液晶显示器的制造方法

液晶显示器的制造方法
【专利摘要】本发明的目的是提供能够实现显示画面的高精细化、边框部的狭小化和阵列基板的制造工序的简化的液晶显示器。本发明的液晶显示器中，阵列基板包括：绝缘基板(11)；绝缘基板(11)上的第一导电层(31)；第一导电层(31)上的第一绝缘层(51)；第一绝缘层(51)上的第二导电层(32)；第二导电层(32)上的第二绝缘层(52)；第二绝缘层(52)上的第三导电层(41)；第三导电层(41)上的第三绝缘层(53)；第三绝缘层(53)上的第四导电层(42)；多个总线；多个引出线(18)；设置于第三导电层(41)的共用电极(15)；设置在显示区域外，与引出线(18)交叉，传送共用信号的共用主干配线(16)；设置在显示区域外，将共用电极(15)与共用主干配线(16)连接的连接电极(17)，共用主干配线(16)设置于第一导电层(31)，多个引出线(18)在共用主干配线(16)上设置于第二导电层(32)，连接电极(17)至少设置于第四导电层(42)。
【专利说明】液晶显示器

【技术领域】
[0001] 本发明涉及液晶显示器。更详细地说，涉及适宜用作具备阵列基板的液晶显示器 的液晶显示器，该阵列基板包含对多个像素供给共用的信号（以下也称作共用信号）的电 极（以下也称作共用电极）。

【背景技术】
[0002] 液晶显示器是具备排列有多个像素的显示部和该显示部周围的边框部，在显示部 利用液晶分子的电光学特性来显示影像的装置，广泛地普及于移动电话、笔记本电脑、液晶 电视等设备中。作为这种液晶显示器，有源矩阵驱动方式的液晶显示器是众所周知的。这 种方式的液晶显示器具备有源矩阵基板（以下，也称为阵列基板），阵列基板通常具有：总 线、与总线连接的引绕线等的配线；像素电极；和薄膜晶体管（TFT)等开关元件。作为总线， 通常设置源极总线和栅极总线。
[0003] 近年来，特别是在智能手机、平板电脑等的用途中，要求液晶显示器的显示画面的 高精细化，源极总线等总线的间距逐渐变窄。此外，也要求宽视野角的显示。
[0004] 作为能够满足这种要求的主要的液晶模式，已知：对介电常数各向异性为负的 液晶分子施加与基板面垂直的方向的电场，从而控制该液晶分子的取向的垂直取向（VA : Vertical Alignment)模式；和对介电常数各向异性为正或负的液晶分子施加与基板面水 平的方向（与基板面平行的方向）的电场（横电场），从而控制该液晶分子的取向的水平取 向模式。此外，作为水平取向模式的液晶显示器中的一种，提出了边缘场开关（FFS :Fringe Field Switching)方式的液晶显示器。FFS方式的液晶显示器，通过对液晶层施加边缘电 场（包含横电场和纵电场这两个组成部分的斜电场）来进行显示。
[0005] 作为FFS方式的液晶显示器，例如公开了能够在一个工序中同时形成多个接触 孔，且在平坦化膜上配置有像素电极和共用电极的FFS模式的液晶显示器（例如，参照专利 文献1)。
[0006] 此外，公开了能够充分确保对共用电极进行的共用电位的供给，并且提高像素的 开口率从而能够得到明亮的显示的FFS方式的液晶显示器（例如，参照专利文献2)。
[0007] 进一步，还公开了减小了具有狭缝状开口的共用电极的电阻值，降低了闪烁和串 扰的FFS方式的液晶面板（例如，参照专利文献3)。
[0008] 现有技术文献
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献1 :日本特开2008-180928号公报
[0011] 专利文献2 :日本特开2008-32899号公报
[0012] 专利文献3 :日本特开2010-8758号公报


【发明内容】

[0013] 发明要解决的技术问题
[0014] 在FFS方式的液晶显示器中，阵列基板通常具有：在与显示部对应的区域（以下也 称为显示区域）的内部和外部设置的共用电极；和设置在显示区域外且用于传输共用信号 的配线（以下也称为共用主干配线），从共用主干配线对共用电极供给共用信号。
[0015] 在专利文献1的图5、7、8(b)等中公开了相当于共用主干配线的共用配线16,在专 利文献2的图1、2、7等中公开了相当于共用主干配线的外周共用电位线50。而且，共用配 线16形成在比设置有扫描线12(相当于栅极总线）的导电层更靠上方的导电层，且与信号 线15(相当于源极总线）形成于同一导电层。此外，外周共用电位线50形成在比设置有栅 极线14(相当于栅极总线）的导电层更靠上方的导电层，且与显示信号线18(相当于源极 总线）形成于同一导电层。
[0016] 但是，在像这样将共用主干配线与源极总线形成在同一导电层的情况下，为了使 源极总线用的引出线与共用主干配线交叉，需要改变引出线的层，必须在各源极总线形成 用于此的接触孔（参照专利文献2的图7)。可是，在伴随显示画面的高精细化，源极总线的 间距变窄，随之引出线的间隔变窄的情况下，将这些接触孔全部配置在设计方面是非常困 难的。此外，即使能够配置所有接触孔，也不能将它们排成一列，而需要以交错状的方式排 成两列以上。因此，边框部相应地变大。
[0017] 进一步，在比共用电极靠上方的位置隔着绝缘层配置像素电极，将共用电极直接 与共用主干配线连接的情况下，需要分别设置用于在共用电极上的该绝缘层中形成接触孔 的图案形成工序，和用于在比共用电极靠下方的绝缘层中形成接触孔的图案形成工序。因 此，在简化阵列基板的制造工序这一点上存在改善的余地。
[0018] 本发明是鉴于上述现状而完成的，其目的在于提供能够实现显示画面的高精细 化、边框部的狭小化、阵列基板的制造工序的简化的液晶显示器。
[0019] 解决技术问题的技术方案
[0020] 本发明的发明人针对能够实现显示画面的高精细化、边框部的狭小化、阵列基板 的制造工序的简化的液晶显示器进行了各种研究后，着眼于设置共用主干配线的导电层。 而且，发现：通过在绝缘基板上依次层叠第一导电层、第一绝缘层和第二导电层，将共用主 干配线设置于第一导电层，将引出线设置于共用主干配线上的第二导电层，能够不经由接 触孔地将引出线与源极总线等总线连接，并且能够将共用主干配线配置在显示区域的附 近。此外，还发现：通过在第二导电层上依次层叠第二绝缘层、第三导电层、第三绝缘层和第 四导电层，将共用电极设置于第三导电层，经连接电极将共用电极与共用主干配线连接，将 连接电极至少设置于第四导电层，能够在同一图案形成工序中形成设置于第三绝缘层的接 触孔和设置于第二绝缘层的接触孔。由此，想到能够很好地解决上述技术问题的技术方案， 完成了本发明。
[0021] 即，本发明的某一方面是一种液晶显示器（以下也称为本发明的液晶显示器），其 具备阵列基板、显示部和在上述显示部内排列的多个像素，上述阵列基板包括：绝缘基板； 上述绝缘基板上的第一导电层；上述第一导电层上的第一绝缘层；上述第一绝缘层上的第 二导电层；上述第二导电层上的第二绝缘层；上述第二绝缘层上的第三导电层；上述第三 导电层上的第三绝缘层；上述第三绝缘层上的第四导电层；设置在与上述显示部对应的区 域（显示区域）内的多个总线；设置在上述区域（显示区域）外，分别与对应的总线连接的 多个引出线；设置在上述区域（显示区域）内和外，向上述多个像素供给共用的信号（共用 信号）的电极（共用电极）；设置在上述区域（显示区域）外，与上述多个引出线交叉，传 送上述信号（共用信号）的配线（共用主干配线）；和设置在上述区域（显示区域）外，将 上述电极（共用电极）与上述配线（共用主干配线）连接的连接电极，上述配线（共用主 干配线）设置于上述第一导电层，上述多个引出线在上述配线（共用主干配线）上设置于 上述第二导电层，上述电极（共用电极）设置于上述第三导电层，上述连接电极至少设置于 第四导电层。
