支撑装置、光刻装置和器件制造方法与流程

支撑装置、光刻装置和器件制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2012年5月29日提出的美国临时申请61/652,582的权益，其公开内容在此通过引用以其整体并入。该申请要求2012年6月29日提出的美国临时申请61/666,348的权益，其公开内容在此通过引用以其整体并入。技术领域本发明涉及支撑装置、光刻装置和器件制造方法。

背景技术：
光刻装置是将期望图案应用到衬底上的机器，通常应用到衬底的目标部分上。光刻装置可以用于，例如，集成电路(IC)的制造。在这种情况下，图案形成装置，可选地被称为掩模或掩膜版，可以用于生成要形成在IC的单独层上的电路图案。该图案可以转移到衬底上的目标部分(即，包括一个或一些裸片的部分)上。图案的转移通常是通过成像到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。一般地，单个衬底将包含连续图案化的邻近目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进机，其中每个目标部分是通过一次将整个图案暴露到目标部分上而被辐射的，和所谓的扫描器，其中每个目标部分是通过扫描经过沿着给定方向(“扫描”方向)的辐射束的图案同时同步地扫描与该方向平行或反平行的衬底而被辐射的。还可以通过将图案印到衬底上将来自图案形成装置的图案转移到衬底上。已经提出将光刻装置中的衬底浸没具有相对高折射率的液体中，例如水，以便于填充投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一个实施例中，液体是蒸馏水，尽管可以使用另一种液体。本发明的实施例将参考液体描述。然而，另一种流体可以是合适的，特别是润湿流体、不可压缩流体和/或具有比空气折射率更高的折射率的流体，期望地比水的折射率更高的折射率。排除气体的流体是特别期望的。由于曝光辐射在液体中将具有更短波长，这样做的意义是能够成像更小特征。(液体的效果还可以视为增大系统的有效数值孔径(NA)和还增大焦深。已经提出其他浸没液体，包括具有悬浮在其中的固态颗粒(例如石英)的水或具有纳米颗粒悬浮物的液体(即，具有最大尺寸高达10nm的颗粒)。悬浮颗粒物可以具有或不具有与悬浮在其中的液体相似或相同的折射率。合适的其他液体包括碳氢化合物，诸如芳烃、氟代烃和/或水溶液。衬底和衬底台浸没液浴(参考，例如，美国专利号4509852)意味着存在必须在扫描曝光期间加速大量液体。这需要额外的或更多强有力的电机，并且液体中的湍流可能导致不期望和不可预知的效果。在浸没装置中，浸没流体是由流体处理系统、设备结构或装置处理。在一个实施例中流体处理系统可以提供浸没流体，因此该系统是流体供应系统。在一个实施例中流体处理系统可以至少部分地限制浸没流体，因而该系统是流体限制系统。在一个实施例中流体处理系统可以提供用于浸没流体的屏障，因而该系统是屏障构件，诸如流体限制结构。在一个实施例中流体处理系统可以产生或使用气体流，以便例如帮助帮助控制浸没流体的流动和/或其位置。气体流可以形成用于限制浸没流体的密封，因此流体处理结构可以被称为密封构件；这样的密封构件可以是流体限制结构。在一个实施例中，浸没液体用作浸没流体。在该实例中流体处理系统可以是液体处理系统。参考前述描述，该段落中关于流体定义的特征可以理解为包括关于液体定义的特征。处理光刻装置中的浸没液体带来一个或多个液体处理问题。间隙通常存在于诸如衬底和/或传感器的物体和物体(例如，衬底和/或传感器)边缘周围的台(例如，衬底台或测量台)之间。美国专利申请公开US2005-0264778公开利用材料填充间隙或提供液体源或低压源故意地利用液体填充所述间隙从而避免当间隙在流体供应系统下方通过时夹杂气泡和/或移除进入间隙的任何液体。

技术实现要素：
期望的是，例如，改进光刻装置的物体保持件的温度剖面图的稳定性。根据一个方面，提供光刻装置的支撑装置，包括：被配置为支撑物体的物体保持件；和在物体保持件径向外侧的提取主体，提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口，其中提取主体与物体保持件间隔开，使得提取主体与物体保持件基本解耦；其中提取主体包括突起，所述突起配置为使得其围绕物体保持件并且使得在使用中时液体层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。根据一个方面，提供光刻装置的支撑装置，包括：物体保持件；和物体保持件径向外侧的提取主体，该提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口，其中提取主体通过多个周向间隔的接头连接到物体保持件，使得在接头之间，提取主体与物体保持件间隔开。