半穿透式半反射式液晶显示器及其制造方法
【专利摘要】本发明揭露一种半穿透半反射液晶显示器及其制造方法。半穿透半反射液晶显示器具有定义一反射区以及一穿透区的第一基板；一第一金属层、一绝缘层以及一半导体层依序设置于第一基板上，半导体层包括一通道区，以及一源极区和一漏极区位于通道区的两侧，第一金属层包括一栅极区对应通道区；一第一介电层，设置于半导体层和绝缘层上，具有通孔曝露出部分漏极区；一第一共通电极，设置于第一介电层上且覆盖曝露的漏极区；一反射电极，设置于反射区的第一介电层上；一第二介电层，设置于第一共通电极和反射电极上；一像素电极，设置在穿透区与反射区的第二介电层上，并透过通孔电性连接漏极区。
【专利说明】半穿透式半反射式液晶显示器及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明有关于一种液晶显示器，且特别是关于一种具广视角的半穿透式半反射式液晶显示器
【背景技术】
[0002]一般液晶显示器的显示方式大约可分为穿透式(Transmissive)、反射式(Reflective)与半穿透半反射式(Transflective)。其中，穿透式的液晶显示器需依靠背光源，当光源穿透面板才能使面板产生亮度，因此在太阳光的强光照射下，会有屏幕看不清楚的情况发生。而反射式(Reflective)技术是在面板的下层玻璃上镀上反射膜，通过外界光源达到发光的目的。不过，若环境光源微弱会造成显示品质并不佳。
[0003]因此，发展出一种半穿透半反射液晶显示器技术，由于同时具有穿透式与反射式的特性，当环境光较强时，使得外界环境光得以穿透面板反射而发光，此时半穿透半反射式与反射式一样；而当在环境光较弱时，面板则利用背光源来达到发光的目的，此举可避免面板亮度不佳的情形。由于半穿半反式液晶显示屏幕则结合了穿透式和反射式两者的优点，目前已广泛应用于行动电话或个人数字助理等产品。
【发明内容】
[0004]本发明的一目的在于提供一种具广视角的半穿透式半反射式液晶显示器及其制造方法。
[0005]根据本发明的一方面是在提供一种半穿透半反射液晶显示器包括:一薄膜晶体管，设置于一具有一反射区以及一穿透区的第一基板上，薄膜晶体管具有一通道区、一源极区、一漏极区和一栅极区；一第一介电层，设置于薄膜晶体管上，第一介电层具有一通孔来曝露出部分的该漏极区；一第一共通电极，设置于第一介电层上以及通孔中，且覆盖该曝露出部分漏极区；一反射电极，设置于反射区中的第一介电层上；一第二介电层，设置于第一共通电极和反射电极上，以及通孔的侧壁上；以及一像素电极，设置在该穿透区与该反射区的该第二介电层上，该像素电极透过该通孔电性连接该漏极区。
[0006]根据本发明的一方面是在提供一种半穿透半反射液晶显示器。此显示器具有一第一基板，此第一基板定义有一反射区以及一穿透区；一第一金属层，设置于穿透区上；一绝缘层，设置于第一金属层与第一基板上；一半导体层，设置于绝缘层上对应于第一金属层的位置，其中此半导体层包括一通道区，以及一源极区和一漏极区位于通道区的两侧，第一金属层则包括一栅极区对应此通道；一第一介电层，设置于半导体层以及绝缘层上，第一介电层具有一通孔来曝露出部分漏极区；一第一共通电极，设置于第一介电层上以及通孔中，且覆盖曝露出部分漏极区；一反射电极，设置于反射区中的第一介电层上；一第二介电层，设置于第一共通电极和反射电极上，以及通孔的侧壁上；以及一像素电极，设置在穿透区与反射区的第二介电层上，像素电极透过通孔电性连接漏极区。
[0007]在一实施例中，此半穿透半反射液晶显示器，更具有一第二基板面对此第一基板设置，一色阻层堆叠设置于此第二基板上，其中此第二基板对应于此反射区处的此色阻层形成有一开口，以及一液晶层，设置于此第一基板与此第二基板间。
[0008]在一实施例中，半穿透半反射液晶显示器的第一共通电极延伸设置于穿透区与反射区中，而反射电极设置于此反射区的第一共通电极上。其中，像素电极具有多个开口，以与第一共通电极形成横向电场驱动反射区与穿透区的液晶层。
