数字微镜器件的形成方法
【专利摘要】一种数字微镜器件的形成方法，包括：提供形成有微镜器件控制电路的基底；在基底上形成第一牺牲层；在第一牺牲层上形成导电材料层、位于导电材料层上的介质材料层、及位于介质材料层上的图形化光刻胶层；以图形化光刻胶层为掩模，对介质材料层进行刻蚀，以形成铰链中的介质层；去除介质层上方的图形化光刻胶层之后，在介质层的周围形成侧墙；以介质层及侧墙为掩模，对导电材料层进行湿法刻蚀，以形成铰链中的导电层；形成导电层之后，去除侧墙。在湿法刻蚀以形成导电层的步骤中，由于介质层的周围形成有侧墙，可以减少导电层的刻蚀量，甚至使导电层不被刻蚀，因而加大了导电层对介质层施加的支撑力，使介质层不容易倒塌。
【专利说明】数字微镜器件的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体【技术领域】，特别是涉及一种数字微镜器件的形成方法。
【背景技术】
[0002]数字微镜器件(Digital Micro Display，简称DMD)是一种新型的全数字化的平板显不器件，它将反射微镜阵列和CMOS SRAM集成在同一芯片上。由于反射微镜占有数字微镜器件单元的绝大部分显示面积，因此可以制作出高亮度和高像质的系统。
[0003]图1是现有一种数字微镜器件的立体结构分解图，如图1所示，数字微镜器件包括:基底1，基底I上形成有微镜器件控制电路；位于基底I上的数字微镜阵列，所述数字微镜阵列中的每个数字微镜包括:通过两个第一支撑柱3支撑在基底I上方的铰链(hinge)2，两个第一支撑柱3分别位于铰链2的两端,铰链2通过第一导电插塞(未图不)与控制电路电连接；两个分别位于铰链2两侧的固定电极4，固定电极4通过第二支撑柱5支撑在基底I上方、并通过第二导电插塞(未图示)与控制电路电连接；位于铰链2上方的反射镜6，反射镜6通过第三导电插塞7与铰链2电连接。
[0004]数字微镜器件的工作原理如下:在任意一个固定电极4与反射镜6之间施加电性相反的电压时，反射镜6受到固定电极4的吸引，可绕着铰链2旋转预定角度(如±12° );在失电后反射镜6在铰链2的扭转恢复力的作用下恢复到平衡位置，如此一来，根据反射镜6位置的不同，反射光的出射角度就不相同，因此每个反射镜相当于一个光开关，当光开关处理“开态”时，反射光就可以通过投影透镜投到屏幕上，屏幕上出现亮态；当光开关处于“关态”时，反射光无法根据需要控制亮暗位置，从而实现显示。
[0005]下面结合图2A至图5A、以及图2B至图5B对上述数字微镜器件的形成方法作介绍，图2A至图5A是现有数字微镜器件在各个制作阶段沿第一截面的剖面结构示意图，图2B至图5B是现有数字微镜器件在各个制作阶段沿第二截面的剖面结构示意图，所述第一截面垂直穿过所述反射镜、铰链及第一支撑柱，所述第二截面垂直于第一截面、并垂直穿过所述反射镜、铰链、固定电极及第二支撑柱。具体地，该方法包括:
[0006]结合图1、图2A和图2B所示，提供形成有微镜器件控制电路(未图示)的基底1，在基底I上形成牺牲层8，在牺牲层8内形成两个第一支撑柱3、及两个第二支撑柱5，第一支撑柱3内具有露出基底I的第一通孔(未标识)，第二支撑柱5内具有露出基底I的第二通孔(未标识)。
[0007]继续结合图1、图2A和图2B所示，在第一支撑柱3的第一通孔内形成与控制电路电连接的第一导电插塞9，在第二支撑柱5的第二通孔内形成与控制电路电连接的第二导电插塞10。
[0008]结合图1、图3A和图3B所示，在牺牲层8、第一支撑柱3、第二支撑柱5、第一导电插塞9及第二导电插塞10上形成导电材料层21a、位于导电材料层21a上方的介质材料层22a、位于介质材料层22a上方的图形化光刻胶层11。
[0009]结合图1、图4A和图4B所示，以图形化光刻胶层11为掩模，对介质材料层22a(图3A和图3B所示)进行干法刻蚀，以形成介质层22。
[0010]结合图1、图5A和图5B所示，去除图形化光刻胶层11 (图4A和图4B所示)之后，以介质层22为掩模，对导电材料层21a (图4A和图4B所示)进行湿法刻蚀，以形成导电层21。位于第一支撑柱3及第一导电插塞9上方的导电层21与介质层22共同构成铰链2，位于第二支撑柱5及第二导电插塞10上方的导电层21与介质层22共同构成固定电极4,通过在导电层21上方设置介质层22，可以提高铰链2的强度，从而提高铰链2的可靠性(即铰链2可以转动的次数)。