根据一个方面，提供利用光刻装置的器件制造方法，该方法包括：使由图案形成装置图案化的束投影到衬底上同时利用支撑装置支撑衬底，其中支撑装置包括：被配置为支撑物体的物体保持件；和在物体保持件径向外侧的提取主体，该提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口，其中提取主体与物体保持件间隔开，使得提取主体与物体保持件充分解耦；其中提取主体包括突起，突起配置为使其围绕物体保持件并且使得在使用中流体层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。根据一个方面，提供利用光刻装置的器件制造方法，该方法包括：将图案形成装置图案化的束投影到衬底上同时利用支撑装置支撑衬底，其中支撑装置包括：物体保持件；和在物体保持件径向外侧的提取主体，该提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口，其中提取主体通过多个周向间隔的接头连接到物体保持件，使得在接头之间，提取主体与物体保持件间隔开。根据一个方面，提供包括以下的支撑装置：由具有热导率的台材料形成的台；定位在台的凹口内的主体，其中主体和台之间存在间隙；和桥接从主体的顶面到台的顶面的间隙的构件，该构件包括具有比台材料的热导率更低的热导率的热阻材料的热阻层。根据一个方面，提供利用光刻装置的器件制造方法，该方法包括：将图案形成装置图案化的束投影到衬底上同时利用支撑装置支撑衬底，其中支撑装置包括：由具有热导率的台材料形成的台；定位在台的凹口内的主体，其中主体和台之间存在间隙；和桥接从主体的顶面到台的顶面的间隙的构件，该构件包括具有比台材料的热导率更低的热导率的热阻材料的热阻层。附图说明现在将参考附图只通过实例描述本发明的实施例，附图中相对应的参考符号表示相对应的一部分，在附图中：图1描绘根据本发明的实施例的光刻装置；图2和图3描绘在光刻投影装置使用的液体供应系统；图4描绘用于光刻投影装置的又一液体供应系统；图5描绘用于光刻投影装置的又一液体供应系统；图6-8描绘一个实施例的支撑装置的一部分的横截面图；图9以平面图描绘一个实施例的支撑装置的一部分的平面图；图10-14描绘一个实施例的支撑装置的一部分的横截面图；图15-19描绘一个实施例的热调节系统的横截面图；图20-30描绘一个实施例的支撑装置的一部分的横截面图。具体实施方式图1示意性地描绘根据本发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括：-照射系统(照射器)IL，被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)；-支撑结构(例如，掩模台)MT，被构造为依照一定参数支撑图案形成装置(例如，掩模)MA并连接到被配置为精确定位图案形成装置MA的第一定位器PM；-支撑台，例如，用于依照一定参数的支撑一个或多个传感器的传感器台或被构造为保持衬底(例如，涂有抗蚀剂的衬底)W的衬底支撑装置60，其连接到被配置为精确定位所述台的表面的第二定位器P，例如衬底W；以及-投影系统(例如，折射投影透镜系统)PS，被配置为将图案形成装置MA给予(impart)到辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C上(例如，包括一个或多个裸片)。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射的、反射的、磁的、电磁的、静电的或其他类型的光学部件，或其任意组合，用于定向、成型或控制辐射。支撑结构MT保持图案形成装置MA。其以取决于图案形成装置MA的方位、光刻装置的设计和其他条件的方式保持图案形成装置，诸如无论图案形成装置MA是否保存在真空环境中。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是框架或台，例如，根据需要可以是固定的或可移动的。支撑结构MT可以确保图案形成装置MA例如关于投影系统PS处于期望位置。本文中的术语“掩膜版”或“掩模”的任何使用可以视为与更一般的术语“图案形成装置”同义。本文中使用的术语“图案形成装置”应当广泛地解释为指代可以用于利用其横截面图案给予辐射束以致在衬底的目标部分上产生图案的任意器件。应当注意的是，给予辐射束的图案可以不精确对应衬底的目标部分中的期望图案，例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助图案的话。