[0022] 本发明的液晶显示器只要包含这种构成要素作为必须要素，就不被其他构成要素 所限定。
[0023] 另外，在本说明书中，从明确化的角度出发，将总线与引出线的边界设置在显示区 域的轮廓线上，总线位于显示区域内，引出线位于显示区域的周围的区域（以下也称为边 框区域）内。
[0024] 以下对本发明的液晶显示器的优选实施方式进行说明。另外，以下的优选实施方 式可以适当地相互组合，将以下的2个以上的优选实施方式相互组合而得到的实施方式也 是优选实施方式之一。
[0025] 可以为：上述多个引出线包含相邻的第一引出线和第二引出线，上述连接电极的 与上述配线（共用主干配线）连接的连接部设置于上述第一引出线和第二引出线之间的区 域，上述连接电极的与上述电极（共用电极）连接的连接部不设置于上述第一引出线和第 二引出线之间的上述区域。像这样，通过将两连接部不设置于相同的2条引出线之间的区 域，能够实现显示画面的进一步高精细化。
[0026] 优选如下方式（以下也称为方式（1)):上述阵列基板在上述区域（显示区域）外 并且上述电极（共用电极）上包含不存在上述第三绝缘层的部分，上述连接电极通过不存 在上述第三绝缘层的上述部分与上述电极（共用电极）连接。由此，能够容易且可靠地将 连接电极与共用电极连接。
[0027] 上述方式（1)中，不存在上述第三绝缘层的上述部分可以不位于上述多个引出线 上。这样，在俯视阵列基板时，不存在第三绝缘层的部分与多个引出线不重叠，由此，即使在 共用电极15中存在小孔，在第三绝缘层的图案形成工序中，也能够防止第二绝缘层和引出 线被蚀刻。
[0028] 另一方面，在上述方式（1)中，不存在上述第三绝缘层的上述部分也可以位于上 述多个引出线上。这样，在俯视阵列基板时，不存在第三绝缘层的部分与多个引出线重叠， 由此能够提高设计的自由度。
[0029] 在上述方式（1)中，可以为：上述阵列基板在上述配线（共用主干配线）上包含 不存在上述第一绝缘层和上述第二绝缘层的部分，不存在上述第三绝缘层的上述部分从不 存在上述第一绝缘层和上述第二绝缘层的上述部分上的区域扩展至上述电极（共用电极） 上的区域，上述连接电极设置于上述第四导电层。由此，能够实现显示画面的进一步高精细 化。
[0030] 在上述方式（1)中，可以为：上述阵列基板在上述配线（共用主干配线）上包含多 个不存在上述第一绝缘层和上述第二绝缘层的部分，不存在上述第三绝缘层的上述部分在 上述配线（共用主干配线）上呈带状扩展，在俯视上述阵列基板时，不存在上述第一绝缘层 和上述第二绝缘层的上述多个部分，和上述电极（共用电极）的一部分，配置在不存在上述 第三绝缘层的上述部分内，上述连接电极设置于上述第四导电层。由此，能够增大连接电极 的与共用电极连接的连接部的面积。因此，能够降低两电极之间的接触电阻，并且能够抑制 在两电极之间产生连接不良。
[0031] 可以为：上述连接电极包含设置于上述第二导电层的下层部和设置于上述第四导 电层的上层部，上述阵列基板在上述配线（共用主干配线）上包含不存在上述第一绝缘层 的部分，并且，在上述下层部上包含不存在上述第二绝缘层和上述第三绝缘层的部分，上述 下层部通过不存在上述第一绝缘层的上述部分与上述配线（共用主干配线）连接，上述上 层部通过不存在上述第二绝缘层和上述第三绝缘层的上述部分与上述下层部连接。由此， 在进行用于形成第三导电层的蚀刻时，能够以连接电极的下层部保护共用主干配线。因此， 能够增加第三导电层的材料、用于形成第三导电层的蚀刻剂和第一导电层的材料的可选范 围。
[0032] 另一方面，也可以为：上述阵列基板在上述配线（共用主干配线）上包含不存在上 述第一绝缘层、上述第二绝缘层和上述第三绝缘层的部分，上述连接电极设置于上述第四 导电层，并且，通过不存在上述第一绝缘层、上述第二绝缘层和上述第三绝缘层的上述部分 与上述配线（共用主干配线）连接。由此，能够实现显示画面的进一步高精细化。
[0033] 另外，上述的不存在第一绝缘层、第二绝缘层、和/或第三绝缘层的部分可以是例 如像开口部那样封闭的部分，也可以是例如像缺口部、绝缘层的外侧的部分那样不封闭的 部分。此外，上述开口部可以是所谓的接触孔。
[0034] 优选上述第三导电层和第四导电层为透明导电层。由此，能够通过2块透明电极 形成保持电容，能够提高开口率。
[0035] 优选上述阵列基板包含薄膜晶体管，上述薄膜晶体管包含半导体层，上述半导体 层包含氧化物半导体。在使用氧化物半导体形成TFT的半导体层的情况下，在制造工艺中 通常在阵列基板上形成的应对静电放电损伤（ESD)用的元件的尺寸需要比使用其他半导 体材料（例如非晶硅）的情况大。但是，根据本发明的液晶显示器，能够缩窄阵列基板的边 框区域。因此，本发明的液晶显示器特别适合于使用氧化物半导体作为TFT的半导体层的 材料的情况。
[0036] 优选上述第二绝缘层包含有机绝缘层。由此，能够容易地使第二绝缘层的膜厚变 厚。因此，能够降低寄生电容，能够抑制在显示中产生不良情况。
[0037] 优选上述第二绝缘层包含无机绝缘层，上述有机绝缘层层叠在上述无机绝缘层 上。由此，能够兼顾确保第二绝缘层的膜厚和确保TFT等开关元件的可靠性。
[0038] 优选上述第二绝缘层包含能够用蚀刻剂蚀刻的层，上述第三绝缘层包含能够用与 上述蚀刻剂相同的蚀刻剂蚀刻的层。此外，上述第二绝缘层和上述第三绝缘层可以包含分 别使用相同材料形成的层。像这样，第二绝缘层和第三绝缘层分别包含能够使用相同蚀刻 剂蚀刻的层，能够在相同工序中，对第三绝缘层用的绝缘膜和第二绝缘层用的绝缘膜进行 图案形成。另外，上述蚀刻剂均既可以为气体也可以为液体。
[0039] 优选上述第一绝缘层包含下层和层叠在上述下层上的上层。由此，在显示区域内， 能够在下层设置TFT的栅极绝缘膜，而且，能够在上层设置TFT的沟道保护层。进一步，在 使用氧化物半导体作为TFT的半导体层的材料的情况下，从提高TFT的特性的角度出发，优 选设置沟道保护层。因此，该实施方式特别适合于使用氧化物半导体作为TFT的半导体层 的材料的情况。
[0040] 优选上述下层和上述上层在上述区域（显示区域）外覆盖上述第一导电层。由此， 能够可靠地保护设置于第一导电层的共用主干配线等配线，此外，能够降低寄生电容。
[0041] 发明效果
[0042] 根据本发明，能够提供能实现显示画面的高精细化、边框部的狭小化、阵列基板的 制造工序的简化的液晶显示器。

【专利附图】

【附图说明】
[0043] 图1是实施方式1的液晶显示器所包含的液晶面板的俯视示意图。
[0044] 图2是实施方式1的液晶显示器所包含的阵列基板的俯视示意图，是将图1中的 用单点划线包围的区域扩大后的图。
[0045] 图3是实施方式1的液晶显示器所包含阵列基板的俯视示意图，示出共用主干配 线附近的结构。
