Oxide,氧化铟锡)形成。在本实施方式中，制造在基板10的面方向施加电场，使液晶分子在与基板10平行的面内旋转的横电场方式或IPS (In PlaneSwitching,共面转换)方式的液晶显示装置。如后所述，第一透明导电膜12用于形成第一透明电极14(参照图26)。第一透明电极14是用于产生电场的一个电极。在本实施方式中,第一透明电极14是按像素设置的像素电极。然后，在第一透明导电膜12上形成第一金属膜16。第一金属膜16例如由招形成。如后所述，第一金属膜16用于形成栅电极18(参照图26)。栅电极18是薄膜晶体管20的构成要素。如图2所示，通过第一光刻形成第一抗蚀层22。光刻是通过将涂有感光性物质的物质表面图案状地曝光(也称为图案曝光、成像曝光等)，生成由曝光部分和未曝光部分构成的图案的技术。第一抗蚀层22形成为包括厚度不同的第一厚层部24及第一薄层部26。因此，第一光刻包括加网曝光(halftone exposure)。将第一厚层部24配置在栅电极18的形成区域。将第一薄层部26配置在第一透明电极14的形成区域。如图3所示，将第一厚层部24及第一薄层部26作为掩模来蚀刻第一金属膜16。该蚀刻为湿法刻蚀，使用不蚀刻第一透明导电膜12的药液。通过蚀刻，在第一厚层部24之下形成栅电极18，在第一薄层部26之下以与第一透明电极14的形成区域相对应的形状残留第一金属膜16。如图4所示，进行使第一厚层部24及第一薄层部26变薄的处理。该处理为灰化。由此除去第一薄层部26，在第一透明电极14的形成区域露出第一金属膜16。但是，留下第
一厚层部24。如图5所不,将从第一抗蚀层22露出的第一金属膜16和第一厚层部24作为掩模来蚀刻第一透明导电膜12。该蚀刻为湿法刻蚀，使用不蚀刻第一金属膜16的药液。通过蚀亥IJ，在从第一抗蚀层22露出的第一金属膜16之下形成第一透明电极14。如图6所示，将第一厚层部24作为掩模来蚀刻并除去露出的第一金属膜16。该蚀刻为湿法刻蚀，使用不蚀刻第一透明导电膜12的药液。如图7所示，剥离第一抗蚀层22。为了剥离而使用药液。若除去第一抗蚀层22，则栅电极18露出。如图8所示，在基板10(参照图1。在图8中省略)上形成第一绝缘材料膜28。第一绝缘材料膜 28 例如通过等离子体 CVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增强化学气相沉积)由SiN形成。第一绝缘材料膜28用于形成后述的第一绝缘层30 (参照图26)。第一绝缘材料膜28以覆盖第一透明电极14及栅电极18的方式形成。在第一绝缘材料膜28之上形成例如非晶硅等的半导体材料膜32。如后所述，半导体材料膜32用于形成作为薄膜晶体管20的构成要素的半导体层34(参照图26)。半导体层34形成为包括下层36、及杂质的添加量比下层36多的上层38。如图9所示，通过第二光刻形成第二抗蚀层40。第二抗蚀层40形成为包括厚度不同的第二厚层部42及第二薄层部44。因此，第二光刻包括加网曝光。在第一绝缘材料膜28的上方且在半导体材料膜32上，将第二厚层部42配置在半导体层34的形成区域。在第一绝缘材料膜28的上方且在半导体材料膜32上，将第二薄层部44配置在第一绝缘层30的形成区域。如图10所示，将第二厚层部42及第二薄层部44作为掩模来连续地蚀刻半导体材料膜32及第一绝缘材料膜28从而形成第一绝缘层30。该蚀刻为干法刻蚀。第一绝缘层30形成为置于第一透明电极14的端部。此外，以第一绝缘层30的端部在第一透明电极14的端部上朝向前端而厚度变薄且具有以锐角(例如10°左右)的倾斜角倾斜的倾斜面的方式进行第一绝缘材料膜28的蚀刻。调整蚀刻条件以形成这样的形状。如图11所示，进行使第二厚层部42及第二薄层部44变薄的处理。该处理为灰化。由此除去第二薄层部44。然后，在半导体层34的形成区域以外使半导体材料膜32从第二抗蚀层40露出。此外，留下第二厚层部42。如图12所示，将第二厚层部42作为掩模来蚀刻半导体材料膜32从而形成半导体层34。如图13所示，剥离第二抗蚀层40。为了剥离而使用药液。