液晶显示装置及其制造方法
【专利摘要】本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。装置包括下基板和上基板，彼此接合且在上面限定有显示区域和非显示区域；薄膜晶体管，形成在下基板上；像素电极，形成在下基板的像素区域上且电连接到薄膜晶体管；平整层，形成在具有像素电极和薄膜晶体管的下基板的整个表面上，且具有在非显示区域上的密封图案插入槽；黑底，形成在上基板上；滤色器层，在相邻的黑底之间形成在上基板上；间隔壁，形成在上基板上且形成与下基板上所形成的密封图案插入槽对应的空间；柱状间隔体，维持上基板与下基板之间的单元间隙；液晶层，夹在下基板与上基板之间；以及密封图案，插在位于下基板和上基板的非显示区域上的密封插入槽与间隔壁之间。
【专利说明】液晶显示装置及其制造方法【技术领域】
[0001]本说明书涉及液晶显示(IXD)装置，具体涉及IXD装置及其制造方法。
【背景技术】
[0002]通常，液晶显示(IXD)装置利用液晶的特性，诸如光学各向异性和极性。由于液晶分子具有细长结构和配向方向，所以可以通过向液晶人工施加电场来控制液晶分子的排列。
[0003]因此，当随机调整液晶分子的配向方向时，由于光学各向异性，使光朝向液晶分子的配向方向折射，从而显示图像信息。
[0004]目前，正在开发具有以矩阵构造排布的薄膜晶体管和像素电极的有源矩阵液晶显示(AM-1XD)装置，以使其具有高分辨率和显示运动图像的能力。
[0005]IXD装置包括:具有公共电极的滤色器基板(B卩，上基板)、具有像素电极的阵列基板(B卩，下基板)、以及夹在上基板与下基板之间的液晶。LCD装置的公共电极和像素电极利用沿上下方向形成的电场来驱动液晶分子。因此，LCD装置具有高透过率和大孔径比。但是由于液晶分子是被垂直形成的电场驱动，所以LCD装置具有低视角特性。
[0006]因此，为了克服缺点，已经提出了诸如利用边缘场开关(FFS)的液晶驱动方法等的新技术。利用FFS的液晶驱动方法呈现出高视角特性。
[0007]下文中，将参照图1描述具有该优点的相关技术的FFS模式IXD装置。
[0008]图1是根据相关技术的FFS模式IXD装置的示意性平面图。
[0009]如图1所示，根据相关技术的FFS模式IXD装置包括:彼此接合并且在上面分别限定有显不区域AA和非显不区域NA的下基板11和上基板41 ；以及夹在下基板11与上基板41之间的液晶层61。
[0010]这里，下基板11包括:多条选通线(未示出)，这些选通线沿一个方向延伸并且彼此平行分开；栅极13，该栅极13从各条选通线(未示出)垂直延伸；多条数据线(未示出)，这些数据线分别与选通线(未示出)交叉以在交叉处上限定像素区域；以及薄膜晶体管(TFT)“T”，该薄膜晶体管(TFT) “T”布置在选通线与数据线之间的各个交叉处并且具有栅极13、有源层17以及源极21和漏极23。这里，虽然未示出，栅焊盘(未示出)和数据焊盘(未示出)分别从选通线的一端和数据线的一端延伸。栅焊盘和数据焊盘连接到栅焊盘连接线(未示出)和数据焊盘连接线(未示出)。
[0011]而且，下基板11还包括具有大面积并且电连接到TFT T的像素电极27。在具有像素电极27的下基板11上形成有有机平整层29。这里，像素电极27电连接到形成TFT T的漏极23。
[0012]在有机平整层29上形成有与像素电极27对应的多个公共电极31。在包括多个公共电极31的有机平整层29上形成有下配向层33。 [0013]并且，在包括上基板41的非显示区域NA在内的相邻的像素区域(未示出)之间形成有黑底43，并且在各个像素区域(未示出)上形成有滤色器层45。[0014]在包括滤色器层45的上基板41的整个表面上形成有上配向层47。
[0015]在非显示区域NA的外边缘上形成有密封图案51，以将下基板11和上基板41彼此接合。
[0016]凭借该构造，当数据信号经由TFT T施加于像素电极27时，在被提供了公共电压的公共电极31与像素电极27之间形成边缘场，使得在下基板11与上基板41之间沿水平方向配向的液晶分子由于介电各向异性而旋转。而且，液晶分子的旋转程度决定透过像素区域的光的透射率，从而实现渐变。
[0017]图2是示出在接合相关技术的LCD装置的上基板和下基板时使密封图案沿非显示区域的外方向和内方向扩展的状态的示意图。
[0018]在相关技术的FFS模式IXD装置中，如图2所示，密封图案51插入在下基板11与上基板41之间，以将上基板11与下基板41彼此接合。使密封图案51沿非显示区域NA的外方向扩展第一宽度Wl并且沿非显示区域NA的内方向扩展第二宽度W2。