一般地，给予辐射束的图案将对应目标部分中产生的器件中的特定功能层，诸如集成电路。图案形成装置MA可以是透射的或反射的。图案形成装置的实例包括掩模、可编程镜阵列和可编程LCD面板。在光刻中掩模是众所周知的，掩模包括诸如二进制、交替相移和衰减相移的掩模类型和各种混合掩模类型。可编程镜阵列使用矩阵布置的小反射镜，每个小反射镜可以单独倾斜以便于沿着不同方向反射进来的辐射束。倾斜的反射镜给予图案到由镜面矩阵反射的辐射束中。本文中使用的术语“投影系统”应当广泛地解释为涵盖任意类型的投影系统，包括折射的、反射的、反射折射的、磁的、电磁的和静电的光学系统或对于使用的曝光辐射，或诸如浸没液体的使用或真空的使用的其他因素而言合适的任意组合。本文中的术语“投影透镜”的任意用途可以视为与更一般的术语“投影系统”同义。本文中描绘的装置是透射式类型(例如，使用透射式掩模)。或者，装置可以是反射类型的(例如，使用被称为以上类型的可编程镜阵列或使用反射掩模)。光刻装置可以是具有两个或多个台(或平台)或支撑件的类型，例如，两个或多个衬底台或一个或多个衬底台和一个或多个传感器或测量台的组合。在这样的“多台”机器中，可以并行使用多个台，或预备步骤可以在一个或多个台上执行，同时一个或多个其他台用于曝光。光刻装置可以具有两个或多个图案形成装置台(或平台或支撑件)，可以通过相似的方式与衬底、传感器和测量台并行地使用。参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。源SO和光刻装置可以是独立的实体，例如当源SO是受激准分子激光器时。在这样的情况中，不认为源SO形成光刻装置的一部分，辐射束借助于光束传输系统BD从源SO传输到照射器IL，光束传输系统BD包括，例如，合适的定向反射镜和/或扩束器。在其他情况中源SO可以是光刻装置的一体部分，例如当源SO是水银灯时。源SO和照射器IL连同光束传输系统BD，如果需要，可以被称为辐射系统。照射器IL可以包括用于调节辐射束的角强度分布的调节器AD。一般地，可以调节至少照射器IL的光瞳面的光强分布的外部和/或内部径向伸长(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。此外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如积分器IN和冷凝器CO。照射器IL可以用于将辐射束调节为在其横截面具有期望均匀性和强度分布。与源SO相似，照射器IL可以视为或不视为构成光刻装置的一部分。例如，照射器IL可以是光刻装置的一体部分或相对于光刻装置为单独实体。在后一种情况中，光刻装置可以被配置为允许照射器IL安装在其上。可选地，照射器IL是可拆卸的，并可以单独提供(例如，由光刻装置制造商或另一个供应商提供)。辐射束B入射到被保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并由图案形成装置MA图案化。已经穿过图案形成装置MA，辐射束B穿过投影系统PS，其将所述束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉器件、线性编码器或电容传感器)，衬底支撑装置60可以精确地移动，例如，以便于使不同目标部分C定位在辐射束B的路径中。类类似地，第一定位器PM和另一个位置传感器(在图1中未明确描绘)可以用于关于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA，例如，在从掩模库机械取回之后或在扫描期间。一般地，支撑结构MT的移动可以借助于长冲程模块(粗定位)和段冲程模块(精细定位)实现，其形成第一定位器PM的一部分。类似地，衬底支撑装置60的移动可以利用长冲程模块和短冲程模块实现，其形成第二定位器PW的一部分。在步进机的情况中(与扫描器相对照)，支撑结构MT可以只连接到短冲程致动器，或可以是固定的。图案形成装置MA和衬底W可以利用图案形成装置对齐标记M1、M2和衬底对齐标记P1、P2对齐。尽管所示的衬底对齐标记占用专用目标部分，但是其可以定位在目标部分C之间的空间中(被认为是划线道对齐标记)。类似地，在不止一个裸片提供在图案形成装置MA上的情况中，图案形成装置对齐标记可以定位在裸片之间。所描绘的装置可以在至少一个以下模式中使用：1.在步进模式中，支撑结构MT和衬底支撑装置60保持基本静止，而被给予辐射束B的整个图案被一次投影到目标部分C上(例如，单次静态曝光)。衬底支撑装置60沿着X和/或Y方向移位，使得可以曝光不同目标部分C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。