液晶显示装置的制作方法

本发明的示例性实施例涉及一种液晶显示器。

背景技术：
液晶显示器(LCD)是一种最广泛地使用的平板显示器(FPD)，并且LCD由其上形成有场产生电极(例如，像素电极和共电极)的两个显示面板和设置在这两个显示面板之间的液晶层组成。电压施加到场产生电极，从而在液晶层上产生电场，并且通过产生的电场来确定液晶层的液晶分子的取向和入射光的偏振，以显示图像。在这些LCD中，已经开发出垂直取向模式的LCD，垂直取向模式的LCD在未施加电场的状态下将液晶分子的主轴布置为与显示面板垂直。在垂直取向(VA)模式的液晶显示器中，重要的是确保光的视角，出于此目的，使用在场产生电极上形成切口(例如，微缝隙)的方法。切口和突起确定液晶分子的倾斜方向，从而可以通过适当地设置切口和突起以沿各种方向分散液晶分子的倾斜方向来增大视角。在通过在像素电极中形成微小缝隙来形成多个分支电极的情况下，减小了液晶显示器的开口率，因此，透射率劣化。在该背景技术部分中公开的上述信息仅是为了加强对本发明的背景的理解，因此其可能包含不构成现有技术的任何部分且不构成现有技术可能对本领域普通技术人员给出启示的内容的信息。

技术实现要素：
本发明的示例性实施例涉及一种具有改善的透射率和开口率以及减少的纹理的液晶显示器。本发明的附加特征将在下面的描述中进行阐述，并部分地根据该描述将是明显的，或者可以由本发明的实施而明了。本发明的示例性实施例公开了：基底；像素电极，包括局部板电极和从局部板电极延伸的多个微小分支电极，并形成在基底上；以及阶梯提供件，设置在基底和像素电极之间。应当理解，上面的概括性描述和下面的详细描述是示例性的和说明性的，并且意在提供所要求保护的本发明的进一步解释。附图说明包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图并入到本说明书中并构成本说明书的一部分，附图对本发明的实施例进行举例说明，并与描述一起用于解释本发明的原理。图1是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的布局图。图2是沿图1的线II-II截取的剖视图。图3是使用图1和图2的示例性实施例的实验结果的示图。图4是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的布局图。图5是沿图4的线V-V截取的剖视图。图6是使用图4和图5的示例性实施例的实验结果的示图。图7是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的布局图。图8是沿图7的线VIII-VIII截取的剖视图。图9是示出使用图7和图8的示例性实施例的实验结果的示图。图10是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器中的局部布线部分的布局图。图11、图12中的(b)和图14是示出根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的剖视图，其中，图12中的(a)是布局图，图12中的(c)是使用该示例性实施例的实验结果，图13、图15和图16是根据本发明另一示例性实施例的用于制造液晶显示器的掩模。图17是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的布局图。图18是沿图17的线XVIII-XVIII截取的剖视图。图19是示出使用图17和图18的示例性实施例的实验结果的示图。图20、图21、图22、图23和图24是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的像素电极的放大图。图25、图27、图29和图31是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的等效电路图，图26、图28、图30和图32是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的布置图。图33是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的布局图。图34是沿图33的线XXXIV-XXXIV截取的剖视图。图35是图33的液晶显示器的一个像素的等效电路图。图36是示出图33的液晶显示器中的滤色器和像素电极的布局图。图37和图38是示出使用本发明示例性实施例的实验结果的示图。图39、图40、图41和图42是与本发明的另一示例性实施例分开的部件的布局图。图43是根据本发明另一示例性实施例的滤色器的剖视图。图44是通过使用经由诸如紫外光的光而聚合的预聚物来对液晶分子提供预倾斜的工艺的示图。具体实施方式在下文中将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，而不应当被解释为局限于这里阐述的实施例。而是，提供这些实施例，以使本公开是彻底的，并将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的标号指示相同的元件。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”或者“连接到”另一元件时，该元件可以直接在另一元件上或直接连接到另一元件，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。将理解的是，出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”可以被解释为只有X、只有Y、只有Z或者X、Y和Z中的两项或更多项的任何组合(例如，XYZ、XYY、YZ、ZZ)。将参照图1和图2描述根据本发明示例性实施例的液晶显示器。图1是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的布局图，图2是沿图1的线II-II截取的剖视图。参照图1和图2，根据当前示例性实施例的液晶显示器包括彼此面对的下面板100和上面板200、设置在这两个显示面板100和200之间的液晶层3以及附于显示面板100和200的外表面处的一对偏振器(未示出)。下面将描述下面板100。栅极线121和存储电压线131形成在绝缘基底110上。栅极线121包括第一栅电极124a、第二栅电极124b和第三栅电极124c。存储电压线131包括存储电极135a、135b和135c以及向下延伸的电容器电极134。存储电压线131包括向上延伸的两个第一纵向存储电极部分135a、将这两个第一纵向存储电极部分135a连接的横向存储电极部分135b以及从横向存储电极部分135b进一步向上延伸的两个第二纵向存储电极部分135c。第一纵向存储电极部分135a沿形成在其上的第一子像素电极191h的纵向边缘形成，第二纵向存储电极部分135c沿形成在其上的第二子像素电极191l的纵向边缘形成。横向存储电极部分135b设置在前面的第二子像素电极191l的横向边缘和当前的第一子像素电极191h的横向边缘之间，并沿这两个横向边缘形成。因此，第一纵向存储电极部分135a和横向存储电极部分135b沿第一子像素电极191h的边缘形成，由此至少部分地与第一子像素电极191h叠置，第二纵向存储电极部分135c和横向存储电极部分135b沿第二子像素电极191l的边缘形成，由此至少部分地与第二子像素电极191l叠置。在图1中，上面的横向存储电极部分135b和下面的横向存储电极部分135b看起来彼此分开，但实际上，上下相邻的像素PX的横向存储电极部分135b彼此电连接。栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电压线131上。第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c形成在栅极绝缘层140上。多个欧姆接触件(未示出)形成在第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c上。包括多条数据线171的数据导体171、173c、175a、175b和175c形成在半导体(第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c)、欧姆接触件(未示出)和栅极绝缘层140上，多条数据线171包括第一源电极173a和第二源电极173b、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第三源电极173c和第三漏电极175c。第一栅电极124a、第一源电极173a和第一漏电极175a与第一半导体154a一起形成第一薄膜晶体管Qa，第一薄膜晶体管Qa的沟道形成在第一源电极173a和第一漏电极175a之间的半导体154a中。类似地，第二栅电极124b、第二源电极173b和第二漏电极175b与第二半导体154b一起形成第二薄膜晶体管Qb，第二薄膜晶体管Qb的沟道形成在第二源电极173b和第二漏电极175b之间的半导体部分154b中，第三栅电极124c、第三源电极173c和第三漏电极175c与第三半导体154c一起形成第三薄膜晶体管Qc，第三薄膜晶体管Qc的沟道形成在第三源电极173c和第三漏电极175c之间的半导体154c中。滤色器230和钝化层180顺序地形成在栅极绝缘层140、数据导体171、173c、175a、175b和175c以及半导体154a、154b和154c的暴露部分上。滤色器230可以显示三种原色(例如，红色、绿色和蓝色)中的一种，但是不限于显示原色，并且还可以显示青色、品红色、黄色和基于白色的颜色中的一种。同时，钝化层180可以由非绝缘体(例如，氮化硅和氧化硅)或绝缘体形成，在图1的示例性实施例中，描述了包括绝缘体的有机绝缘层。向覆层提供阶梯的阶梯提供件形成在绝缘体的钝化层180中，在图1中，阶梯提供槽185h和185l以及设置在阶梯提供槽185h和185l之间的交叉形状的突起182用作阶梯提供件。如图1所示，阶梯提供槽185h和185l具有直角三角形结构，并且沿对角线方向彼此对称。因此，钝化层180包括交叉形状的突起182。滤色器230和钝化层180包括暴露第一漏电极175a的第一接触孔184a、暴露第二漏电极175b的第二接触孔184b和暴露第三漏电极175c的第三接触孔184c。钝化层180包括收集从滤色器230散出的气体的开口189。根据图1，一个像素可以包括一对开口189。包括第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的像素电极191形成在钝化层180上。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l分别包括位于其中心的局部板电极192h和192l以及沿倾斜方向从局部板电极192h和192l突出的多个微小分支电极193h和193l。第一子像素电极191h包括设置在正方形区域中的第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h，并通过延伸到正方形区域外部的第一微小分支连接件194h连接到第一漏电极175a的宽端部。第一局部板电极192h具有菱形形状，其中心设置在正方形区域的中心处，菱形的每个顶点与正方形区域的边界相接。第一局部板电极192h覆盖钝化层180的第一阶梯提供槽185h和第一交叉形状的突起182h。因此，第一局部板电极192h具有由钝化层180的第一阶梯提供槽185h和第一交叉形状的突起182h提供的阶梯。这里，第一交叉形状的突起182h为位于正方形区域的中心处的液晶分子提供预倾斜，由此起到控制液晶分子的布置方向的作用，因此，减少了纹理。多个第一微小分支电极193h在第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘处延伸。多个第一微小分支电极193h填充正方形区域的其余地方，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘形成90度的角度。在图1中示出的本发明的示例性实施例中，第一子像素电极191h包括沿纵向方向或水平方向连接第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h的端部的第一微小分支连接件194h。第一微小分支连接件194h与第一子像素电极191h以及下面的存储电极135a和135b叠置，由此形成存储电容。然而，根据本发明的示例性实施例，可以省去第一微小分支连接件194h，在这种情况下，多个第一微小分支电极193h突出到外部。第二子像素电极191l包括形成在具有纵向边缘的矩形区域中的第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l，并通过延伸到矩形区域外部的第二微小分支连接件194l连接到第二漏电极175l的宽端部。第二局部板电极192l的中心设置在矩形区域的中心处，并具有连接矩形区域的每个边的中心的菱形形状。因此，菱形的每个顶点与矩形区域的边界相接，第二局部板电极192l沿垂直方向比沿水平方向具有更大的宽度。第二局部板电极192l覆盖的钝化层180第二阶梯提供槽185l和第二交叉形状的突起182l。因此，第二局部板电极192l具有由钝化层180的第二阶梯提供槽185l和交叉类型的第二交叉形状的突起182l提供的阶梯。多个第二微小分支电极193l从第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘延伸。多个第二微小分支电极193l填充矩形区域的其余地方，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘形成90±15度的角度。同时，在图1的示例性实施例中，第二子像素电极191l包括沿纵向方向或水平方向连接第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l的端部的第二微小分支连接件194l。第二微小分支连接件194l与第二子像素电极191l以及下面的存储电极135b和135c叠置，由此形成存储电容。然而，根据本发明的示例性实施例，可以省去第二微小分支连接件194l，在这种情况下，多个第二微小分支电极193l突出到外部。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l通过接触孔184a和184b物理地且电气地连接到第一漏电极175a和第二漏电极175b，由此从第一漏电极175a和第二漏电极175b接收数据电压。此时，施加到第二漏电极175b的数据电压的部分通过第三源电极173c进行分压，从而施加到第二子像素电极191l的电压的幅值小于施加到第一子像素电极191h的电压的幅值。这里，第二子像素电极191l的面积可以比第一子像素电极191h的面积大大约1倍至大约两倍。存储电极连接构件139通过接触孔184c连接存储电压线131的电容器电极134和第三漏电极175c。存储电压Vcst施加到存储电压线131的电容器电极134，从而具有预定的电压，由此通过第三漏电极175c将存储电压Vcst施加到第三薄膜晶体管Qc。因此，可以减小施加到第二子像素的电压。覆盖钝化层180的开口189的覆层199形成在开口189上。覆层199被形成为阻挡从滤色器230散发的气体传播到其它元件，根据图1，一个像素可以包括一对覆层199。像素电极191和覆层199可以由透明导电材料(例如，ITO或IZO)制成。根据本发明的示例性实施例，可以省去开口189和覆层199。下取向层(未示出)形成在像素电极191上。下取向层可以是垂直取向层，并可以是包括光反应性材料的取向层。将参照图44描述光反应性材料。下面将描述共电极面板200。光阻挡构件220形成在绝缘基底210上。光阻挡构件220称作黑色矩阵，并防止光泄漏。光阻挡构件220沿栅极线121延伸，覆盖设置第一薄膜晶体管(Qh)、第二薄膜晶体管(Ql)和第三薄膜晶体管(Qc)的区域，沿数据线171延伸，并覆盖数据线171的周围。未被光阻挡构件220覆盖的区域向外部发射光，由此显示图像。提供平坦的下表面且由有机材料制成的平坦化层250形成在光阻挡构件220下方。由透明导电材料制成的共电极270形成在平坦化层250下方。上取向层(未示出)可以形成在共电极270下方。上取向层可以是垂直取向层，并且可以是光聚合物材料经过光取向的取向层。偏振器(未示出)形成在显示面板100和200的外表面上，两个偏振器的偏振轴交叉，并且其中一个的偏振轴可以与栅极线121平行。偏振器可以设置在两个显示面板100和200中的一个显示面板的外表面上。施加了数据电压的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与共电极面板200的共电极270协作产生电场，从而在没有电场的情况下与两个电极191和270的表面垂直取向的液晶层3的液晶分子沿与两个电极191和270的表面平行的方向倾斜，由此透射穿过液晶层3的光的亮度根据液晶分子的倾斜度而改变。液晶显示器还可以包括间隔件(未示出)，以保持两个显示面板100和200之间的盒间隙，间隔件可以附于上面板200或下面板100。设置在下面板100和上面板200之间的液晶层3包括具有负介电各向异性的液晶分子31。液晶层3或取向层(未示出)还可以包括通过光(例如，紫外光)而聚合的聚合物。包括在液晶层3中的聚合物为液晶层3提供预倾斜，在图44中将详细描述提供预倾斜角度的方法。即，当在无提供预倾斜角度的聚合物的情况下足以控制布置方向时，液晶层3可以不包括聚合物。如上所述，在图1和图2的示例性实施例中，阶梯提供件形成在绝缘体的钝化层180中，并包括阶梯提供槽185h和185l以及设置在阶梯提供槽185h和185l之间的交叉形状的突起182h和182l。然而，根据提供的阶梯(参照图2的d)在最大程度上减少了纹理，由此提高了透射率，参见图3。图3是示出使用图1和图2的示例性实施例的实验结果的示图。在图3中，“Passi”是指绝缘体的钝化层180，图3中的上面的两幅图片是以的厚度形成绝缘体的钝化层180的情况，而图3中的下面的两幅图片是以的厚度形成绝缘体的钝化层180的情况。在图3中，当通过阶梯提供槽和交叉形状的突起来提供阶梯时，如在图1和图2的示例性实施例中，当提供的阶梯时，纹理可能没有得到控制，并且透射率降低，但是当提供的阶梯时，纹理可以得到控制，并且透射率增大。当通过阶梯提供槽和交叉形状的突起来提供阶梯时，如在图1和图2的示例性实施例中，可以确认出，当阶梯为大时，增强了液晶分子的控制力，从而减少了纹理，当阶梯大于时，减少了纹理，从而透射率大于预定的程度。在图1和图2的示例性实施例中，绝缘体的钝化层180包括阶梯提供槽和交叉形状的突起。