[0019]因此，考虑到密封图案的宽度的扩展容限(差)和配向层的扩展容限，相关技术的IXD装置必须确保从密封图案51到基板一端的距离达预定距离，例如，0.2mm以上。这是为了防止因密封图案51的扩展引起的、在单元刻划时单元未分离的缺陷。
[0020]而且，在相关技术中，由于密封图案51的扩展，所以还使下配向层33和上配向层47扩展出它们的区域，以交叠密封图案51。这造成了接合力减小的问题。
[0021]如上所述，在相关技术的FFS IXD装置中，难以控制形成在非显示区域NA上的密封图案的扩展和配向层的扩展。
[0022]而且，当由于密封图案的扩展而余量较小时，可能在单元刻划工序期间造成未返利单元的缺陷。
[0023]另外，在相关技术中，由于密封图案的扩展，所以还使下配向层和上配向层扩展出它们的区域，以交叠密封图案51，这造成了接合力减小的问题。
【发明内容】
[0024]因此，为了克服相关技术的那些缺点，详细描述的一个方面提供一种能够按照在制造FFS模式IXD制造期间在下基板的非显示区域上形成密封图案插入槽并且在上基板上形成用于固定密封图案的间隔壁的方式，通过防止密封图案和配向层的扩展并且减小针对密封图案的扩展宽度的余量来实现精细密封图案的液晶显示(LCD)装置及其制造方法。
[0025]为了实现这些和其它优点并且根据本说明书的目的，如这里具体实施和广泛描述的，提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括下基板和上基板，该上基板和下基板彼此接合并且在上面限定有显示区域和非显示区域；选通线和数据线，该选通线沿一个方向形成在所述下基板上，该数据线与所述选通线交叉以限定像素区域；薄膜晶体管，该薄膜晶体管形成在所述选通线与所述数据线之间的交叉处；像素电极，该像素电极形成在所述下基板的所述像素区域上并且电连接到所述薄膜晶体管；平整层，该平整层具有在具有所述像素电极和所述薄膜晶体管的所述下基板的所述非显示区域上形成的密封图案插入槽；黑底，该黑底形成在所述上基板上；滤色器层，该滤色器层在所述上基板上形成在相邻的黑底之间；间隔壁，该间隔壁形成在所述上基板上并且形成与所述下基板上所形成的所述密封图案插入槽对应的空间；柱状间隔体，该柱状间隔体维持所述上基板与所述下基板之间的单元间隙；液晶层，该液晶层夹在所述下基板与所述上基板之间；以及密封图案，该密封图案插在位于所述下基板和所述上基板的所述非显示区域上的所述密封插入槽与所述间隔壁之间。
[0026]为了实现这些和其它优点并且根据本说明书的目的，如这里具体实施和广泛描述的，提供了一种液晶显示装置的制造方法，该方法包括以下步骤:设置下基板和上基板，该上基板和下基板在上面限定有显示区域和非显示区域；分别形成所述下基板上沿一个方向的选通线和与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线；在所述选通线与所述数据线之间的交叉处形成薄膜晶体管；在所述下基板的所述像素区域上形成像素电极，以电连接到所述薄膜晶体管；形成平整层，该平整层具有在具有所述像素电极和所述薄膜晶体管的所述下基板的所述非显示区域上的密封图案插入槽；在所述上基板上形成黑底；在所述上基板上在相邻的黑底之间形成滤色器层；在所述上基板上形成间隔壁和柱状间隔体，所述间隔壁形成与所述下基板上所形成的所述密封图案插入槽对应的空间；在所述下基板的所述密封图案插入槽与所述间隔壁之间形成密封图案；以及在所述下基板与所述上基板之间形成液晶层。
[0027]根据本文中所公开的本公开，根据本公开的IXD装置可以包括密封图案插入槽，该密封图案插入槽在位于下基板的非显示区域上的平整层的边缘部上；和间隔壁，这些间隔壁形成在上基板上，以限定与密封图案插入槽对应的空间。这可以使密封图案插在密封图案插入槽和由间隔壁形成的空间中而被固定，其结果是减小了针对密封图案的扩展宽度的余量并且防止密封图案或配向层扩展出单元。
[0028]而且，根据依据本公开的IXD装置及其制造方法，由于在平整层上、与密封图案插入槽相邻的下基板的外侧处进一步形成多个防扩展槽，所以可以完全防止密封图案或配向层的一部分向外扩展。
[0029]本申请的进一步适用范围将从以下给出的详细描述而变得更明显。然而，应该理解，尽管详细描述和具体示例指示本公开的优选实施方式，但是它们仅以示意性方式给出，因为对于本领域技术人员而言，本公开的精神和范围内的各种改变和修改将从所述详细描述而变得明显。
【专利附图】
【附图说明】
[0030]附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并被并入并构成本说明书的一部分，附图示出示例性实施方式，并与说明书一起用于说明本公开的原理。