[0046] 图4是图3中的A-B线的剖视示意图。
[0047] 图5是实施方式1的液晶显示器所包含的阵列基板的俯视示意图，示出子像素区 域的结构。
[0048] 图6是图5中的C-D线的剖视示意图。
[0049] 图7是实施方式1的液晶显示器所包含的阵列基板的俯视示意图，示出共用主干 配线附近的结构。
[0050] 图8是实施方式1的液晶显示器所包含的阵列基板的俯视示意图，示出共用主干 配线附近的结构。
[0051] 图9是实施方式2的液晶显示器所包含的阵列基板的俯视示意图，示出共用主干 配线附近的结构。
[0052] 图10是图9中的G-Η线的剖视示意图。
[0053] 图11是实施方式3的液晶显示器所包含的阵列基板的俯视示意图，示出共用主干 配线附近的结构。
[0054] 图12是图11中的J-K线的剖视示意图。
[0055] 图13是实施方式4的液晶显示器所包含的阵列基板的俯视示意图，示出共用主干 配线附近的结构。
[0056] 图14是图13中的M-N线的剖视示意图。
[0057] 图15是实施方式5的液晶显示器所包含的阵列基板的俯视示意图，示出共用主干 配线附近的结构。
[0058] 图16是图15中的P-Q线的剖视示意图。
[0059] 图17是实施方式6的液晶显示器所包含的阵列基板的剖视示意图，示出共用主干 配线附近的结构。

【具体实施方式】
[0060] 以下叙述实施方式，参照附图对本发明进一步详细地进行说明，本发明并不仅限 定于这些实施方式。
[0061] (实施方式1)
[0062] 实施方式1的液晶显示器是有源矩阵驱动方式的透射型液晶显示器，如图1所示， 具有：液晶面板1 ;配置在液晶面板1的后方的背光源（未图不）；对液晶面板1和背光源 单元进行驱动和控制的控制部（未图示）；和将液晶面板1与控制部连接的柔性基板（未 图示）。
[0063] 本实施方式的液晶显示器包含显示图像的显示部2,在显示部2呈矩阵状配置有 多个像素3。各像素3包括多种颜色（例如，红色、绿色和蓝色这3种颜色）的子像素4。 但是，本实施方式的液晶显示器也可以是单色液晶显示器，在这种情况下，不需要将各像素 3分割为多个子像素。
[0064] 另外，像素以及子像素的间距没有特别限定，例如，子像素的间距可以为 28μπιΧ84μπι，在后面叙述的源极总线12的间隔可以为不足20μπι。
[0065] 液晶面板1具有：有源矩阵基板（阵列基板）7 ;与阵列基板7相对且具有彩色滤 光片、黑矩阵等部件的对置基板8 ;设置在基板7、8之间的液晶层（未图示）；设置在阵列基 板7的液晶层侧的表面上的水平取向膜（未图示）；设置在对置基板8的液晶层侧的表面 上的水平取向膜（未图示）；和安装在阵列基板7上的源极总线用驱动芯片5。阵列基板7 设置于液晶显示器的背面侧，对置基板8设置于观察者侧。在各基板7、8的与液晶层相反 的一侧的表面上粘贴有偏光板（未图示）。这些偏光板通常以正交尼科尔的方式配置。驱 动芯片5通过COG (Chip On Glass)技术安装在阵列基板7的不与对置基板8相对的区域， 也就是从对置基板8伸出的区域（以下也称伸出区域）。
[0066] 阵列基板7包含：与显示部2对应的区域（显示区域）9 ;和显示区域9的周围的 区域（边框区域）10。阵列基板7具有：在显示区域9的左右单片地形成的栅极总线用驱 动电路6;在伸出区域内形成的多个端子（未图示。以下也称为阵列端子）；分别形成在显 示区域9内的源极总线12和栅极总线13 ;分别形成在边框区域10内的源极总线用引出线 18和栅极总线用引出线19 ;以包围显示区域9的方式形成在边框区域10内的共用主干配 线16 ;和分别形成在边框区域10内的多个输入配线（未图示）。源极总线12和栅极总线 13彼此交叉，配置成格子状。栅极总线13包含与右侧的驱动电路6连接的栅极总线13和 与左侧的驱动电路6连接的栅极总线13,它们交替配置。阵列端子包括：与驱动芯片5的 输出端子连接的端子（以下也称为第一阵列端子）；与驱动芯片5的输入端子连接的端子 (以下也称为第二阵列端子）；和与柔性基板的端子连接的端子（以下也称为第三阵列端 子）。各引出线18将对应的源极总线12与第一阵列端子连接，各引出线19将对应的栅极 总线13与驱动电路6的输出部连接。共用主干配线16与第三阵列端子连接，共用信号从 控制部经柔性基板输入至共用主干配线16。其中，共用信号是指对所有像素共同施加的信 号。各输入配线将第二阵列端子或驱动电路6的输入部与第三阵列端子连接。另外，也可 以在阵列基板7上安装具有同样功能的驱动芯片来代替单片地形成的驱动电路6。
[0067] 如图2所示，由源极总线12和栅极总线13划分出来的区域（以下也称为子像素区 域）与子像素对应。阵列基板7具有以覆盖显示区域9的方式形成的共用电极15和在共 用主干配线16上形成的连接电极17。连接电极17包括下层部17a和上层部17b。共用电 极15在边框区域10经连接电极17与共用主干配线16连接。各引出线18以与共用主干 配线16交叉的方式通过共用主干配线16上方。此外，引出线18的一部分绕过下层部17a。
[0068] 参照图3和图4,对共用主干配线16附近的结构进行详细叙述。
[0069] 阵列基板7具有透明的绝缘基板11，在绝缘基板11上依次层叠有：相当于上述 第一导电层的第一配线层31 ;第一绝缘层51 ;相当于上述第二导电层的第二配线层32 ;第 二绝缘层52 ;相当于上述第三导电层的第一透明导电层41 ;第三绝缘层53 ;相当于上述第 四导电层的第二透明导电层42。第一绝缘层51包含下层51a和层叠在下层51a上的上层 51b。第二绝缘层52包含下层52a和层叠在下层52a上的上层52b。第一绝缘层51、第二 绝缘层52和第三绝缘层53在共用主干配线16附近作为层间绝缘膜发挥作用。
[0070] 共用主干配线16形成于第一配线层31，引出线18在共用主干配线16上形成于第 二配线层32,下层部17a形成于第二配线层32,上层部17b形成于第二透明导电层42,共用 电极15形成于第一透明导电层41。下层部17a设置于相邻的2条引出线18之间，上层部 17b以越过多个引出线18的方式设置。
[0071] 在共用电极15上，在第三绝缘层53形成有接触孔61。在下层部17a上，在第二绝 缘层52和第三绝缘层53形成有接触孔62。在共用电极15形成有缺口部15a，以使得共用 电极15与接触孔62不重叠。在共用主干配线16上，在第一绝缘层51形成有接触孔63,接 触孔63设置在相邻的2条引出线18之间。
[0072] 上层部17b通过接触孔61与共用电极15连接，并且通过接触孔62与下层部17a 连接。下层部17a通过接触孔63与共用主干配线16连接。这样，共用电极15在边框区域 10中经连接电极17与共用主干配线16连接，共用信号从共用主干配线16被供给至共用电 极15。