[0011]由于湿法刻蚀是各向同性刻蚀，因此，在湿法刻蚀形成导电层21的过程中，刻蚀剂不仅会去除导电材料层21a中未被介质层22覆盖的部分，还会去除导电材料层21a中被介质层22覆盖的边缘部分21b (图中以虚线表示)，定义导电层21中被刻蚀部分(即21b)的最大宽度(平行于基底表面方向上的尺寸)为W, W大于导电层21的厚度。
[0012]随着数字微镜器件技术的发展，为了提高数字微镜器件的灵敏度，数字微镜器件的尺寸越来越小，因此铰链2的关键尺寸也越来越小。由于导电层21的边缘部分21b被刻蚀，使导电层21无法对介质层22施加足够的支撑力，造成介质层22容易倒塌。
【发明内容】
[0013]本发明要解决的问题是:现有数字微镜器件形成方法容易造成铰链中的介质层倒塌。
[0014]为解决上述问题，本发明提供一种数字微镜器件的形成方法，包括:
[0015]提供形成有微镜器件控制电路的基底；
[0016]在所述基底上形成第一牺牲层；
[0017]在所述第一牺牲层上形成导电材料层、位于所述导电材料层上的介质材料层、及位于所述介质材料层上的图形化光刻胶层；
[0018]以所述图形化光刻胶层为掩模，对所述介质材料层进行刻蚀，以形成铰链中的介质层；
[0019]去除所述介质层上方的图形化光刻胶层之后，在所述介质层的周围形成侧墙；
[0020]以所述介质层及侧墙为掩模，对所述导电材料层进行湿法刻蚀，以形成铰链中的导电层；
[0021 ]形成所述导电层之后，去除所述侧墙。
[0022]可选的，所述侧墙的形成方法包括:
[0023]在所述导电材料层及介质层上形成侧墙材料层；
[0024]对所述侧墙材料层进行回刻，以在所述介质层的周围形成侧墙。
[0025]可选的，所述侧墙的材料为无定形碳。
[0026]可选的，所述回刻步骤中所采用的刻蚀气体包括CO2和N2。
[0027]可选的，所述侧墙的材料为底部抗反射层。
[0028]可选的，所述回刻步骤中所采用的刻蚀气体包括O2和HBr。
[0029]可选的，所述介质材料层的材料为富硅氧化硅。
[0030]可选的，所述导电材料层的材料为钛。
[0031]可选的，所述湿法刻蚀所采用的刻蚀剂为氨水和双氧水的混合水溶液。
[0032]可选的，还包括:去除所述第一牺牲层。
[0033]可选的，所述第一牺牲层的材料为无定形碳；在去除所述第一牺牲层的同时去除所述侧墙。
[0034]可选的，在所述第一牺牲层上形成导电材料层之前，还包括:
[0035]在所述第一牺牲层内形成用于支撑铰链的第一支撑柱，所述第一支撑柱具有露出基底的第一通孔；
[0036]在所述第一通孔内形成与所述数字微镜器件控制电路电连接的第一导电插塞。
[0037]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0038]在湿法刻蚀以形成导电层的步骤中，由于介质层的周围形成有侧墙，可以减少导电层的边缘刻蚀量，甚至使导电层边缘不被刻蚀，因而加大了导电层对介质层施加的支撑力，使介质层不容易倒塌。
【专利附图】
【附图说明】
[0039]图1是现有一种数字微镜器件的立体结构分解图；
[0040]图2A至图5A是现有数字微镜器件在各个制作阶段沿第一截面的剖面结构示意图，所述第一截面垂直穿过所述反射镜、铰链及第一支撑柱；
[0041]图2B至图5B是现有数字微镜器件在各个制作阶段沿第二截面的剖面结构示意图，所述第二截面垂直于第一截面、并垂直穿过所述反射镜、铰链、固定电极及第二支撑柱，图2A与图2B对应，图3A与图3B对应，图4A与图4B对应，图5A与图5B对应；
[0042]图6A至图16A是本发明的第一实施例中数字微镜器件在各个制作阶段沿第一截面的剖面结构示意图，所述第一截面垂直穿过所述反射镜、铰链及第一支撑柱；
[0043]图6B至16B是本发明的第一实施例中数字微镜器件在各个制作阶段沿第二截面的剖面结构示意图，所述第二截面垂直于第一截面、并垂直穿过所述反射镜、铰链、固定电极及第二支撑柱，其中，图7A与图7B对应，图8A与图8B对应，图9A与图9B对应，图1OA与图1OB对应，图1lA与图1lB对应，图12A与图12B对应，图13A与图13B对应，图14A与图14B对应，图15A与图15B对应，图16A与图16B对应。