[0031]在附图中:
[0032]图1是示意性示出根据相关技术的FFS模式IXD装置的平面图；
[0033]图2是示出在接合相关技术的FFS模式IXD装置的上基板和下基板时使密封图案沿非显示区域的外方向和内方向扩展的状态的示意图；
[0034]图3是示意性示出根据本公开的示例性实施方式的FFS模式LCD装置的平面图；
[0035]图4是示意性示出根据本公开的FFS模式IXD装置的截面图；
[0036]图5是示意性示出在接合FFS模式LCD装置的上基板和下基板时借助密封图案插入槽和间隔壁使密封图案不扩展出单元的状态的放大图；以及
[0037]图6A至图6R是顺序示出根据本公开的示例性实施方式的FFS模式LCD装置的制 造处理的截面图。
【具体实施方式】
[0038]现在将参照附图详细描述根据示例性实施方式的边缘场开关(FFS)模式LCD装置。为了参照附图进行简洁的描述，相同或等同的组件将设有相同的附图标记，并且将不重复其描述。
[0039]图3是示意性示出根据本公开的示例性实施方式的FFS模式LCD装置的平面图，并且图4是示意性示出根据本公开的FFS模式LCD装置的截面图。
[0040]本公开示例性地例示出FFS模式IXD装置，而不限于该类型。应当理解，本公开还可以应用于使用不同的驱动方法(包括面内切换(IPS)模式和扭曲向列(TN)模式)的LCD装置和其它显示装置。
[0041]根据本公开的FFS模式IXD装置100如图4所示可以包括具有透明度和绝缘特性的下基板101和上基板141 ;密封图案161，该密封图案161形成在上基板101和下基板141的外边缘上，以将下基板101和上基板141彼此接合；以及液晶层171，该液晶层171填充在所接合的上基板101与下基板141之间形成的空间(间隙)中。
[0042]密封图案161可以布置在随着下基板101和上基板141彼此接合而形成的非显示区域NA上，并且液晶层171可以布置在随着下基板101和上基板141彼此接合而形成的显示区域AA上。
[0043]下文中，将更详细地描述根据本公开的FFS模式IXD装置100。
[0044]参照图4，可以在彼此接合的下基板101和上基板141上限定显示区域AA和非显示区域NA。
[0045]下基板101可以包括沿一个方向形成的选通线(未示出)、通过与选通线交叉来限定像素区域的数据线(未示出)、以及形成在选通线与数据线的各个交叉处的TFT T。这里，TFT T可以包括栅极103，该栅极103从下基板101上的选通线(未示出)垂直延伸；栅绝缘层105，该栅绝缘层105在栅极103上；有源层图案107a;源极113a和漏极113b，该源极113a和漏极113b与有欧姆接触层图案109a —起被有源层图案107a的沟道区域分开。
[0046]在下基板101的各个像素区域上可以形成电连接到TFT T的大型像素电极125。大像素电极125可以与选通线和数据线分开一间隙地布置在下基板101 (S卩，TFT基板)的像素区域的整个表面上。
[0047]图5是示意性示出在接合FFS模式LCD装置的下基板和上基板时借助密封图案插入槽和间隔壁使密封图案不扩展出单元的状态的放大图。
[0048]参照图5，可以在位于下基板101的非显示区域NA上的平整层127的一部分上形成插入密封图案161的密封图案插入槽131a。在平整层127上、与密封图案插入槽131a相邻可以形成有防扩展槽131b。这里，防扩展槽131b可以比密封图案插入槽131a小。可以设置多个防扩展槽131b。除了形成在平整层127上，密封图案插入槽131a和防扩展槽131b还可以形成在钝化层119上。
[0049]因此，由于密封图案161通过插在密封图案插入槽131a中而被固定，所以可以主要地防止密封图案161扩展到非显示区域NA的外侧和内侧。而且，多个防扩展槽131b可以用于辅助地防止密封图案161或下配向层135扩展到非显示区域NA的外侧。[0050]在平整层127上可以形成有与像素电极125交叠的多个分叉的公共电极133。下配向层135可以形成在包括公共电极133的平整层127上。这里，分叉的公共电极133可以彼此分开预定间隙，预定间隙之间插入平整层127。公共电极133可以与布置在像素区域上的大的像素电极125交叠。公共电极133还可以与数据线交叠。
[0051]因此，基准电压，即，用于驱动液晶分子的公共电压，可以通过多个公共电极133施加于各个像素。公共电极133可以与各个像素区域上的大的像素电极125交叠，平整层127插入在上述公共电极133与大的像素电极125之间，从而产生边缘场。