[0073] 另外，如图1所示，在阵列基板7上单片地形成驱动电路6的情况下，驱动电路6的 输出部设置于第二配线层32,从此处输出输出信号。因此，将栅极总线13与驱动电路6的 输出部连接起来的引出线19包括：设置于第二配线层32且与输出部连接的部分；和设置 于第一配线层31且与栅极总线13连接的部分，这些部分在共用主干配线16和显示区域9 之间的区域中，经形成于第一绝缘层51的接触孔（未图示）彼此连接。这样，从驱动电路 6经引出线19向栅极总线13供给输出信号。因此，在引出线18所通过的显示区域9的下 边以外的边，也就是显示区域9的左右的边以及位于源极总线12的延长线上的显示区域9 的上边的附近，也能够在第一配线层31形成共用主干配线16。另一方面，在代替驱动电路 6将上述驱动芯片安装于阵列基板7上的情况下，在引出线18所通过的显示区域9的下边 和上边以外的边，也就是显示区域9的左右的边的附近，将共用主干配线16形成于第二配 线层32,由此能够在第一配线层31不经接触孔地将引出线19与栅极总线13形成为一体。 因此，在显示区域9的四角附近，共用主干配线16通过形成于第一绝缘层51的接触孔（未 图示）从第一配线层31上升到第二配线层32。而且，形成于第一配线层31的栅极总线13 用的引出线19通过共用主干配线16的设置于第二配线层32的部分的下方。此外，共用电 极15经设置于第二透明导电层42的其他连接电极（未图示）与共用主干配线16的设置 于第二配线层32的部分连接。
[0074] 接着，对阵列基板7的子像素区域的结构进行说明。
[0075] 如图5、6所示，阵列基板7具有：与源极总线12和栅极总线13连接的TFT20 ;与 TFT20连接的像素电极14。在像素电极14形成有彼此平行的狭缝14S，像素电极14具有彼 此平行的线状部分。共用电极15以覆盖所有子像素区域的方式设置。像素电极14形成于 第二透明导电层42,通过第三绝缘层53设置在共用电极15上。栅极总线13形成于第一配 线层31，源极总线12形成于第二配线层32。
[0076] 液晶层中的液晶分子（通常是向列型液晶）在未施加电压时，沿着与狭缝14S成 规定的角度的方向且与基板7、8的表面平行地取向。
[0077] TFT20作为开关元件发挥作用，包含半导体层21、沟道保护层26、栅极电极22、源 极电极23和漏极电极24。栅极电极22通过与栅极总线13形成为一体而与栅极总线13连 接，源极电极23通过与源极总线12形成为一体而与源极总线12连接，漏极电极24与像素 电极14连接。源极电极23和漏极电极24分别与半导体层21连接。TFT20在导通状态时， 在半导体层21内形成沟道。沟道保护层26形成在半导体层21上，在源极电极23和漏极电 极24的图案形成时保护沟道不受蚀刻剂蚀刻。沟道保护层26形成于第一绝缘层51的上 层51b。第一绝缘层51的下层51a设置于栅极电极22与半导体层21之间，作为TFT20的 栅极绝缘膜发挥作用。第二绝缘层52的下层52a作为钝化膜发挥作用，上层52b作为平坦 化膜发挥作用。漏极电极24形成于第二配线层32,像素电极14通过将第二绝缘层52和第 三绝缘层53贯通的接触孔25与漏极电极24连接。此外，在共用电极15形成有开口 15b， 以使得共用电极15与接触孔25不重叠。
[0078] 图像信号从源极总线12经TFT20施加至像素电极14。另一方面，共用电极15被 施加共用信号。因此，当图像信号施加至像素电极14时，在像素电极14与共用电极15之 间呈抛物线状产生电力线，在液晶层产生与图像信号相应的边缘电场。而且，通过该边缘电 场控制液晶分子（通常具有正的介电常数各向异性）的取向。像这样，共用电极15与像素 电极14成对设置，作为驱动液晶层的对置电极发挥作用。
[0079] 此外，像素电极14与共用电极15重叠，在两电极14、15之间设置有第三绝缘层 53。而且，共用电极15被施加共用信号。因此，当图像信号被施加至像素电极14时，由这些 透明的部件形成保持电容。像这样，像素电极14和共用电极15也作为保持电容用的电极 发挥作用。此外，第三绝缘层53在子像素区域作为钝化膜和保持电容的电介质发挥作用。
[0080] 接着，对本实施方式的液晶显示器的制造方法进行说明。首先，对阵列基板7的制 造工序进行说明。
[0081] 首先准备绝缘基板11，然后，进行下述（1)?（7)的工序。作为绝缘基板11的具 体例子，例如，可以举出玻璃基板、塑料基板等。
[0082] (1)第一配线层的形成工序
[0083] 使用溅射法、真空蒸镀法等方法，在绝缘基板11上形成第一导电膜。作为第一导 电膜的材料，例如可以举出钥（Mo)、钛（Ti)、铝（A1)、铜（Cu)、它们的合金等，第一导电膜可 以是这些材料的膜的层叠膜。接着，使用光刻法对第一导电膜进行图案形成，形成共用主干 配线16、栅极总线13、输入配线等的第一配线层31。
[0084] (2)第一绝缘层和半导体层的形成工序
[0085] 接着，使用CVD法、溅射法等方法形成第一绝缘膜。作为第一绝缘膜的具体例子， 例如可以举出氮化硅膜、氧化硅膜、它们的层叠膜等。在形成第一绝缘膜后，使用CVD法、 溅射法等方法形成半导体膜。作为半导体膜的材料，例如可以举出硅等第14族元素的半 导体、氧化物半导体等，其中优选氧化物半导体。氧化物半导体优选包含：选自铟（In)、镓 (6 &)、锌（21〇、铝仏1)和硅（51)中的至少一种元素；和氧（0)，更加优选包含111、6 &、211和 0。之后，使用光刻法对半导体膜进行图案形成，形成半导体层21。另外，半导体层21的结 晶性没有特别限定，半导体层21可以是单晶体、多晶体、非晶体或微晶体，也可以包含这些 中的2种以上的结晶结构。接着，使用CVD法、溅射法等方法形成第二绝缘膜。作为第二绝 缘膜的具体例子，例如可以举出氮化硅膜、氧化硅膜、它们的层叠膜等。接着，使用光刻法对 第一绝缘膜和第二绝缘膜进行图案形成，从而形成包含下层51a、和上层51b的第一绝缘层 51。此外，形成沟道保护层26和接触孔63。
[0086] 另外，在本实施方式中，第一绝缘层51的上层51b可以省略，在作为TFT20的半导 体层21的材料使用氧化物半导体的情况下，从提高TFT20的特性的角度出发，优选设置上 层51b，形成沟道保护层26。此外，通过设置上层51b，能够利用下层51a和上层51b这2层 在边框区域10中覆盖第一配线层31。由此，能够更加可靠地保护第一配线层31的配线，此 夕卜，能够降低寄生电容。
[0087] (3)第二配线层的形成工序
[0088] 接着，使用溅射法、真空蒸镀法等方法形成第二导电膜。作为第二导电膜的材料， 例如可以举出此、1^1、(：11、它们的合金等，第二导电膜可以是这些材料的膜的层叠膜。接 着，使用光刻法对第二导电膜进行图案形成，从而形成引出线18、源极总线12、下层部17a 等的第二配线层32。
[0089] (4)第二绝缘层的上层的形成工序
[0090] 接着，使用CVD法、溅射法等方法形成第三绝缘膜。作为第三绝缘膜的具体例子， 例如可以举出氮化硅膜、氧化硅膜、它们的层叠膜等。接着，使用旋转涂敷法、狭缝涂敷法等 方法形成第四绝缘膜。作为第四绝缘膜的材料优选有机材料，尤其优选感光性丙烯酸树脂 等感光性树脂。然后，使用光刻法对第四绝缘膜进行图案形成，形成第二绝缘层52的上层 52b。此外，第四绝缘膜在成为接触孔62的区域和成为接触孔25的区域中被除去。通过使 用有机材料形成第四绝缘膜，能够容易地使第二绝缘层52的膜厚变厚。因此，能够降低共 用电极15与源极总线12等在第二配线层32形成的配线之间的寄生电容，能够抑制在显示 中产生不良情况。此外，通过使用感光性树脂作为第四绝缘膜的材料，能够仅用曝光处理和 显影处理来完成第四绝缘膜的图案形成。