然而，阶梯提供槽和交叉形状的突起可以形成在滤色器230中。位于滤色器230上的钝化层180可以由无机绝缘材料形成，或者可以被省去。尽管通过使用滤色器230的阶梯提供槽和交叉形状的突起来形成阶梯提供件，但是如图3所示，必须提供大于的阶梯，以减少纹理。接下来，将参照图4至图6描述本发明的另一示例性实施例。图4是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的布局图，图5是沿图4的线V-V截取的剖视图。与图1和图2的示例性实施例不同，图4和图5的示例性实施例是将交叉形状的槽182-1h和182-1l形成为阶梯提供件的情况。参照图4和图5，根据当前示例性实施例的液晶显示器包括彼此面对的下面板100和上面板200、设置在这两个显示面板100和200之间的液晶层3以及附于显示面板100和200的外表面处的一对偏振器(未示出)。图4和图5的示例性实施例的上面板200与图1和图2的上面板200相同，因此省略了其描述。将描述下面板100，并且下面板100中的从绝缘基底110到滤色器230的层结构与图1和图2的示例性实施例相同。栅极线121和存储电压线131形成在绝缘基底110上。栅极线121包括第一栅电极124a、第二栅电极124b和第三栅电极124c。存储电压线131包括存储电极135a、135b和135c以及向下延伸的电容器电极134。存储电压线131包括向上延伸的两个第一纵向存储电极部分135a、将两个第一纵向存储电极部分135a连接的横向存储电极部分135b以及从横向存储电极部分135b进一步向上延伸的两个第二纵向存储电极部分135c。第一纵向存储电极部分135a沿形成在其上的第一子像素电极191h的纵向边缘形成，第二纵向存储电极部分135c沿形成在其上的第二子像素电极191l的纵向边缘形成。同时，横向存储电极部分135b设置在前面的第二子像素电极191l的横向边缘和当前的第一子像素电极191h的横向边缘之间，并沿这两个横向边缘形成。因此，第一纵向存储电极部分135a和横向存储电极部分135b沿第一子像素电极191h的边缘形成，由此与第一子像素电极191h至少部分地叠置，第二纵向存储电极部分135c和横向存储电极部分135b沿第二子像素电极191l的边缘形成，由此与第二子像素电极191l至少部分地叠置。在图4中，上面的横向存储电极部分135b和下面的横向存储电极部分135b看起来彼此隔开，但是实际上，上下相邻的像素PX的横向存储电极部分135b彼此电连接。栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电压线131上。第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c形成在栅极绝缘层140上。多个欧姆接触件(未示出)可以形成在第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c上。包括多条数据线171的数据导体171、173c、175a、175b和175c形成在半导体(第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c)、欧姆接触件(未示出)和栅极绝缘层140上，多条数据线171包括第一源电极173a和第二源电极173b、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第三源电极173c和第三漏电极175c。第一栅电极124a、第一源电极173a和第一漏电极175a与第一半导体154a一起形成第一薄膜晶体管Qa，第一薄膜晶体管Qa的沟道形成在第一源电极173a和第一漏电极175a之间的半导体部分154a中。类似地，第二栅电极124b、第二源电极173b和第二漏电极175b与第二半导体154b一起形成第二薄膜晶体管Qb，第二薄膜晶体管Qb的沟道形成在第二源电极173b和第二漏电极175b之间的半导体部分154b中，第三栅电极124c、第三源电极173c和第三漏电极175c与第三半导体154c一起形成第三薄膜晶体管Qc，第三薄膜晶体管Qc的沟道形成在第三源电极173c和第三漏电极175c之间的半导体部分154c中。滤色器230和钝化层180顺序地形成在栅极绝缘层140、数据导体171、173c、175a、175b和175c以及半导体154a、154b和154c的暴露部分上。滤色器230可以显示三种原色(例如，红色、绿色和蓝色)中的一种，但是不限于显示原色，并且还可以显示青色、品红色、黄色和基于白色的颜色中的一种。同时，钝化层180可以由非绝缘体(例如，氮化硅和氧化硅)或绝缘体形成，在图4的示例性实施例中，描述了包括绝缘体的有机绝缘层。向覆层提供阶梯的阶梯提供件形成在绝缘体的钝化层180中，在图4中，交叉形状的槽182-1h和182-1l是仅有的阶梯提供件。交叉形状的槽182-1h和182-1l在具有交叉形状的同时形成有预定深度d，如图4和图5所示。在图5中，钝化层180可以根据本发明的示例性实施例而具有预定的厚度，但是通过完全地蚀刻绝缘体的钝化层180来形成阶梯提供件的交叉形状的槽182-1h和182-1l，从而滤色器230直接形成在交叉形状的槽182-1h和182-1l下方而没有钝化层180。滤色器230和钝化层180包括暴露第一漏电极175a的第一接触孔184a、暴露第二漏电极175b的第二接触孔184b和暴露第三漏电极175c的第三接触孔184c。包括第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的像素电极191形成在钝化层180上。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l分别包括设置在其中心处的局部板电极192h和192l以及沿倾斜方向从局部板电极192h和192l突出的多个微小分支电极193h和193l。第一子像素电极191h包括设置在正方形区域中的第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h，并通过延伸到正方形区域外部的第一微小分支连接件194h连接到第一漏电极175a的宽端部。第一局部板电极192h具有菱形形状，其中心设置在正方形区域的中心处，菱形的每个顶点与正方形区域的边界相接。另外，第一局部板电极192h覆盖钝化层180的第一交叉形状的槽182-1h。因此，第一局部板电极192h具有由钝化层180的第一交叉形状的槽182-1h提供的阶梯，如图5所示。这里，第一交叉形状的槽182-1h对位于正方形区域的中心处的液晶分子提供预倾斜，由此控制液晶分子的布置方向，因此，减少了纹理。多个第一微小分支电极193h延伸到第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘。多个第一微小分支电极193h填充正方形区域的其余地方，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘形成90度的角度。同时，在图4的示例性实施例中，第一子像素电极191h包括沿纵向方向或水平方向连接第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h的端部的第一微小分支连接件194h。第一微小分支连接件194h与第一子像素电极191h以及下面的存储电极135a和135b叠置，由此形成存储电容。然而，根据本发明的示例性实施例，可以省去第一微小分支连接件194h，在这种情况下，多个第一微小分支电极193h突出到外部。另一方面，第二子像素电极191l包括形成在具有纵向边缘的矩形区域中的第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l，并通过延伸到矩形区域外部的第二微小分支连接件194l连接到第二漏电极175l的宽端部。第二局部板电极192l的中心设置在矩形区域的中心处，并具有将矩形区域的每个边的中心连接的菱形形状。因此，菱形的每个顶点与矩形区域的边界相接。另外，第二局部板电极192l覆盖钝化层180的第二交叉形状的槽182-1l。因此，第二局部板电极192l具有由钝化层180的第二交叉形状的槽182-1l提供的阶梯，如图5所示。多个第二微小分支电极193l从第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘延伸。多个第二微小分支电极193l填充矩形区域的其它地方，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘形成90±15度的角度。在图4的示例性实施例中，第二子像素电极191l包括沿纵向方向或水平方向连接第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l的端部的第二微小分支连接件194l。第二微小分支连接件194l与第二子像素电极191l以及下面的存储电极135b和135c叠置，由此形成存储电容。然而，根据示例性实施例，可以省去第二微小分支连接件194l，在这种情况下，多个第二微小分支电极193l突出到外部。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l通过接触孔184a和184b物理地且电气地连接到第一漏电极175a和第二漏电极175b，由此从第一漏电极175a和第二漏电极175b接收数据电压。此时，施加到第二漏电极175b的数据电压的部分通过第三源电极173c进行分压，从而施加到第二子像素电极191l的电压的幅值小于施加到第一子像素电极191h的电压的幅值。这里，第二子像素电极191l的面积可以比第一子像素电极191h的面积大大约1倍至大约2倍。下取向层(未示出)形成在像素电极191上。下取向层可以是垂直取向层，并可以是包括光反应性材料的取向层。将参照图44描述光反应性材料。如上所述，在图4和图5的示例性实施例中，阶梯提供件形成在绝缘体的钝化层180中，并由交叉形状的槽182-1h和182-1l制成。然而，根据提供的阶梯(参照图5的d)，在最大程度上减少了纹理，由此提高了透射率，参见图6。图6是示出使用图4和图5的示例性实施例的实验结果的示图。在图6中，“passi”是指绝缘体的钝化层180，“Nega”是指形成为阶梯提供件的交叉形状的槽。如图6所示，随着交叉形状的槽的深度增大，控制液晶分子的控制力变得越弱，从而在很大程度上产生纹理。因此，如果当将交叉形状的槽形成为阶梯提供件时交叉形状的槽的深度小，则减少了纹理，并且的深度是优选的。在图4和图5的示例性实施例中，尽管在绝缘体的钝化层180中示出作为阶梯提供件的交叉形状的槽，但是在滤色器230中形成交叉形状的槽的示例性实施例也是可以的。位于滤色器230上的钝化层180可以由无机绝缘材料形成，或者可以被省去。尽管在滤色器230中形成作为阶梯提供件的交叉形状的槽，但如图6所示，必须提供小于的阶梯，以减少纹理。交叉形状的槽必须具有最小深度，并且大于的深度是优选的。接下来，将参照图7至图9描述本发明的另一示例性实施例。图7是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的布局图，图8是沿图7的线VIII-VIII截取的剖视图。在图7和图8的示例性实施例中，相对于图1、图2、图4和图5的示例性实施例，阶梯提供布线与栅极线以相同的层形成为阶梯提供件，从而由于阶梯提供布线的厚度而在上面的绝缘层/钝化层中产生阶梯。在图7和图8的示例性实施例中，相对于图1、图2、图4和图5的示例性实施例，滤色器230未形成在下面板100中，而形成在上面板200中。在当前的示例性实施例中，滤色器230可以形成在下面板100中，但是滤色器230可以形成为比提供阶梯的布线低(形成在基底的一侧)。这是因为当在诸如栅极线的布线上形成滤色器230时，由于滤色器230的平面化特性导致在像素电极的位置处可能不产生由阶梯提供布线提供的阶梯。另外，与包括有机材料的钝化层/绝缘层相比，在诸如栅极线的布线上形成包括无机材料的绝缘层/钝化层可以将由阶梯提供布线提供的阶梯原样传递到形成像素电极的位置。因此，在图7和图8的示例性实施例中，栅极绝缘层140和钝化层180由无机材料形成。参照图7和图8，根据当前示例性实施例的液晶显示器包括彼此面对的下面板100和上面板200、设置在这两个显示面板100和200之间的液晶层3以及附于显示面板100和200的外表面的一对偏振器(未示出)。首先，将描述下面板100。栅极线121、存储电压线131、阶梯提供布线132h和132l形成在绝缘基底110上。栅极线121包括第一栅电极124a、第二栅电极124b和第三栅电极124c。存储电压线131包括存储电极135a、135b和135c以及向下延伸的电容器电极134。存储电压线131包括向上延伸的两个第一纵向存储电极部分135a、连接两个第一纵向存储电极部分135a的横向存储电极部分135b和从横向存储电极部分135b进一步向上延伸的两个第二纵向存储电极部分135c。第一纵向存储电极部分135a沿形成在其上的第一子像素电极191h的纵向边缘形成，第二纵向存储电极部分135c沿形成在其上的第二子像素电极191l的纵向边缘形成。同时，横向存储电极部分135b设置在前面的第二子像素电极191l的横向边缘和当前的第一子像素电极191h的横向边缘之间，并沿这两个横向边缘形成。因此，第一纵向存储电极部分135a和横向存储电极部分135b沿第一子像素电极191h的边缘形成，由此与第一子像素电极191h至少部分地叠置，第二纵向存储电极部分135c和横向存储电极部分135b沿第二子像素电极191l的边缘形成，由此与第二子像素电极191l至少部分地叠置。在图7中，上面的横向存储电极部分135b和下面的横向存储电极部分135b看起来彼此分开，但是实际上，上下相邻的像素PX的横向存储电极部分135b彼此电连接。在图7的示例性实施例中，阶梯提供布线132h和132l与栅极线121和存储电压线131以相同的层和相同的材料形成，并电连接到存储电压线131的存储电极135a、135b和135c。即，第一阶梯提供布线132h具有交叉形状，四个端部分别连接到第一纵向存储电极部分135a、横向存储电极部分135b和存储电压线131。同时，第二阶梯提供布线132l具有交叉形状，四个端部中的三个端部分别连接到第二纵向存储电极部分135c和横向存储电极部分135b，其余的端部未被连接。阶梯提供布线132h和132l具有预定的厚度，从而为上面的绝缘层/钝化层提供阶梯，如将参照图9描述的。由无机绝缘材料制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121、存储电压线131以及阶梯提供布线132h和132l上。第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c形成在栅极绝缘层140上。多个欧姆接触件(未示出)形成在第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c上。包括多条数据线171的数据导体171、173c、175a、175b和175c形成在半导体(第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c)、欧姆接触件(未示出)和栅极绝缘层140上，多条数据线171包括第一源电极173a和第二源电极173b、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第三源电极173c以及第三漏电极175c。第一栅电极124a、第一源电极173a和第一漏电极175a与第一半导体154a一起形成第一薄膜晶体管Qa，第一薄膜晶体管Qa的沟道形成在第一源电极173a和第一漏电极175a之间的半导体部分154a中。类似地，第二栅电极124b、第二源电极173b和第二漏电极175b与第二半导体154b一起形成第二薄膜晶体管Qb，第二薄膜晶体管Qb的沟道形成在第二源电极173b和第二漏电极175b之间的半导体部分154b中，第三栅电极124c、第三源电极173c和第三漏电极175c与第三半导体154c一起形成第三薄膜晶体管Qc，第三薄膜晶体管Qc的沟道形成在第三源电极173c和第三漏电极175c之间的半导体部分154c中。钝化层180形成在栅极绝缘层140、数据导体171、173c、175a、175b和175c以及半导体154a、154b和154c的暴露部分上。钝化层180由非绝缘体(例如，氮化硅和氧化硅)形成，由此保持阶梯提供布线132h和132l提供的阶梯而没有进行平坦化。因此，与阶梯提供布线132h和132l的形状对应的交叉形状的阶梯形成在钝化层180上，然后，在钝化层180上形成阶梯的部分称作“布线提供阶梯部分”。无机绝缘层的钝化层180包括暴露第一漏电极175a的第一接触孔184a、暴露第二漏电极175b的第二接触孔184b和暴露第三漏电极175c的第三接触孔184c。包括第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的像素电极191形成在钝化层180上。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l分别包括设置其中心处的局部板电极192h和192l以及沿倾斜方向从局部板电极192h和192l突出的多个微小分支电极193h和193l。第一子像素电极191h包括设置在正方形区域中的第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h，并通过延伸到正方形区域外部的第一微小分支连接件194h连接到第一漏电极175a的宽端部。第一局部板电极192h具有菱形形状，其中心位于正方形区域的中心处，并且菱形的每个顶点与正方形区域的边界相接。第一局部板电极192h覆盖通过第一阶梯提供布线132h在钝化层180中产生的第一布线提供阶梯部分。因此，第一局部板电极192h具有由钝化层180的第一布线提供阶梯部分提供的阶梯。参照图8，第一布线提供阶梯部分为位于正方形区域的中心处的液晶分子提供预倾斜，由此控制液晶分子的布置方向，因此，减少了纹理。多个第一微小分支电极193h沿第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘延伸。多个第一微小分支电极193h填充正方形区域的其它地方，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘形成90度的角度。同时，在图7的示例性实施例中，第一子像素电极191h包括沿纵向方向或水平方向连接第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h的端部的第一微小分支连接件194h。