[0052]黑底143可以形成在上基板141上。滤色器层145可以在相邻的黑底143之间形成在上基板141上。这里，黑底143可以防止光透射到除了像素区域之外的区域中。
[0053]滤色器层145可以包括红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层。黑底143可以在红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层145之间布置在上基板141上。
[0054]这里，在将上基板141与下基板101彼此接合时，可以将黑底143布置在上基板141上，以与除了下基板101的像素区域之外的区域(例如，非显示区域NA、TFT T、选通线和数据线)交叠。
[0055]具有滤色器层145的上基板141可以包括上配向层147。在上基板141的上配向层147上，可以形成柱状间隔体149a，该柱状间隔体149a用于维持与下基板101的单元间隙；和间隔壁149b，这些间隔壁149b具有与形成在下基板101上的密封图案插入槽131a对应的空间。这里，间隔壁149b可以成对地设置在内侧和外侧上，并且密封图案161可以插在内间隔壁149b与外间隔壁149b之间。间隔壁149b的尺寸可以比密封图案插入槽131a的尺寸大。
[0056]具体地，间隔壁149b可以包括第一间隔壁和第二间隔壁，并且形成在非显示区域NA上。第一间隔壁可以位于非显示区域NA的最外部与密封图案161之间，并且第二间隔壁可以位于密封图案161与柱状间隔体149a之间。第一间隔壁与第二间隔壁之间的间隙可以与密封图案插入槽131a的宽度相同。
[0057]用于维持单元间隙的柱状间隔体149a可以形成在上基板141与下基板101之间。密封图案161可以在密封图案插入槽131a与间隔壁149b之间，位于下基板101和上基板141的非显示区域NA上。
[0058]液晶层171可以设置在下基板101与上基板141之间。
[0059]凭借该构造，当数据信号通过TFT T施加于像素电极125时，被提供公共电压的公共电极与像素电极125之间可以形成边缘场。因此，在下基板101与上基板141之间水平排布的液晶分子可能由于介电各向异性而旋转。液晶分子的旋转程度可以决定透过像素区域的光的透过率，从而实现渐变。
[0060]因此，根据本公开的IXD装置可以包括密封图案插入槽，该密封图案插入槽在位于下基板的非显示区域上的平整层的边缘部上；和间隔壁，这些间隔壁形成在上基板上，以限定与密封图案插入槽对应的空间。这可以使密封图案插在密封图案插入槽和由间隔壁形成的空间中而被固定，其结果是减小了针对密封图案的扩展宽度的余量并且防止密封图案或配向层扩展出单元。
[0061]而且，根据依据本公开的IXD装置及其制造方法，由于在平整层上、与密封图案插入槽相邻的下基板的外侧处进一步形成多个防扩展槽，所以可以完全防止密封图案或配向层的一部分向外扩展。
[0062]下文中，将参照图6A至图6R来描述具有上述构造的FFS模式IXD装置的制造方法。
[0063]图6A至图6R是顺序示出根据本公开的示例性实施方式的FFS模式LCD装置的制造处理的截面图。
[0064]虽然未示出，可以在透明下基板101上限定包括开关区域的多个像素区域，并且在下基板101上可以以溅射方式沉积第一金属层(未示出)。这里，第一金属层可以由从铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钥(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钥钨(MoW)、钥钛(MoTi)和铜 / 钥钛(Cu/MoTi)所组成的导电金属组中选择的至少一种制成。
[0065]此后，参照图6A，通过利用掩模(未示出)曝光和显影可以对第一金属层进行选择性构图，形成选通线(未示出)和从选通线延伸的栅极103。这里，虽然未示出，在形成选通线时，还可以同时形成栅焊盘(未示出)和数据焊盘(未示出)。
[0066]参照图6B，在包括栅极103的下基板101的整个表面上可以沉积由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)制成的栅绝缘层105。在栅绝缘层105上可以以顺序方式沉积非晶硅层(a-S1:H) 107、含有杂质的非晶硅层(η+或p+) 109、以及第二金属层113。
[0067]这里，可以通过化学气相沉积(CVD)法来沉积非晶硅层(a_S1:H) 107和含有杂质的非晶硅层U+或P+) 109，并且可以通过溅射法来沉积第二金属层113。