若除去第二抗蚀层40，则半导体层34露出。如图14所示，以覆盖半导体层34的方式形成用于形成第一布线46及第二布线48的第二金属膜50。第一布线46及第二布线48是薄膜晶体管20的漏极布线及源极布线(参照图26)。如图15所示，通过第三光刻形成第三抗蚀层52。第三抗蚀层52配置在第一布线46及第二布线48的形成区域。如图16所不,将第三抗蚀层52作为掩模来蚀刻第二金属膜50从而形成第一布线46及第二布线48。该蚀刻为湿法刻蚀。第一布线46形成为从半导体层34上到第一透明电极14上，并与第一透明电极14电连接。第二布线48相对于第一布线46隔开间隔而从半导体层34上引出。如图17所示，在蚀刻了第二金属膜50之后，将第三抗蚀层52作为掩模，以留下半导体层34的下层36的方式蚀刻上层38。即，将杂质的添加量较多的上层38分离为漏极区域及源极区域。如图18所示，剥离第三抗蚀层52。为了剥离而使用药液。若除去第三抗蚀层52，则第一布线46及第二布线48露出。如图19所示，以覆盖第一布线46、第二布线48、半导体层34及第一透明电极14的方式形成用于形成第二绝缘层54的第二绝缘材料膜56。第二绝缘材料膜56例如通过等离子体CVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增强化学气相沉积)由SiN形成。如图20所示，通过第四光刻形成第四抗蚀层58。第四抗蚀层58配置在第二绝缘层54(参照图21)的形成区域。在第二绝缘层54上形成用于与第二绝缘层54之下的各种布线电连接的未图示的通孔或切口，因此以使这些通孔或切口的形成区域露出的方式形成第四抗蚀层58。然后，将第四抗蚀层58作为掩模来蚀刻第二绝缘材料膜56从而形成第二绝缘层54(参照图21)。该蚀刻为干法刻蚀。如图21所示，剥离第四抗蚀层58。为了剥离而使用药液。若除去第四抗蚀层58，则第二绝缘层54露出。如图22所示，在第二绝缘层54上形成用于形成第二透明电极60的第二透明导电膜62。第二透明导电膜62例如由IT0(Indium TinOxide,氧化铟锡)形成。第二透明电极60是用于以横电场方式或IPS(In Plane Switching,共面转换)方式产生电场的另一个电极。在本实施方式中，第二透明电极60是与全部像素电极对置的公共电极(参照图26)。如图23所示，通过第五光刻形成第五抗蚀层64。第五抗蚀层64配置在第二透明电极60 (参照图24)的形成区域。如图24所示，将第五抗蚀层64作为掩模来蚀刻第二透明导电膜62从而形成第二透明电极60。如图25所示，剥离第五抗蚀层64。为了剥离而使用药液。若除去第五抗蚀层64，则第二透明电极60露出。如图26所示，在第二透明电极60之上配置液晶层66。详细而言，在上述工序中，得到形成了包含薄膜晶体管20的电路的TFT基板68，在与此分开准备的滤色器基板70和TFT基板68之间夹入液晶层66。滤色器基板70包括基板72、滤色器74、黑色矩阵76、平坦化层78及取向膜80。此夕卜，在TFT基板68上以覆盖第二透明电极60的方式形成有取向膜82。在滤色器基板70及TFT基板68的取向膜80、82之间夹着液晶层66。液晶层66的液晶分子被施加借助在第一透明电极14和第二透明电极60之间施加的电压而在基板10的面方向产生的电场，从而液晶分子在与基板10平行的面内旋转。根据本实施方式，通过五次的光刻，能够在第一透明电极14和第二透明电极60之间形成由一层构成的第二绝缘层54，因此能够以较少次数的光刻工序来制造液晶显示装置。图26所示的液晶显示装置具有基板10。在基板10上形成有第一透明电极14。以置于第一透明电极14的端部的方式在基板10上形成有第一绝缘层30。第一绝缘层30的端部在第一透明电极14的端部上以朝向前端而厚度变薄的方式形成。因此，第一绝缘层30具有以锐角(例如10°左右)的倾斜角倾斜的倾斜面。在第一绝缘层30之下配置有栅电极18。在第一绝缘层30之上形成有半导体层34。以从半导体层34上到第一透明电极14上的方式形成有第一布线46。