第一微小分支连接件194h与第一子像素电极191h和下方的存储电极135a和135b叠置，由此形成存储电容。然而，根据本发明的示例性实施例，可以省去第一微小分支连接件194h，在这种情况下，多个第一微小分支电极193h突出到外部。第二子像素电极191l包括形成在具有纵向边缘的矩形区域中的第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l，并通过延伸到矩形区域外部的第二微小分支连接件194l连接到第二漏电极175l的宽端部。第二局部板电极192l的中心设置在矩形区域的中心处，并具有连接矩形区域的每个边的中心的菱形形状。因此，菱形的每个顶点与矩形区域的边界相接。另外，第二局部板电极192l覆盖通过第二阶梯提供布线132l在钝化层180中产生的第二布线提供阶梯部分。因此，第二局部板电极192l具有由钝化层180的第二布线提供阶梯部分提供的阶梯，如图8所示。多个第二微小分支电极193l从第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘延伸。多个第二微小分支电极193l填充矩形区域的其余地方，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘形成90±15度的角度。在图7的示例性实施例中，第二子像素电极191l包括沿纵向方向或水平方向连接第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l的端部的第二微小分支连接件194l。第二微小分支连接件194l与第二子像素电极191l和下面的存储电极135b和135c叠置，由此形成存储电容。然而，根据本发明的示例性实施例，可以省去第二微小分支连接件194l，在这种情况下，多个第二微小分支电极193l突出到外部。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l通过接触孔184a和184b物理地且电气地连接到第一漏电极175a和第二漏电极175b，由此从第一漏电极175a和第二漏电极175b接收数据电压。此时，施加到第二漏电极175b的数据电压的部分通过第三源电极173c进行分压，从而施加到第二子像素电极191l的电压的幅值小于施加到第一子像素电极191h的电压的幅值。这里，第二子像素电极191l的面积可以比第一子像素电极191h的面积大大约1倍至大约2倍。下取向层(未示出)形成在像素电极191上。下取向层可以是垂直取向层，并可以是包括光反应性材料的取向层。将参照图44描述光反应性材料。接下来，将描述上面板200。图7和图8的上面板200包括滤色器230。即，光阻挡构件220设置在绝缘基底210下方。光阻挡构件220称作“黑色矩阵”，并防止光泄漏。光阻挡构件220沿栅极线121延伸，覆盖设置第一薄膜晶体管(Qh)、第二薄膜晶体管(Ql)和第三薄膜晶体管(Qc)的区域，沿数据线171延伸，并覆盖数据线171的周围。未被光阻挡构件220覆盖的区域向外部发射光，由此显示图像。滤色器230形成在光阻挡构件220下方。滤色器230可以显示诸如红色、绿色和蓝色的三种原色中的一种。可选地，每个滤色器230可以显示黄色、青色、品红色等原色，或者可以显示除了这些颜色之外的多种颜色。提供平坦的下表面并由有机材料制成的平坦化层250形成在滤色器230下方。由透明导电材料制成的共电极270形成在平坦化层250下方。上取向层(未示出)形成在共电极270下方。上取向层可以是垂直取向层，并且可以是光聚合物材料经过光取向的取向层。偏振器(未示出)形成在显示面板100和200的外表面上，两个偏振器的偏振轴交叉，其中一个偏振轴可以与栅极线121平行。然而，偏振器可以仅设置在两个显示面板100和200中的一个外表面上。位于下面板100和上面板200之间的液晶层3包括具有负介电各向异性的液晶分子31。液晶层3或取向层(未示出)还可以包括通过光(例如，紫外光)而聚合的聚合物。包括在液晶层3中的聚合物为液晶层3提供预倾斜，并在图44中将详细描述提供预倾斜角度的方法。即，当在无提供预倾斜角度的聚合物的情况下足以控制布置方向时，液晶层3可以不包括聚合物。如上所述，在图7和图8的示例性实施例中，阶梯提供件是与栅极线以相同的层形成的交叉类型的阶梯提供布线，由此在上面的绝缘层/钝化层中产生阶梯。图9示出了纹理如何根据阶梯提供布线的厚度(参照图8的d)最大程度地减少，由此提高透射率。图9是示出使用图7和图8的示例性实施例的实验结果的示图。在图9中，“Plateonly”是指没有形成阶梯提供布线的情况，“Gate”是阶梯提供布线与栅极线以相同的层形成的示例性实施例。即，参照图9，与没有阶梯提供布线的情况相比，在与栅极线处于相同层的阶梯提供布线具有的厚度的情况下，纹理最少，在阶梯提供布线的厚度为的情况下，可能进一步产生纹理。通过上述实验，当与栅极线处于相同层的阶梯提供布线具有大于且小于的厚度时，提高了液晶分子的控制力，从而减少了纹理。在图7和图8的示例性实施例中，阶梯提供布线与栅极线以相同的层形成。然而，阶梯提供布线可以与数据线以相同的层形成为阶梯提供件。另外，阶梯提供布线可以与栅极线和数据线以相同的层形成，将参照图10对此加以描述。图10是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器中的局部布线部分的布局图。在图10的(a)中，阶梯提供布线与栅极线以相同的层形成，图10的(b)示出了另外与数据线以相同的层形成的阶梯提供布线，其余的结构与图6和图7的示例性实施例相同。即，在图10中，未示出像素电极，然而，与在图6和图7中示出的像素电极的结构类似，像素电极191包括第一子像素电极191h和第二子像素电极192l，第一子像素电极191h包括第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h，第二子像素电极191l包括第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l。在根据图10的示例性实施例的阶梯提供件中，将参照图10的(a)描述与栅极线以相同的层形成的第一阶梯提供布线。在图10的(a)中，栅极线121、存储电压线131以及第一阶梯提供布线132h和132l形成在绝缘基底110上。存储电压线131包括存储电极135a、135b和135c以及向下延伸的电容器电极134。存储电压线131包括向上延伸的两个第一纵向存储电极部分135a、将两个第一纵向存储电极部分135a连接的横向存储电极部分135b以及从横向存储电极部分135b进一步向上延伸的两个第二纵向存储电极部分135c。第一纵向存储电极部分135a沿形成在其上的第一子像素电极191h的纵向边缘形成，第二纵向存储电极部分135c沿形成在其上的第二子像素电极191l的纵向边缘。同时，横向存储电极部分135b设置在前面的第二子像素电极191l的横向边缘和当前的第一子像素电极191h的横向边缘之间，并沿这两个横向边缘形成。第一纵向存储电极部分135a和横向存储电极部分135b沿第一子像素电极191h的边缘形成，由此与第一子像素电极191h至少部分地叠置，第二纵向存储电极部分135c和横向存储电极部分135b沿第二子像素电极191l的边缘形成，由此与第二子像素电极191l至少部分地叠置。在图10中，上面的横向存储电极部分135b和下面的横向存储电极部分135b看起来彼此分开，但是实际上，上下相邻的像素PX的横向存储电极部分135b彼此电连接。第一阶梯提供布线132h和132l与栅极线121和存储电压线131以相同的层和相同的材料形成，在图10的示例性实施例中，第一阶梯提供布线132h和132l电连接到存储电压线131的存储电极135a、135b和135c。即，第一个第一阶梯提供布线132h具有沿纵向方向延伸的直线形状，两个端部分别连接到横向存储电极部分135b和存储电压线131。第二个第一阶梯提供布线132l具有沿纵向方向延伸的直线形状，两个端部连接到横向存储电极部分135b。栅极绝缘层形成在栅极线121、存储电压线131以及第一阶梯提供布线132h和132l上，半导体层和欧姆接触层形成在栅极绝缘层上。如图10的(b)所示，第二阶梯提供布线172h、172’h、172l和172’l另外地与数据线以相同的层形成。在第二阶梯提供布线172h、172’h、172l和172’l中，第一个第二阶梯提供布线172h和172l具有沿纵向方向延伸的直线形状，并与第一阶梯提供布线132h和132l叠置。同时，第二个第二阶梯提供布线172’h和172’l具有沿横向方向延伸的直线形状，与第一个第二阶梯提供布线172h和172l连接，由此形成交叉的形状。图10的示例性实施例具有以下优点。参照图9，阶梯提供布线必须以大于大约且小于的厚度形成。然而，难以以单个层形成上述厚度。在这种情况下，如在图10中的(a)和图10中的(b)中所示，一个阶梯提供布线与栅极线以相同的材料形成，并在其上形成与数据线以相同的材料形成的一个阶梯提供布线，由此提供足够的阶梯。相对于图10的示例性实施例，与栅极线以相同的层形成的第一阶梯提供布线可以具有交叉形状，在这种情况下，第一阶梯提供布线的一个端部可以连接到存储电极135a、135b和135c。由无机材料形成的钝化层形成在数据线以及第二阶梯提供布线172h、172’h、172l和172’l上，布线提供阶梯部分因第一和第二阶梯提供布线而在钝化层中形成。在图10中，未示出像素电极。然而，参照图7和图8，第一局部板电极192h覆盖因第一阶梯提供布线132h和第二阶梯提供布线172h和172’h而在钝化层180中产生的第一布线提供阶梯部分。因此，第一局部板电极192h具有由钝化层180的第一布线提供阶梯部分提供的阶梯。另外，第二局部板电极192l覆盖因第一阶梯提供布线132l和第二阶梯提供布线172l和172’l而在钝化层180中产生的第二布线提供阶梯部分。因此，第二局部板电极192l具有由钝化层180的第二布线提供阶梯部分提供的阶梯。这里，第一和第二布线提供阶梯部分为液晶分子提供预倾斜，由此控制液晶分子的布置方向，因此，减少了纹理。在图4、图5、图7和图8的示例性实施例中，已经描述了在图1和图2中示出的阶梯提供件的各种示例性实施例。在图11至图16中，与图1和图2的阶梯提供件类似，阶梯提供槽和交叉形状的突起形成在绝缘体的钝化层180中，并且将描述阶梯提供槽的变形及其制造方法。图11、图12的(b)和图14是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的剖视图，图13、图15和图16示出了用于制造该液晶显示器的掩模。首先，将参照图11至图13描述在形成在绝缘体的钝化层180中的阶梯提供槽185中的侧壁中具有锥形结构的示例性实施例。图11对应于图2，并且除了阶梯提供槽185的侧壁具有锥形结构(参照“T”)并倾斜的地方之外，图11与图2相同。如在布局图中所示，锥形结构由图12的(a)中的T表示。如在图12的(a)中所示，锥形区域形成在阶梯提供槽185的与局部板电极的每个边缘对应的倾斜侧表面中。另外，在布局图中，阶梯提供槽185是直角三角形，与布局图中的斜边对应的侧表面具有倾斜的锥形结构。同时，在图11的示例性实施例中，形成在绝缘体的钝化层180中的交叉形状的突起182不具有锥形结构。然而，根据示例性实施例，如在图12的(b)中所示，交叉形状的突起182也可以具有锥形结构。在图12的作为用于测试具有图11的结构的像素的透射率和纹理的产生的附图的(c)以及图12的(a)中，可以确认出，在形成有锥形结构的阶梯提供槽185的侧壁中提高了液晶分子的控制力，从而与阶梯提供槽185的其它侧壁相比减少了纹理。如在图11和图12的(a)中所示，为了在阶梯提供槽185的侧壁处形成锥形结构，在图13中示出的狭缝掩模可以用于曝光和显影。在图13中，狭缝掩模设置在梯提供槽185中的将形成锥形结构的侧壁处，并执行曝光工艺，从而通过曝光量的差异形成锥形结构。在本发明的当前示例性实施例中使用的狭缝掩模中，阻挡光的条和透射光的开口部分重复2-4次，条和开口部分的宽度具有大于0.8μm至小于2μm的值。根据本发明的示例性实施例，可以在不使用图13中示出的狭缝掩模的情况下形成锥形侧壁。这是因为侧壁不具有完全垂直的结构，并且当通过一般的曝光/显影形成图案时形成锥形结构，从而可以在不使用单独的狭缝掩模的情况下形成具有略微锥形的侧壁的阶梯提供槽185。当与一般的蚀刻相比形成更大的锥形角时，可以应用使用如在图13中示出的狭缝掩模的情形。另一方面，图14至图16示出了形成在绝缘体的钝化层180中的阶梯提供槽185的下表面(底表面)以与在图11至图13中所示相比不同地倾斜的示例性实施例。在对应于图2的图14中，阶梯提供槽185的下表面(底表面)完全地倾斜，同时下表面和一个侧表面以预定的斜率一体地形成。即，与在图11的示例性实施例中相比，在图14的示例性实施例中，锥形区域较宽，图14的“B”区域具有整体锥形结构。如图14所示，为了在下表面上形成整体倾斜结构，必须使用控制曝光量的掩模，例如狭缝掩模，并在图15和图16中分别示出了可用的掩模。首先，图15的作为狭缝掩模的掩模设置在用于提供形成在绝缘体的钝化层180中的槽185的整个阶梯上，然后执行曝光，狭缝掩模包括重复的阻挡光的条和使光穿过的开口部分，并具有开口部分的宽度逐渐增大的结构。这里，条的宽度具有大于0.8μm至小于2μm的值，开口部分的宽度从大于0.8μm至小于2μm的宽度连续地增大到大于0.2μm至小于0.5μm的值。如果使用如图15所示的该狭缝掩模来形成阶梯提供槽185，则阶梯提供槽185具有截面的深度均匀地改变的结构。另一方面，相对于在图15中示出的狭缝掩模，图16的狭缝掩模具有这样的结构，此结构包括具有相同间隔的开口部分的组，在图16中示出了组a1、组a2、组a3和组a4。即，尽管每个组具有不同间隔的开口部分，但所有组中的条的宽度具有大于0.8μm至小于2μm的相等的值。然而，组a2的间隔大于组a1的间隔，开口部分的间隔随着靠近于组a2、组a3和组a4而增大。当通过使用在图16中示出的狭缝掩模进行曝光时，可以形成在图16中示出的具有类似阶梯形状的截面的阶梯提供槽185。与在图16中示出的截面相比，实际的图案具有倒圆的阶梯形状，从而具有宽度逐渐改变的截面结构。作为阶梯提供槽185中的阶梯的结果，通过使用在图15和图16中示出的狭缝掩模形成的阶梯提供槽185，提高了液晶分子的控制力，由此减少了纹理的产生。另外，与任何其它示例性实施例相比，阶梯提供槽185更多地增强了液晶分子的控制力。尽管液晶层或取向层不包括通过光(例如，紫外光)而聚合的提供预倾斜的聚合物，但是可以足以控制液晶分子，并可以防止纹理。将参照图17至图19描述本发明的不包括通过光(例如，紫外光)而聚合的提供预倾斜的聚合物的示例性实施例。图17是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的布局图，图18是沿图17的线XVIII-XVIII截取的剖视图。参照图17和图18，根据当前示例性实施例的液晶显示器包括彼此面对的下面板100和上面板200、设置在这两个显示面板100和200之间的液晶层3以及附于显示面板100和200的外表面处的一对偏振器(未示出)。现在将描述下面板100。栅极线121和存储电压线131形成在绝缘基底110上。栅极线121包括第一栅电极124a、第二栅电极124b和第三栅电极124c。存储电压线131包括存储电极135a、135b和135c以及向下延伸的电容器电极134。存储电压线131包括向上延伸的两个第一纵向存储电极部分135a、连接两个第一纵向存储电极部分135a的横向存储电极部分135b以及从横向存储电极部分135b进一步向上延伸的两个第二纵向存储电极部分135c。第一纵向存储电极部分135a沿形成在其上的第一子像素电极191h的纵向边缘形成，第二纵向存储电极部分135c沿形成在其上的第二子像素电极191l的纵向边缘形成。同时，横向存储电极部分135b设置在前面的第二子像素电极191l的横向边缘和当前的第一子像素电极191h的横向边缘之间，并沿这两个横向边缘形成。因此，第一纵向存储电极部分135a和横向存储电极部分135b沿第一子像素电极191h的边缘形成，由此与第一子像素电极191h至少部分地叠置，第二纵向存储电极部分135c和横向存储电极部分135b沿第二子像素电极191l的边缘形成，由此与第二子像素电极191l至少部分地叠置。在图17中，上面的横向存储电极部分135b和下面的横向存储电极部分135b看起来彼此隔开，但是实际上，上下相邻的像素PX的横向存储电极部分135b彼此电连接。栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电压线131上。第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c形成在栅极绝缘层140上。多个欧姆接触件(未示出)形成在第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c上。包括多条数据线171的数据导体171、173c、175a、175b和175c形成在半导体(第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c)、欧姆接触件(未示出)和栅极绝缘层140上，多条数据线171包括第一源电极173a和第二源电极173b、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第三源电极173c以及第三漏电极175c。第一栅电极124a、第一源电极173a和第一漏电极175a与第一半导体154a一起形成第一薄膜晶体管Qa，第一薄膜晶体管Qa的沟道形成在第一源电极173a和第一漏电极175a之间的半导体部分154a中。类似地，第二栅电极124b、第二源电极173b和第二漏电极175b与第二半导体154b一起形成第二薄膜晶体管Qb，第二薄膜晶体管Qb的沟道形成在第二源电极173b和第二漏电极175b之间的半导体部分154b中，第三栅电极124c、第三源电极173c和第三漏电极175c与第三半导体154c一起形成第三薄膜晶体管Qc，第三薄膜晶体管Qc的沟道形成在第三源电极173c和第三漏电极175c之间的半导体部分154c中。钝化层180形成在栅极绝缘层140、数据导体171、173c、175a、175b和175c以及半导体154a、154b和154c的暴露部分上。钝化层180可以由非绝缘体(例如，氮化硅和氧化硅)或绝缘体形成，在图17的示例性实施例中，描述了包括绝缘体的有机绝缘层。为了上面的层提供阶梯的阶梯提供件形成在绝缘体的钝化层180中，在图17中，阶梯提供槽185h和185l以及设置在阶梯提供槽185h和185l之间的交叉类型的突出182是阶梯提供件。