[0068]作为沉积法，本示例性实施方式示例性地例示了 CVD和溅射，但是如果需要，也可以采用其它沉积法。
[0069]第二金属层113可以由从铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钥(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钥钨(MoW)、钥钛(MoTi)和铜/钥钛(Cu/MoTi)所组成的导电金属组中选择的至少一种制成。
[0070]参照图6C，在第二金属层113上可以涂布具有高透过率的光刻胶，以形成感光膜
115。
[0071]此后，可以使用第一衍射掩模117对感光膜115进行曝光工序,第一衍射掩模117可以包括光阻挡部分117a、半透明部分117b和透明部分117c。
[0072]这里，第一衍射掩模117的光阻挡部分117a可以位于感光膜115上方，与用于形成数据线、栅极和漏极的区域交叠。第一衍射掩模117的半透明部分117b可以位于感光膜115上方，与TFT的沟道形成区域相对应。不使用第一衍射掩模117，也可以另选地使用具有光衍射效果的掩模(例如，半色调掩模或其它类型的衍射掩模)。
[0073]参照图6D，在曝光工序之后，可以执行显影工序，以刻蚀感光膜115，因而形成与数据线以及源极和漏极的形成区域对应的第一图案部分115a和与沟道形成区域对应的第二图案部分115b。
[0074]这里，因为第一图案部分115a不是透明的(可透光的)，所以第一图案部分115a可以维持感光膜115的厚度。然而，由于光部分地透过第二图案部分115b，所以可以将第二图案部分115b去除预定厚度。即，第二图案部分115b可以比第一图案部分115a薄。
[0075]参照图6E,使用第一图案部分115a和第二图案部分115b作为掩模可以顺序地对第二金属层113、含有杂质的非晶硅层109、以及非晶硅层107进行构图。因此，可以形成与选通线垂直交叉的数据线(未示出)，并且有源层图案107a和欧姆接触层图案109a也可以形成在与栅极103对应的栅绝缘层105上。[0076]参照图6F，可以执行灰化工序，以部分地去除与源极和漏极的形成区域对应的第一图案部分115a达预定厚度并且完全地去除与沟道形成区域对应的第二图案部分115b。这里，可以使第二金属层113的与沟道区域的上侧交叠的上表面露出在外面。
[0077]参照图6G，通过使用已经被部分地刻蚀了预定厚度的第一图案部分115a作为刻蚀掩模，可以刻蚀第二金属层113的露出部，从而形成彼此分开的源极113a和漏极113b。这里，可以使欧姆接触层图案109a位于沟道区域上的一部分露出在外面。
[0078]可以执行另外的刻蚀处理，以刻蚀露出在源极113a与漏极113b之间的欧姆接触层109a，使得源极113a和漏极113b可以彼此分开。这里，沟道可以形成在位于刻蚀后的欧姆接触层109a下面的有源层图案107a处。
[0079]参照图6H，在完全去除感光膜的第一图案部分115a之后，可以在下基板101的整个基板上沉积无机绝缘材料或有机绝缘材料，以形成钝化层119。可以将具有高透明度的光刻胶沉积在钝化层119上，以形成第二感光膜121。
[0080]参照图61，通过使用曝光掩模(未示出)的光刻法顺序执行曝光工序和显影工序，可以刻蚀第二感光膜，从而形成第二感光膜图案121a。
[0081]通过使用第二感光膜图案121a作为刻蚀掩模，可以顺序刻蚀钝化层119和栅绝缘层105，从而形成用于使漏极113b露出的漏接触孔123。虽然未示出，在形成漏接触孔123时，也可以同时形成用于使栅焊盘露出的栅焊盘接触孔(未示出)和用于使数据焊盘露出的数据焊盘接触孔(未示出)。
[0082]虽然未示出，但也可以去除第二感光膜图案121a，并且可以通过DC磁控溅射在包括漏接触孔123的钝化层119上沉积第一透明导电材料层(未示出)。这里，第一透明导电材料层可以由从铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)组成的透明材料组中选择的一种制成。
[0083]此后，虽然未示出，但是可以在第一透明导电材料层上涂布具有高透过率的光刻胶，以形成第三感光膜图案(未示出)。
[0084]虽然未示出，但是通过使用曝光掩模(未示出)的光刻法可以执行曝光工序和显影工序，以去除第三感光膜，从而形成第三感光膜图案(未示出)。
[0085]参照图6J，使用第三感光膜图案作为刻蚀掩模可以刻蚀第一透明导电材料层，从而形成大的像素电极125，像素电极125经由漏接触孔123电连接到漏极113b。