与第一透明电极14电连接的第一布线46形成在第一绝缘层30的倾斜面上。相对于第一布线46隔开间隔地从半导体层34上引出有第二布线48。以覆盖第一布线46、第二布线48、半导体层34及第一透明电极14的方式形成有第二绝缘层54。在第二绝缘层54上形成有第二透明电极60。在第二透明电极60之上配置有液晶层66。借助在第一透明电极14和第二透明电极60之间施加的电压，在基板10的面方向施加电场，从而使液晶层66的液晶分子在与基板10平行的面内旋转。根据本实施方式，第一布线46在第一透明电极14上电连接，因此不需要在第二绝缘层54上形成通孔。因此，能够不增加光刻工序地制造能够通过不使用通孔的电连接而较低地抑制电阻值的液晶显示装置。本发明并不限于上述实施方式，能够实现各种变形。例如在实施方式中说明的结构能够用实质上相同的结构、能够得到相同的作用效果或能够实现相同的目的的结构进行置换。
权利要求
1.一种液晶显示装置，包括: 基板； 形成在所述基板上的第一透明电极； 以置于所述第一透明电极的端部的方式形成在所述基板上的第一绝缘层； 配置在所述第一绝缘层之下的栅电极； 形成在所述第一绝缘层之上的半导体层； 形成为从所述半导体层上到所述第一透明电极上并与所述第一透明电极电连接的第一布线； 相对于所述第一布线隔开间隔地从所述半导体层上引出的第二布线； 覆盖所述第一布线、所述第二布线、所述半导体层及所述第一透明电极的第二绝缘层； 形成在所述第二绝缘层上的第二透明电极；以及 配置在所述第二透明电极之上的液晶层， 该液晶显示装置的特征在于， 借助在所述第一透明电极和所述第二透明电极之间施加的电压，在所述基板的面方向施加电场，从而使所述液晶层的液晶分子在与所述基板平行的面内旋转。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述第一绝缘层的端部在所述第一透明电极的所述端部上以朝向前端而厚度变薄的方式形成，且具有以锐角的倾斜角倾斜的倾斜面， 在所述倾斜面上形成所述第一布线。
3.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括: 包含使用了通过第一光刻而形成的第一抗蚀层的蚀刻，由形成在基板上的第一透明导电膜及形成在所述第一透明导电膜上的金属膜形成第一透明电极及栅电极的工序； 包含使用了通过第二光刻而形成的第二抗蚀层的蚀刻，在所述基板上形成置于所述第一透明电极的端部并且在之上具有半导体层的第一绝缘层的工序； 包含使用了通过第三光刻而形成的第三抗蚀层的蚀刻，形成以从所述半导体层上到所述第一透明电极上的方式配置并与所述第一透明电极电连接的第一布线及相对于所述第一布线隔开间隔地从所述半导体层上引出的第二布线的工序； 包含使用了通过第四光刻而形成的第四抗蚀层的蚀刻，形成覆盖所述第一布线、所述第二布线、所述半导体层及所述第一透明电极的第二绝缘层的工序； 包含使用了通过第五光刻而形成的第五抗蚀层的蚀刻，在所述第二绝缘层上形成第二透明电极的工序；以及 在所述第二透明电极之上配置含有液晶分子的液晶层的工序，借助在所述第一透明电极和所述第二透明电极之间施加的电压而在所述基板的面方向施加电场从而该液晶分子在与所述基板平行的面内旋转。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于， 在形成所述第一透明电极及所述栅电极的工序中， 所述第一抗蚀层包括厚度不同的第一厚层部及第一薄层部， 将所述第一厚层部配置在所述栅电极的形成区域，将所述第一薄层部配置在所述第一透明电极的形成区域， 将所述第一厚层部及所述第一薄层部作为掩模来蚀刻所述第一金属膜，在所述第一厚层部之下形成所述栅电极，在所述第一薄层部之下以与所述第一透明电极的所述形成区域相对应的形状留下所述第一金属膜， 通过使所述第一厚层部及所述第一薄层部变薄的处理，留下所述第一厚层部，除去所述第一薄层部，在所述第一透明电极的所述形成区域露出所述第一金属膜， 将露出的所述第一金属膜及所述第一厚层部作为掩模来蚀刻所述第一透明导电膜，从而在露出的所述第一金属膜之下形成所述第一透明电极， 将所述第一厚层部作为掩模来蚀刻并除去露出的所述第一金属膜， 剥离所述第一抗蚀层。