如图17所示，阶梯提供槽185h和185l具有具有垂直相交的两个边的四边形的结构，且在对角线方向上彼此对称。因此，钝化层180包括交叉形状的突起182。另外，参照图18，阶梯提供槽185h和185l的下表面整体地倾斜，而通过一体化的下表面和一个侧表面形成预定的斜率。如上所述，阶梯提供槽185h和185l的下表面具有斜度，以控制液晶分子的取向方向，由此减少纹理的产生。钝化层180包括暴露第一漏电极175a的第一接触孔184a、暴露第二漏电极175b的第二接触孔184b和暴露第三漏电极175c的第三接触孔184c。钝化层180包括收集从滤色器230散发的气体的开口189。根据图17，一个像素可以包括一对开口189。包括第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的像素电极191形成在钝化层180上。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l分别包括位于其中心处的局部板电极192h和192l以及沿倾斜方向从局部板电极192h和192l突出的多个微小分支电极193h和193l。第一子像素电极191h包括设置在正方形区域中的第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h，并通过延伸到正方形区域外部的第一微小分支连接件194h连接到第一漏电极175a的宽端部。第一局部板电极192h具有等边八边形形状，其中心位于正方形区域的中心处，等边八边形形状的四个顶点与正方形区域的边界相接。第一局部板电极192h覆盖钝化层180的第一阶梯提供槽185h和第一交叉形状的突起182h。因此，第一局部板电极192h具有由钝化层180的第一阶梯提供槽185h和第一交叉形状的突起182h提供的阶梯。这里，参照图18，第一交叉形状的突起182h在正方形区域的中心处对液晶分子提供预倾斜，由此控制液晶分子的布置方向，因此，减少了纹理。多个第一微小分支电极193h沿第一局部板电极192h的倾斜方向的八个边缘延伸。多个第一微小分支电极193h填充正方形区域的其它地方，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘形成90度的角度。在图17的示例性实施例中，第一子像素电极191h包括沿纵向方向或水平方向连接第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h的端部的第一微小分支连接件194h。第一微小分支连接件194h与第一子像素电极191h以及下面的存储电极135a和135b叠置，由此形成存储电容。然而，根据示例性实施例，可以省去第一连接件194h，在这种情况下，多个第一微小分支电极193h突出到外部。第二子像素电极191l包括形成在具有纵向边缘的矩形区域中的第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l，并通过延伸到矩形区域外部的第二连接件194l连接到第二漏电极175l的宽端部。第二局部板电极192l的中心位于矩形区域的中心处，并具有连接矩形区域的每个边的中心的八边形形状。因此，八边形的四个顶点与矩形区域的边界相接。第二局部板电极192l覆盖钝化层180的第二阶梯提供槽185l和第二交叉形状的突起182l。因此，第二局部板电极192l具有由钝化层180的第二阶梯提供槽185l和第二交叉形状的突起182l提供的阶梯(参照图18)。多个第二微小分支电极193l从第二局部板电极192l的倾斜方向的八个边缘延伸。多个第二微小分支电极193l填充矩形区域的其它地方，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘形成90±15度的角度。在图17的示例性实施例中，第二子像素电极191l包括沿纵向方向或水平方向连接第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l的端部的第二微小分支连接件194l。第二微小分支连接件194l与第二子像素电极191l以及下面的存储电极135b和135c叠置，由此形成存储电容。然而，根据示例性实施例，可以省去第二微小分支连接件194l，在这种情况下，多个第二微小分支电极193l突出到外部。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l通过接触孔184a和184b物理地且电气地连接到第一漏电极175a和第二漏电极175b，由此从第一漏电极175a和第二漏电极175b接收数据电压。此时，施加到第二漏电极175b的数据电压的部分通过第三源电极173c进行分压，从而施加到第二子像素电极191l的电压的幅值小于施加到第一子像素电极191h的电压的幅值。这里，第二子像素电极191l的面积可以比第一子像素电极191h的面积大大约1倍至大约2倍。存储电极连接构件139通过接触孔184c连接存储电压线131的电容器电极134和第三漏电极175c。存储电压Vcst施加到存储电压线131的电容器电极134，从而具有预定的电压，由此通过第三漏电极175c将存储电压Vcst施加到第三薄膜晶体管Qc。因此，可以减小施加到第二子像素的电压。覆盖钝化层180的开口189的覆层199形成在开口189上。根据图17，一个像素可以包括一对覆层199。像素电极191和覆层199可以由诸如ITO或IZO的透明导电材料制成。根据本发明的示例性实施例，可以省去开口189和覆层199。下取向层(未示出)形成在像素电极191上。下取向层可以是垂直取向层。下取向层不包括在图44中示出的光反应性材料。这是因为图17的示例性实施例具有对液晶分子的足够的控制力。现在将描述共电极面板200。图17和图18的上面板200包括滤色器230。光阻挡构件220形成在绝缘基底210上。光阻挡构件220称作黑色矩阵，并防止光泄漏。光阻挡构件220沿栅极线121延伸，覆盖设置第一薄膜晶体管(Qh)、第二薄膜晶体管(Ql)和第三薄膜晶体管(Qc)的区域，沿数据线171延伸，并覆盖数据线171的周围。未被光阻挡构件220覆盖的区域向外部发射光，由此显示图像。滤色器230形成在光阻挡构件220下方。滤色器230可以显示诸如红色、绿色和蓝色的三种原色中的一种，但滤色器230不限于显示三种原色，并可以显示青色、品红色、黄色和基于白光的颜色中的一种。提供平坦的下表面并由有机材料制成的平坦化层250可以形成在滤色器230下方。由透明导电材料制成的共电极270可以形成在平坦化层250下方。上取向层(未示出)形成在共电极270下方。上取向层可以是垂直取向层。上取向层不包括在图44中示出的光反应性材料。这是因为图17的示例性实施例具有对液晶分子的足够的控制力。偏振器(未示出)形成在显示面板100和200的外表面上，两个偏振器的偏振轴交叉，其中一个偏振轴可以与栅极线121平行。偏振器可以设置在两个显示面板100和200中的一个外表面上。施加了数据电压的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与共电极面板200的共电极270协作产生电场，从而在没有电场的情况下与两个电极191和270的表面垂直取向的液晶层3的液晶分子沿与两个电极191和270的表面平行的方向倾斜，由此透射穿过液晶层3的光的亮度根据液晶分子的倾斜度而改变。液晶显示器还可以包括间隔件，以保持两个显示面板100和200之间的盒间隙，间隔件可以附于上面板200或下面板100。设置在下面板100和上面板200之间的液晶层3包括具有负介电各向异性的液晶分子31。液晶层3不包括在图44中示出的光反应性材料。这是因为图17的示例性实施例具有对液晶分子的足够的控制力。如上所述，在图17和图18的示例性实施例中，阶梯提供件形成在绝缘体的钝化层180中，并由设置在阶梯提供槽185h和185l之间的交叉类型的突出182h和182l制成。局部板电极192h和192l具有八边形形状。阶梯提供槽185h和185l的下表面总体上是倾斜的，同时通过下表面和一个一体化的侧表面形成预定的斜率。如上所述，阶梯提供槽185h和185l的下表面倾斜，从而控制液晶分子的取向方向，由此提供预倾斜。与其它示例性实施例相比，图17的阶梯提供槽185h和185l以较宽的区域形成，从而加宽了对液晶分子提供预倾斜的区域。因此，液晶分子不是未对齐的，并且未产生纹理。因为在图17的实施例中未产生纹理，所以可以不包括在图44中示出的光反应性材料。接下来，将侧重于图17和图18的示例性实施例的实验结果来描述图17和图18的示例性实施例的特性。图19是示出使用图17和图18的示例性实施例的实验结果的示图。首先，图19的(a)是局部板电极具有菱形结构、阶梯提供槽具有整体上倾斜的下表面以及在液晶层或取向层中未包括光反应性材料的示例性实施例的实验结果。如在图19的(a)中所示，在微小分支电极的部分中产生纹理。这是因为光反应性材料不存在于微小分支电极上，从而液晶分子不具有预倾斜。图19的(b)是使用图17和图18的示例性实施例的实验结果。局部板电极具有八边形结构，从而减小了形成微小分支电极的区域，因此，尽管光反应性材料不存在，但仍利用由阶梯提供槽中的倾斜的下表面提供的预倾斜而控制了液晶分子，从而可以不产生纹理。在图19中，(c)清楚地示出了由阶梯提供槽的下表面提供的预倾斜的方向和由于交叉形状的突起而给液晶分子提供的预倾斜。即，在图19的(c)的剖视图中，液晶分子根据阶梯提供槽的下表面的斜度而具有预倾斜，在图19的(c)的平面图中，通过箭头1、2和3示出了液晶分子的预倾斜方向。在图19的(c)的平面图中，箭头1指示由阶梯提供槽的侧壁部分中的倾斜斜度产生的预倾斜方向。在图19的(c)的平面图中，箭头2指示由阶梯提供槽的下表面中的倾斜斜度产生的预倾斜方向。在图19的(c)的平面图中，箭头3指示由交叉类型的突起产生的预倾斜方向。如上所述，在图17和图18的示例性实施例中，尽管在液晶层或取向层中未形成光反应性材料，但是仍可以足以沿三个主预倾斜方向控制液晶分子的取向方向，从而未产生纹理。接下来，将参照图20至图24描述像素电极的各种结构。图20至图24是根据本发明其他的示例性实施例的液晶显示器的像素电极的放大图。首先，图20示出了包括“X”形状的局部板电极的像素电极结构和透射率的实验结果。图20示出了与图1的第一子像素电极对应的结构。根据图20的示例性实施例的像素电极包括“X”形状的局部板电极192和从其延伸的微小分支电极193。在“X”形状的局部板电极192中，形成沿纵向方向和横向方向穿过像素区域的横向延伸件和纵向延伸件。“X”形状的局部板电极192具有形成X形状的四个部分，每个部分具有宽度从像素电极的中心向外部逐渐减小的结构。每个具有三角形形状，该三角形形状的顶点为像素的中心、像素的角以及像素中心和横向延伸件上的位置。在“X”形状的局部板电极192中，横向延伸件、纵向延伸件和微小分支电极193在像素区域部分的其余地方延伸并形成，并被布置为与相邻的部分的边缘平行。在图20的示例性实施例中，还包括围绕像素区域的外部的微小分支连接件。微小分支连接件形成在像素区域的四个边缘处。然而，根据示例性实施例，微小分支连接件可以形成在至少一个边缘处，或者根本就没有形成。根据图20的示例性实施例的像素包括阶梯提供件H。图20示意性地示出了如上述附图中之一的为对应的区域提供阶梯的阶梯提供件H。参照图20的示例性实施例的透射率，根据“X”形状的局部板电极192的边缘部分地产生了纹理，从而可以确认出产生“X”形状的纹理。图21示出了具有局部板电极的示例性实施例，该局部板电极在一个像素区域中具有两个矩形结构。图21示出了与图1的第一子像素电极对应的结构。图21的示例性实施例的像素电极包括具有两个矩形结构和从其延伸的微小分支电极193的局部板电极192。像素电极包括横跨像素区域的横向延伸件和纵向延伸件，横向延伸件横跨两个矩形结构的局部板电极。局部板电极192具有两个矩形结构，一个矩形结构形成为平行于纵向延伸件。在局部板电极192中，横向延伸件、纵向延伸件和微小分支电极193在像素区域的其余地方延伸并形成，同时微小分支电极193相对于局部板电极的一个边缘形成例如45度的角度。图21的示例性实施例还包括围绕像素区域的外部的微小分支连接件。微小分支连接件形成在像素区域的四个边缘处。然而，根据示例性实施例，微小分支连接件可以形成在至少一个边缘处，或者根本没有形成。根据图21的示例性实施例的像素包括阶梯提供件H。图21示意性地示出了如上述附图中之一的为对应的区域提供阶梯的阶梯提供件H。参照图21的示例性实施例的透射率，根据矩形的局部板电极192的边缘微弱地产生纹理。图22示出了根据本发明示例性实施例的像素电极的结构。在图22中，(a)和(b)示出了与图1的第二子像素电极对应的结构，图22的(c)示出了与图1的第一子像素电极对应的结构。参照图22的(a)和(b)，图22的(a)示出了在第二子像素电极的区域区域中形成一个局部板电极192l的情形，图22的(b)示出了在第二子像素电极的区域中上下连接两个局部板电极192l的结构。具体地，第二子像素电极形成在矩形区域中，当将矩形区域上下等分时，每个区域是正方形区域。在每个正方形区域中，形成具有菱形结构的一个局部板电极。在其它区域中，可以形成纵向延伸件(参照图22的(a))或横向延伸件(未示出)，微小分支电极形成在其余的区域中。参照图22的(a)，局部板电极192l接触第二子像素电极的侧表面的至少一个位置，并且在图22的(a)中接触两个位置。在图22的(c)中，局部板电极192h具有圆形结构。图22仅示出了与第一子像素电极对应的结构，然而，根据示例性实施例，局部板电极可以形成在第二子像素电极中，从而具有椭圆形结构，类似于图22的(b)，其中，可以形成两个圆形结构的局部板电极。可以在圆形结构的局部板电极192h的外部形成微小分支电极。参照图22的(c)和前面的局部板电极的结构，根据本发明示例性实施例的局部板电极可以具有多边形形状，例如菱形的四边形形状、八边形形状，或圆形形状。图23和图24示出了根据本发明示例性实施例的像素电极结构，在图23和图24中示出的像素电极的结构进一步改善了侧面可视性。即，在图23中示出的局部板电极192h和192l具有在水平方向上的宽度大于在竖直方向上的宽度的结构。在这种情况下，液晶分子的头方向(headdirection)向侧部倾斜，因此，在相应的液晶分子的头方向的观看方向上改善了侧面可视性。即，在另一示例性实施例中，液晶分子沿45度角的方向布置，然而，在图23的示例性实施例中，液晶分子以较小的角度布置，从而在侧面改善了视角特性。参照图24，在类似于图23的具有水平方向的大宽度的局部板电极结构中，液晶分子的取向方向示出为以小于45度的角布置。这是参考了由图24的虚线指示的区域。本发明的上述示例性实施例应用于各种像素结构，将参照图25至图32描述所应用的每个像素结构的典型示例。首先，参照图25和图26，将描述在从一个晶体管Q接收数据电压之后两个子像素通过存储电容器Cas结合的结构。图25是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的一个像素的等效电路图，图26是根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的下面板的布局图。根据本发明示例性实施例的液晶显示器包括信号线和连接到信号线的多个像素PX，信号线包括多条栅极线GL、多条数据线DL和多条存储电压线SL。每个像素PX包括一对第一子像素PXa和第二子像素PXb，其中，第一子像素PXa包括第一子像素电极(图26的191h)，第二子像素PXb包括第二子像素电极(图26的191l)。根据本发明示例性实施例的液晶显示器还包括连接到栅极线GL和数据线DL的开关元件Q、连接到开关元件Q且形成在第一子像素PXa中的第一液晶电容器Clca和第一存储电容器Csta、连接到开关元件Q且形成在第二子像素PXb中的第二液晶电容器Clcb和第二存储电容器Cstb以及形成在开关元件Q和第二液晶电容器Clcb之间的辅助电容器Cas。开关元件Q是设置在下面板100处的三端子元件，例如薄膜晶体管。开关元件Q包括连接到栅极线(GL)的控制端子、连接到数据线(DL)的输入端子以及连接到第一液晶电容器Clca、存储电容器Csta和辅助电容器Cas的输出端子。辅助电容器Cas的一个端子连接到开关元件Q的输出端子，另一个端子连接到第二液晶电容器Clcb和第二存储电容器Cstb。由于辅助电容器Cas，第二液晶电容器Clcb的充电电压低于第一液晶电容器Clca的充电电压，从而可以改善液晶显示器的侧面可视性。在根据本发明示例性实施例的液晶显示器的结构中，如图26所示，包括多条栅极线121和多条存储电压线131的多个栅极导体形成在由透明玻璃或塑料制成的绝缘基底(未示出)上。栅极线121传输栅极信号，并基本上沿水平方向延伸。每条栅极线121包括向上突出的多个栅电极124。存储电极线131接收预定的电压，并可以与栅极线121平行地延伸。每条存储电压线131设置在两条相邻的栅极线121之间。存储电压线131包括向下延伸的存储电极135a和135b。然而，存储电压线131以及存储电极135a和135b的形状和布置可以以不同方式改变。栅极绝缘层(未示出)形成在栅极导体121和131上。半导体岛154形成在栅极绝缘层上。半导体岛154设置在栅电极124上。包括多条数据线171和漏电极175的数据导体形成在半导体154和栅极绝缘层上。数据线171传输数据信号，并沿竖直方向延伸，由此与栅极线121和存储电压线131交叉。每条数据线171包括朝栅电极124延伸的源电极173。漏电极175与数据线171分开，并包括相对于栅电极124面对源电极173的条形端部。条形端部部分地由弯曲的源电极173围绕。漏电极175的另一端部与数据线171基本上平行地延伸，由此形成为穿过第一子像素PXa和第二子像素PXb，形成在第二子像素PXb中的部分称作辅助电极176。钝化层(未示出)形成在数据导体171和175以及半导体岛154上。钝化层可以由绝缘体制成，并具有平坦的表面。为上面的层提供阶梯的阶梯提供件形成在绝缘体的钝化层中，在图26中，阶梯提供槽185h和185l以及设置在阶梯提供槽185h和185l之间的交叉形状的突起182h和182l是阶梯提供件。如图26所示，阶梯提供槽185h和185l具有直角三角形结构，并且沿对角线方向彼此对称。因此，钝化层180包括交叉形状的突起182h和182l。滤色器可以形成在钝化层下方。多个像素电极191形成在钝化层上。每个像素电极191包括以预定的间隔形成的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l分别包括位于其中心处的局部板电极192h和192l以及沿倾斜方向从局部板电极192h和192l突出的多个微小分支电极193h和193l。