【具体实施方式】
[0044]如前所述，现有数字微镜器件形成方法容易造成铰链中的介质层倒塌。
[0045]为了解决这个问题，有研究出一种解决方案:增大铰链的关键尺寸，以加大铰链中的导电层对介质层施加的支撑力，进而使铰链中的介质层不容易倒塌。但是，这样会降低数字微镜器件的灵敏度。
[0046]鉴于此，有研究出另一种解决方案:在以图形化光刻胶层为掩模、利用湿法刻蚀方法形成铰链中的介质层之后，去除图形化光刻胶层，以介质层为掩模、利用干法刻蚀方法形成铰链中的导电层。虽然这种方案不会出现铰链中的介质层容易倒塌的问题，但是，在干法刻蚀过程中介质层也会被刻蚀，使介质层的表面不光滑，增加了介质层的表面粗糙度，进而会降低数字微镜器件的灵敏度。
[0047]鉴于此，又研究出了本发明的解决方案:在基底上形成铰链中的介质层之后，在介质层的周围形成侧墙，再以侧墙和介质层为掩模进行湿法刻蚀以形成铰链中的导电层。由于介质层的周围形成有侧墙，可以减少导电层的边缘刻蚀量，甚至使导电层边缘不被刻蚀，因而加大了导电层对介质层施加的支撑力，使介质层不容易倒塌。
[0048]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0049]第一实施例
[0050]结合图1、图6A和图6B所示，提供基底100，基底100上形成有微镜器件控制电路(未图示)。
[0051 ] 在本实施例中，所述微镜器件控制电路为CMOS SRAM电路。
[0052]继续结合图1、图6A和图6B所不,在基底100上形成第一牺牲层110,在第一牺牲层110内形成第一支撑柱120及第二支撑柱130，第一支撑柱120具有露出基底100的第一通孔(未标识)，第二支撑柱130具有露出基底100的第二通孔(未标识)。
[0053]在本实施例中，第一支撑柱120和第二支撑柱130的形成方法包括:对第一牺牲层110进行图形化处理，以在第一牺牲层110内形成底部露出基底100的第一开口(未标识)和第二开口(未标识)；形成覆盖第一牺牲层110、并填充满所述第一开口和第二开口的第一介质层；对所述第一介质层进行化学机械研磨处理，以去除超出所述第一开口和第二开口的第一介质层，剩余的第一介质层将所述第一开口和第二开口填充满；在第一牺牲层110、填充在第一开口和第二开口内的第一介质层上形成图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层定义所述第一通孔及第二通孔的位置；以所述图形化光刻胶层为掩模进行刻蚀，保留所述第一开口侧壁预定厚度的第一介质层、保留所述第二开口侧壁预定厚度的第一介质层，从而形成具有第一通孔的第一支撑柱120、具有第二通孔的第二支撑柱130。
[0054]在后续工艺中，第一牺牲层110会被去除。在具体实施例中，第一牺牲层110的材料为无定形碳，使得在后续工艺中能够将第一牺牲层110很方便地去除干净。在其他实施例中，第一牺牲层110的材料也可以为其他适于去除的材料，如氧化硅、锗或非晶硅等。
[0055]在具体实施例中，所述第一介质层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或碳氧化硅。
[0056]继续结合图1、图6A和图6B所不,在第一支撑柱120的第一通孔内形成与微镜器件控制电路电连接的第一导电插塞140，在第二支撑柱130的第二通孔内形成与微镜器件控制电路电连接的第二导电插塞150。
[0057]在本实施例中，第一导电插塞140和第二导电插塞150的形成方法包括:形成覆盖第一牺牲层110、第一支撑柱120、第二支撑柱130、并填充满所述第一通孔及第二通孔的导电材料层；对所述导电材料层进行化学机械研磨处理，以去除超出第一支撑柱120和第二支撑柱130的导电材料层,形成第一导电插塞140和第二导电插塞150。
[0058]在具体实施例中，所述导电材料层的材料为钨或铜。
[0059]结合图1、图7A和图7B所示，在第一牺牲层110、第一支撑柱120、第一导电插塞140、第二支撑柱130和第二导电插塞150上形成导电材料层161a、位于导电材料层161a上的介质材料层162a、和位于介质材料层162a上的图形化光刻胶层170。