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于， 在形成所述第一绝缘层的工序中， 所述半导体层由半导体材料膜形成， 所述第一绝缘层由第一绝缘材料膜形成， 所述第二抗蚀层包括厚度不同的第二厚层部及第二薄层部， 在所述第一绝缘材料膜之上形成所述半导体材料膜， 在所述第一绝缘材料膜的上方且在所述半导体材料膜上，将所述第二厚层部配置在所述半导体层的形成区域， 在所述第一绝缘材料膜的上方且在所述半导体材料膜上，将所述第二薄层部配置在所述第一绝缘层的形成区域， 将所述第二厚层部及所述第二薄层部作为掩模来连续地蚀刻所述半导体材料膜及所述第一绝缘材料膜从而形成所述第一绝缘层， 通过使所述第二厚层部及所述第二薄层部变薄的处理，留下所述第二厚层部，除去所述第二薄层部，在所述半导体层的所述形成区域以外使所述半导体材料膜露出， 将所述第二厚层部作为掩模来蚀刻所述半导体材料膜， 剥离所述第二抗蚀层。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于， 以所述第一绝缘层的端部在所述第一透明电极的所述端部上，朝向前端而厚度变薄且具有以锐角的倾斜角倾斜的倾斜面的方式进行所述第一绝缘材料膜的蚀刻。
7.根据权利要求5或6所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于， 在形成所述第一布线及所述第二布线的工序中， 所述第一布线及所述第二布线由覆盖所述半导体层的第二金属膜形成， 所述第三抗蚀层配置在所述第一布线及所述第二布线的形成区域， 将所述第三抗蚀层作为掩模来蚀刻所述第二金属膜从而形成所述第一布线及所述第二布线， 剥离所述第三抗蚀层。
8.根据权利要求7所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于， 以包括下层及杂质的添加量比所述下层多的上层的方式形成所述半导体层， 在蚀刻了所述第二金属膜之后，将所述第三抗蚀层作为掩模，以留下所述半导体层的所述下层的方式蚀刻所述上层。
9.根据权利要求7所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于， 在形成所述第二绝缘层的工序中， 所述第二绝缘层由所述第二绝缘材料膜形成， 所述第四抗蚀层配置在所述第二绝缘层的形成区域， 将所述第四抗蚀层作为掩模来蚀刻所述第二绝缘材料膜从而形成所述第二绝缘层， 剥离所述第四抗蚀层。
10.根据权利要求9所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于， 在形成所述第二透明电极的工序中， 所述第二透明电极由所述第二透明导电膜形成， 所述第五抗蚀层配置在所述第二透明电极的形成区域， 将所述第 五抗蚀层作为掩模来蚀刻所述第二透明导电膜从而形成所述第二透明电极， 剥离所述第五抗蚀层。
全文摘要
本发明提供一种液晶显示装置。该液晶显示装置包括置于第一透明电极(14)的端部的第一绝缘层(30)、第一绝缘层之下的栅电极(18)、第一绝缘层之上的半导体层(34)、形成为从半导体层上到第一透明电极上并与第一透明电极电连接的第一布线、相对于第一布线隔开间隔地从半导体层上引出的第二布线、覆盖第一布线、第二布线、半导体层及第一透明电极的第二绝缘层、形成在第二绝缘层上的第二透明电极、以及配置在第二透明电极之上的液晶层。借助在第一透明电极和第二透明电极之间施加的电压，在基板的面方向施加电场，从而使液晶层的液晶分子在与基板平行的面内旋转。根据本发明，能够不增加光刻工序地制造液晶显示装置。
文档编号G02F1/1333GK103076701SQ201210423008
公开日2013年5月1日 申请日期2012年10月24日 优先权日2011年10月25日
发明者枪田浩幸, 扇一公俊, 栗山英树 申请人:株式会社日本显示器东