第一子像素电极191h包括第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h，并连接到正方形区域之外的漏电极175的宽端部。第一局部板电极192h具有菱形形状，菱形的每个顶点与正方形区域的边界相接。第一局部板电极192h覆盖钝化层的第一阶梯提供槽185h和第一交叉形状的突起182h。因此，第一局部板电极192h具有由钝化层180的第一阶梯提供槽185h和第一交叉形状的突起182h提供的阶梯。这里，第一交叉形状的突起182h为位于正方形区域的中心处的液晶分子提供预倾斜，由此具有控制液晶分子的布置方向的作用，因此，减少了纹理。多个第一微小分支电极193h沿第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘延伸。多个第一微小分支电极193h相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘形成90度的角度。第二子像素电极191l包括第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l，并与辅助电极176叠置，由此形成辅助电容器Cas。第二局部板电极192l具有连接矩形区域的每个边的菱形形状。因此，菱形的每个顶点与矩形区域的边界相接。第二局部板电极192l覆盖钝化层的第二阶梯提供槽185l和第二交叉类型的突起182l。因此，第二局部板电极192l具有由钝化层的第二阶梯提供槽185l和第二交叉类型的突起182l提供的阶梯。多个第二微小分支电极193l从第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘延伸。多个第二微小分支电极193l填充矩形区域的其余区域，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘形成90±15度的角度。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与上面板的共电极和它们之间的液晶层一起形成第一液晶电容器和第二液晶电容器，从而在薄膜晶体管(图25的Q)被截止之后保持施加的电压。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与存储电极135a和135b叠置，从而形成第一存储电容器Csta和第二存储电容器Cstb，由此增强第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb的电压存储容量。在第一示例性实施例中，辅助电极176从漏电极175延伸，但本发明不限于此，辅助电极176可以与漏电极175分开。此时，钝化层包括形成在第一子像素电极191h上的接触孔，辅助电极176可以通过接触孔连接到第一子像素电极191h，并可以与第二子像素电极191l叠置。在下文中，参照图27和图28，在两个子像素分别从晶体管Qa和Qb接收相同的数据电压之后，第二子像素电极(图28的191l)的电荷流到第三开关元件Qc的辅助电容器Cas，从而第二液晶电容器Clcb的电压降低。将参照图27和图28描述根据本发明示例性实施例的液晶显示器。图27是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的一个像素的等效电路图，图28是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的下面板的布局图。根据本发明示例性实施例的液晶显示器包括信号线以及连接到信号线的多个像素PX，信号线包括多条栅极线GLn和GLn+1、多条数据线DL以及多条存储电压线SL。每个像素PX包括一对第一子像素PXa和第二子像素PXb，第一子像素PXa包括第一子像素电极(图28的191h)，而第二子像素PXb包括第二子像素电极(图28的191l)。根据本发明示例性实施例的液晶显示器还包括连接到栅极线GLn和数据线DL的第一开关元件Qa和第二开关元件Qb、连接到第一开关元件Qa且形成在第一子像素PXa中的第一液晶电容器Clca和第一存储电容器Csta、连接到第二开关元件Qb且形成在第二子像素PXb中的第二液晶电容器Clcb和第二存储电容器Cstb、连接到第二开关元件Qb且由下一级的栅极线GLn+1切换的第三开关元件Qc以及连接到第三开关元件Qc的辅助电容器Cas。作为三端子元件(例如薄膜晶体管等)且设置在下显示面板100上的第一开关元件Qa和第二开关元件Qb包括：它们的控制端子，连接到栅极线GLn；它们的输入端子，连接到数据线DL；它们的输出端子，分别连接到第一液晶电容器Clca和第一存储电容器Csta以及第二液晶电容器Clcb和第二存储电容器Cstb。也作为3端子元件(例如，薄膜晶体管等)且设置在下显示面板100上的第三开关元件Qc包括连接到随后的栅极线GLn+1的控制端子、连接到第二液晶电容器Clcb的输入端子和连接到辅助电容器Cas的输出端子。辅助电容器Cas的一个端子连接到第三开关元件Qc的输出端子，另一个端子连接到存储电压线SL。在下文中，将描述根据本发明示例性实施例的液晶显示器的操作。当栅极导通电压施加到栅极线GLn时，连接到其的第一开关元件Qa和第二开关元件Qb被导通，数据线171的数据电压施加到第一子像素电极和第二子像素电极(图28的191h和191l)。随后，当栅极截止电压施加到栅极线GLn，并且栅极导通电压施加到随后的栅极线GLn+1时，第一开关元件Qa和第二开关元件Qb被截止，且第三开关元件Qc被导通。因此，连接到第二开关元件Qb的输出端子的第二子像素电极(图28的191l)的电荷流到辅助电容器Cas中，从而降低第二液晶电容器Clcb的电压。如上所述，第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb的充电电压彼此不同，从而改善了液晶显示器的侧面可视性。在根据本发明的第二示例性实施例的液晶显示器的结构中，包括多条第一栅极线121、多条第二栅极线123和多条存储电极线131的多个栅极导体形成在由透明玻璃或塑料制成的绝缘基底(未示出)上，如图28所示。第一栅极线121和第二栅极线123主要沿横向方向延伸，并传递栅极信号。第一栅极线121包括向上突出的第一栅电极124a和第二栅电极124b。第二栅极线123包括向上突出的第三栅电极124c。第一栅电极124a和第二栅电极124b彼此连接，从而形成一个突起。存储电极线131主要沿横向方向延伸，并传递预定的电压，例如共电压等。存储电极线131包括向上和向下延伸的存储电极135a和135b。在这种情况下，存储电极线131以及存储电极135a和135b的形状和布局可以进行不同方式地改变。栅极绝缘层(未示出)形成在栅极导体121、123和131上。多个半导体岛154形成在栅极绝缘层140上。半导体岛154包括设置在第一栅电极124a上的第一半导体154a、设置在第二栅电极124b上的半导体154b以及设置在第三栅电极124c上的第三半导体154c。第一半导体154a和第二半导体154b可以彼此连接。包括多条数据线171、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第三源电极173c和第三漏电极175c的数据导体形成在半导体154和栅极绝缘层140上。数据线171传递数据信号，并主要沿纵向方向延伸，由此与第一栅极线121和第二栅极线123交叉。每条数据线171包括朝第一栅电极124a和第二栅电极124b延伸的第一源电极173a和第二源电极173b。第一源电极173a和第二源电极173b彼此连接。第一漏电极175a、第二漏电极175b和第三漏电极175c中的每个包括一个宽端部和另一个棒形状的端部。第一漏电极175a和第二漏电极175b的棒形状的端部分别由第一源电极173a和第二源电极173b部分地围绕。第三漏电极175c还由第三源电极173c部分地围绕。第二漏电极175b的一个宽的端部连接到第三源电极173c。第三漏电极175c的宽端部177c与存储电极线131的延伸部135a部分地叠置，从而形成辅助电容器Cas。第一/第二/第三栅电极124a/124b/124c、第一/第二/第三源电极173a/173b/173c和第一/第二/第三漏电极175a/175b/175c与第一/第二/第三半导体154a/154b/154c一起形成第一/第二/第三薄膜晶体管(TFT)(图27的Qa/Qb/Qc)。薄膜晶体管的沟道形成在每个源电极173a/173b/173c和每个漏电极175a/175b/175c之间的每个半导体154a/154b/154c中。钝化层(未示出)形成在数据导体171、175a、175b和175c以及半导体154a、154b和154c的暴露部分上。钝化层由绝缘体制成，并具有平坦的表面。为上面的层提供阶梯的阶梯提供件形成在绝缘体的钝化层中，在图28中，阶梯提供槽185h和185l以及设置在阶梯提供槽185h和185l之间的交叉形状的突起182h和182l是阶梯提供件。如图28所示，阶梯提供槽185h和185l具有直角三角形结构，并沿对角线方向彼此对称。因此，钝化层包括交叉形状的突起182h和182l。钝化层包括分别暴露第一漏电极175a的宽端部和第二漏电极175b的宽端部的多个接触孔184a和184b。滤色器可以形成在钝化层下方。多个像素电极191形成在钝化层上。每个像素电极191包括以预定的间隔形成的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l分别包括位于其中心处的局部板电极192h和192l以及沿倾斜方向从局部板电极192h和192l突出的多个微小分支电极193h和193l。第一子像素电极191h包括第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h，并连接到形成第一子像素电极191h的区域外部的漏电极175a的宽端部。第一局部板电极192h具有菱形形状，菱形的每个顶点与正方形区域的边界相接。第一局部板电极192h覆盖钝化层的第一阶梯提供槽185h和第一交叉形状的突起182h。因此，第一局部板电极192h具有由钝化层180的第一阶梯提供槽185h和第一交叉形状的突起182h提供的阶梯。这里，第一交叉形状的突起182h对位于正方形区域的中心处的液晶分子提供预倾斜，由此控制液晶分子的布置方向，因此，减少了纹理。多个第一微小分支电极193h沿第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘延伸。多个第一微小分支电极193h相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘形成90度的角度。第二子像素电极191l包括第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l，并连接到形成第二子像素电极的区域之外的第二漏电极175b的宽端部。第二局部板电极192l具有连接矩形区域的每个边的菱形形状。因此，菱形的每个顶点与矩形区域的边界相接。第二局部板电极192l覆盖钝化层的第二阶梯提供槽185l和第二交叉形状的突起182l。因此，第二局部板电极192l具有由钝化层的第二阶梯提供槽185l和第二交叉形状的突起182l提供的阶梯。多个第二微小分支电极193l从第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘延伸。多个第二微小分支电极193l填充矩形区域的其余区域，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘形成90±15度的角度。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与上面板的共电极和设置在它们之间的液晶层一起形成第一液晶电容器和第二液晶电容器(图27的Clca和Clcb)，从而在薄膜晶体管(图27的Qa和Qb)被截止之后保持施加的电压。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与存储电极135a和135b叠置，从而形成第一存储电容器Csta和第二存储电容器Cstb，由此增强第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb的电压存储容量。在下文中，参照图29和图30，将描述来自晶体管Qa和Qb的不同的数据电压分别施加到两个子像素的结构。图29是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的一个像素的等效电路图，图30是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的下面板的布局图。参照图29和图30，根据本发明示例性实施例的液晶显示器包括彼此面对的下面板100和上面板200以及设置在这两个面板100和200之间的液晶层3。首先，将描述下面板100。多条栅极线121以及多条存储电压线131和135形成在绝缘基底110上。栅极线121传输栅极信号，并大体上沿横向方向行进。栅极线121均包括向上突出的多个第一栅电极124a和第二栅电极124b。存储电极线包括基本上平行于栅极线121延伸的主干131和从主干131突出的多个存储电极135。存储电极线131和135的形状和设置可以以各种方式改变。栅极绝缘层140形成在栅极线121以及存储电极线131和135上，多个半导体154a和154b利用非晶硅或结晶硅形成在栅极绝缘层140上。多个成对的欧姆接触件(未示出)分别形成在半导体154a和154b上。欧姆接触件(未示出)可以用硅化物形成，或者可以用以高浓度掺杂n型杂质的n+氢化的非晶硅形成。多个成对的数据线171a和171b以及多个成对的第一漏电极175a和第二漏电极175b形成在欧姆接触件(未示出)和栅极绝缘层140上。数据线171a和171b传输数据信号，并大体上沿竖直方向行进，从而它们与栅极线121和存储电极线的主干131交叉。数据线171a和171b包括以字母U的形状朝第一栅电极124a和第二栅电极124b弯曲的第一源电极173a和第二源电极173b。第一源电极173a和第二源电极173b在第一栅电极124a和第二栅电极124b周围面对第一漏电极175a和第二漏电极175b。第一漏电极175a和第二漏电极175b包括被第一源电极173a和第二源电极173b部分地围绕的一侧的端部、从前面的端部向上延伸的主体部分以及将与其它层连接的相对侧的宽端部。包括第一漏电极175a和第二漏电极175b的数据线171a和171b的形状和设置可以以各种方式改变。第一栅电极124a和第二栅电极124b、第一源电极173a和第二源电极173b以及第一漏电极175a和第二漏电极175b与第一半导体154a和第二半导体154b一起形成第一薄膜晶体管(TFT)Qa和第二薄膜晶体管Qb，第一薄膜晶体管Qa和第二薄膜晶体管Qb的沟道形成在第一源电极173a和第二源电极173b与第一漏电极175a和第二漏电极175b之间的第一半导体154a和第二半导体154b处。欧姆接触件仅存在于下面的半导体154a和154b与上面的数据线171a和171b及漏电极175a和175b之间，从而减小它们之间的接触电阻。半导体154a和154b具有未被数据线171a和171b以及漏电极175a和175b覆盖的暴露部分，包括其位于源电极173a和173b与漏电极175a和175b之间的部分。钝化层形成在数据线171a和171b、漏电极175a和175b以及暴露的半导体154a和154b上。钝化层由绝缘体制成，并具有平坦的表面。为上面的层提供阶梯的阶梯提供件形成在绝缘体的钝化层中，在图30中，阶梯提供槽185h和185l以及设置在阶梯提供槽185h和185l之间的交叉形状的突起182h和182l是阶梯提供件。如图30所示，阶梯提供槽185h和185l具有直角三角形结构，并且沿对角线方向彼此对称。因此，钝化层包括交叉形状的突起182h和182l。滤色器可以形成在钝化层下方。多个像素电极191形成在钝化层上。每个像素电极191包括以预定的间隔形成的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l分别包括位于其中心处的局部板电极192h和192l以及沿倾斜方向从局部板电极192h和192l突出的多个微小分支电极193h和193l。第一子像素电极191h包括第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h，并在形成第一子像素电极191h的区域之外连接到漏电极175a。第一局部板电极192h具有菱形形状，菱形的每个顶点与正方形区域的边界相接。第一局部板电极192h覆盖钝化层的第一阶梯提供槽185h和第一交叉形状的突起182h。因此，第一局部板电极192h具有由钝化层180的第一阶梯提供槽185h和第一交叉形状的突起182h提供的阶梯。这里，第一交叉形状的突起182h对位于正方形区域的中心处的液晶分子提供预倾斜，由此控制液晶分子的布置方向，因此，减少了纹理。多个第一微小分支电极193h沿第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘延伸。多个第一微小分支电极193h相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘形成90度的角度。第二子像素电极191l包括第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l，并且在形成第二子像素电极的区域之外连接到第二漏电极175b。第二局部板电极192l具有连接矩形区域的每个边缘的菱形形状。因此，菱形的每个顶点与矩形区域的边界相接。第二局部板电极192l覆盖钝化层的第二阶梯提供槽185l和第二交叉形状的突起182l。因此，第二局部板电极192l具有由钝化层的第二阶梯提供槽185l和第二交叉形状的突起182l提供的阶梯。多个第二微小分支电极193l从第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘延伸。多个第二微小分支电极193l填充矩形区域的其它地方，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘形成90±15度的角度。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与上面板的共电极和它们之间的液晶层一起形成第一液晶电容器和第二液晶电容器，从而在薄膜晶体管(图29的Q)被截止之后保持施加的电压。