[0009]在一实施例中，半穿透半反射液晶显示器的第二基板对应于反射区处的色阻层上更设置有一第二共同电极。而第一共通电极仅设置于穿透区中，反射电极设置于反射区的第一介电层上并电性连接第一共通电极。穿透区中的像素电极具有多个开口，与第一共通电极形成横向电场驱动穿透区的液晶层，而反射区中的像素电极与第二共通电极形成电场驱动反射区的液晶层。
[0010]在一实施例中，半穿透半反射液晶显示器的第二基板对应于反射区处的色阻层上更设置有一第二共同电极。而第一共通电极仅设置于穿透区中，反射电极设置于反射区的第一介电层上并电性绝缘于第一共通电极。穿透区中的像素电极具有多个开口，与第一共通电极形成横向电场驱动穿透区的液晶层，而反射区中的像素电极与第二共通电极形成电场驱动反射区的液晶层。
[0011]在一实施例中，半穿透半反射液晶显示器的第一共通电极和第二共通电极的材料为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铝锌氧化物(AZO)的任一种或其组合。
[0012]在一实施例中，半穿透半反射液晶显示器的第一介电层和第二介电层材料为氮化娃(silicon nitride)、氮氧化娃(silicon oxy-nitride)或氧化娃(silicon oxide)的任一种或其组合。
[0013]在一实施例中，半穿透半反射液晶显示器更具有一第二金属层设置于源极区和漏极区之上作为一外接电极。
[0014]根据本发明的另一方面是在提供一种半穿透半反射液晶显示器的制造方法，至少包括:提供一第一基板，并于第一基板上定义出一反射区以及一穿透区；接着，于第一基板的穿透区上形成一第一金属层，并于第一金属层与第一基板上形成一绝缘层；随后，于绝缘层上对应第一金属层位置形成一半导体层，此半导体层包括一通道区，以及一源极区和一漏极区位于此通道的两侧，而第一金属层包括一栅极区对应此通道；然后，于此半导体层以及绝缘层上形成一第一介电层，其中第一介电层具有一通孔来曝露出部分漏极区；接着，一第一共通电极形成于此第一介电层以及此通孔，并其覆盖此曝露出的部分漏极区；接着，于此反射区中的第一介电层上形成一反射电极，并形成一第二介电层于第一共通电极和反射电极上，以及通孔的侧壁上形成；最后，于第二介电层上形成一像素电极，此像素电极透过此通孔电性连接此漏极区。
[0015]在一实施例中，半穿透半反射液晶显示器的制造方法还包括于此半导体层形成掺杂以定义出此源极区和此漏极区。并于源极区和漏极区之上形成一第二金属层作为外接电极。
[0016]在一实施例中，半穿透半反射液晶显示器的制造方法还包括:提供一第二基板，其中此第二基板面对此第一基板，并于此第二基板上形成一色阻层，其中于对应于此反射区处的此色阻层上形成开口，以及于第一基板与第二基板间填充一液晶层。
[0017]综合上述所言，本发明半穿透半反射式液晶显示器，在穿透区中是采用横向电场模式的液晶显示器架构，因此可大幅提升视角宽度。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下:
[0019]图1所示为根据本发明一实施例半穿透半反射式液晶显示器一像素的概略剖视图；
[0020]图2a至图2h为制作本发明半穿透半反射式液晶显示器的阵列基板一较佳实施例的方法示意图；
[0021]图3所示为根据本发明另一实施例半穿透半反射式液晶显示器一像素的概略剖视图；
[0022]图4a至图4h为制作本发明半穿透半反射式液晶显示器的阵列基板另一较佳实施例的方法示意图。 [0023]【主要元件符号说明】
[0024]100和200半穿透半反射式液晶显示器
[0025]101和201阵列基板
[0026]102和202彩色滤光片基板
[0027]103和203液晶层
[0028]104 和 204 基板
[0029]105和205穿透区
[0030]106和206反射区
[0031]107和207薄膜晶体管