[0086]虽然未示出，但是可以去除第三感光膜图案，并且可以在包括像素电极125的钝化层119上形成由有机绝缘材料制成的平整层127。这里，平整层127可以由绝缘材料制成，例如，从包括二氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)在内的无机绝缘材料选择的一种或者从包括具有感光性的光学丙烯酸在内的有机绝缘材料选择的一种。本文公开的示例性实施方式例示了平整层127由具有感光性的有机绝缘材料形成。
[0087]接着，可以使用包括光阻挡部分129a和半透明部分12%在内的第二衍射掩模129，对平整层127执行曝光工序。
[0088]这里，第二衍射掩模129的光阻挡部分129a可以位于具有多个像素区域的显示区域AA的平整层127上方，并且第二衍射掩模129的半透明部分129b可以位于与插入密封图案的密封图案插入槽形成区域和防扩展槽形成区域对应的平整层127上方。不使用第二衍射掩模127，也可以另选地使用利用光衍射效果的掩模(例如，半色调掩模或其它类型的衍射掩模)。
[0089]参照图6L，在使用第二衍射掩模129执行曝光工序之后，可以执行显影工序，以去除平整层127的露出部，从而在平整层127上形成密封图案插入槽131a和防扩展槽131b。这里，可以在位于下基板101的非显示区域NA上的平整层127的一部分处形成插入密封图案161的密封图案插入槽131a。可以在平整层127上与密封图案插入槽131a相邻形成防扩展槽131b。这里，防扩展槽131b可以比密封图案插入槽131a小。可以设置多个防扩展槽131b。除了形成在平整层127上，密封图案插入槽131a和防扩展槽131b还可以形成在钝化层119上。
[0090]因此，由于密封图案161通过插在密封图案插入槽131a中而被固定，所以可以主要地防止密封图案161扩展到非显示区域NA的外侧和内侧。而且，多个防扩展槽131b可以用于辅助地防止密封图案161或下配向层135扩展到非显示区域NA之外。
[0091]此后，虽然未示出，但也可以通过DC磁控溅射在平整层127上沉积第二透明导电材料层(未示出)。这里，第二透明导电材料层可以由从铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)组成的透明材料组中选择的一种制成。
[0092]然后，虽然未示出，但是可以在第二透明导电材料层上涂布具有高透射率的光刻胶，以形成第四感光膜(未示出)。
[0093]虽然未示出，但是通过使用曝光掩模(未示出)的光刻法，可以执行曝光工序和显影工序，以去除第四感光膜，从而形成第四感光膜图案(未示出)。
[0094]参照图6M，可以使用第四感光膜图案作为刻蚀掩模，来刻蚀第二透明导电材料层，从而形成与大的像素电极125对应的多个分叉的公共电极133。
[0095]此后，可以在包括多个公共电极133的平整层127的整个表面上形成下配向层135。因此，可以完成用于根据本公开的FFS模式LCD的TFT阵列基板制造过程。
[0096]同时，参照图6N，可以在以隔开状态接合到下基板101的上基板141上形成黑底143。黑底143可以阻挡光透射到除了像素区域之外的区域。
[0097]参照图60，可以在上基板141的像素区域上形成包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器的滤色器层145。黑底143可以位于上基板141上在红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层145之间。
[0098]在将上基板141和下基板101彼此接合时，可以沉积黑底143，以与下基板101的像素区域之外的区域(例如，非显示区域NA、TFT T以及选通线和数据线)交叠。
[0099]接着，可以在具有滤色器层145的上基板141上形成用于沿预定方向配向平行液晶分子的上配向层147，从而完整地执行滤色器阵列基板制造过程。
[0100]参照图6P，可以在上配向层147上涂布感光材料层149。
[0101]然后，可以使用包括光阻挡部分151a、半透明部分151b以及透明部分151c的第三衍射掩模151，对感光材料层149执行曝光工序。这里，第三衍射掩模151的光阻挡部分151a可以位于与柱状间隔体形成区域对应的感光材料层149上方，并且半透明部分151b可以位于与用于固定密封图案的间隔壁形成区域对应的感光材料层149上方。