2.在扫描模式中，支撑结构MT和衬底支撑装置60同步扫描，同时给予辐射束B的图案被投影到目标部分C(例如，单次动态曝光)。衬底支撑装置60相对于支撑结构MT的速度和方向可以由投影系统PS的(缩小)放大和图像翻转特征确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制单次动态曝光中目标部分C的宽度(沿着非扫描方向)，而扫描移动的长度(和曝光场的尺寸)决定目标部分C的高度(沿着扫描方向)。3.在另一种模式中，支撑结构MT保持基本静止地支撑可编程图案形成装置，衬底支撑装置60移动或扫描同时给予辐射束的图案被投影到目标部分C上。在该模式中，一般地使用脉冲辐射源，在扫描期间在衬底支撑装置60每次移动之后或在连续辐射脉冲之间中，根据需要来更新可编程图案形成装置。该操作模式易于应用于利用可编程图案形成装置的无掩模光刻，诸如以上所述类型的可编程镜阵列。还可以使用以上所述的使用模式的组合和/或变化或完全不同的使用模式。在投影系统PS的最终元件和衬底之间提供液体的布置可以归类到三个一般类别。它们是浴式布置、所谓的局部化浸没系统和全湿浸没系统。在浴式布置中，基本上整个衬底W和可选的衬底支撑装置60的一部分浸没在浴液中。局部化浸没系统使用其中液体只提供给衬底的局部化区域的液体供应系统。由液体填充的空间在平面上小于衬底的顶面，利用液体填充的体积相对于投影系统PS保持基本静止，同时衬底W在该体积下方移动。图2-5示出在这样的系统中可以使用的不同供应器件。给出密封特征用于将液体密封到局部化区域。已经建议这样布置的一中方式在公开号为WO99/49504的PCT专利申请中公开。在全湿布置中，液体是不受约束的。衬底的整个顶面和所有或部分衬底台覆盖在浸没液体中。覆盖至少衬底的液体的深度较小。液体可以是在衬底上的液体的膜，诸如薄膜。浸没液体可以被提供至或提供在投影系统和面对投影系统的面对表面的区域中(这样的面对表面可以是衬底和/或衬底台的表面)。图2-5的任意液体供应器件也可以在这样的系统中使用。然而，密封特征不存在、未激活、不像平常一样有效或从其他方面不足以将液体密封到仅仅局部化区域。如图2和图3中所示，液体由至少一个入口提供到衬底上，优选地沿着衬底相对于最终元件的移动方向。在经过投影系统下方之后，液体通过至少一个出口移出。随着在元件下方沿着-X方向扫描衬底，在元件的+X侧提供液体，并占据-X侧。定位在最终元件周围的入口和出口的各种方位和数量是可能的；一个实例在图3中示出，其中在任一侧上的四组入口和出口以规则图案提供在最终元件周围。注意的是，液体的流动方向在图2和图3中由箭头示出。具有局部化液体供应系统的又一浸没光刻解决方案在图4中示出。液体由投影系统PS的任一侧上的两个凹槽入口提供，并由入口径向外侧布置的多个离散出口移除。注意的是，流体的流动方向和衬底的方向在图4中由箭头示出。已经提出的另一个布置提供具有沿着投影系统的最终元件与衬底、衬底台或其两者之间的空间的至少一部分边界延伸的液体限制结构的液体供应系统。这样的布置在图5中示出。图5示意性地描绘具有液体限制结构IH的局部化液体供应系统或流体处理系统，所述液体限制结构沿着投影系统的最终元件和衬底支撑装置60或衬底W之间空间的至少一部分边界延伸。(请注意，下文中对衬底W的表面的引用还额外地或可选地指衬底台的表面，除非另有明文说明)。在一个实施例中，在液体限制结构IH和衬底W的表面之间形成密封，所述密封可以是诸如气封的无接触密封(这样的具有气封的系统在欧洲专利申请公开号EP-A-1420298中公开)或液封。液体限制结构IH至少部分地包含在投影系统PS的最终元件和衬底W之间的空间11中的液体。空间11至少部分地由定位在投影系统PS的最终元件下方和其周围的液体限制结构IH形成。液体浸没被带入投影系统PS下方的空间中并通过液体入口13浸没被带入液体限制结构IH内。液体可以由液体出口13移除。液体可以通过在使用期间由屏障构件IH的底面和衬底W的表面之间形成的气封16包含在空间11中。气封中的气体在压力下通过入口15提供到屏障构件IH和衬底W之间的间隙。气体通过出口14提取。在气体入口15上的超压、在出口14上的真空度和间隙的几何形状布置为使得存在向内的限制液体的高速气流16。屏障构件IH和衬底W之间的液体上的气体力使液体包含在空间11中。这样的系统在美国专利申请公开号US2004-0207824中公开，其公开内容在此通过引用以其整体并入。在一个实施例中，液体限制结构IH不具有气封。本发明的实施例可以应用于包括美国专利申请公开号US2006-0158627、US2006-0038968、US2008-0212046、US2009-0279060、US2009-0279062、US2004-0207824、US2010-0313974和US2012-0120376中公开的任意流体处理结构，其内容在此通过引用以其整体并入。