[0032]130 和 230 间隙壁层(spacer)
[0033]108和208栅极绝缘层
[0034]109和209第一介电层
[0035]110和210共通电极
[0036]111和211第二介电层
[0037]112 和 212 通孔
[0038]113和213像素电极
[0039]114和214反射电极
[0040]115和215半导体层
[0041]116 和 216 开口
[0042]120 和 220 基板
[0043]121和221黑色矩阵层
[0044]122和222色阻层
[0045]123 和 223 开口
[0046]124和224透明光阻层
[0047]1071 和 2071 源极区
[0048]1072 和 2072 漏极区[0049]1073 和 2073 通道区
[0050]1074 和 2074 栅极区
[0051]1075和2075欧姆接触区
[0052]225共通电极
【具体实施方式】
[0053]以下为本发明较佳具体实施例以所附图示加以详细说明，下列的说明及图示使用相同的参考数字以表示相同或类似元件，并且在重复描述相同或类似元件时则予省略。
[0054]图1所示为根据本发明一实施例半穿透半反射式液晶显示器一像素的概略剖视图。其中半穿透半反射式液晶显示器的每一像素均具有一穿透区与一反射区，在本实施例中，每一像素的穿透区与反射区均是采用横向电场模式(In — Plane Switching mode, IPS)的液晶显示器架构。横向电场模式是将共用电极与像素电极均制作在薄膜晶体管阵列基板的内表面，其乃利用横向电场来驱动液晶分子，可以使液晶分子在平面上转动因而大幅改善视角、对比与视差等问题。
[0055]请再次参阅图1，本发明的半穿透半反射式液晶显示器100是由一对平行设置的阵列基板101以及彩色滤光片基板102所构成，而一液晶层103是填充于阵列基板101以及彩色滤光片基板102间，一间隙壁层(spacer) 130亦布置于阵列基板101以及彩色滤光片基板102间ο
[0056]阵列基板101包括:一基板104，其上定义有反射区106与穿透区105。在基板104上设置有一薄膜晶体管107，其具有半导体层115，而半导体层115包括源极区1071、漏极区1072、通道区1073、两欧姆接触区1075、栅极绝缘层108以及栅极区1074。其中源极区1071和漏极区1072分别设置于通道区1073的两侧，两欧姆接触区1075分别设置于源极区1071与通道区1073，以及漏极区1072与通道区1073之间，栅极区1074设置于基板104上并对应通道区1073，栅极绝缘层108覆盖于栅极区1074之上。此外，薄膜晶体管107覆盖有一第一介电层109,且第一介电层109具有一通孔112,来曝露出漏极1072。一共通电极110设置于此第一介电层109以及曝露出的部分漏极区1072之上，且延伸设置于穿透区105与反射区106中。一第二介电层111设置于共通电极110之上以及通孔112的侧壁上。一像素电极113设置在第二介电层111之上，且像素电极113亦填入漏极1072上方的通孔112中借此与漏极1072电性连接。在本实施例中，由于穿透区105与反射区106均是采用横向电场模式的液晶显示器架构，因此，像素电极113会形成多个开口 116，借以与设置于其下的共通电极110产生横向电场。此外，在反射区106中，在第二介电层111与共通电极110间，设置一金属层覆盖共通电极110且与共通电极110电性连接以作为反射电极114。
[0057]至于彩色滤光片基板102，包括:一基板120，以及形成于基板120上的黑色矩阵层121和色阻层122，其中黑色矩阵层121是对应于薄膜晶体管107的位置设置。而在对应反射区106的位置处，色阻层122会形成部分开口 123以增加反射率，此外，由于在反射区106中，当环境光射入并经过反射之后，会再通过液晶层103后射出，所以就光所经过的路径而言，反射区106的光等于是走了两倍穿透区105光所走过的路径长度，这会造成在相同的液晶操作电压下，同一像素内穿透、反射两区透明度/率(Transmittance)的不一致性，因此在反射区106的色阻层122上，会形成一透明光阻层124来垫高反射区的光阻厚度形成双液晶盒间隙(dual cell gap)设计。
