电子装置及其制作方法
【专利摘要】本发明有关于一种电子装置及其制作方法。本发明的电子装置包括：一基板，具有一第一表面及一第二表面；一电子元件层，设于基板的第一表面上；一离型残留层，设于基板的第二表面上，其中离型残留层的材料为一包括：一包含至少一选自由芳基、硝基及酮基所组成群组的化合物。
【专利说明】电子装置及其制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明是关于一种电子装置及其制作方法，尤指一种适用于软性基板的电子装置 及其制作方法。
【背景技术】
[0002] 随着电子产品薄型化及轻量化的要求，显示面板的玻璃基板由以往的约0. 4mm厚 度的玻璃基板朝〇. 3mm厚度的可挠式基板发展。
[0003] 然而，当可挠式基板为一厚度为0. 3mm或以下的薄玻璃或塑料基板时，若直接于 其上形成显示元件以制作显示面板时，往往因可挠式基板的刚性不足，而无法直接进行现 有的面板工艺。
[0004] 因此，为了符合现有的面板工艺，一般解决方法是将可挠式基板负载于另一玻璃 载板增加刚性，待工艺完成后再以激光将载板与可挠式基板分离。
[0005] 然而，使用激光方式进行分离时，往往面临激光机台造价昂贵、激光波长选择性少 且工艺时间长的问题，有时更面临因激光功率太强，导致元件被破坏或塑料可挠式基板黄 化甚至是碳化的情形，导致最后做出的电子产品合格率不佳。
[0006] 因此，目前亟需发展出一种新颖的电子装置制造方法，其可解决前述问题并达 到直接于现有机台上制作的目的。
【发明内容】
[0007] 本发明的主要目的在于提供一种以可挠式基板所制得的电子装置。
[0008] 本发明的另一目的在于提供一种前述电子装置制造方法，以能在现有机台上制 作出薄型化且轻量化的电子元件。
[0009] 为达成上述目的，本发明的电子装置制造方法包括下列步骤：(A)提供一载板， 该载板上形成有一离型层，其中该离型层的材料包括：一包含至少一选自由芳基、硝基及酮 基所组成群组的硅氧烷或聚亚酰胺化合物；(B)设置一基板于该离型层上以使该离型层设 于该载板与该基板间，其中该基板具有一第一表面及一第二表面，且该第二表面与该离型 层相接触；(0于该基板的该第一表面上形成一电子兀件层；以及（D)由该载板的一侧提供 一光照使该离型层的材料反应，以使该载板与该基板分离，以制得一电子装置，其中一离型 残留层形成于该基板的该第二表面上，且该离型残留层的材料包括：一包含至少一选自由 芳基、硝基及酮基所组成的群组的化合物。
[0010] 通过本发明前述的制作方法，则可制得本发明的电子装置，包括：一基板，具有一 第一表面及一第二表面；一电子元件层，设于该基板的该第一表面上；一离型残留层，设于 该基板的该第二表面上，其中该离型残留层的材料包括：一包含至少一选自由芳基、硝基及 酮基所组成群组的化合物。
[0011] 在本发明的电子装置制造方法中，该离型层的材料可如下式（I)或（II)所示：
[0012]
【权利要求】
1. 一种电子装置，其特征在于，包括： 一基板，具有相对应的一第一表面及一第二表面； 一电子元件层，设于该基板的该第一表面上； 一离型残留层，设于该基板的该第二表面上，其中该离型残留层的材料包括：一包含至 少一选自由芳基、硝基及酮基所组成群组的化合物。
2. 根据权利要求1所述的电子装置，其中该离型残留层的材料包括：至少一由下式（I) 或（II)的材料经光照后所形成的衍生物； (II) 其中，
Z1选自由0、S、N、C(Rc)2、及一键所组成的群组； Z2选自由0、S、及N所组成的群组； Z3 为HPO3 或SO3 ; Ra选自由以下所组成的群组：