[0091] (5)第一透明导电层的形成工序
[0092] 接着，使用溅射法形成第一透明导电膜。作为第一透明导电膜的材料，例如可以列 举铟锡氧化物（ITO :Indium Tin Oxide)、铟锋氧化物（IZO :Indium Zinc Oxide)等。接着， 使用光刻法对第一透明导电膜进行图案形成，形成共用电极15等的第一透明导电层41。
[0093] (6)第二绝缘层的下层和第三绝缘层的形成工序
[0094] 接着，使用CVD法、溅射法等方法形成第五绝缘膜。作为第五绝缘膜的具体例子， 例如可以列举氮化硅膜、氧化硅膜、它们的层叠膜等。然后，使用光刻法在同一工序中对第 三绝缘膜和第五绝缘膜进行图案形成，从而形成第二绝缘层52的下层52a和第三绝缘层 53。此时，第三绝缘膜和第五绝缘膜被同一蚀刻剂连续蚀刻。此外，第三绝缘膜在成为接触 孔62的区域和成为接触孔25的区域被除去，第五绝缘膜在成为接触孔61的区域和成为接 触孔25的区域被除去，在该阶段，接触孔62、25完成。第二绝缘层52和第三绝缘层53分 别包含能够被同一蚀刻剂蚀刻的层，由此能够在同一工序中容易地对第三绝缘膜和第五绝 缘膜进行图案形成。
[0095] 此外，在本实施方式中，接触孔61没有形成在引出线18上。因此，在接触孔61内 即使共用电极15中存在小孔，也能够有效地防止第五绝缘膜用的蚀刻剂通过小孔也将第 二绝缘层52和引出线18蚀刻。
[0096] 另外，在本实施方式中，第二绝缘层52的上层52b可以省略，在这种情况下，与没 有省略时相比，下层52a的膜厚设定得大。这是因为当第二绝缘层52的膜厚小时，共用电 极15与源极总线12等在第二配线层32形成的配线之间的寄生电容变大，有可能在显示中 产生不良情况。不过，在仅形成下层52a的情况下，通常第三绝缘膜的成膜时间变长，因此 从缩短时间的角度出发优选形成上层52b。此外，也可以考虑仅由有机绝缘膜形成第二绝缘 层52,在此情况下能够容易地增大第二绝缘层52的膜厚。但是，会在TFT20的上方紧挨着 形成有机绝缘膜，有可能损害TFT20的可靠性。而通过使用氮化硅、氧化硅等无机绝缘材料 来形成第二绝缘层52的下层52a，能够防止TFT20的可靠性下降。因此，从容易地兼顾确保 第二绝缘层52的膜厚和确保TFT20可靠性的角度出发，第二绝缘层52优选包含无机绝缘 层和层叠在无机绝缘层上的有机绝缘层。
[0097] (7)第二透明导电层的形成工序
[0098] 接着，使用溅射法形成第二透明导电膜。作为第二透明导电膜的材料，例如可以举 出ΙΤ0、ΙΖ0等。接着，使用光刻法对第二透明导电膜进行图案形成，形成像素电极14、上层 部17b等的第二透明导电层42。
[0099] 然后，在单元组装工序中，在阵列基板7和另外制作的对置基板8的各表面上，涂 敷形成包含聚酰亚胺等有机树脂的水平取向膜。然后，使用摩擦处理、光取向处理等方法， 对各取向膜实施取向处理使得液晶分子沿着规定的方向初始取向。
[0100] 接着，在阵列基板7和对置基板8中的任一个上以包围显示区域的方式涂敷密封 材料，将阵列基板7与对置基板8以彼此的取向膜相对的方式重叠，然后，通过密封材料将 两基板粘合。此外，在阵列基板7和对置基板8中的任一个上预先形成用于保持单元间隙 的柱状间隔物。结果是，在两基板之间形成几 ym左右的间隙（单元间隙）。然后，在由密 封件包围的空间中封入液晶材料，形成液晶层。
[0101] 在这样操作而形成的液晶单元的两表面上，贴上偏光板和相位板（任意）之后，安 装驱动芯片5,从而完成液晶面板1。
[0102] 然后，在液晶面板1上连接柔性基板，安装控制部和背光源单元，将这些收纳于壳 体中，由此完成实施方式1的液晶显示器。
[0103] 在本实施方式中，共用主干配线16形成于第一配线层31，引出线18形成于第二配 线层32。因此，在共用主干配线16与形成于第二配线层32的源极总线12之间，不需要形 成用于将各引出线18变更连接到下方的配线层的接触孔。因此，即使伴随着显示画面的高 精细化而源极总线12的间距变窄，也能够与引出线18交叉地配置共用主干配线16,在与引 出线18交叉的区域能够确保共用信号向共用电极15输入的路径。此外，由于不需要形成 用于将各引出线18变更连接的接触孔，因此能够缩窄显示区域9与共用主干配线16之间 的间隔，其结果能够缩窄边框区域10。
[0104] 此外，在本实施方式中，将接触孔61与接触孔62以隔着1个以上的引出线18的 方式分离配置。也就是说，如图4所示，不将连接电极17的与共用主干配线16连接的连接 部17c，以及连接电极17的与共用电极15连接的连接部17d设置在相同的2条引出线18 之间的区域。因此，能够实现显示画面的进一步高精细化。此外，由于能够充分确保各接触 孔61、62、63的大小，因此能够防止接触不良的发生，能够稳定地向共用电极15输入共用信 号。从而能够抑制阴影干扰、闪烁等显示不良的发生。
[0105] 另外，在本实施方式中，在接触孔61与接触孔62之间配置的引出线18的条数没 有特别限定，例如，可以如图7所示为2条，也可以如图8所示为1条。
[0106] 另外，关于共用主干配线16的配置部位，也可以考虑如专利文献2的图3?6所 示，在源极总线12用的引出线18所通过的区域不设置共用主干配线16。但是，在此情况 下，在共用电极15内电位不稳定，于是有可能发生阴影干扰、闪烁等显示不良。这是因为共 用电极15由电阻比较大的透明导电膜形成。与此相对，在本实施方式中，如上所述，在与源 极总线12用的引出线18交叉的区域能够确保共用信号向共用电极15的输入路径。因此， 能够稳定地向共用电极15输入共用信号，能够抑制阴影干扰、闪烁等显示不良的产生。
[0107] 此外，在使用氧化物半导体形成半导体层21的情况下，在制造工艺中通常需要使 形成在阵列基板上的应对静电放电损伤（ESD)用的元件的尺寸比使用其他半导体材料（例 如非晶硅）的情况大。但是，根据本实施方式，能够使阵列基板7的边框区域10变窄。因 此，本实施方式的液晶显示器特别适合于使用氧化物半导体作为TFT20的半导体层21的材 料的情况。
[0108] 此外，在本实施方式中，由于连接电极17包含下层部17a，所以在进行用于形成第 一透明导电层41的蚀刻时，能够以连接电极的下层部17a保护共用主干配线16。因此，能 够增加第一透明导电层41的材料、用于形成第一透明导电层41的蚀刻剂、以及第一配线层 31的材料的可选范围。
[0109] 此外，在本实施方式中，如图2所示，引出线18在比共用主干配线16靠外侧的区 域，每隔一条地经接触孔27变更连接到第一配线层。而且，位于第一配线层31的引出线18 与位于第二配线层32的引出线18交替配置。由此，能够使引出配线18的间隔非常狭小。 另外，接触孔27形成于第一绝缘层51。
[0110] (实施方式2)
[0111] 实施方式2的液晶显示器除了共用主干配线附近的结构不同之外，与实施方式1 的液晶显示器实质上相同。