[0058]图2a至图2h为制作本发明半穿透半反射式液晶显示器的阵列基板一较佳实施例的方法示意图。其中，一熟悉该项技术者可采用已知技术完成彩色滤光片基板102的制程，因此不再赘述其制程方法。此外，为便于说明，附图中仅绘示出一像素区。首先，如图2a所示，提供基板104，并于基板104上定义出穿透区105与反射区106。随后，再于基板104上将第一金属层形成于其上。并利用微影制程配合蚀刻制程于穿透区105形成薄膜晶体管107的栅极区1074图案。
[0059]随后，如图2b所示，再于栅极区1074图案上形成一栅极绝缘层108，随后，再于栅极绝缘层108上形成非晶硅层，用于制作薄膜晶体管的半导体层115，随后利用微影制程配合离子布植制程于半导体层115进行离子布植，其中于微影制程中部分半导体层115为光阻形成的遮罩图案(图未示)所阻挡而未形成掺杂，借此半导体层115的未掺杂区域作为薄膜晶体管107的通道区1073，而通道区1073两侧的掺杂区域则形成薄膜晶体管107的源极区1071和漏极区1072。本实施例的薄膜晶体管可为N型或P型，因此高浓度离子布植使用的掺质可视需要为P型或N型。另外值得说明的是本实施例的薄膜晶体管为单栅极设计，然而本发明的应用不限于此，而亦可为双栅极设计。接着如图2c所示，再于半导体层115之上形成第二层金属，并利用一微影制程配合蚀刻制程于源极区1071和漏极区1072形成外接电极。
[0060]随后，如图2d所不，于薄膜晶体管107上形成一第一介电层109,并于反射区106的第一介电层109形成起伏表面，再于第一介电层109形成一通孔112，曝露出部分漏极区1072。于本实施例中，第一介电层109,例如为氮化娃(silicon nitride)、氮氧化娃(silicon oxy-nitride)或氧化娃(silicon oxide),上述其中的一材料所构成的单一层，或由上述材料堆叠而成的多层结构，但不限于此。接着，如图2e所示，于第一介电层109上以及通孔112中形成一金属层，并利用一微影蚀刻制程定义出共通电极110，其中共通电极110延伸于穿透区105与反射区106中，且位于通孔112中的共通电极110会覆盖曝露出的部分漏极区1072作为保护之用，而共通电极110的材料则为透明导电材料，例如:铟锡氧化物(ΙΤ0)、铟锌氧化物(ΙΖ0)、铝锌氧化物(AZO)等，但不限于此。接着，如图2f所示，于第一介电层109以及共通电极110上形成一第三金属层，并利用一微影蚀刻制程移除反射区106以外的第三金属层，此时，保留在反射区106处的第三金属层是作为反射区106的反射电极114。
[0061]随后,如图2g所不，于第一介电层109、反射电极114以及共通电极110上形成一第二介电层111，以作为保护层，其中第二介电层111，例如为氮化娃(silicon nitride)、氮氧化娃(silicon oxy-nitride)或氧化娃(silicon oxide),上述其中的一材料所构成的单一层，或由上述材料堆叠而成的多层结构，但不限于此。最后如图2h所示，于第二介电层111上形成一透明导电层，并利用一微影蚀刻制程形成像素电极113，其中像素电极113延伸于穿透区105与反射区106，并透过通孔112与漏极区1072电性连接。由于穿透区105和反射区106均是采用横向电场模式的液晶显示器架构，因此，穿透区105和反射区106处的像素电极113均会形成多个开口 116，借以与设置于其下的共通电极110产生横向电场来驱动液晶层103中的液晶分子。