控制器500控制光刻装置的总体操作，特别地执行以下进一步描述的操作过程。控制器500可以作为适当编程的通用计算机实施，其包括中央处理单元、易失性和非易失性存储装置、诸如键盘和显示屏的一个或多个输入和输出设备、到光刻装置的各个零件的一个或多个网络连接和一个或多个接口。将理解的是，控制计算机和光刻装置之间不需要是一对一关系。在本发明的一个实施例中，一个计算机可以控制多个光刻装置。在本发明的一个实施例中，多个网络计算机可以用于控制一个光刻装置。控制器500还可以被配置为控制一个或多个相关联的过程装置和光刻装置构成其一部分的光刻单元或集群中的衬底处理器件。控制器500还可以被配置为从属于光刻单元或集群的监管控制系统和/或工厂的整个控制系统。在一个实施例中，控制器运转所述装置以执行本发明的一个实施例。在一个实施例中，控制器500具有用于存储本文中描述的步骤一的结果的内存，以供稍后在步骤二中使用。图6描绘本发明的一个实施例。图6是通过支撑装置和物体的横截面。在一个实施例中，支撑装置是衬底支撑装置60，物体是衬底W。支撑装置包括物体保持件。物体保持件被配置为保持物体。在以下的描述中，在支撑装置是衬底支撑装置60和物体保持件是用于保持衬底W的衬底保持件61的背景中描述本发明的实施例。然而，在一个实施例中，物体保持件是，例如，用于保持传感器的传感器保持件，衬底支撑装置60是物体保持件的支撑装置，可选地不必一定能够保持衬底。如图6中所述，衬底W由衬底保持件61支撑。在一个实施例中，衬底保持件61包括一个或多个突起62(例如，突节)。衬底保持件61可以被称为丘台或突节台。衬底支撑装置60包括提取主体65。提取主体65是在衬底保持件61径向外侧的。在图6中，衬底支撑装置60和衬底W的附图下方的箭头表示径向外侧方向。在一个实施例中，提取主体65这样成型，使得在平面图中提取主体65围绕衬底保持件61。在一个实施例中，提取主体65形成闭合形状。该形状不受特定限制，例如可以是环形或多边形。当衬底W的边缘被成像或在其他时候，诸如当衬底W第一次在投影系统PS下方移动时，液体11将至少部分地穿过衬底W的边缘和衬底支撑装置60的边缘之间的间隙5。这可以导致来自贮液器11的液体进入所述间隙5。在衬底W和衬底支撑装置60之间由衬底保持件61应用的压力帮助确保衬底W牢固地保持在合适的位置。然而，如果液体到达衬底W和衬底保持件61之间，那么这会导致困难，尤其当卸除衬底W时。提取主体65被配置为从衬底支撑装置60的顶面69提取流体。通过提供提取开口66，进入液体供应系统IH的液体11的气泡减少。一个或多个这样的气泡可以不利地影响衬底W的成像。提供提取开口66以减少衬底W和衬底支撑装置60之间的间隙5中的气体逸入流体处理结构IH中的贮液器11中。如果气体确实逸入贮液器11，可以导致气泡在贮液器11内浮动。这样的气泡，如果在投影光束的路径中，会导致成像误差。提取开口66用于使气体从衬底W的边缘和其中放置衬底W的衬底支撑装置60中的凹口边缘之间的间隙5移除。提取开口66主要提取气体(例如在每分钟20和100标称公升(Nl/min))和只有少量浸没液体(例如大约1ml/min到100ml/min，和可选地10ml/min到20ml/min)。用这样的两相流，浸没液体蒸发，冷却包围衬底W的边缘的衬底支撑装置60。这会导致衬底W变形，最终可能导致整体性能降低。在一个实施例中，提取主体65与衬底保持件61这样间隔开，使得提取主体65与衬底保持件61基本解耦。提取主体65是与衬底保持件61基本热解耦的和/或基本机械解耦的。在一个实施例中，基本上整个衬底保持件61与基本上整个提取主体65间隔开。通过提供提取主体65与衬底保持件61的基本解耦，提取主体65上的温度载荷减少对衬底保持件61的热机械行为的影响。特别是，衬底保持件61上的提取主体65的冷却效果降低。如上所述，由于通过提取主体65的提取开口66的两相流，可以产生这样的蒸发冷却。因此，可以提高衬底保持件61的温度廓线的稳定性。在一个实施例中，物体保持件是被配置为保持传感器的传感器保持件，提取主体是边缘密封构件，在一个实施例中，边缘密封构件包括用于提取浸没液体的提取开口，所述浸没液体通过边缘密封构件和传感器之间的间隙找到出路。在一个实施例中，物体保持件是被配置为保持衬底的衬底台，提取主体是传感器保持件。传感器紧挨着衬底放置。传感器和衬底都由不同支撑件支撑。在一个实施例中，传感器保持件包括用于提取浸没液体的提取开口，所述浸没液体应当通过衬底台和传感器之间的间隙找到出路。在一个实施例中，提取主体65包括通道68。