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与存储电极135a和135b叠置，从而形成第一存储电容器Csta和第二存储电容器Cstb，由此增强第一液晶电容器和第二液晶电容器Clca和Clcb的电压存储容量。在下文中，参照图31和图32，将描述这样的结构，在此结构中，在两个子像素从晶体管Qa和Qb接收到相同的数据电压之后，显示在每个子像素中的灰阶然后由于连接到电源线的使电压摆动的电容器Csa和Csb而改变。图31是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的一个像素的等效电路图，图32是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的下面板的布局图。如图31所示，根据本发明示例性实施例的液晶显示器包括栅极线GL、数据线DL、第一功率线SL1、第二功率线SL2以及连接到栅极线GL和数据线DL的第一开关元件Qa和第二开关元件Qb。根据本发明示例性实施例的液晶显示器还包括连接到第一开关元件Qa的辅助升压电容器Csa和第一液晶电容器Clca以及连接到第二开关元件Qb的辅助降压电容器Csb和第二液晶电容器Clcb。第一开关元件Qa和第二开关元件Qb由三端子元件(例如，薄膜晶体管)制成。第一开关元件Qa和第二开关元件Qb连接到相同的栅极线GL和相同的数据线DL以被导通，从而同时输出相同的数据信号。在恒定时段摆动的电压施加到第一功率线SL1和第二功率线SL2。在预定时段(例如，1H)期间将第一低电压施加到第一功率线SL1，在下一个预定时段期间将第一高电压施加到第一功率线SL1。在所述预定时段期间将第二高电压施加到第二功率线SL2，在所述下一个预定时段期间将第二低电压施加到第二功率线SL2。在这种情况下，第一时段和第二时段在一个帧期间重复若干次，从而摆动的电压施加到第一功率线SL1和第二功率线SL2。在这种情况下，第一低电压和第二低电压可以相同，第一高电压和第二高电压可以相同。辅助升压电容器Csa连接到第一开关元件Qa和第一功率线SL1，辅助降压电容器Csb连接到第二开关元件Qb和第二功率线SL2。如果将第一低电压施加到第一功率线SL1，则辅助升压电容器Csa的连接到第一开关元件Qa的端子(在下文中称作“第一端子”)的电压Va降低，但是如果将第一高电压施加到第一功率线SL1，则电压Va将升高。接下来，第一端子的电压Va根据第一功率线SL1的电压的摆动而摆动。如果将第二高电压施加到第二功率线SL2，则辅助降压电容器Csb的连接到第二开关元件Qb的端子(在下文中称作“第二端子”)的电压Vb升高，但是如果将第二低电压施加到第二功率线SL2，则电压Vb降低。接下来，第二端子的电压电压Vb根据第二功率线SL2的电压的摆动而摆动。如上所述，尽管将相同的数据电压施加到两个子像素，但是两个子像素的像素电极的电压Va和Vb根据在第一功率线SL1和第二功率线SL2中摆动的电压的幅值而不同，从而两个子像素的透射率是不同的，由此改善了侧面可视性。参照图32，将描述根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器的结构。多条栅极线121、第一功率线131a和第二功率线131b形成在由透明玻璃或塑料制成的第一基底(未示出)上。栅极线121传输栅极信号，并主要沿横向方向延伸。栅极线121包括向上突出的第一栅电极124a和向下突出的第二栅电极124b。在预定时段摆动的电压施加到第一功率线131a和第二功率线131b。在预定时段(例如，1H)期间将第一低电压施加到第一功率线131a，在下一个预定时段期间将第一高电压施加到第一功率线131a。在所述预定时段将第二高电压施加到第二功率线131b，在所述下一个预定时段将第二低电压施加到第二功率线131b。在这种情况下，第一时段和第二时段在一个帧期间重复若干次，从而电压摆动重复地施加到第一功率线131a和第二功率线131b。在这种情况下，第一低电压和第二低电压可以相同，第一高电压和第二高电压可以相同。第一功率线131a可以形成在基于栅极线121的上侧处，第二功率线131b可以形成在基于栅极线121的下侧处。栅极绝缘层(未示出)形成在栅极线121、第一功率线131a和第二功率线131b上。半导体岛(未示出)形成在栅极绝缘层上。半导体设置在第一栅电极124a和第二栅电极124b上。多条数据线171、第一源电极173a、第二源电极173b、第一漏电极175a和第二漏电极175b形成在半导体和栅极绝缘层上。数据线171传输数据信号，并主要沿纵向方向延伸，由此与栅极线121以及功率线131a和131b交叉。如图32所示，数据线171未被形成为直线。每条数据线171包括彼此连接的第一子数据线171a和第二子数据线171b，第一子数据线171a和第二子数据线171b设置在不同的位置处。第一子数据线171a相邻于数据线171的右侧沿像素电极191的边缘形成，第二子数据线171b相邻于数据线171的左侧沿像素电极191的边缘形成。第一源电极173a和第二源电极173b分别在第一栅电极124a和第二栅电极124b上从数据线171突出。第一源电极173a和第二源电极173b从相同的数据线171突出，由此接收相同的数据电压。第一源电极173a和第二源电极173b以“U”形状形成。第一漏电极175a与第一源电极173a隔开，并包括基于第一栅电极124a面对第一源电极173a的条形端部和延伸为与第一功率线131a部分地叠置的延伸部。第一漏电极175a的条形端部被“U”形状的第一源电极173a部分地围绕。第一漏电极175a的延伸部是交叉形状。第二漏电极175b与第二源电极173b隔开，并包括基于第二栅电极124b面对第二源电极173b的条形端部和延伸为与第一功率线131b部分地叠置的延伸部。第二漏电极175b的条形端部被“U”形状的第二源电极173b部分地围绕。第二漏电极175b的延伸部是交叉形状。第一栅电极124a、第一源电极173a和第一漏电极175a形成第一开关元件(图31的Qa)，第二栅电极124b、第二源电极173b和第二漏电极175b形成第二开关元件(图31的Qb)。钝化层形成在数据线171、第一源电极173a和第二源电极173b以及第一漏电极175a和第二漏电极175b上。钝化层由绝缘体制成，并具有平坦的表面。为上面的层提供阶梯的阶梯提供件形成在绝缘体的钝化层中，在图32中，阶梯提供槽185h和185l以及设置在阶梯提供槽185h和185l之间的交叉形状的突起182h和182l是阶梯提供件。如图32所示，阶梯提供槽185h和185l具有直接三角形结构，并且沿对角线方向彼此对称。因此，钝化层180包括交叉类型的突起182h和182l。钝化层包括暴露第一漏电极175a的一部分的第一接触孔181a和暴露第二漏电极175b的一部分的第二接触孔181b。滤色器可以形成在钝化层下方。多个像素电极191形成在钝化层上。每个像素电极191包括以预定的间隔形成的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l分别包括设置其中心处的局部板电极192h和192l以及沿倾斜方向从局部板电极192h和192l突出的多个微小分支电极193h和193l。第一子像素电极191h包括第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h，并连接到第一漏电极175a的位于形成第一子像素电极191h的区域的中心(第一局部板电极192h)中的延伸部。第一漏电极175a和第一子像素电极191h相连接的位置位于图32中的第一交叉形状的突起182h上。根据示例性实施例，第一漏电极175a和第一子像素电极191h可以通过第一阶梯提供槽185h或在其它区域处连接。第一局部板电极192h具有菱形形状，菱形的每个顶点与四边形区域的边界相接。第一局部板电极192h覆盖钝化层的第一阶梯提供槽185h和第一交叉形状的突起182h。因此，第一局部板电极192h具有由钝化层180的第一阶梯提供槽185h和第一交叉形状的突起182h提供的阶梯。这里，第一交叉形状的突起182h对位于四边形区域的中心处的液晶分子提供预倾斜，由此控制液晶分子的排列方向，因此，减少了纹理。多个第一微小分支电极193h沿第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘延伸。多个第一微小分支电极193h相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘形成90±15度的角度。同时，第二子像素电极191l包括第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l，并连接到第二漏电极175b的位于形成第二子像素电极191l的区域的中心(第二局部板电极192l)中的延伸部。第二漏电极175b和第二子像素电极191l相连接的位置位于图32中的第二交叉形状的突起182l上。然而，根据示例性实施例，第二漏电极175b和第二子像素电极191l可以通过第二阶梯提供槽185l或在其它区域处连接。第二局部板电极192l具有连接四边形区域的每个边缘的菱形形状。因此，菱形的每个顶点与四边形区域的边界相接。第二局部板电极192l覆盖钝化层的第二阶梯提供槽185l和第二交叉形状的突起182l。因此，第二局部板电极192l具有由钝化层的第二阶梯提供槽185l和第二交叉形状的突起182l提供的阶梯。多个第二微小分支电极193l从第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘延伸。多个第二微小分支电极193l填充矩形区域的其它地方，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘形成90±15度的角度。尽管在附图中未示出，但是被施以恒定电压的共电极(未示出)形成在面对第一基底且同时附于第一基底的第二基底(未示出)上，液晶层(未示出)形成在第一基底和第二基底之间。即使在第一开关元件Qa和第二开关元件Qb处于截止状态之后，第一子像素电极191a和第二子像素电极191b因与形成在第二基底上的共电极以及设置在它们之间的液晶层协作形成第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb而仍保持施加的电压。第一子像素电极191a与第一功率线131a和设置在它们之间的钝化层一起形成辅助升压电容器(图31的Csa)，从而升高第一液晶电容器(图31的Clca)的电压。第二子像素电极191b与第二功率线131b和设置在它们之间的钝化层一起形成辅助降压电容器(图31的Csb)，从而降低第二液晶电容器(图31的Clcb)的电压。根据施加到功率线131a和131b的电压，辅助升压电容器(图31的Csa)降低第一液晶电容器(图31的Clca)的电压，辅助降压电容器(图31的Csb)升高第二液晶电容器(图31的Clcb)的电压。取向层可以形成在根据本发明示例性实施例的液晶显示器的第一基底和第二基底上，可以通过向取向层照射光来实现控制液晶的取向方向和取向角度的光取向(参照图44)。在图32中，部分B是出现纹理的区域，与其它区域相比，此处的亮度较高。因此，可以通过覆盖相应的部分来减小纹理效应。其中，以其侧面和前面来考虑，因为液晶以0度的角度取向，所以与第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的中心交叉的竖直线部分与其它区域在亮度方面不具有大的差异。另一方面，以其侧面来考虑，因为液晶以90度的角度定位，所以与第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的中心交叉的水平线部分与其它区域在亮度方面具有大的差异。因此，可以形成第一功率线131a和第二功率线131b，使得它们覆盖与第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的中心交叉的水平线部分，由此防止纹理效应。在图32中，数据线171的结构未以直线形状形成，以覆盖形成在像素的边缘处的纹理。即，第一子数据线171a和第二子数据线171b交替地设置为彼此连接。第一子像素电极191a和第二子像素电极191b分别分为上部和下部，第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的上部的左侧的边缘与第一子数据线171a叠置，第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的下部的右侧的边缘与第二子数据线171b叠置。因此，根据此布置，可以减少形成在像素的边缘处的纹理。如图1、图4、图7、图17和图25至图32所示，如在本发明的示例性实施例中，包括局部板电极、微小分支电极和阶梯提供件的结构可以应用于一个像素被分为至少两个子像素的各种示例性实施例。这可以应用于一个像素未被划分的情形。在下面的示例性实施例中，将参照图33至图43描述阶梯提供件(例如，开口)形成在滤色器230中的示例性实施例。首先，将参照图33至图35描述根据本发明另一示例性实施例的液晶显示器。图33是根据本发明示例性实施例的液晶显示器的布局图，图34是沿图33的线XXXIV-XXXIV截取的剖视图，图35是图33的液晶显示器的一个像素的等效电路图。参照图33和图34，根据当前示例性实施例的液晶显示器包括彼此面对的下面板100和上面板200、设置在这两个显示面板100和200之间的液晶层3以及附于显示面板100和200的外表面处的一对偏振器(未示出)。现在，将描述下面板100。包括多条栅极线121、多条降压栅极线123和多条存储电极线131的多个栅极导体形成在绝缘基底110上。栅极线121和降压栅极线123传递栅极信号，并主要沿横向方向延伸。每条栅极线121包括向上和向下突出的第一栅电极124h和第二栅电极124l，每条降压栅极线123包括向上突出的第三栅电极124c。在图33的示例性实施例中，第一栅电极124h和第二栅电极124l彼此连接，由此形成一个突起。存储电极线131主要沿横向方向延伸，并传递预定的电压，例如共电压Vcom。存储电极线131包括存储电极135a、135b和135c以及向下延伸的电容器电极134。存储电压线131包括向上延伸的两个第一纵向存储电极部分135a、连接两个第一纵向存储电极部分135a的横向存储电极部分135b以及从横向存储电极部分135b进一步向上延伸的两个第二纵向存储电极部分135c。第一纵向存储电极部分135a沿形成在其上的第一子像素电极191h的纵向边缘形成，第二纵向存储电极部分135c沿形成在其上的第二子像素电极191l的纵向边缘形成。横向存储电极部分135b设置在前面的第二子像素电极191l的横向边缘和当前的第一子像素电极191h的横向边缘之间，并沿这两个横向边缘形成。因此，第一纵向存储电极部分135a和横向存储电极部分135b沿第一子像素电极191h的边缘形成，由此与第一子像素电极191h至少部分地叠置，第二纵向存储电极部分135c和横向存储电极部分135b沿第二子像素电极191l的边缘形成，由此与第二子像素电极191l至少部分地叠置。在图33中，上面的横向存储电极部分135b和下面的横向存储电极部分135b看起来彼此隔开，但实际上，上下相邻的像素PX的横向存储电极部分135b彼此电连接。栅极绝缘层140形成在栅极导体121和123以及存储电压线131上。由氢化的非晶硅(a-Si)、多晶硅等制成的多个半导体形成在栅极绝缘层140上。半导体主要沿竖直方向延伸，每个半导体包括朝第一栅电极124h和第二栅电极124l延伸并彼此连接的第一半导体154h和第二半导体154l以及连接到第二半导体154l的第三半导体154c。第三半导体154c延伸，由此形成第四半导体157。多个欧姆接触件(未示出)形成在半导体154h、154l和154c上，其中，第一欧姆接触件(未示出)形成在第一半导体154h上，第二欧姆接触件(未示出)和第三欧姆接触件(未示出)分别形成在第二半导体154l和第三半导体154c上。第三欧姆接触件延伸，由此形成第四欧姆接触件167。包括多条数据线171、多个第一漏电极175h、多个第二漏电极175l和多个第三漏电极175c的数据导体形成在欧姆接触件上。数据线171传输数据信号，并沿纵向方向延伸，由此与栅极线121和降压栅极线123交叉。每条数据线171包括朝第一栅电极124h和第二栅电极124l延伸且彼此连接的第一源电极173h和第二源电极173l。第一漏电极175h、第二漏电极175l和第三漏电极175c包括具有宽区域的一个端部和具有线性形状的另一端部。第一漏电极175h和第二漏电极175l的条形端部被第一源电极173h和第二源电极173l部分地围绕。第二漏电极175l的宽端部再次延伸，由此形成具有“U”形状的第三源电极173c。第三漏电极175c的宽端部177c与电容器电极134叠置，由此形成降压电容器Cstd，条形端部被第三源电极173c部分地围绕。第一/第二/第三栅电极124h/124l/124c、第一/第二/第三源电极173h/173l/173c和第一/第二/第三漏电极175h/175l/175c与第一/第二/第三半导体154h/154l/154c一起形成第一/第二/第三薄膜晶体管(TFT)Qh/Ql/Qc，薄膜晶体管的沟道分别形成在源电极173h/173l/173c和漏电极175h/175l/175c之间的半导体154h/154l/154c中。除了源电极173h、173l和173c与漏电极175h、175l和175c之间的沟道区域之外，包括半导体154h、154l和154c的半导体与数据导体171、175h、175l和175c以及第一欧姆接触件至第四欧姆接触件具有基本上相同的形状。即，包括半导体154h、154l和154c的半导体具有未被数据导体171、175h、175l和175c覆盖的部分以及位于源电极173h、173l和173c与漏电极175h、175l和175c之间的部分。由诸如氮化硅或氧化硅的非绝缘体制成的下钝化层(未示出)形成在数据导体171、175h、175l、175c以及暴露的半导体154h、154l和154c上。滤色器230设置在下钝化层(未示出)上。每个滤色器230在相邻的数据线171之间沿纵向方向形成，并具有与第一子像素电极191h和第二子像素电极191l叠置的开口235h和235l。如图33所示，开口235h和235l具有直角三角形形状，并沿对角线方向彼此对称。因此，滤色器230包括交叉形状的突起232。每个滤色器230可以显示诸如红色、绿色和蓝色的三种原色中的一种，滤色器230可以在数据线171上彼此叠置。上钝化层180q形成在被开口235h和235l暴露的下钝化层(未示出)以及滤色器230上。