感光材料和光刻方法
【专利摘要】感光材料和形成图案的方法，包括提供可通过操作浮动到由感光材料形成的层的顶部区域的感光材料的组分成分。在实例中，感光层包括具有氟原子(例如，烷基氟化物基团)的第一组分。在形成感光层后，第一组分浮动到感光层的顶面。此后，图案化感光层。本发明提供了感光材料和光刻方法。
【专利说明】感光材料和光刻方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造，更具体而言，涉及感光材料和光刻方法。
【背景技术】
[0002]半导体集成电路(IC)产业经历了快速增长。在IC材料、设计和制造工具方面的技术改进已经产生了数代1C，其中每一代都具有比前一代更小且更复杂的电路。在这些改进的发展过程中，制造方法、工具和材料方面努力实现更小的部件尺寸。
[0003]光刻是一种机制，通过该机制可将图案投射到在其上形成有感光层的衬底(如半导体晶圆)上。通常通过使辐射穿过图案化的光掩模诱导图案。尽管光刻工具和方法在减小成像元件的线宽方面经历了重大的改进，但是可能需要进一步的改进。例如，感光材料的成像部件的轮廓可能使在衬底上准确地再现期望的图案所需的图案失真。例如，在成像和显影之后可能留下不想要的、残留的感光材料，或者可能去除或以其他方式破坏需要作为掩模元件的部分感光材料。
【发明内容】
[0004]为了解决上述技术问题，一方面，本发明提供了一种感光材料，包括:溶剂；光生酸剂(PAG)组分；以及猝灭剂组分，其中，所述PAG组分和所述猝灭剂组分中的至少一种包
含烷基氟化物基团。
[0005]在所述的感光材料中，所述猝灭剂组分包含烷基氟化物基团。
[0006]在所述的感光材料中，所述烷基氟化物基团是C2F5。
[0007]在所述的感光材料中，所述PAG组分包含烷基氟化物基团。
[0008]在所述的感光材料中，所述PAG组分包含烷基氟化物基团，其中，所述烷基氟化物基团连接到所述PAG组分的阴离子组分。
[0009]在所述的感光材料中，所述PAG组分包含烷基氟化物基团，其中，所述烷基氟化物基团连接到所述PAG组分的阳离子组分。
[0010]另一方面，本发明提供了一种在衬底上形成图案的方法，包括:提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成感光层，其中所述感光层包括具有氟原子的第一组分；在形成所述感光层后，使所述第一组分浮动到所述感光层的顶面；以及此后，图案化所述感光层。
[0011]在所述的方法中，所述第一组分包括光生酸剂(PAG)。
[0012]在所述的方法中，所述第一组分包括猝灭剂。
[0013]在所述的方法中，所述第一组份包括光产碱剂(PBG)和光分解猝灭剂(TOQ)中的
至少一种。
[0014]在所述的方法中，所述第一组分包含烷基氟化物基团。
[0015]在所述的方法中，所述第一组分包含C2F5基团。
[0016]在所述的方法中，所述第一组分具有下式:
[0017]
【权利要求】
1.一种感光材料，包括: 溶剂； 光生酸剂(PAG)组分；以及 猝灭剂组分，其中，所述PAG组分和所述猝灭剂组分中的至少一种包含烷基氟化物基团。
2.根据权利要求1所述的感光材料，其中，所述猝灭剂组分包含烷基氟化物基团。
3.根据权利要求1所述的感光材料，其中，所述烷基氟化物基团是C2F5。
4.根据权利要求1所述的感光材料，其中，所述PAG组分包含烷基氟化物基团。
5.根据权利要求4所述的感光材料，其中，所述烷基氟化物基团连接到所述PAG组分的阴离子组分或者连接到所述PAG组分的阳离子组分。
6.一种在衬底上形成图案的方法，包括: 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成感光层，其 中所述感光层包括具有氟原子的第一组分； 在形成所述感光层后，使所述第一组分浮动到所述感光层的顶面；以及 此后，图案化所述感光层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一组分包括光生酸剂(PAG)或猝灭剂。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一组分包括光产碱剂(PBG)和光分解猝灭剂(PDQ)中的至少一种。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一组分具有下式:
10.一种制造半导体器件的方法，包括: 确定与形成第一部件相关的轮廓问题； 确定感光材料配方从而补偿所述轮廓问题；在衬底上形成具有确定的感光材料配方的感光材料层；以及图案化所述感光材料层从而提供所`述第一部件。
【文档编号】G03F7/00GK103454856SQ201310024509
【公开日】2013年12月18日 申请日期:2013年1月23日 优先权日:2012年6月1日
【发明者】张庆裕 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司