通道68通过通路67与提取开口66流体连通。提取开口66可以提供在衬底W的边缘的周界(例如，周长)周围的一个或多个离散位置。提取开口66可以在平面上是狭缝或圆形开口或任意其他形状。在一个实施例中，可以提供三个离散圆形开口来提取从提取主体65到衬底支撑装置60的两相流。提取开口66可以具有2mm的直径。通道68连接到减压，以便于通过开口66从衬底支撑装置60的顶面69提取流体。在一个实施例中，提取主体65与衬底保持件61无连接，使得提取主体65从衬底保持件61上拆卸下来。提取主体65在任意点处均不直接接触衬底保持件61。这减少了提取主体65和衬底保持件61之间的热传递传递，特别是传导传热。在一个实施例中，在衬底W和衬底支撑装置60之间的间隙5较窄，使得通过间隙5到衬底保持件61的底面的液体流失最小。在一个实施例中，提取主体65连接到衬底保持件61。图7描绘这样的本发明的实施例。提取主体65与衬底保持件61基本解耦。提取主体65通过密封非刚性地连接到衬底保持件61。该密封被配置为桥接提取主体65和衬底保持件61之间的中间间隙75。在一个实施例中，密封包括粘结剂70。粘结剂70被布置为降低通过中间间隙75的液体流失。在一个实施例中，粘结剂70密封中间间隙75。在一个实施例中，密封是通过例如焊接、螺栓连接或真空夹持形成的。提取开口66被配置为从在密封上方在衬底保持件61和提取主体65之间的间隙提取流体。在一个实施例中，粘结剂70包括粘接层71和薄膜层72。粘接层71将薄膜层72粘接到衬底保持件61和提取主体65。粘结剂70帮助防止流体进入衬底保持件61和提取主体65之间的中间间隙75。中间间隙75防止衬底保持件61和提取主体65之间有良好的热接触。在一个实施例中，粘结剂70具有小于等于50微米、小于等于10微米、或大约10微米的厚度。在一个实施例中，提取主体65通过包括真空和气体的中间间隙75与衬底保持件61间隔开。在中间间隙75中的真空或接近真空降低了提取主体65和衬底保持件61之间的热传递。图8描绘本发明的一个实施例。如图8中所描绘，在一个实施例中衬底支撑装置60包括衬底台WT。衬底保持件61定位在衬底台WT的对象保持件凹口内。在对象保持件是衬底保持件61的背景中，对象保持件凹口是衬底台WT的衬底保持件凹口85。至少一部分提取主体65定位在衬底保持件凹口85内。如图8中所描绘，在一个实施例中基本所有提取主体65定位在衬底保持件凹口85内。然而，不必一定是这种情况。以下将描述，例如图12中所描绘，在一个实施例中一部分提取主体65延伸到衬底保持件凹口85之外。如图8中所描绘，提取主体65在接口81处连接到衬底台WT。接口81提供提取主体65和衬底台WT之间的连接。衬底WT的加速力通过接口81传递到提取主体65。接口81提供刚性连接以至接口81将来自衬底台WT的加速力传递到提取主体65。在接口81处的连接的刚度期望是最小的，以便于降低提取主体65和衬底台WT之间的热传递。在一个实施例中，接口81是在提取主体65的底面82和/或径向表面(例如，径向外侧的边缘)。这在图8中描绘。在一个实施例中，接口81是在提取主体65的外表面。在接口81的连接形式不受特定限制。在一个实施例中，提取主体65通过真空夹持、螺栓连接、粘接和/或运动叶簧耦合连接到衬底台WT。在一个实施例中，接口81包括一个或多个突节。在一个实施例中突节和衬底台WT之间的连接面积小于突节和提取主体65之间的接触面。这为突节提供额外的灵活性。在一个实施例中，间隙5的表面提供有疏水涂层。疏水涂层帮助降低从衬底支撑装置60的顶面69通过中间间隙75的液体流失。在一个实施例中，提取主体65是用和衬底保持件61的材料相同的材料制造。在一个实施例中，衬底保持件61和提取主体65都由例如SiC、SiSiC或类金刚石材料形成。通过匹配提取主体65的材料和衬底保持件61的材料，可以降低衬底保持件61和提取主体65之间的热机械串扰。在一个实施例中，提取主体65是用和衬底台WT的材料相同的材料制造。在一个实施例中，提取主体65和衬底台WT两者都由例如诸如的玻璃陶瓷或堇青石形成。图9描绘在本发明的一个实施例的平面图。在一个实施例中，提取主体65通过多个周向间隔的接头91连接到衬底保持件61。在接头91之间，提取主体65与衬底保持件61间隔开。通过让提取主体65只通过接头91连接到衬底保持件61，在衬底保持件61和提取主体65之间的热传递可以降低。这降低了在衬底保持件61上的提取主体65的蒸发冷却效应。进而，这降低在衬底W上的蒸发冷却效应。提高了衬底保持件61的热廓线的稳定性。间隙92是在接头91之间形成。间隙92可以包括真空或气体。间隙92降低了提取主体65和衬底保持件61保持件之间的热传递，特别是传导传热。在一个实施例中，间隙92的表面提供有疏水涂层。