[0112] 本实施方式的液晶显示器所包含的阵列基板，如图9、10所示，具有透明的绝缘基 板211，在绝缘基板211上依次层叠有：相当于上述第一导电层的第一配线层231 ;第一绝 缘层251 ;相当于上述第二导电层的第二配线层232 ;第二绝缘层252 ;相当于上述第三导 电层的第一透明导电层241 ;第三绝缘层253 ;相当于上述第四导电层的第二透明导电层 242。第一绝缘层251包含下层251a和层叠在下层251a上的上层251b。第二绝缘层252 包含下层252a和层叠在下层252a上的上层252b。
[0113] 此外，本实施方式的阵列基板具有：形成于第一配线层231的共用主干配线216 ; 在共用主干配线216上形成于第二配线层232的引出线218 ;形成于第二透明导电层242的 连接电极217 ;和形成于第一透明导电层241的共用电极215。连接电极217以越过多个引 出线218的方式设置。
[0114] 在共用电极215上，在第三绝缘层253形成有接触孔261。在共用主干配线216上， 在第一绝缘层251、第二绝缘层252和第三绝缘层253形成有接触孔262,接触孔262设置 于相邻的2条引出线218之间。在共用电极215形成有缺口部215a，以使得共用电极215 与接触孔262不重叠。
[0115] 连接电极217通过接触孔261与共用电极215连接，通过接触孔262与共用主干 配线216连接。这样，共用电极215在边框区域经连接电极217与共用主干配线216连接， 共用信号从共用主干配线216被供给至共用电极215。
[0116] 本实施方式的液晶显示器除了阵列基板以外，均能够利用实施方式1中说明的方 法来制作。此外，本实施方式的阵列基板的制造方法除以下几点之外，与实施方式1中说明 的方法实质上相同。在本实施方式中，在形成半导体层之后，不对第一绝缘膜和第二绝缘膜 进行图案形成，而是在第三绝缘膜和第五绝缘膜的图案形成时同时对第一绝缘膜和第二绝 缘膜进行图案形成。
[0117] 根据本实施方式能够省略在实施方式1中设置的下层部17a和接触孔63。因此， 与实施方式1相比，能够实现更加高精细的液晶显示器。
[0118] (实施方式3)
[0119] 实施方式3的液晶显示器除了共用主干配线附近的结构不同之外，与实施方式1 的液晶显示器实质上相同。
[0120] 本实施方式的液晶显示器所包含的阵列基板，如图11、12所示，具有透明的绝缘 基板311，在绝缘基板311上依次层叠有：相当于上述第一导电层的第一配线层331 ;第一 绝缘层351 ;相当于上述第二导电层的第二配线层332 ;第二绝缘层352 ;相当于上述第三 导电层的第一透明导电层341 ;第三绝缘层353 ;相当于上述第四导电层的第二透明导电层 342。第一绝缘层351包含下层351a和层叠在下层351a上的上层351b。第二绝缘层352 包含下层352a和层叠在下层352a上的上层352b。
[0121] 此外，本实施方式的阵列基板具有：形成于第一配线层331的共用主干配线316 ; 在共用主干配线316上形成于第二配线层332的引出线318 ;连接电极317 ;形成于第一透 明导电层341的共用电极315。连接电极317包含形成于第二配线层332的下层部317a和 形成于第二透明导电层342的上层部317b。下层部317a设置在相邻的2条引出线318之 间，上层部317b从下层部317a上的区域延伸至与下层部317a相邻的引出线318上的区域。
[0122] 在共用电极315上，在第三绝缘层353形成有接触孔361。在下层部317a上，在第 二绝缘层352和第三绝缘层353形成有接触孔362。在共用电极315形成有缺口部315a， 以使得共用电极315与接触孔362不重叠。在共用主干配线316上，在第一绝缘层351形 成有接触孔363,接触孔363设置于相邻的2条引出线318之间。
[0123] 上层部317b通过接触孔361与共用电极315连接，并且通过接触孔362与下层部 317a连接。下层部317a通过接触孔363与共用主干配线316连接。这样，在边框区域，共 用电极315经连接电极317与共用主干配线316连接，共用信号从共用主干配线316供给 至共用电极315。
[0124] 本实施方式的液晶显示器能够通过实施方式1中说明的方法来制作。
[0125] 在本实施方式中，接触孔361设置在引出线318上，不需要将用于配置接触孔361 的空间设置于相邻的2条引出线318之间。因此，与实施方式1相比，能够实现更加高精细 的液晶显示器。此外，能够提高设计上的自由度。
[0126] (实施方式4)
[0127] 实施方式4的液晶显示器除了共用主干配线附近的结构不同之外，与实施方式1 的液晶显示器实质上相同。
[0128] 本实施方式的液晶显示器所包含的阵列基板，如图13、14所示，具有透明的绝缘 基板411，在绝缘基板411上依次层叠有：相当于上述第一导电层的第一配线层431 ;第一 绝缘层451 ;相当于上述第二导电层的第二配线层432 ;第二绝缘层452 ;相当于上述第三 导电层的第一透明导电层441 ;第三绝缘层453 ;相当于上述第四导电层的第二透明导电层 442。第一绝缘层451包含下层451a和层叠在下层451a上的上层451b。第二绝缘层452 包含下层452a和层叠在下层452a上的上层452b。
[0129] 此外，本实施方式的阵列基板具有：形成于第一配线层431的共用主干配线416 ; 在共用主干配线416上形成于第二配线层432的引出线418 ;形成于第二透明导电层442 的连接电极417 ;形成于第一透明导电层441的共用电极415。连接电极417从某一引出线 418上的区域延伸至与其相邻的引出线418上的区域。
[0130] 在共用主干配线416上，在第一绝缘层451和第二绝缘层452形成有接触孔462。 在共用电极415形成有缺口部415a，以使得共用电极415与接触孔462不重叠。在共用主 干配线416上，在第三绝缘层453形成有开口 461，开口 461在与接触孔462相同的部位形 成得比接触孔462大。此外，开口 461的一部分位于共用电极415上，共用电极415的一部 分没有被第三绝缘层453覆盖。
[0131] 连接电极417以覆盖开口 461的方式形成，从而与共用电极415接触，与共用电极 415连接。此外，连接电极417通过接触孔462与共用主干配线416连接。这样，共用电极 415在边框区域经连接电极417与共用主干配线416连接，共用信号从共用主干配线416被 供给至共用电极415。
[0132] 本实施方式的液晶显示器能够通过实施方式2中说明的方法制作。
[0133] 根据本实施方式，可省略实施方式1中设置的下层部17a和接触孔63。此外，开口 461从接触孔462上的区域扩展至共用电极415上的区域，也就是说，在连接电极417的与 共用主干配线416连接的连接部和连接电极417的与共用电极415连接的连接部之间，不 存在第三绝缘层453,因此能够将两个连接部配置得彼此非常近。因此，与实施方式1和2 相比，能够实现更加高精细的液晶显示器。
[0134] (实施方式5)
[0135] 实施方式5的液晶显示器除了共用主干配线附近的结构不同之外，与实施方式1 的液晶显示器实质上相同。