[0062]图3所示为根据本发明另一实施例半穿透半反射式液晶显示器一像素的概略剖视图。其中半穿透半反射式液晶显示器的每一像素均具有一穿透区与一反射区，在此实施例中，每一像素的穿透区是采用横向电场模式(IPS mode)的液晶显示器架构，而反射区是米用电控双折射模式(electrically controlled birefrin gencemode, ECB mode)的液晶显示器架构。
[0063]请再次参阅图3，本发明的半穿透半反射式液晶显示器200是由一对平行设置的阵列基板201以及彩色滤光片基板202所构成，而一液晶层203是填充于阵列基板201以及彩色滤光片基板202间，一间隙壁层(spacer) 230亦布置于阵列基板201以及彩色滤光片基板202间ο
[0064]阵列基板201包括:一基板204，其上定义有反射区206与穿透区205。在基板204上设置有一薄膜晶体管207，其具有半导体层215，而半导体层215包括源极区2071、漏极区2072、通道区2073、两欧姆接触区2075、栅极绝缘层208以及栅极区2074。其中源极区2071和漏极区2072分别设置于通道区2073的两侧，两欧姆接触区2075分别设置于源极区2071与通道区2073，以及漏极区2072与通道区2073之间，栅极区2074设置于基板204上并对应通道区2073，栅极绝缘层208覆盖于栅极区2074之上。此外，薄膜晶体管207覆盖有一第一介电层209,且第一介电层209具有一通孔212,来曝露出部分漏极2072。一共通电极210设置于此第一介电层209以及曝露出的部分漏极区1072之上，其中，本实施例与第一实施例最大不同处在于，第一实施例中，共通电极110是延伸设置于穿透区105与反射区106中，但在本实施例中，共通电极210仅设置于穿透区205中。此外，一反射电极214设置于穿透区205的第一介电层209之上，在此实施例中，反射电极214是电性连接于共通电极210，然而，在其他的实施例中，反射电极214和共通电极210是电性绝缘。此外，一第二介电层211设置于共通电极110和反射电极214之上以及通孔212的侧壁上。一像素电极213设置在第二介电层211之上，且像素电极213亦填入漏极2072上方的通孔212中借此与漏极2072电性连接。在本实施例中，由于穿透区205是采用横向电场模式的液晶显示器架构，因此，穿透区205处的像素电极213会形成多个开口 216，借以与设置于其下的共通电极210产生横向电场,而反射区106是采用电控双折射模式(electrically controlledbirefrin gencemode, ECB mode)的液晶显示器架构，因此反射区206处的像素电极213为形成连续状，借以与设置于彩色滤光片基板202上的共通电极225产生电场驱动其间的液晶分子。
[0065]彩色滤光片基板202，包括:一基板220，以及形成于基板220上的黑色矩阵层221和色阻层222，其中黑色矩阵层221是对应于薄膜晶体管207的位置设置。而在对应反射区206的位置处，色阻层222会形成部分开口 223以增加反射率，此外，为避免因为穿透区205与反射区206的光路程差，而造成同一像素内透明率的不一致性，因此在反射区206的色阻层22上，会形成一透明光阻层224来垫高反射区的光阻厚度形成双液晶盒间隙(dualcell gap)设计。此外，一共通电极225设置于透明光阻层224上，以与反射区106处的像素电极213产生电场驱动其间的液晶分子
[0066]图4a至图4h为制作本发明半穿透半反射式液晶显示器的一较佳实施例的方法示意图。其中，一熟悉该项技术者可采用已知技术完成彩色滤光片基板202的制程，因此不再赘述其制程方法。此外，为便于说明，附图中仅绘示出一像素区。首先，如图4a所示，提供基板204，并于基板204上定义出穿透区205与反射区206。随后，再于基板204上将第一金属层形成于其上。并利用微影制程配合蚀刻制程于穿透区205形成薄膜晶体管207的栅极区2074图案。