接头91在提取主体65和衬底保持件61之间提供最小程度的刚性连接。连接可以是足够硬，使得加速力从衬底保持件61传递到提取主体65。在一个实施例中，刚度最小，以便于降低衬底保持件61和提取主体65之间的热机械串扰。如图8和图12中所描绘，例如，在一个实施例中，衬底保持件61通过例如一连串突节连接到衬底台WT。突节允许加速力从衬底台WT传递到衬底保持件61，同时还在降低衬底台WT和衬底保持件61之间的热传递的突节之间提供间隙。图10描绘本发明的一个实施例。在一个实施例中，至少一个接头91从衬底保持件61的顶面仅仅部分地朝着提取主体65的底面82延伸。在至少一个接头91的正下方，提取主体65与衬底保持件61间隔开。在至少一个接头91下方，间隙106被提供在衬底保持件61和提取主体65之间。可以包括真空或气体的间隙106降低了在衬底保持件61和提取主体65之间的热传递。间隙106与间隙92流体连通。在一个实施例中，接头91从衬底保持件61的顶面延伸到提取主体65的底面82。在一个实施例中接头91与衬底保持件61和/或提取主体65单片集成。在一个实施例中接头91不是与衬底保持件61和/或提取主体65分离的单独件。在一个实施例中提取开口66定位在接头91上方。在一个实施例中，至少一个接头91包括被配置为提供热能给接头91和/或在接头91之间和/或从接头91和/或在接头91之间移除热能的接头调节系统101。接头调节系统101可以是任意类型的热调节系统。以下将在图15到图19进一步详细地描绘合适的热调节系统。图15到图19描绘应用于提取主体66的主体的合适热调节系统。特别是，图15到图19描绘应用于与提取开口66流体连通的通道68的热调节系统。这些热调节系统可以应用于接头91。在一个实施例中，接头91总共沿着衬底保持件61和提取主体65之间的周界的至多10％延伸。周界沿着接头91之间的间隙92延伸。衬底保持件61和提取主体65之间的中间间隙75的周界的至少90％是由接头91之间的间隙92构成。在图9中，中间间隙75表示为两个虚线之间的区域。两个虚线对应于衬底保持件61和提取主体65的边缘。通过提供接头91沿着周界的最多10％延伸，对象保持件61和提取主体65之间的热传递可以降低到可接受水平。在一个实施例中，接头91在衬底保持件61和提取主体65之间提供机械刚度。在一个实施例中，接头91总共沿着周界的至少2％或至少5％延伸。这允许接头91在衬底保持件61和提取主体65之间提供可接受水平的机械刚度。图9和图10中描绘的衬底支撑装置60可以提供有如图8中所描绘的衬底台WT。接头91的数量不受特定限制。在一个实施例中，衬底支撑装置60包括6个、8个、10个、12个、14个或更多接头91。接头91的数量可以是奇数或偶数。提取主体65被分段成和接头91一样多的片段93。每个片段93沿着提取主体65从一个接头91延伸到邻近接头91。每个片段93通过间隙92与衬底保持件61间隔开。提取主体65只通过接头91机械地和热连接到衬底保持件61。这降低了从提取主体65到衬底保持件61的热串扰。衬底保持件61和提取主体65之间的热传导降低。提取主体65的温度变化会导致在衬底保持件61的外边缘处引入机械应力。这是由于机械串扰造成的。该机械串扰会导致衬底保持件61和衬底W的局部变形。在图9中描绘的实施例中，提取主体65和衬底保持件61的机械串扰表现得不同于传统系统中的情况。在分段的提取主体65中，机械应力只在接头91位置处传递到衬底保持件61。衬底保持件61中引入的应力由提取主体65的每个片段93的伸长(或收缩)以及接头91的刚度确定。每个片段93的伸长主要受该片段93的平均温度影响。为了降低片段93的伸长，该片段93内的所有局部应力的总和应当期望地降低到0。在该情况中，将没有机械应力作用于衬底保持件61上。以上的术语伸长用于指由于温度变化导致的片段93的长度增加。由于温度变化导致的片段93的收缩也期望被降低。在一个实施例中，至少一个片段93包括电阻式传感器94。电阻式传感器94可以是薄膜电阻式传感器。电阻式传感器94被配置为测量片段93的平均温度。电阻式传感器94定位在提取主体65的表面上或表面处。例如，电阻式传感器94可以定位在提取主体65的顶面105上/处或其底面82上/处。在一个实施例中，至少一个片段93包括被配置为提供热能给提取主体65的加热器。在一个实施例中，控制器500被配置为基于电阻式传感器94的测量来控制加热器，以便维持片段93的平均温度。在一个实施例中，电阻式传感器94用于将热施加到提取主体65。这可以，例如，通过将电流应用于电阻式传感器94实现。在这种情况下不需要额外的加热器。电阻式传感器94测量在电阻式传感器94的基本整个长度上的电阻。