其中，*表示与键结位置； 每一R1是各自独立选自由Cp6烷基、CV6卤烷基、CV6烷氧基、羟基（-0H)、巯基（-SH)、 羧基（-COOH)、卤素、经取代基取代的Cp6烷基、经取代基取代的CV6烷氧基、C2_6烯基、氰基 (-CN)、硝基（-NO2)、含有至少一杂原子的饱和或不饱和的5-6员杂环基、-N(R5)2及芳基所 组成的群组，其中该杂环基及该芳基是选择性的经一取代基取代或未取代； 每一R2是各自独立选自由氢*、Cp6烧基、Cp6齒烧基、Cp6烧氧基、轻基、竣基、齒素、经取 代基取代的Cp6烧基、经取代基取代的Cp6烧氧基、C2_6稀基、氛基、硝基及芳基所组成的群 组，其中该芳基是选择性的经一取代基取代或未取代； 每一R3是各自独立选自由CV6烷基、Cp6卤烷基及芳基所组成的群组，其中该芳基是选 择性的经一取代基取代或未取代； 每一R4是各自独立选自由Cp6烷基、Cp6卤烷基、卤素及羟基所组成的群组； 每一R5是各自独立为氢!或Cp6烧基； X为0或S; n为介于0至5的整数；m为介于0至4的整数； 1为介于0至3的整数；且k为介于0至2的整数；
每一R。是各自独立为氢!或Cp6烧基； 每一Rd是各自独立为氢!或Cp6烧基； 每一Re是各自独立为一经一取代基取代或未取代的芳基； P为介于1至5的整数；以及q为介于50至500的整数。
3. 根据权利要求1所述的电子装置，其中该离型残留层的材料包括：至少一选自由以 下所组成的群组的化合物：
其中，每一R1是各自独立选自由Cp6烷基、CV6卤烷基、Cp6烷氧基、羟基（-OH)、巯基 (-SH)、羧基（-COOH)、卤素、经取代基取代的Cp6烷基、经取代基取代的Cp6烷氧基、C2_6烯 基、氰基（-CN)、硝基（-NO2)、含有至少一杂原子的饱和或不饱和的5-6员杂环基、-N〇?5)2及 芳基所组成的群组，其中该杂环基及该芳基是选择性的经一取代基取代或未取代； 每一R2是各自独立选自由氢*、Cp6烧基、Cp6齒烧基、Cp6烧氧基、轻基、竣基、齒素、经取 代基取代的Cp6烧基、经取代基取代的Cp6烧氧基、C2_6稀基、氛基、硝基及芳基所组成的群 组，其中该芳基是选择性的经一取代基取代或未取代； 每一R5是各自独立为氢!或Cp6烧基；n为介于0至5的整数； m为介于0至4的整数；以及 1为介于0至3的整数。
4. 根据权利要求1所述的电子装置，其中该基板的形变量大于80mm。
5. 根据权利要求1所述的电子装置，其中该基板为一薄玻璃基板、一高分子基板、一高 分子-金属复合基板、或一高分子-金属氧化物复合基板。
6. 根据权利要求5所述的电子装置，其中该高分子的材料为？11八、?_、或其混合物。
7. 根据权利要求1所述的电子装置，其中该电子元件层为一显示元件、一薄膜晶体管 元件、一触控元件、或其组合。
8. 根据权利要求7所述的电子装置，其中该显示元件为一液晶显示元件或一有机发光 二极管显示元件。
9. 根据权利要求1所述的电子装置，其中该光照为UV光。
10. 根据权利要求9所述的电子装置，其中该光照的波长介于200nm至420nm之间。
11. 根据权利要求1所述的电子装置，其中该离型残留层是通过一范德瓦尔力、一氢 键、或一 作用设于该基板的该第二表面上。
12. -种电子装置制造方法，其特征在于，包括下列步骤： (A) 提供一载板，该载板上形成有一离型层，其中该离型层的材料包括：一包含至少一 选自由芳基、硝基及酮基所组成群组的硅氧烷或聚亚酰胺化合物； (B) 设置一基板于该离型层上以使该离型层设于该载板与该基板间，其中该基板具有 一第一表面及一第二表面，且该第二表面与该离型层相接触； (C) 于该基板的该第一表面上形成一电子兀件层；以及 (D) 由该载板的一侧提供一光照使该离型层的材料反应，以使该载板与该基板分离，其 中一离型残留层形成于该基板的该第二表面上，且该离型残留层的材料包括：一包含至少 一选自由芳基、硝基及酮基所组成的群组的化合物。
13. 根据权利要求12所述的制作方法，其中该离型层的材料包括：至少一如下式（I) 或（II)所示的化合物：
(II) 其中， Z1选自由0、S、N、C(Rc)2、及一键所组成的群组； Z2选自由0、S、及N所组成的群组； Z3 为HPO3 或SO3 ; Ra选自由以下所组成的群组：