[0136] 本实施方式的液晶显示器所包含的阵列基板，如图15、16所示，具有透明的绝缘 基板511，在绝缘基板511上依次层叠有：相当于上述第一导电层的第一配线层531 ;第一 绝缘层551 ;相当于上述第二导电层的第二配线层532 ;第二绝缘层552 ;相当于上述第三 导电层的第一透明导电层541 ;第三绝缘层（未图示）；相当于上述第四导电层的第二透明 导电层542。第一绝缘层551包含下层551a和在下层551a上层叠的上层551b。第二绝缘 层552包含下层552a和在下层552a上层叠的上层552b。
[0137] 此外，本实施方式的阵列基板具有：形成于第一配线层531的共用主干配线516 ; 在共用主干配线516上形成于第二配线层532的引出线518 ;形成于第二透明导电层542的 连接电极517 ;和形成于第一透明导电层541的共用电极515。连接电极517以越过多个引 出线518的方式设置。
[0138] 在共用主干配线516上，在第一绝缘层551和第二绝缘层552形成有接触孔562， 接触孔562在相邻的2条引出线518之间各设置有1个。在共用电极515形成有缺口部 515a，以使得共用电极515与接触孔562不重叠。在共用主干配线516上，在第三绝缘层呈 带状形成有开口 561。在俯视阵列基板时，在开口 561内配置有多个接触孔562。此外，开 口 561的一部分位于共用电极515上。
[0139] 连接电极517以覆盖开口 561的方式形成，从而与共用电极515接触，并与共用电 极515连接。此外，连接电极517通过接触孔562与共用主干配线516连接。这样，共用电 极515在边框区域经连接电极517与共用主干配线516连接，共用信号从共用主干配线516 供给至共用电极515。
[0140] 本实施方式的液晶显示器能够通过实施方式2中说明的方法来制作。
[0141] 根据本实施方式，可省略实施方式1中设置的下层部17a和接触孔63。此外，开口 561在共用主干配线516上呈带状扩展，在俯视阵列基板时，共用电极515的一部分和接触 孔562配置在开口 561内，也就是说，在连接电极517的与共用主干配线516连接的连接部 和连接电极517的与共用电极515连接的连接部之间不存在第三绝缘层，因此能够将两连 接部配置得彼此非常近。因此，与实施方式1和实施方式2相比，能够实现更加高精细的液 晶显不器。
[0142] 进一步，能够扩大连接电极517的与共用电极515连接的连接部的面积。因此，与 实施方式1?4相比，能够降低两电极之间的接触电阻，并且能够抑制在两电极之间产生连 接不良。
[0143] (实施方式6)
[0144] 实施方式6的液晶显示器除了共用主干配线附近的结构不同以外，与实施方式1 的液晶显示器实质上相同。
[0145] 本实施方式的液晶显示器所包含的阵列基板，如图17所示，具有透明的绝缘基板 611，在绝缘基板611上依次层叠有：相当于上述第一导电层的第一配线层631 ;第一绝缘层 651 ;相当于上述第二导电层的第二配线层632 ;第二绝缘层652 ;相当于上述第三导电层的 第一透明导电层641 ;第三绝缘层653 ;相当于上述第四导电层的第二透明导电层642。第 一绝缘层651包含下层651a和层叠在下层651a上的上层651b。第二绝缘层652包含下层 652a和层叠在下层652a上的上层652b。
[0146] 此外，本实施方式的阵列基板具有：形成于第一配线层631的共用主干配线616 ; 在共用主干配线616上形成于第二配线层632的引出线618 ;形成于第二透明导电层642的 连接电极617 ;形成于第一透明导电层641的共用电极615。连接电极617包含形成于第二 配线层632的下层部617a和形成于第二透明导电层642的上层部617b。连接电极617 (下 层部617a和上层部617b)设置于相邻的2条引出线618之间。
[0147] 在共用电极615上，在第三绝缘层653形成有接触孔661。在下层部617a上，在第 二绝缘层652和第三绝缘层653形成有接触孔662。在共用电极615形成有缺口部615a， 以使得共用电极615与接触孔662不重叠。在共用主干配线616上，在第一绝缘层651形 成有接触孔663。接触孔661、662、663设置于相邻的2条引出线618之间。
[0148] 上层部617b通过接触孔661与共用电极615连接，并且通过接触孔662与下层部 617a连接。下层部617a通过接触孔663与共用主干配线616连接。这样，共用电极615在 边框区域经连接电极617与共用主干配线616连接，共用信号从共用主干配线616被供给 至共用电极615。
[0149] 本实施方式的液晶显示器能够通过实施方式1中说明的方法来制作。
[0150] 在本实施方式中，由于在相邻的2条引出线618之间配置有3个接触孔661、662、 663,所以与实施方式1相比不利于高精细化。但是，连接电极617不需要配置于相邻的2条 引出线618之间的各区域，因此若与在各总线设置接触孔的情况相比，则有利于高精细化。
[0151] 另外，在各实施方式中，将共用电极和共用主干配线彼此连接的连接结构的数量 和配置部位没有特别限定，可以适当设定。此外，在配置多个连接结构的情况下，只要至少 1个连接结构具有上述任一个特征即可，不需要所有的连接结构均具有上述的任一特征。
[0152] 此外，实施方式1?6可以相互组合，例如可以将不同实施方式的连接结构设置于 同一阵列基板。
[0153] 此外，在实施方式1?6中，对FFS方式的液晶显示器进行了说明，但各显示器的 显示方式没有特别限定。例如，可以为使用了分别具有梳齿结构的共用电极和像素电极的 面内开关（IPS :In_Plane Switching)方式、TBA(Transverse Bend Alignment:横向弯曲取 向）方式等显示方式。另外，在TBA方式中，液晶层包含具有负的介电常数各向异性的向列 型液晶分子，该液晶分子在未施加电压时垂直取向，阵列基板包含一对电极（例如，分别具 有梳齿结构的共用电极和像素电极），通过在该电极之间产生的横电场使液晶分子呈弯曲 状取向。其中，作为实施方式1?6的液晶显示器的显示方式，优选具有透明的共用电极、 透明的像素电极、和两电极间的电介质（以下，也将这种结构称为透明Cs结构），并通过这 些部件形成保持电容的显示方式，作为这样的显示方式，例如可以举出具有透明Cs结构的 CPA (Continuous Pinwheel Alignment :连续焰火状取向）方式。此外，在具有透明Cs结构 的CPA方式中，液晶层包含具有负的介电常数各向异性的向列型液晶分子，该液晶分子在 未施加电压时垂直取向，阵列基板具有：透明的共用电极；该共用电极上的绝缘层；和该绝 缘层上的透明的像素电极，对置基板具有：与像素电极相对的透明的对置电极；设置在该 对置电极上的点状的突起（铆钉），利用在该像素电极与该对置电极之间产生的纵电场使 液晶分子以突起为中心呈放射状取向。
[0154] 此外，在实施方式1中，对在显示区域的整周配置共用主干配线的情况进行了说 明，但在各实施方式中，共用主干配线只要以与设置于第二导电层的引出线交叉的方式配 置，其配置部位没有特别限定，例如，共用主干配线可以仅配置在显示区域的下边附近。