在一个实施例中，电阻式传感器94定位在两个邻近接头91之间。电阻式传感器94测量片段93的平均温度。片段93的平均温度对应于片段93的伸长(或收缩)。由于电阻式传感器94的质量较小所以其热响应非常快。与利用例如传统的传感器和弯曲箔加热器相比较，控制性能可以通过利用电阻式传感器94和可选地单独加热器而得到提高。在一个实施例中，利用薄膜加热器代替电阻式传感器94。在一个实施例中，间隙92包括真空。在一个实施例中，间隙92在衬底支撑装置60的上表面打开。然而，不一定是这种情况。在一个实施例中，间隙92可以被覆盖或关闭。例如，诸如粘结剂的薄膜材料/密封可以应用在间隙92上，或者间隙92可以利用具有低热导率的材料关闭。图11描绘本发明的一个实施例。在一个实施例中，提取主体65包括主体111和盖环112。盖环112定位在主体111的顶面115。在一个实施例中，盖环112与主体111单片集成。在一个实施例中，盖环112是与主体111分开的单独主体。通过提供在正常使用中在提取主体65的顶面处接触液体供应器件IH的盖环，提取开口66、通路67和通道68中的热载荷对液体供应器件IH的热效应降低。图12描绘本发明的一个实施例。在一个实施例中，盖环112径向向外延伸到主体111的径向长度以外。当从横截面看时，提取主体65具有阶梯状轮廓。通过提供盖环112径向向外延伸到主体111的径向长度以外，在光刻装置的使用中衬底台WT的顶面122的较少部分接触贮液器11。在一个实施例中，衬底台WT的顶面122提供有疏水涂层。疏水涂层帮助降低衬底台WT上的蒸发负荷。当贮液器11接触衬底台WT的顶面122时，疏水涂层会降解。这会导致液体流失增加和蒸发负荷增加。蒸发负荷会导致衬底台WT变形。盖环112可以保护衬底台WT的一部分。当贮液器11开始接触盖环112时，盖环112上产生蒸发负荷(和衬底台WT的顶面122上的蒸发负荷的对应降低)。由于流体处理结构IH造成的热载荷对衬底台WT产生的影响减小。这提高了衬底台的温度廓线的稳定性。在一个实施例中，盖环112径向向外延伸到主体111的径向长度以外的部分定位在衬底台WT的盖环凹口125内。在一个实施例中，盖环凹口125从衬底保持件凹口85径向向外。盖环凹口125比衬底保持件凹口85更浅，使得盖环凹口125和衬底保持件凹口85形成衬底台WT的阶梯状凹口。在一个实施例，当衬底W由衬底保持件61支撑时，衬底W的顶面基本上与提取主体65的顶面105共面。在一个实施例中，提取主体65的顶面105基本上与衬底台WT的顶面122共面。在一个实施例中，盖环112基本上延伸到在衬底台WT的顶面122上的信点(fiduciary)标记121。然而，不必一定是这种情况。在一个实施例中，信点标记121与衬底台WT的盖环凹口125间隔开。在一个实施例中，盖环112和在衬底台WT的顶面122上的信点标记121(或顶面122)之间的间隙123是由薄膜密封124桥接的。薄膜密封124有不同结构，可以与关于图7描述的粘结剂70的各种可能结构相同。通过提供盖环112在衬底台WT的正常情况下将接触液体供应器件IH的一部分上延伸，衬底台WT中的热载荷对液体供应器件IH的影响减小，特别是对光刻装置的液体透镜的影响减小。这提高了光刻装置的覆盖和聚焦。在一个实施例中盖环112以相似方式热调节到接头91。在一个实施例中布置盖环112以便提供对衬底台WT的可能加热源和/或冷却源的热屏蔽。这可以通过在盖环112和衬底台WT之间提供热绝缘来实现。在一个实施例中，盖环112具有至少3mm的厚度。在一个实施例中，盖环112具有厚度，以便是有刚性的，使得在光刻装置的使用中盖环112的底面和在盖环112的正下方的衬底台WT的表面之间基本上不需要接触。然而，在一个实施例中，盖环112的底面和衬底台WT的相对面之间提供非刚性连接。在一个实施例中，非刚性连接具有非常低的导热性，以便降低衬底台WT和提取主体65的盖环112之间的热传递。图13描绘本发明的一个实施例。在一个实施例中，衬底支撑装置60包括液体提取器130。液体提取器130在提取开口66的径向内侧。液体提取器130被配置为从衬底保持件61的顶面提取液体。提供液体提取器130帮助防止找到出路从间隙5到达衬底W下方的任意液体防止在成像之后衬底W从衬底保持件61有效释放。提供液体提取器130降低或消除由于液体在衬底W下方找到出路而可能产生的问题。液体提取器130，像提取开口66一样，借助于减压来移除流体。液体提取器130包括开口131和通道133。通道133通过通路132与开口131流体连通。开口131可以提供在衬底W的边缘的周界周围的一个或多个离散位置处，或可以在平面上是狭缝或圆形开口或任意其他形状。在一个实施例中，三个离散(圆形)开口131例如提供在衬底W的边缘周...