[0067]随后，如图4b所示，再于栅极区2074图案上形成一栅极绝缘层208，随后，再于栅极绝缘层208上形成非晶硅层，用于制作薄膜晶体管的半导体层215，随后利用微影制程配合离子布植制程于半导体层215进行离子布植，其中于微影制程中部分半导体层215为光阻形成的遮罩图案(图未示)所阻挡而未形成掺杂，借此半导体层215的未掺杂区域作为薄膜晶体管207的通道区2073，而通道区2073两侧的掺杂区域则形成薄膜晶体管207的源极区2071和漏极区2072。本实施例的薄膜晶体管可为N型或P型，因此离子布植使用的掺质可视需要为P型或N型。另外值得说明的是本实施例的薄膜晶体管为单栅极设计，然而本发明的应用不限于此，而亦可为双闸设计。接着如图4c所示，再于半导体层215之上形成第二层金属，并利用一微影制程配合蚀刻制程于源极区2071和漏极区2072形成外接电极。
[0068]随后，如图4d所不，于薄膜晶体管207上形成一第一介电层209,并于反射区206的第一介电层209形成起伏表面，再于第一介电层209形成一通孔212,曝露出部分漏极区2072。于本实施例中，第一介电层209,例如为氮化娃(silicon nitride)、氮氧化娃(silicon oxy-nitride)或氧化娃(silicon oxide),上述其中的一材料所构成的单一层，或由上述材料堆叠而成的多层结构，但不限于此。接着，如图4e所示，于第一介电层209上以及通孔212中形成一金属层，并利用一微影蚀刻制程定义出共通电极210，在本实施例中，共通电极210仅设置于穿透区205中，此外，形成在通孔212中的共通电极210会覆盖曝露出的部分漏极区2072作为保护之用，而共通电极210的材料则为透明导电材料，例如:铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)等，但不限于此。接着，如图4f所不，于第一介电层209上形成一第三金属层，并利用一微影蚀刻制程移除反射区206外的第三金属层，保留于反射区206处的第三金属层作为反射电极214。在此实施例中，所形成的反射电极214是电性于连接共通电极210，然而，在其他的实施例中，反射电极214和共通电极210是彼此不相连接的。
[0069]随后,如图4g所不，于第一介电层209、反射电极214以及共通电极210上形成一第二介电层211,以作为保护层,其中第二介电层211,例如为氮化娃(silicon nitride)、氮氧化娃(silicon oxy-nitride)或氧化娃(silicon oxide),上述其中的一材料所构成的单一层，或由上述材料堆叠而成的多层结构，但不限于此。最后如图2h所示，于第二介电层211上形成一透明导电层，并利用一微影蚀刻制程形成像素电极213，其中像素电极213延伸于穿透区205与反射区206，并透过通孔212与漏极区2072电性连接。由于穿透区205是采用横向电场模式的液晶显示器架构，因此，穿透区205处的像素电极213会形成多个开口 216，借以与设置于其下的共通电极210产生横向电场，而反射区206是采用电控双折射模式的液晶显示器架构，因此反射区206处的像素电极213形成连续状，借以与设置于彩色滤光片基板202上的共通电极225产生电场来驱动液晶层203中的液晶分子。
[0070]值得注意的是，本案反射区所采用的架构并不限于上述两实施例所揭示的:电控双折射模式的液晶显示器架构或横向电场模式的液晶显示器架构，其他的显示器架构亦可应用于本发明的反射区中来搭配透射区所采用的横向电场模式的液晶显示器架构。依此，由于，本发明半穿透半反射式液晶显示器，在穿透区中是采用横向电场模式的液晶显示器架构，因此可大幅提升视角宽度。
[0071]虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
【权利要求】