上钝化层180q防止滤色器230的剥落，并抑制液晶层3被从滤色器230流入的溶剂的有机材料污染，因而上钝化层180q防止了当驱动图像时可能出现的缺陷(例如，余像)，并且上钝化层180q可以由非绝缘体(例如，氮化硅或氧化硅)或有机材料制成。下钝化层(未示出)、滤色器230和上钝化层180q具有分别暴露第一漏电极175h的宽端部和第二漏电极175l的宽端部的多个第一接触孔185h和多个第二接触孔185l。多个像素电极191形成在上钝化层180q上。像素电极191包括基于两条栅极线121和123而分开、设置在像素区域上方和下方且沿列方向彼此相邻的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l分别包括局部板电极192h和192l以及沿倾斜方向从局部板电极192h和192l突出的多个微小分支电极193h和193l。第一子像素电极191h包括第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h，多个第一微小分支电极193h设置在正方形区域中，并通过延伸到正方形区域外部的第一连接件197h连接到第一漏电极175a的宽端部。第一局部板电极192h具有菱形形状，其中心位于正方形区域的中心处，菱形的每个顶点与正方形区域的边界相接。第一局部板电极192h覆盖滤色器230的开口235h和第一交叉形状的突起232h。因此，第一局部板电极192h具有由滤色器230的第一开口235h提供的阶梯。这里，参照图34，第一交叉形状的突起232h为位于正方形区域的中心处的液晶分子提供预倾斜，由此控制液晶分子的排列方向，因此，减少了纹理。多个第一微小分支电极193h沿第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘延伸。多个第一微小分支电极193h填充正方形区域的其它地方，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘形成90度的角度。在图33的示例性实施例中，第一子像素电极191h包括沿纵向方向或水平方向连接第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h的端部的第一微小分支连接件194h。然而，根据示例性实施例，可以省去第一连接件194h，在这种情况下，多个第一微小分支电极193h突出到外部。另一方面，第二子像素电极191l包括形成在具有纵向边缘的矩形区域中的第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l，并通过延伸到矩形区域外部的第二微小分支连接件194l连接到第二漏电极175l的宽端部。第二局部板电极192l具有所有边的长度均相同的菱形形状，其中心位于矩形区域的中心处，菱形的顶点中的左顶点/右顶点与矩形区域的边界相接。沿竖直方向延伸的纵向延伸件195l在第二局部板电极192l的其余两个顶点处连接，纵向延伸件195l的另一端部与矩形区域的边界相接。第二局部板电极192l覆盖滤色器230的第二开口235l和第二交叉形状的突起232l。因此，第二局部板电极192l具有由滤色器230的第二开口235l提供的阶梯，如图33和图34所示。多个第二微小分支电极193l从第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘和两个纵向延伸件195l延伸。多个第二微小分支电极193l填充矩形区域的其它地方，相对于栅极线121或数据线171形成45度的角度，并相对于第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘形成90±15度的角度。在图32的示例性实施例中，第二子像素电极191l包括第二局部板电极192l和沿纵向方向连接多个第二微小分支电极193l的端部的第二纵向延伸件194l。此时，第一纵向延伸件194h和第一微小分支电极193h形成45度的角度。然而，根据示例性实施例，可以省去第二纵向延伸件194l，在这种情况下，多个第二微小分支电极193l突出到外部。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l通过第一接触孔185h和第二接触孔185l从第一漏电极175h和第二漏电极175l接收数据电压。被施加以数据电压的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与共电极面板200的共电极270协作产生电场，以确定两个电极191和270之间的液晶层3的液晶分子的方向。如上所述，根据确定的液晶分子的方向，穿过液晶层3的光的亮度改变。第一子像素电极191h和共电极270与它们之间的液晶层3协作形成第一液晶电容器Clch，第二子像素电极191l和共电极270与它们之间的液晶层3协作形成第二液晶电容器Clcl，从而即使第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql被截止，仍保持施加的电压。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与存储电极135和存储电极线131叠置，从而形成第一存储电容器Csth和第二存储电容器Cstl，第一存储电容器Csth和第二存储电容器Cstl增强第一液晶电容器Clch和第二液晶电容器Clcl的电压保持能力。电容器电极134和第三漏电极175c的宽端部177c与它们之间的栅极绝缘层140以及半导体层157和欧姆接触件167叠置，从而形成降压电容器Cstd。在本发明的另一示例性实施例中，可以去除设置在构成降压电容器Cstd的电容器电极134和第三漏电极175c的宽端部177c之间的半导体层157和欧姆接触件167。下取向层(未示出)形成在像素电极191和暴露的上钝化层180q上。下取向层可以是垂直取向层，并可以包括光反应性材料。下面将描述上面板200。光阻挡构件220设置在绝缘基底210下方。光阻挡构件220称作黑色矩阵，并防止光泄漏。光阻挡构件220根据栅极线121和降压栅极线123向上和向下延伸，并覆盖第一薄膜晶体管Qh、第二薄膜晶体管Ql和第三薄膜晶体管Qc的区域，并且根据数据线171延伸，且覆盖数据线171的周围。未被光阻挡构件220覆盖的区域向外部发射光，由此显示图像。提供平坦的下表面且由有机材料制成的平坦化层250形成在光阻挡构件220下方。根据图34的示例性实施例，光阻挡构件220形成在上面板200中，但是根据示例性实施例，光阻挡构件220可以形成在下面板100中。由透明导电材料制成的共电极270形成在平坦化层250下方。上取向层(未示出)形成在共电极270下方。上取向层可以是垂直取向层，并可以是光聚合物材料经过光取向的取向层。偏振器(未示出)形成在显示面板100和200的外表面上，两个偏振器的偏振轴交叉，并且其中一个偏振轴可以平行于栅极线121。可选地，偏振器可以仅设置在两个显示面板100和200中的一个外表面上。液晶层3具有负介电各向异性。在不存在电场的情况下，液晶层3的液晶分子排列为使得液晶分子的纵向轴可以垂直于两个面板100和200的表面。因此，在没有电场的情况下，入射光不穿过交叉的偏振器，而是被阻挡。如上所述，因为被施加以数据电压的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与共电极面板200的共电极270协作产生电场，所以在没有电场的情况下相对于两个电极191和270的表面垂直取向的液晶层3的液晶分子相对于两个电极191和270的表面沿水平方向定位，并且穿过液晶层3的光的亮度根据液晶分子的倾斜度而改变。液晶显示器还包括间隔件(未示出)，以保持两个显示面板100和200之间的盒间隙，间隔件附于上面板200，并可以设置在共电极270下方。设置在下面板100和上面板200之间的液晶层3包括具有负介电各向异性的液晶分子31。液晶层3还可以包括通过光(例如，紫外光)而聚合的聚合物。包括在液晶层3中的该聚合物提供对液晶层3的预倾斜，将在图44中详细描述提供预倾斜角度的方法。即，当在没有提供预倾斜角度的聚合物的情况下足以控制排列方向时，液晶层3可以不包括该聚合物。同时，根据本发明的示例性实施例，形成在上面板200和下面板100中的取向层可以包括通过光(例如，紫外光)而聚合的聚合物，可以通过在图44中示出的方法来包括该聚合物。此时，液晶层3可以不包括该聚合物。图33的示例性实施例包括上钝化层180q和下钝化层(未示出)。即，上钝化层180q和下钝化层(未示出)形成在滤色器230上方和下方，根据本发明的示例性实施例，可以去除上钝化层180q和下钝化层(未示出)，或者可以仅去除一个钝化层。接下来将参照图36描述包括图33的液晶显示器中的特性的滤色器和像素电极的结构。图36是仅示出图33的液晶显示器中的滤色器和像素电极的布局图。首先，图36示出了设置在图33的像素的上侧的子像素，其中，CF表示滤色器，PE表示像素电极。图36的滤色器230具有开口235。开口235包括在对角线上彼此交叉设置的具有直角三角形结构的四个部分，如图36所示。因此，交叉形状的突起232形成为穿过滤色器230的中心。在滤色器230的开口235中去除滤色器230，开口235提供阶梯，液晶分子由于阶梯而沿预定的方向排列。在图36中示出的像素电极PE具有以下特征。第一子像素电极191h形成在滤色器230上，第一子像素电极191h具有由滤色器230提供的阶梯，第一子像素电极191h的第一局部板电极192h具有阶梯。第一子像素电极191h包括设置在中心处的第一局部板电极192h和沿倾斜方向从第一局部板电极192h突出的多个第一微小分支电极193h。第一子像素电极191h通过延伸到正方形区域外部的第一连接件197h连接到第一漏电极175h的宽部。第一局部板电极192h具有菱形形状，并覆盖滤色器230的四个第一开口235h和第一交叉形状的突起232h。多个第一微小分支电极193h沿第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘延伸，并与第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘形成90度的角度。根据本发明的示例性实施例，第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘与第一微小分支电极193h之间的角度可以改变，并可以大于85度但小于95度。第一子像素电极191h还包括沿竖直方向连接第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h的端部的第一纵向延伸件194h。然而，可以省去第一连接件194h，在这种情况下，多个第一微小分支电极193h延伸到外部。图36示出了像素电极PE和滤色器CF相组合从而由于滤色器230的开口235h而具有阶梯的结构。参照图34，关于像素电极PE和滤色器CF的组合结构CF+PE，第一局部板电极192h的菱形形状的边与滤色器230的四个第一开口235h的三角形形状中的最长边彼此对应。即，四个第一开口235h的三角形形状的最长边设置在第一局部板电极192h的菱形形状的边的内侧。将描述透射率和显示特性因滤色器提供的阶梯而发生的变化。图37和图38是示出使用本发明示例性实施例的实验结果的示图，其中，图37是在未形成阶梯的情况下和在形成阶梯的情况下显示特性的实验结果，图38是根据各种阶梯的显示特性的实验结果。首先，将描述图37。在图37中，(a)示出了在下面的层(例如，滤色器)未提供阶梯且像素电极包括局部板电极和微小分支电极的情况下的显示特性。参照图37的(a)的上面的子像素，纹理在宽的区域中形成为交叉形状，从而降低了透射率，并且降低了亮度，因此，必须覆盖纹理，导致开口率减小。相比之下，图37的(b)示出了在提供阶梯的情况下的显示特性。当与图37的(a)的情况相比时，尽管产生纹理，但是交叉类型的交叉形状的纹理具有相对窄的宽度，因而透射率高，且高度高。在图37中，(a)具有大约84％的透射率，(b)具有大约87％的透射率，提供阶梯的情况具有优选的透射率和亮度，并可以提高开口率。在图37的(c)中，在提供阶梯的情况下，类似于图37的(b)，液晶的排列方向沿箭头方向进行控制，从而减小了纹理产生的范围。当提供阶梯时，如在图37中，提高了显示特性，将参照图38描述如何提供阶梯。图38是当滤色器230提供的阶梯具有和的厚度且应用图36的结构时显示特性的实验结果。如图38所示，当滤色器230提供的阶梯为时，纹理产生的范围非常宽。随着阶梯增大，纹理产生的范围减小，当阶梯为时，仅在交叉形状的区域中产生阶梯。因此，滤色器230提供的阶梯可以大于具体地讲，形成在滤色器230中的交叉形状的突起232为位于正方形区域的中心处的液晶分子提供预倾斜，由此控制液晶分子的排列方向，从而优选的是，交叉形状的突起232的高度大于在这种情况下，还在正方形区域的中心控制液晶分子的排列方向，并可以减少纹理。根据示例性实施例，可以未完全去除滤色器230。即，形成在滤色器230中的三角形形状的开口235不是开口，并且预定厚度的滤色器230可以以其余的槽形成。在下文中将这样的开口和槽称作“阶梯提供件”。当阶梯提供件不是开口而是改为槽时，与周围的滤色器230的厚度相比，滤色器在三角形形状的槽中可以以相对小的厚度形成。另外，根据本发明的示例性实施例，在三角形形状的槽中薄薄地形成的滤色器可以具有沿至少一个方向逐渐改变的厚度。如上所述，示例性实施例包括阶梯提供件(开口或槽)。然而，在完全去除滤色器230的示例性实施例中，显示白色的区域增大，从而提高了亮度和透射率，由此还提高了开口率。将参照图39至图42描述根据本发明另一示例性实施例的像素结构。图39至图42是与本发明的另一示例性实施例分开的部分的布局图。图39是与图36相比滤色器230的开口235的尺寸和局部板电极192的尺寸为小的示例性实施例。因此，在图39中，微小分支电极193的长度相对长，并且局部板电极192设置在正方形区域的内侧，从而沿竖直方向延伸的纵向延伸件195和沿水平方向延伸的横向延伸件196形成在局部板电极192中。详细地描述根据图39的滤色器230和像素电极191的结构，并且图39的示例性实施例仅示出了一个像素中的上面的子像素。滤色器230设置在基底110上。薄膜晶体管可以形成在滤色器230和基底110之间。滤色器230具有开口235h。开口235h具有直角三角形结构，全部四个开口235h设置为沿对角线方向彼此对称。因此，滤色器230包括交叉形状的突起232h。第一子像素电极191h设置在滤色器230上。第一子像素电极191h包括设置在中心处的第一局部板电极192h和沿倾斜方向从第一局部板电极192h突出的多个第一微小分支电极193h。第一子像素电极191h包括设置在正方形区域中的第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h，并通过延伸到正方形区域外部的第一连接件197h连接到薄膜晶体管的输出端子。第一局部板电极192h具有菱形形状，其中心设置在正方形区域的中心处。然而，其尺寸要小，从而菱形的顶点与正方形区域的边界隔开预定的距离。在第一局部板电极192h的菱形的每个顶点中，分别沿竖直方向和水平方向延伸的纵向延伸件195h和横向延伸件196h被形成，且与正方形区域的边界相接。这里，纵向延伸件195h和横向延伸件196h的线宽可以相同，并且可以是交叉类型的突起232h的线宽的1/3倍至1倍。实际上，当在滤色器230中形成交叉形状的突起232h时，交叉类型的交叉形状的突起232h可以具有锥形结构。此时，如果将锥形侧投影到下表面(在下文中称作“锥形侧的线宽”)，则锥形侧的线宽可以具有下表面的宽度(在下文中称作“总线宽”)的大约1/3，在这种情况下，锥形突起232h的上表面的宽度也可以为下表面的宽度大约1/3。在该示例性实施例中，纵向延伸件195h和横向延伸件196h的宽度可以至少具有锥形的第一突起232h的上表面的程度的宽度。此时，纵向延伸件195h和横向延伸件196h的宽度值可以大于突起232h的锥形侧表面的线宽并小于总线宽。同时，第一局部板电极192h覆盖滤色器230的开口235h和第一交叉形状的突起232h。因此，第一局部板电极192h具有由滤色器230的第一开口235h提供的阶梯。即，图39是以平面图示出像素电极PE和滤色器CF的示图。然而，由于滤色器230的开口235h，所以此结构实际上具有阶梯。这里，第一交叉形状的突起232h控制位于正方形区域的中心处的液晶分子的排列方向，由此减少纹理。多个第一微小分支电极193h在第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘处且在纵向延伸件195h和横向延伸件196h处延伸。多个第一微小分支电极193h填充正方形区域的其它地方，并相对于第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘形成90度的角度。第一子像素电极191h包括沿竖直方向连接第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h的端部的第一纵向延伸件194h。此时，第一纵向延伸件194h和第一微小分支电极193h形成45度的角度。然而，根据本发明的示例性实施例，可以省去第一连接件194h，在这种情况下，多个第一微小分支电极193h突出到外部。根据示例性实施例，由第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘与第一微小分支电极193h形成的角度可以在大于85度至小于95度的范围内改变。第一微小分支电极193h和纵向延伸件195h之间的角度可以具有大于40度至小于50度的角度。在图39的示例性实施例中，如图44所示，提供预倾斜的聚合物350可以包括在液晶层3中，当只有由滤色器230的开口235h提供的阶梯和微小分支电极193的图案来控制液晶分子并且纹理未减少时，可以另外使用提供预倾斜的聚合物350。在图39的示例性实施例中，与图33、图34和图36的示例性实施例相比，滤色器230的开口235h的尺寸小。然而，形成了未形成在滤色器230中的开口235h，从而通过控制液晶分子，白色亮度高且减少了纹理，从而减小了将被覆盖的部分，由此使得开口率和透射率提高。图40仅示出了一个像素的下面的子像素，当与图33相比时，滤色器230的开口235l的尺寸和局部板电极192l的尺寸相同。然而，开口235l的数量和局部板电极192l的数量是图33示出的两倍。因此，在图40中，形成在滤色器230中的开口235l的数据增多，从而白色亮度高，并且开口率和透射率高。现在将详细描述根据图40的滤色器230和像素电极191的结构。