一种3d眼镜控制电路的制作方法
【专利摘要】本申请公开了一种3D眼镜控制电路，包括电源、MOS场效应晶体管和三极管，MOS场效应晶体管的源极与电源连接，MOS场效应晶体管的漏极连接至3D眼镜的主控制单元，三极管的集电极与MOS场效应晶体管栅极连接，三极管的发射极接地，控制电路还包括一按键，该按键的输入端连接于电源，控制电路还包括一个共阴极双二极管，其中双二极管的一个正极连接于按键的输出端，另一个正极接主控制单元的I/O接口，共同的负极通过一个电阻连接至三极管的基极。本发明通过此方法，可以更省电，基本可以做到关机0功耗，使电池能够使用的时间更长。
【专利说明】一种3D眼镜控制电路
【技术领域】
[0001]本申请属于3D眼镜【技术领域】，特别是涉及一种3D眼镜控制电路。
【背景技术】
[0002]3D电视越来越普及，配合3D电视技术的快门式3D眼镜也越来越多，快门式3D眼镜在工作及待机的时候均会耗电，目前通用的做法是用一块纽扣电池来供电，通过3D眼镜主控芯片来做电源管理。待机及关机的时候3D主控进入睡眠状态。
[0003]纽扣电池因为体积的原因容量都做不大，因无物理切断电源机制(受结构所限及美观等原因，都不会使用硬性开关，而大量采用轻触开关)，待机及关机功耗就显得格外的关键。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种3D眼镜控制电路，以克服现有技术中的不足。
[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0006]本申请实施例公开了一种3D眼镜控制电路，包括电源、MOS场效应晶体管、第一电阻、第二电阻和三极管，所述MOS场效应晶体管的源极与所述电源连接，所述MOS场效应晶体管的漏极连接至3D眼镜的主控制单元，所述第一电阻连接在所述电源和MOS场效应晶体管的栅极之间，所述三极管的集电极与所述MOS场效应晶体管栅极连接，所述三极管的发射极接地，所述第二电阻连接于所述三极管的发射极和基极之间，所述控制电路还包括一按键，该按键的输入端连接于所述电源，该按键的输出端通过第三电阻接地，所述控制电路还包括一个共阴极双二极管，其中双二极管的一个正极连接于按键的输出端，另一个正极接主控制单元的I/O接口，共同的负极通过第四电阻连接至三极管的基极。
[0007]优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，所述MOS场效应晶体管为PMOS管。
[0008]优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，所述共阴极双二极管型号为BAV74。
[0009]优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，:所述第一电阻为1KΩ。
[0010]优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，所述第二电阻为10ΚΩ。
[0011]优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，所述第三电阻为10ΚΩ。
[0012]优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，所述第四电阻为1ΚΩ。
[0013]优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，所述电源为纽扣电池或可充电电池。
[0014]与现有技术相比，本发明的优点在于:本发明利用MOS管来做电子开关，配合3D主控来完全切断电源，本发明通过此方法，可以更省电，基本可以做到关机O功耗，使电池能够使用的时间更长。当然，也就更环保。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1所示为本发明具体实施例中3D眼镜控制电路的示意图。
【具体实施方式】
[0017]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0018]参图1所示，3D眼镜控制电路包括电源BAT_IN、MOS场效应晶体管Q1、第一电阻R2、第二电阻R4和三极管Q1。其中，电源BAT_IN可以为纽扣电池，也可以为可充电电池，例如锂电池，MOS场效应晶体管优选为A03401，第一电阻R2和第二电阻R4的阻值优选为1K Ω，三极管Ql优选为NPN型三极管2N3904。