1.一种半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，至少包括: 一薄膜晶体管，设置于一第一基板上，其中该第一基板具有一反射区以及一穿透区上，该薄膜晶体管具有一通道区、一源极区、一漏极区和一栅极区； 一第一介电层，设置于该薄膜晶体管上，该第一介电层具有一通孔来曝露出部分的该漏极区； 一第一共通电极，设置于该第一介电层上以及该通孔中，且覆盖该曝露出部分漏极区； 一反射电极，设置于该反射区中的该第一介电层上； 一第二介电层，设置于该第一共通电极和该反射电极上，以及该通孔的侧壁上；以及一像素电极，设置在该穿透区与该反射区的该第二介电层上，该像素电极透过该通孔电性连接该漏极区。
2.根据权利要求1所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，该薄膜晶体管还包括: 一第一金属层，设置于该第一基板的该穿透区； 一绝缘层，设置于该第一金属层与该第一基板上；以及 一半导体层，设置于该绝缘层上并对应该第一金属层位置，其中该半导体层包括该通道区，以及位于该通道区的两侧的该源极区和该漏极区，该第一金属层包括对应该通道区的该栅极区。
3.根据权利要求1所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，还包括: 一第二基板面对该第一基板设置，一色阻层堆叠设置于该第二基板上，其中该第二基板对应于该反射区处的该色阻层形成有一开口 ；以及一液晶层，设置于该第一基板与该第二基板间。
4.根据权利要求3所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，该第一共通电极延伸设置于该穿透区与该反射区中，该反射电极设置于该反射区的该第一共通电极上。
5.根据权利要求4所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，该像素电极具有多个开口，以与该第一共通电极形成横向电场驱动该反射区与该穿透区的液晶层。
6.根据权利要求3所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，还包括一第二共通电极设置于该第二基板对应于该反射区处的该色阻层上。
7.根据权利要求6所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，该第一共通电极设置于该穿透区中，该反射电极设置于该反射区的该第一介电层上并电性连接或电性绝缘该第一共通电极。
8.根据权利要求6所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，设置于该穿透区中的该像素电极具有多个开口，以与该第一共通电极形成横向电场驱动该穿透区的液晶层。
9.根据权利要求6所述的半穿透半反射液晶显示器，其特征在于，设置于该反射区中的该像素电极与该第二共通电极形成电场驱动该反射区的液晶层。
10.一种半穿透半反射液晶显示器的制造方法，其特征在于，至少包括: 提供一第一基板，并于该第一基板上定义出一反射区以及一穿透区； 于该第一基板的该穿透区上形成一薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管具有一源极区、一漏极区和一栅极区；于该薄膜晶体管上形成一第一介电层，其中该第一介电层具有一通孔来曝露出部分的该漏极区； 于该第一介电层上以及该通孔中形成一第一共通电极，其中该通孔中的该第一共通电极覆盖该曝露出的部分漏极区； 于该反射区中的该第一介电层上形成一反射电极； 于该第一共通电极和该反射电极上，以及该通孔的侧壁上形成一第二介电层；以及于该穿透区与该反射区的该第二介电层上形成一像素电极，该像素电极透过该通孔电性连接该漏极 区。
【文档编号】G02F1/1343GK103984175SQ201310050894
【公开日】2014年8月13日 申请日期:2013年2月8日 优先权日:2013年2月8日
【发明者】游家华, 胡宪堂, 任珂锐, 赖瑞麒 申请人:瀚宇彩晶股份有限公司