滤色器230设置在基底110上。薄膜晶体管可以形成在滤色器230和基底110之间。滤色器230具有开口235l。开口235l具有直角三角形结构，并包括成对地对称布置的开口235l的组。总共四个开口235l设置为沿对角线方向彼此对称，通过滤色器230中的开口235l形成交叉形状的突起232l。成对地对称布置的开口235l的组上下设置，交叉形状的突起232l连成直线。第二子像素电极191l形成在滤色器230上。第二子像素电极191l分为上下两个区域，对于一个区域形成一对第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l，它们分别对应于对称布置的开口235l的组。这两个区域上下划分矩形区域，由此分别形成正方形区域。现在将描述形成在一个区域中的第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l。包括设置在一个区域的中心处的第二局部板电极192l和沿倾斜方向从第二局部板电极192l突出的多个第二微小分支电极193l。第二子像素电极191l包括设置在正方形区域中的第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l。第二局部板电极192l具有菱形形状，其中心设置在正方形区域的中心处，菱形的每个顶点与正方形区域的边界相接。第二局部板电极192l覆盖滤色器230的第二开口235l和第二交叉形状的突起232l。因此，第二局部板电极192l具有由滤色器230的第二开口235l提供的阶梯。即，图40是以平面图示出像素电极PE和滤色器CF的具有由滤色器230的开口235l形成的阶梯的示图。这里，第二交叉形状的突起232l控制位于正方形区域的中心处的液晶分子的排列方向，由此减少了纹理。多个第二微小分支电极193l从第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘延伸。多个第二微小分支电极193l填充正方形区域的其余地方，并相对于第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘形成90度的角度。第二子像素电极191l包括沿竖直方向连接第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l的端部的第二纵向延伸件194l。第二纵向延伸件194l和第二微小分支电极193l形成45度的角度。然而，根据本发明的示例性实施例，可以省去第二纵向延伸件194l，多个第二微小分支电极193l可以突出到外部。根据本发明的示例性实施例，第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘和第二微小分支电极193l之间的角度可以改变，并可以是大于85度且小于95度。第二微小分支电极193l和第二纵向延伸件194l之间的角度可以改变为大于40度且小于50度。分别形成在第二子像素电极191l和多个第二微小分支电极193l的两个区域中的一对第二局部板电极192l通过第二纵向延伸件194l连接，并通过第二纵向延伸件194l具有对称结构。第二纵向延伸件194l沿上下两个区域的边界形成。在平面图中，形成在滤色器230中的开口235l通过第二纵向延伸件194l设置在对称的位置处。根据本发明的示例性实施例，可以省去第二纵向延伸件194l，第二局部板电极192l和第二微小分支电极193l可以分别彼此直接连接。第二局部板电极192l、多个第二微小分支电极193l和开口235l具有相对于形成在第二纵向延伸件194l的位置处的虚线(划分上下两个区域的线)对称的结构。第二子像素电极191l可以通过从第二局部板电极192l或多个第二微小分支电极193l沿向上方向延伸的第二连接件197l连接到薄膜晶体管的输出端子。在图40的示例性实施例中，如图44所示，提供预倾斜的聚合物350可以包括在液晶层3中，当只有由滤色器230的开口235l提供的阶梯和微小分支电极193的图案来控制液晶分子并且未减少纹理时，可以另外使用提供预倾斜的聚合物350。在图40的示例性实施例中，滤色器230中的开口235h的数量是图33、图34和图36的示例性实施例的两倍，从而通过控制液晶分子，白色亮度高，且减少了纹理，因此，减小了将被覆盖的部分，从而提高了开口率和透射率。图41的示例性实施例仅示出了一个像素的下面的子像素，如图40所示，与图40相比，滤色器230的开口235l的尺寸和局部板电极192l的尺寸相对小。因此，在图40中，微小分支电极193l的长度相对长，形成沿竖直方向从局部板电极192l延伸的纵向延伸件195l和沿水平方向延伸的横向延伸件196l。下面将详细描述根据图41的滤色器230和像素电极191的结构。滤色器230设置在基底110上。薄膜晶体管可以形成在滤色器230和基底110之间。滤色器230具有开口235l。开口235l具有直角三角形结构，包括成对地对称布置的开口235l的组。然而，开口235l的尺寸比图40的示例性实施例的开口235l的尺寸小。在一个开口235l的组中，总共四个开口235l设置为沿对角线方向彼此对称，通过滤色器230中的开口235l形成交叉形状的突起232l。成对地对称布置的开口235l的组上下设置，并且交叉形状的突起232l以直线连接。第二子像素电极191l形成在滤色器230上。第二子像素电极191l分为上下两个区域，对于一个区域形成一对第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l，它们分别对应于对称布置的一个开口235l的组。两个区域上下划分矩形区域，由此分别形成正方形区域。现在将描述形成在一个区域中的第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l。包括设置在一个区域的中心处的第二局部板电极192l和沿倾斜方向从第二局部板电极192l突出的多个第二微小分支电极193l。第二子像素电极191l包括设置在正方形区域中的第二局部板电极192l和多个第二微小分支电极193l。第二局部板电极192l具有菱形形状，其中心设置在正方形区域的中心处。然而，其尺寸小，从而菱形的每个顶点与正方形区域的边界隔开预定的距离。在第二局部板电极192l的菱形的每个顶点中，分别沿竖直方向和水平方向延伸的纵向延伸件195l和横向延伸件196l被形成，且与正方形区域的边界相接。这里，纵向延伸件195l和横向延伸件196l的线宽可以相同，并且尺寸可以是交叉形状的突起232l的线宽的尺寸的1/3倍至1倍。实际上，当在滤色器230中形成交叉形状的突起232l时，交叉形状的突起232l具有锥形结构。如果将锥形侧投影到下表面(在下文中称作“锥形侧的线宽”)，则锥形侧的线宽可以具有下表面的宽度(在下文中称作“总线宽”)的大约1/3，在这种情况下，锥形突起232l的上表面的宽度还可以是下表面的宽度的大约1/3。在本发明的该示例性实施例中，纵向延伸件195l和横向延伸件196l的宽度可以至少具有与锥形突起232l的上表面的宽度类似的宽度。纵向延伸件195l和横向延伸件196l的宽度值可以大于突起232n的锥形侧表面的线宽且小于总线宽。第一局部板电极192l覆盖滤色器230的开口235l和第二交叉形状的突起232l。因此，第二局部板电极192l具有由滤色器230的第一开口235l提供的阶梯。即，图41是以平面图示出像素电极PE和滤色器CF的示图。然而，由于滤色器230的开口235l，所以该结构具有阶梯。这里，第二交叉形状的突起232l控制位于正方形区域的中心处的液晶分子的排列方向，由此减少纹理。多个第二微小分支电极193l沿第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘、第二纵向延伸件195l和第二个第一横向延伸件196’l延伸。多个第二微小分支电极193l填充正方形区域的其它地方，并相对于第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘形成90度的角度。第二子像素电极191l包括沿竖直方向连接第二个第一横向延伸件196’l和多个第二微小分支电极193l的端部的第二纵向延伸件194l。第二纵向延伸件194l和第二微小分支电极193l形成45度的角度。然而，根据本发明的示例性实施例，可以省去第二纵向延伸件194l，在这种情况下，多个第二微小分支电极193l突出到外部。根据本发明的示例性实施例，由第二局部板电极192l的倾斜方向的边缘和第二微小分支电极193l形成的角度可以在大于85度到小于95度的范围内改变。第二微小分支电极193l和第二纵向延伸件194l之间的角度可以具有大于40度到小于50度的角度。分别形成在第二子像素电极191l和多个第二微小分支电极193l的两个区域中的一对第二局部板电极192l通过第二纵向延伸件194l连接，并具有由第二纵向延伸件194l形成的对称结构。第二纵向延伸件194l沿上下两个区域的边界延伸。在平面图中，形成在滤色器230中的开口235l通过第二纵向延伸件194l设置在对称位置处。根据本发明的示例性实施例，可以省去第二纵向延伸件194l，第二局部板电极192l和第二微小分支电极193l可以分别彼此直接连接。第二局部板电极192l、多个第二微小分支电极193l和开口235l具有相对于形成在第二纵向延伸件194l的位置的虚线(划分上下两个区域的线)对称的结构。第二子像素电极191l可以连接到薄膜晶体管的输出端子，并可以具有通过从第二局部板电极192l或多个第二微小分支电极193l沿向上方向延伸的第二连接件197l连接的结构。在图41的示例性实施例中，如图44所示，提供预倾斜的聚合物350可以包括在液晶层3中，当只有由滤色器230的开口235l提供的阶梯和微小分支电极193的图案来控制液晶分子且未减少纹理时，可以另外使用提供预倾斜的聚合物350。在图40的示例性实施例中，滤色器230的开口235h的数量是图33、图34和图36的示例性实施例的滤色器230的开口235h的数量的两倍，从而通过控制液晶分子，白色亮度高，并且纹理减少，从而将被覆盖的部分减小，因此，开口率和透射率提高。在图42中，滤色器230的阶梯提供件235具有菱形形状，上共电极270具有交叉形状的开口275。下面将描述图42的示例性实施例。滤色器230设置在下基底110上。薄膜晶体管可以形成在滤色器230和基底110之间。相对于另一示例性实施例，在当前的示例性实施例中，滤色器230具有所有边的长度均相同的菱形形状的开口235h。因此，如在另一示例性实施例中，交叉形状的突起未形成在滤色器230上。第一子像素电极191h形成在滤色器230上。第一子像素电极191h具有与图36的第一子像素电极191h的结构相同的结构。即，包括设置在中心处的第一局部板电极192h和沿倾斜方向从第一局部板电极192h突出的多个第一微小分支电极193h。第一子像素电极191h包括设置在正方形区域中的第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h，并通过延伸到正方形区域外部的第一连接件197h连接到薄膜晶体管的输出端子。第一局部板电极192h具有菱形形状，其中心设置在正方形区域的中心处，菱形的每个顶点与正方形区域的边界相接。第一局部板电极192h覆盖滤色器230的第一开口235h，第一开口235h的倾斜方向的边缘和第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘彼此平行。因此，第一局部板电极192h具有滤色器230的第一开口235h提供的阶梯。即，图42是以平面图示出像素电极PE和滤色器CF的示图。然而，其实际上是由于滤色器230的开口235h而具有阶梯的结构。多个第一微小分支电极193h沿第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘延伸。多个第一微小分支电极193h填充其余区域，并相对于第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘形成90度的角度。第一子像素电极191h包括沿纵向方向或水平方向连接第一局部板电极192h和多个第一微小分支电极193h的端部的第一纵向延伸件194h。第一纵向延伸件194h和第一微小分支电极193h形成45度的角度。然而，根据本发明的示例性实施例，可以省去第一纵向延伸件194h，在这种情况下，多个第一微小分支电极193h可以突出到外部。根据示例性实施例，第一局部板电极192h的倾斜方向的边缘和第一微小分支电极193h之间的角度可以改变，并可以大于85度且小于95度。第一微小分支电极193h和第一纵向延伸件194h可以形成大于40度且小于50度的角度。在图42的示例性实施例中，设置在上基底210下方的共电极(CE)270具有开口275。共电极270的开口275形成为与另一示例性实施例中的形成在滤色器230中的交叉形状的突起的位置对应。即，交叉形状的开口的中心设置在正方形区域的中心处，开口沿上/下和右/左方向以相同的长度延伸，从而交叉形状的开口的中心与第一局部板电极192h的中心一致。这里，共电极270的开口275的线宽的尺寸可以为另一示例性实施例的形成在滤色器230中的突起232的线宽的尺寸的1/3倍至1倍，因而，共电极270的开口275的线宽对应于另一示例性实施例中的纵向延伸件195和横向延伸件196的线宽。形成在共电极270中的交叉形状的开口275在由滤色器230的开口235h提供的较低区域处控制中心区域中的液晶分子的排列方向。因此，可以在最大程度上减少从正方形区域的中心到交叉形状产生的纹理。在图42的示例性实施例中，如图44所示，提供预倾斜的聚合物350可以包括在液晶层3中，此时，当只有由滤色器230的开口235h提供的阶梯、微小分支电极193的图案和共电极270的开口275来控制液晶分子，但是纹理未减少时，可以另外使用提供预倾斜的聚合物350。在图42的示例性实施例中，与另一示例性实施例相比，滤色器230的开口235h的尺寸大，从而通过控制液晶分子，白色亮度高，并且纹理减少，从而使得开口率和透射率提高。然而，与另一示例性实施例相比，共电极270必须被蚀刻一次，以形成开口275，从而需要另外的工艺。在图42的示例性实施例中，相对于另一示例性实施例，滤色器230的开口235具有菱形形状，共电极270具有交叉形状的开口275。类似于图42，此结构可以应用于图39至图41的另一示例性实施例以及图33、图34和图36的示例性实施例，并且还可以应用于下面的子像素。在每个示例性实施例中，共电极270的交叉形状的开口275形成在与滤色器230的开口235所形成的交叉形状的突起对应的位置处。接下来，将参照图43描述根据本发明另一示例性实施例的滤色器230的开口235a的剖视图。图43是根据本发明另一示例性实施例的滤色器的剖视图。将图43的剖视图与图34的剖视图相比，图34的开口235不具有锥形结构，从而去除了滤色器230的开口235的侧面具有垂直表面。然而，在图43中，开口235的侧面具有倾斜的锥形结构。通常，当在滤色器230中形成开口235时，通常产生轻微的锥形结构，并可以通过控制工艺调节或通过改变掩模(半透射半反射式掩模、狭缝掩模等)来控制其角度。即，可以控制图43中的锥角(α)，同时液晶分子31可以排列为具有根据相应的锥角(α)的预倾斜，由此减少了纹理。因此，如图44所示，尽管提供预倾斜的聚合物350不包括在液晶层3中，但是仍可以通过控制开口235的侧壁的锥角(α)来减少纹理。然而，根据本发明的示例性实施例，与尽管控制开口235的侧壁的锥角(α)而可能没有使纹理减少的情况相比，如图44所示，提供预倾斜的聚合物350可以包括在液晶层3中。同时，当形成滤色器230的开口235时，侧壁通常具有倾斜的结构，从而必须充分地去除滤色器230，以形成开口235，其中，在开口235中完全去除滤色器230。参考图33至图42的示例性实施例，当考虑到这一点时，将提供在一个子像素区域中的开口235的最小面积为大约8％。如果开口235被形成为小于8％的值，则可以产生未完全去除滤色器230的部分。参考图33至图42的示例性实施例，将提供在一个子像素区域中的开口235的最大面积为大约50％。因此，开口235可以在像素区域中被形成为具有范围为大于8％且小于50％的面积比。在图43中，滤色器230的交叉形状的突起232具有倾斜的锥形结构。如果将锥形侧投影到下表面(在下文中称作“锥形侧的线宽”)，则锥形侧的线宽可以具有下表面的宽度(在下文中称作“总线宽”)的大约1/3，在这种情况下，锥形突起232的上表面的宽度也可以为下表面的宽度的大约1/3。如上所述，将滤色器230的开口235形成为阶梯提供件。然而，阶梯提供件不限于开口，并可以形成为槽。即，滤色器230可以以预定的厚度保留，从而形成槽而不是完全去除滤色器230的开口，由此形成阶梯提供件。同时，光反应性材料可以包括在液晶层或取向层中，将参照图44对此加以描述。图44是用于通过使用经由光(例如，紫外光)而聚合的预聚物而对液晶分子提供预倾斜的工艺的示图。参照图44，首先，将预聚物330(例如，通过诸如紫外光的光而聚合的单体)与液晶材料一起注入在两个显示面板100和200之间。预聚物330可以是通过诸如紫外光的光而聚合的反应性液晶元(mesogen)。将数据电压施加到第一和第二子像素电极，并将共电压施加到上面板200的共电极，由此在两个显示面板100和200之间的液晶层3中形成电场。因此，液晶层3的液晶分子31响应于电场以预定的方向倾斜。如上所述，如果照射紫外光的光以使液晶层3的液晶分子31沿预定的方向倾斜，则预聚物330聚合，如图44所示，形成提供预倾斜的聚合物350。提供预倾斜的聚合物350与显示面板100和200接触。液晶分子31确定为具有沿上述方向的取向方向，同时具有由提供预倾斜的聚合物350产生的预倾斜。因此，当不向电场产生电极191和270施加电压时，液晶分子31排列为具有四个方向的预倾斜。因此，液晶分子31在像素中的上面的和下面的子像素的每个区域中具有沿四个方向的预倾斜。如图44所示，当通过由滤色器230提供的阶梯对液晶分子进行控制未减少纹理时，可以另外应用利用聚合物的预倾斜。在图44中，液晶层包括光反应性材料。然而，取向层可以包括光反应性材料。如上所述，局部板电极与微小图案一起形成在像素电极中，由此提高液晶显示器的视角和侧面可视性以及响应速度，阶梯提供件设置在滤色器或上面的层处，以增强对液晶分子的控制力，由此减少在像素中心产生的纹理。对于本领域技术人员来说将明显的是，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下在本发明中做出各种修改和改变。因此，如果对本发明的修改和改变落在权利要求及其等同物的范围内，则本发明意在覆盖这些对本发明的修改和改变。