[0060]在本实施例中，导电材料层161a的材料为钛。在其他实施例中，导电材料层161a的材料也可以为金、银、铜、铝、铬、钥、镉、镍或钴。
[0061]在本实施例中，介质材料层162a的材料为富娃氧化娃(Silicon-Rich-Oxide,简称SRO)。在其他实施例中，介质材料层162a的材料也可以为TEOS氧化硅(利用TEOS硅源形成的氧化硅)、氮化硅、氮氧化硅或碳氧化硅。
[0062]结合图1、图8A和图8B所示，以图形化光刻胶层170为掩模，对介质材料层162a(图7A和图7B所示)进行刻蚀，以形成介质层162。
[0063]在本实施例中，用于形成介质层162的刻蚀方法为各向异性的干法刻蚀方法。
[0064]结合图1、图9A和图9B所示，去除图形化光刻胶层170(图8A和图8B所示)之后，在介质层162的周围形成侧墙180。
[0065]在本实施例中，侧墙180的形成方法包括:在导电材料层161a及介质层162上形成侧墙材料层；对所述侧墙材料层进行回刻，以在介质层162的周围形成侧墙180。
[0066]在后续工艺中侧墙180会被去除，为了使得在后续工艺中能够将侧墙180很方便地去除干净，在本实施例中，侧墙180的材料为无定形碳。所述回刻步骤中所采用的刻蚀气体包括CO2和N2，使得所述侧墙材料层与介质层162之间的刻蚀选择比大于100:1、所述侧墙材料层与导电材料层161a之间的刻蚀选择比大于100:1。
[0067]结合图1、图1OA和图1OB所示，以介质层162及侧墙180为掩模，对导电材料层161a (图9A和图9B所示)进行湿法刻蚀，以形成导电层161。位于第一支撑柱120及第一导电插塞140上方的导电层161及介质层162共同构成铰链160,位于第二支撑柱130及第二导电插塞150上方的导电层161及介质层162共同构成固定电极190。铰链160中由于介质层162的存在，提高了铰链160的强度，从而可以提高铰链160的可靠性(即铰链160可以转动的次数)。由于介质层162的材料为富硅氧化硅，可以使介质层162的材质更为致密，能够进一步提高铰链160的可靠性。
[0068]在湿法刻蚀形成导电层161的过程中，刻蚀剂不仅会去除导电材料层161a (图9A和图9B所示)中未被介质层162和侧墙180覆盖的部分，还会去除导电材料层161a中被侧墙180覆盖的部分，甚至还有可能会去除导电材料层161a中被介质层162覆盖的边缘部分。
[0069]当用于形成侧墙180的侧墙材料层的厚度小于导电材料层161a的厚度时，在湿法刻蚀过程中刻蚀剂会去除导电材料层161a中被侧墙180及介质层162覆盖的部分；当用于形成侧墙180的侧墙材料层的厚度大于导电材料层161a的厚度，且用于形成侧墙180的侧墙材料层的厚度为设定值时，在湿法刻蚀过程中刻蚀剂仅仅会去除导电材料层161a中被侧墙180覆盖的部分，而不会去除导电材料层161a中被介质层162覆盖的部分。
[0070]所述设定值需根据以下方法来确定:当介质层162的周围没有形成侧墙180，仅以介质层162为掩模进行湿法刻蚀形成导电层161 (即为图5A和图5B所示的现有技术方法)时，测量导电层161中被刻蚀部分的最大宽度(平行于基底表面方向上的尺寸)，所述设定值等于该最大宽度。如前所述，在湿法刻蚀之后，导电层中被刻蚀部分的最大宽度大于导电层的厚度，因此，所述设定值也大于导电层的厚度。在具体实施例中，所述设定值比导电层的厚度大于O至200埃(不包括O)。
[0071]由前述可知，现有技术中是仅以介质层为掩模进行湿法刻蚀以形成导电层，导电层中被刻蚀部分全部位于介质层下方。在利用本实施例的技术方案形成相同厚度的导电层时，导电层中被刻蚀部分位于介质层和侧墙下方、或者全部位于侧墙下方。比较可知，在湿法刻蚀以形成导电层161的步骤中，由于介质层162的周围形成有侧墙180，可以减少导电层161的边缘刻蚀量，甚至使导电层161边缘不被刻蚀，因而加大了导电层161对介质层162施加的支撑力，使介质层162不容易倒塌。
[0072]另外，本技术方案在取得铰链中的介质层不容易倒塌的有益效果的同时，还不会降低数字微镜器件的灵敏度。
[0073]在本实施例中，所述湿法刻蚀所采用的刻蚀剂为氨水和双氧水的混合水溶液。