[0155] 此外，在实施方式1?6中，对透射型液晶显示器进行了说明，但各液晶显示器可 以为反射型或半透射型。在反射型的情况下，例如，代替相当于第三导电膜的第一透明导 电膜，使用表面为高反射率的导电膜即可。作为这种导电膜的材料，例如，可以举出A1、银 (Ag)、钼（Pt)、它们的合金等，该导电膜也可以是这些材料的膜的层叠膜。
[0156] 此外，在实施方式1?6中，在共用主干配线上，共用电极形成有缺口部，取而代 之，也可以设置开口部。
[0157] 符号说明
[0158] 1 :液晶面板
[0159] 2 :显示部
[0160] 3 :像素
[0161] 4:子像素
[0162] 5:源极总线用驱动芯片
[0163] 6:栅极总线用驱动电路
[0164] 7:阵列基板
[0165] 8 :对置基板
[0166] 9 :显示区域
[0167] 10 :边框区域
[0168] 11 :绝缘基板
[0169] 12 :源极总线
[0170] 13:栅极总线
[0171] 14:像素电极
[0172] 14S :狭缝
[0173] 15:共用电极
[0174] 15a:缺口部
[0175] 15b:开口
[0176] 16:共用主干配线
[0177] 17:连接电极
[0178] 17a:下层部
[0179] 17b:上层部
[0180] 17c、17d:连接部
[0181] 18、19:引出线
[0182] 20 : TFT
[0183] 21 :半导体层
[0184] 22:栅极电极
[0185] 23:源极电极
[0186] 24:漏极电极
[0187] 25、27、61、62、63 :接触孔
[0188] 26:沟道保护层
[0189] 31 :第一配线层（第一导电层）
[0190] 32 :第二配线层（第二导电层）
[0191] 41 :第一透明导电层（第三导电层）
[0192] 42:第二透明导电层（第四导电层）
[0193] 51 :第一绝缘层
[0194] 51a:下层
[0195] 51b :上层
[0196] 52 :第二绝缘层
[0197] 52a:下层
[0198] 52b :上层
【权利要求】
1. 一种液晶显示器，其具备阵列基板、显示部和在所述显示部内排列的多个像素，该液 晶显示装置的特征在于： 所述阵列基板包括： 绝缘基板； 所述绝缘基板上的第一导电层； 所述第一导电层上的第一绝缘层； 所述第一绝缘层上的第二导电层； 所述第二导电层上的第二绝缘层； 所述第二绝缘层上的第三导电层； 所述第三导电层上的第三绝缘层； 所述第三绝缘层上的第四导电层； 设置在与所述显示部对应的区域内的多个总线； 设置在所述区域外，分别与对应的总线连接的多个引出线； 设置在所述区域内和外，向所述多个像素供给共用的信号的电极； 设置在所述区域外，与所述多个引出线交叉，传送所述信号的配线；和 设置在所述区域外，将所述电极与所述配线连接的连接电极， 所述配线设置于所述第一导电层， 所述多个引出线在所述配线上设置于所述第二导电层， 所述电极设置于所述第三导电层， 所述连接电极至少设置于第四导电层。
2. 如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于： 所述多个引出线包含相邻的第一引出线和第二引出线， 所述连接电极的与所述配线连接的连接部设置于所述第一引出线和第二引出线之间 的区域， 所述连接电极的与所述电极连接的连接部不设置于所述第一引出线和第二引出线之 间的所述区域。
3. 如权利要求1或2所述的液晶显示器，其特征在于： 所述阵列基板在所述区域外并且所述电极上包含不存在所述第三绝缘层的部分， 所述连接电极通过不存在所述第三绝缘层的所述部分与所述电极连接。
4. 如权利要求3所述的液晶显示器，其特征在于： 不存在所述第三绝缘层的所述部分不位于所述多个引出线上。
5. 如权利要求3所述的液晶显示器，其特征在于： 不存在所述第三绝缘层的所述部分位于所述多个引出线上。
6. 如权利要求3所述的液晶显示器，其特征在于： 所述阵列基板在所述配线上包含不存在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的部分， 不存在所述第三绝缘层的所述部分从不存在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的所 述部分上的区域扩展至所述电极上的区域， 所述连接电极设置于所述第四导电层。
7. 如权利要求3所述的液晶显示器，其特征在于： 所述阵列基板在所述配线上包含多个不存在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的部 分， 不存在所述第三绝缘层的所述部分在所述配线上呈带状扩展， 在俯视所述阵列基板时，不存在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的所述多个部分， 和所述电极的一部分，配置在不存在所述第三绝缘层的所述部分内， 所述连接电极设置于所述第四导电层。
8. 如权利要求1至7中任一项所述的液晶显示器，其特征在于： 所述连接电极包含设置于所述第二导电层的下层部和设置于所述第四导电层的上层 部， 所述阵列基板在所述配线上包含不存在所述第一绝缘层的部分，并且，在所述下层部 上包含不存在所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的部分， 所述下层部通过不存在所述第一绝缘层的所述部分与所述配线连接， 所述上层部通过不存在所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的所述部分与所述下层部 连接。
9. 如权利要求1至7中任一项所述的液晶显示器，其特征在于： 所述阵列基板在所述配线上包含不存在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三 绝缘层的部分， 所述连接电极设置于所述第四导电层，并且，通过不存在所述第一绝缘层、所述第二绝 缘层和所述第三绝缘层的所述部分与所述配线连接。
10. 如权利要求1至9中任一项所述的液晶显示器，其特征在于： 所述阵列基板包含薄膜晶体管， 所述薄膜晶体管包含半导体层， 所述半导体层包含氧化物半导体。
11. 如权利要求1至10中任一项所述的液晶显示器，其特征在于： 所述第二绝缘层包含有机绝缘层。
12. 如权利要求11所述的液晶显示器，其特征在于： 所述第二绝缘层包含无机绝缘层， 所述有机绝缘层层叠在所述无机绝缘层上。
13. 如权利要求1至12中任一项所述的液晶显示器，其特征在于： 所述第二绝缘层包含能够使用蚀刻剂蚀刻的层， 所述第三绝缘层包含能够使用与所述蚀刻剂相同的蚀刻剂蚀刻的层。
14. 如权利要求1至13中任一项所述的液晶显示器，其特征在于： 所述第一绝缘层包含下层和层叠在所述下层上的上层。
15. 如权利要求1至14中任一项所述的液晶显示器，其特征在于： 所述下层和所述上层在所述区域外覆盖所述第一导电层。
【文档编号】G02F1/1368GK104115058SQ201380009477
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2013年2月7日 优先权日:2012年2月15日
【发明者】泷泽英明, 木原正博, 小笠原功 申请人:夏普株式会社