其中，*表示与键结位置； 每一R1是各自独立选自由Cp6烷基、CV6卤烷基、CV6烷氧基、羟基（-0H)、巯基（-SH)、 羧基（-COOH)、卤素、经取代基取代的Cp6烷基、经取代基取代的CV6烷氧基、c2_6烯基、氰基 (-CN)、硝基（-NO2)、含有至少一杂原子的饱和或不饱和的5-6员杂环基、-N(R5)2及芳基所 组成的群组，其中该杂环基及该芳基是选择性的经一取代基取代或未取代； 每一R2是各自独立选自由氢*、Cp6烧基、Cp6齒烧基、Cp6烧氧基、轻基、竣基、齒素、经取 代基取代的Cp6烧基、经取代基取代的Cp6烧氧基、C2_6稀基、氛基、硝基及芳基所组成的群 组，其中该芳基是选择性的经一取代基取代或未取代； 每一R3是各自独立选自由CV6烷基、Cp6卤烷基及芳基所组成的群组，其中该芳基是选 择性的经一取代基取代或未取代； 每一R4是各自独立选自由Cp6烷基、Cp6卤烷基、卤素及羟基所组成的群组； 每一R5是各自独立为氢!或Cp6烧基； X为0或S; n为介于0至5的整数；m为介于0至4的整数； 1为介于0至3的整数；且k为介于0至2的整数； Rb 为-Si(ORd) 3、或
； 每一R。是各自独立为氢!或Cp6烧基； 每一Rd是各自独立为氢!或Cp6烧基； 每一Re是各自独立为一经一取代基取代或未取代的芳基； P为介于1至5的整数；以及q为介于50至500的整数。
14.根据权利要求12所述的制作方法，其中该离型残留层的材料包括：至少一选自由 以下所组成的群组的化合物：
9 n 其中，每一R1是各自独立选自由Cp6烷基、CV6卤烷基、Cp6烷氧基、羟基（-0H)、巯基 (-SH)、羧基（-C00H)、卤素、经取代基取代的Cp6烷基、经取代基取代的Cp6烷氧基、C2_6烯 基、氰基（-CN)、硝基（-NO2)、含有至少一杂原子的饱和或不饱和的5-6员杂环基、-N〇?5)2及 芳基所组成的群组，其中该杂环基及该芳基是选择性的经一取代基取代或未取代； 每一R2是各自独立选自由氢*、Cp6烧基、Cp6齒烧基、Cp6烧氧基、轻基、竣基、齒素、经取 代基取代的Cp6烧基、经取代基取代的Cp6烧氧基、C2_6稀基、氛基、硝基及芳基所组成的群 组，其中该芳基是选择性的经一取代基取代或未取代； 每一R5是各自独立为氢!或Cp6烧基；n为介于O至5的整数； m为介于O至4的整数；以及 1为介于O至3的整数。
15. 根据权利要求13所述的制作方法，其中Ra选自由以下所组成的群组：
16. 根据权利要求12所述的制作方法，其中该基板的形变量大于80mm。
17. 根据权利要求12所述的制作方法，其中该基板为一薄玻璃基板、一高分子基板、一 高分子_金属复合基板、或一高分子-金属氧化物复合基板。
18. 根据权利要求17所述的制作方法，其中该高分子的材料为PI、PA、PMMA、或其混合 物。
19. 根据权利要求12所述的制作方法，其中该电子元件层为一显示元件、一薄膜晶体 管元件、一触控元件、或其组合。
20. 根据权利要求19所述的制作方法，其中该显示元件为一液晶显示元件或一有机发 光二极管显示元件。
21. 根据权利要求12所述的制作方法，其中该光照为UV光。
22. 根据权利要求21所述的制作方法，其中该光照的波长介于200nm至420nm之间。
23. 根据权利要求12所述的制作方法，其中该载板的透光率大于30%。
24. 根据权利要求12所述的制作方法，其中该载板为一玻璃载板、一石英载板、或一塑 料载板。
【文档编号】G02F1/1333GK104241322SQ201410188251
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年5月6日 优先权日:2013年6月6日
【发明者】蔡奇哲, 陈钰尧, 许博云, 吴威谚 申请人:群创光电股份有限公司