[0102]不使用第三衍射掩模151，也可以另选地使用利用光衍射效果的掩模(例如，半色调掩模或其它类型的衍射掩模)。而且，因为感光材料层149具有感光特性，所以可以不需要形成诸如光刻胶等的单独材料层。[0103]参照图6Q，在使用第三衍射掩模151执行曝光工序之后，可以执行显影工序，以去除感光材料层149的露出部，从而形成柱状间隔体149a和间隔壁149b。这里，间隔壁149b可以按照两个设置在内侧和外侧，并且密封图案161 (参见图6R)可以插在内侧的间隔壁149b与外侧的间隔壁149b之间。间隔壁149b之间形成的空间可以比密封图案插入槽131a大。柱状间隔体149a和间隔壁149b可以由相同材料制成。
[0104]具体地，间隔壁149b可以包括第一间隔壁和第二间隔壁，并且形成在非显示区域NA上。第一间隔壁可以位于非显示区域NA的最外部与密封图案161之间，并且第二间隔壁可以位于密封图案161与柱状间隔体149a之间。第一间隔壁与第二间隔壁之间的间隙可以与密封图案插入槽131a的宽度相同。
[0105]因此，通过以下工序形成的密封图案161可以位于间隔壁149b之间形成的空间中，以便防止扩展到非显示区域NA的外侧或内侧。
[0106]此后，参照图6R，为了接合下基板101和上基板141，可以在位于下基板101和上基板141的非显示区域NA上的密封插入槽131a与间隔壁149a之间形成密封图案161。
[0107]最后，可以在下基板101与上基板141之间形成液晶层171，从而完成根据本公开的FFS模式IXD装置100的制造。
[0108]因此，根据本公开的IXD装置可以包括密封图案插入槽，该密封图案插入槽在位于下基板的非显示区域上的平整层的边缘部上；和间隔壁，这些间隔壁形成在上基板上，以限定与密封图案插入槽对应的空间。这可以使密封图案插在密封图案插入槽和由间隔壁形成的空间中而被固定，其结果是减小了针对密封图案的扩展宽度的余量并且防止密封图案或配向层扩展出单元。
[0109]而且，根据依据本公开的IXD装置及其制造方法，由于在平整层上、与密封图案插入槽相邻的下基板的外侧处进一步形成多个防扩展槽，所以可以完全防止密封图案或配向层的一部分向外扩展。
[0110]上述实施方式和优点仅是示例性的，不应解释为限制本公开。本教导可容易地应用于其它类型的设备。此描述旨在为示意性的，而非限制权利要求的范围。对于本领域技术人员而言，许多另选例、修改例和变化例将是明显的。本文所述的示例性实施方式的特征、结构、方法和其它特性可以按照各种方式组合以获得另外和/或另选的示例性实施方式。
[0111]由于在不脱离其特性的情况下，当前特征可以按照多种形式实施，所以还应该理解，除非另外指明，否则上述实施方式不受上面的描述的任何细节的限制，而是相反，应该在由所附权利要求限定的范围内广义地解释，因此，所附权利要求旨在涵盖落入权利要求的范围和界限或这些范围和界限的等同物内的所有改变和修改。
【权利要求】
1.一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括: 下基板和上基板，该上基板和下基板彼此接合并且在上面限定有显示区域和非显示区域； 选通线和数据线，该选通线沿一个方向形成在所述下基板上，该数据线与所述选通线交叉以限定像素区域； 薄膜晶体管，该薄膜晶体管形成在所述选通线与所述数据线之间的交叉处； 像素电极，该像素电极形成在所述下基板的所述像素区域上并且电连接到所述薄膜晶体管； 平整层，该平整层具有在具有所述像素电极和所述薄膜晶体管的所述下基板的所述非显示区域上形成的密封图案插入槽； 黑底，该黑底形成在所述上基板上； 滤色器层，该滤色器层在所述上基板上形成在相邻的黑底之间； 间隔壁，该间隔壁形成在所述上基板上并且形成与所述下基板上所形成的所述密封图案插入槽对应的空间； 柱状间隔体，该柱状间隔体维持所述上基板与所述下基板之间的单元间隙； 液晶层，该液晶层夹在在所述下基板与所述上基板之间；以及密封图案，该密封图案插在位于所述下基板和所述上基板的所述非显示区域上的所述密封插入槽与所述间隔壁之间。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，在所述平整层上与所述密封图案插入槽相邻地形成有多个防扩展槽。
3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述防扩展槽和所述密封图案插入槽形成在位于所述非显示区域上的所述平整层上。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述平整层由无机绝缘材料或具有感光性的有机绝缘材料形成。
5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述间隔壁和所述柱状间隔体由相同材料制成。