[0019]MOS场效应晶体管Ql的源极S与电源BAT_IN连接，MOS场效应晶体管的漏极D连接至3D眼镜的主控制单元，第一电阻R2连接在电源BAT_IN和MOS场效应晶体管的栅极G之间，三极管Ql的集电极与MOS场效应晶体管Ql栅极G连接，三极管Ql的发射极接地，第二电阻R4连接于三极管Ql的发射极和基极之间。
[0020]R2及R4的作用都是为了系统的稳定性，以分别保持Ql和Q2为关断状态。
[0021]主控制单元可以包括微处理器(MCU)，该MCU可以包括中央处理单元(CentralProcessing Unit, CPU)、只读存储模块(read-only memory, ROM)、随机存储模块(randomaccess memory, RAM)、定时模块、数字模拟转换模块(A/D converter)、以及复数输入/输出埠。当然，主控制单元也可以采用其它形式的集成电路，如:特定用途集成电路(Applicat1n Specific Integrated Circuit，ASIC)或现场可程序化门阵列(FieldProgrammable Gate Array, FPGA)等。
[0022]控制电路还包括一按键SI，该按键SI的输入端2连接于电源BAT_IN，该按键SI的输出端I通过第三电阻Rl接地，第三电阻Rl的阻值优选为10K Ω。
[0023]Rl的作用是保证按键未按下时KEY_DET信号为低电平。
[0024]控制电路还包括一个共阴极双二极管D1，D1优选为BAV74贴片二极管。其中一个正极Al连接于按键SI的输出端1，另一个正极A接主控制单元的1/0接口，共阴极双二极管的输出端K通过第四电阻R3连接至三极管Ql的基极。第四电阻R3的阻值优选为IK Ω。
[0025]R3的作用是保护Q2，限制Q2基极的电流。
[0026]3D眼镜控制电路的控制原理如下:
[0027]开机流程，当按下按键SI的时候，电池电源通过S1、D1、R3将Q2的基极拉高。使Q2导通。Ql的G极给拉低，随之Ql导通。电池通过Ql给3D主控供电。3D主控工作后，第一时间将CT_P0WER信号脚拉高，以保持Ql，Q2的导通。整机正常开机工作。
[0028]关机流程，当按下按键SI的时候，KEY_DET信号变高(原通过Rl置为低电平)，3D主控测到此信号后将CT_P0WER信号拉低，则Ql，Q2均不导通，整机电源切断。
[0029]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0030]以上所述仅是本申请的【具体实施方式】，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
【权利要求】
1.一种3D眼镜控制电路，其特征在于，包括电源、MOS场效应晶体管、第一电阻、第二电阻和三极管，所述MOS场效应晶体管的源极与所述电源连接，所述MOS场效应晶体管的漏极连接至3D眼镜的主控制单元，所述第一电阻连接在所述电源和MOS场效应晶体管的栅极之间，所述三极管的集电极与所述MOS场效应晶体管栅极连接，所述三极管的发射极接地，所述第二电阻连接于所述三极管的发射极和基极之间，所述控制电路还包括一按键，该按键的输入端连接于所述电源，该按键的输出端通过第三电阻接地，所述控制电路还包括一个共阴极双二极管，其中双二极管的一个正极连接于按键的输出端，另一个正极接主控制单元的I/O接口，共同的负极通过第四电阻连接至三极管的基极。
2.根据权利要求1所述的3D眼镜控制电路，其特征在于:所述MOS场效应晶体管为PMOS 管。
3.根据权利要求1所述的3D眼镜控制电路，其特征在于:所述共阴极双二极管型号为BAV74o
4.根据权利要求1所述的3D眼镜控制电路，其特征在于:所述第一电阻为1KΩ。
5.根据权利要求1所述的3D眼镜控制电路，其特征在于:所述第二电阻为1KΩ。
6.根据权利要求1所述的3D眼镜控制电路，其特征在于:所述第三电阻为1KΩ。
7.根据权利要求1所述的3D眼镜控制电路，其特征在于:所述第四电阻为IKΩ。
8.根据权利要求1所述的3D眼镜控制电路，其特征在于:所述电源为纽扣电池或可充电电池。
【文档编号】G02B27/22GK104469339SQ201410664569
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月19日 优先权日:2014年11月19日
【发明者】章建民 申请人:江苏亿成光电科技有限公司