[0074]结合图1、图1lA和图1IB所示，在第一牺牲层110、铰链160、固定电极190和侧墙180上形成第二牺牲层200。在第二牺牲层200内形成两个第一连接柱210、及位于两个第一连接柱210之间的第三支撑柱220，第一连接柱210位于铰链160上方、并与铰链160的端部连接，第三支撑柱220具有露出铰链160的第三通孔(未标识)。
[0075]在本实施例中，第一连接柱210和第三支撑柱220的形成方法包括:对第二牺牲层200进行图形化处理，以在第二牺牲层200内形成底部露出铰链160上表面的第三开口(未标识)和第四开口(未标识)；形成覆盖第二牺牲层200、并填充满所述第三开口和第四开口的第二介质层；对所述第二介质层进行化学机械研磨处理，以去除超出所述第三开口和第四开口的第二介质层，形成第一连接柱210和第三支撑柱220 ;去除所述第四开口内的部分第二介质层，保留所述第四开口侧壁预定厚度的第二介质层，以在第三支撑柱220内形成第三通孔。
[0076]在后续工艺中，第二牺牲层200会被去除。在具体实施例中，第二牺牲层200的材料为无定形碳，使得在后续工艺中能够方便的将第二牺牲层200去除干净。在其他实施例中，第二牺牲层200的材料也可以为其他适于去除的材料，如氧化硅、锗或非晶硅等。
[0077]在具体实施例中，所述第二介质层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或碳氧化硅。
[0078]结合图1、图12A和图12B所示，在第三支撑柱220的第三通孔内形成与铰链160电连接的导电插塞230。
[0079]在本实施例中，导电插塞230的形成方法包括:形成覆盖第二牺牲层200及第一连接柱210、并填充满所述第三通孔的导电材料层；进行化学机械研磨处理，以去除超出第一连接柱210的导电材料层，形成导电插塞230。
[0080]在具体实施例中，所述导电材料层的材料为钨或铜。
[0081]结合图1、图13A和图13B所示，在第二牺牲层200上形成与导电插塞230电连接的反射镜240。反射镜240通过导电插塞230与铰链160电连接。
[0082]在本实施例中，反射镜240的形成方法包括:在第二牺牲层200、第一连接柱210、第三支撑柱220和导电插塞230上形成反射镜材料层；对该反射镜材料层进行图形化，以形成反射镜240。
[0083]在具体实施例中，反射镜240的材料为金、银、铜、铝、钛、铬、钥、镉、镍或钴。
[0084]如图14A和图14B所示，在第二牺牲层200、第一连接柱210及反射镜240上形成第三牺牲层250，在第三牺牲层250内形成与第一连接柱210连接的第二连接柱260。
[0085]在本实施例中，第二连接柱260的形成方法可以参考第一连接柱210的形成方法，在此不再赘述。
[0086]继续参照图14A和图14B所示，在第三牺牲层250及第二连接柱260上形成封盖层270，封盖层270具有露出第三牺牲层250的窗口 271。
[0087]在本实施例中，封盖层270的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或碳氧化硅。
[0088]结合图1、图15A和图15B所示，去除第一牺牲层110、第二牺牲层200、第三牺牲层250和侧墙180 (图14A和图14B所示)。
[0089]在本实施例中，利用灰化方法将第一牺牲层110、第二牺牲层200、第三牺牲层250和侧墙180同时去除。在灰化步骤中，氧气进入封盖层270上的窗口 271，从而将第一牺牲层110、第二牺牲层200、第三牺牲层250和侧墙180去除。
[0090]去除第一牺牲层110、第二牺牲层200和第三牺牲层250之后，铰链160被位于两端的第一支撑柱120及第一导电插塞140支撑在基底100上方，固定电极190被第二支撑柱130及第二导电插塞150支撑在基底100上方，反射镜240被第三支撑柱220支撑在铰链160上方，铰链160通过第一连接柱210及第二连接柱260与封盖层270连接。
[0091]如图16A和图16B所示，形成覆盖封盖层270、并填充满窗口 271 (图15A和图15B所示)的密封层280。
[0092]在本实施例中，密封层280的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或碳氧化硅。