6.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述间隔壁包括形成在所述非显示区域上的第一间隔壁和第二间隔壁。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中，所述第一间隔壁位于所述非显示区域的最外部与所述密封图案之间。
8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中，所述第二间隔壁位于所述密封图案与所述柱状间隔体之间。
9.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中，所述第一间隔壁与所述第二间隔壁之间的距离与所述密封图案插入槽的宽度相同。
10.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述防扩展槽比所述密封图案插入槽小。
11.根据权利要求10所述的液晶显示装置，其中，所述防扩展槽是多个。
12.一种制造液晶显示装置的方法，该方法包括以下步骤: 设置下基板和上基板，该上基板和下基板在上面限定有显示区域和非显示区域；分别形成所述下基板上沿一个方向的选通线和与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线； 在所述选通线与所述数据线之间的交叉处形成薄膜晶体管； 在所述下基板的所述像素区域上形成像素电极，所述像素电极电连接到所述薄膜晶体管； 形成平整层，该平整层具有在具有所述像素电极和所述薄膜晶体管的所述下基板的所述非显示区域上的密封图案插入槽； 在所述上基板上形成黑底； 在所述上基板上在相邻的黑底之间形成滤色器层； 在所述上基板上形成间隔壁和柱状间隔体，所述间隔壁形成与所述下基板上所形成的所述密封图案插入槽对应的空间； 在所述下基板的所述密封图案插入槽与所述间隔壁之间形成密封图案；以及 在所述下基板与所述上基板之间形成液晶层。
13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括:在所述平整层上与所述密封图案插入槽相邻地形成多个防扩展槽。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述防扩展槽和所述密封图案插入槽形成在所述平整层的所述非显示区域上。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，同时形成所述防扩展槽和所述密封图案插入槽。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述平整层由无机绝缘材料或具有感光性的有机绝缘材料制成。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，通过使用衍射掩模的掩模工序形成所述防扩展槽和所述密封图案插入槽。
18.根据权利要求12所述的方法，其中，通过使用衍射掩模的掩模工序形成所述间隔壁。
19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述间隔壁和所述柱状间隔体由相同材料制成。
20.根据权利要求14所述的方法，其中，所述间隔壁包括形成在所述非显示区域上的第一间隔壁和第二间隔壁。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一间隔壁位于所述非显示区域的最外部与所述密封图案之间。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第二间隔壁位于所述密封图案与所述柱状间隔体之间。
23.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一间隔壁与所述第二间隔壁之间的距离与所述密封图案插入槽的宽度相同。
24.根据权利要求13所述的方法，其中，所述防扩展槽比所述密封图案插入槽小。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述防扩展槽是多个。
【文档编号】G02F1/1339GK103901671SQ201310606699
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2013年11月25日 优先权日:2012年12月26日
【发明者】朴文基 申请人:乐金显示有限公司