[0093]封盖层270及密封层280的作用是:防止水蒸气、灰尘、杂质等进入数字微镜器件内，以提高数字微镜器件的寿命。
[0094]第二实施例
[0095]第二实施例与第一实施例之间的区别在于:在第二实施例中，继续参照图8A和图8B、以及图9A和图9B所示，侧墙180的材料为底部抗反射层(Bare)。
[0096]在这种情况下，在回刻所述侧墙材料层以形成侧墙180的步骤中，所采用刻蚀气体包括:02和HBr，使得所述侧墙材料层与介质层162之间的刻蚀选择比大于100:1、所述侧墙材料层与导电材料层161a之间的刻蚀选择比大于100:1。
[0097]在这种情况下，也可以在去除所述第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层的同时，将所述侧墙也去除。
[0098]第三实施例
[0099]第三实施例与第一实施例之间的区别在于:在第三实施例中，形成铰链之后，先去除所述侧墙，再在第一牺牲层和铰链上形成第二牺牲层。
[0100]本发明中，各实施例采用递进式写法，重点描述与前述实施例的不同之处，各实施例中的相同部分可以参照前述实施例。
[0101]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【权利要求】
1.一种数字微镜器件的形成方法，其特征在于，包括: 提供形成有微镜器件控制电路的基底； 在所述基底上形成第一牺牲层； 在所述第一牺牲层上形成导电材料层、位于所述导电材料层上的介质材料层、及位于所述介质材料层上的图形化光刻胶层； 以所述图形化光刻胶层为掩模，对所述介质材料层进行刻蚀，以形成铰链中的介质层； 去除所述介质层上方的图形化光刻胶层之后，在所述介质层的周围形成侧墙； 以所述介质层及侧墙为掩模，对所述导电材料层进行湿法刻蚀，以形成铰链中的导电层； 形成所述导电层之后，去除所述侧墙。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的形成方法包括: 在所述导电材料层及介质层上形成侧墙材料层； 对所述侧墙材料层进行回刻，以在所述介质层的周围形成侧墙。
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为无定形碳。
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述回刻步骤中所采用的刻蚀气体包括CO2和N2。
5.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为底部抗反射层。
6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述回刻步骤中所采用的刻蚀气体包括O2和HBr。
7.根据权利要求4或6所述的形成方法，其特征在于，所述介质材料层的材料为富硅氧化硅。
8.根据权利要求4或6所述的形成方法，其特征在于，所述导电材料层的材料为钛。
9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀所采用的刻蚀剂为氨水和双氧水的混合水溶液。
10.根据权利要求3或5所述的形成方法，其特征在于，还包括:去除所述第一牺牲层。
11.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料为无定形碳; 在去除所述第一牺牲层的同时去除所述侧墙。
12.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一牺牲层上形成导电材料层之前，还包括: 在所述第一牺牲层内形成用于支撑铰链的第一支撑柱，所述第一支撑柱具有露出基底的第一通孔； 在所述第一通孔内形成与所述数字微镜器件控制电路电连接的第一导电插塞。
【文档编号】G02B26/08GK104516102SQ201310462456
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2013年9月30日 优先权日:2013年9月30日
【发明者】汪新学, 倪梁, 伏广才 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司