曝光显影方法和系统、曝光控制系统的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种曝光显影方法和系统，该方法用于在基板大于掩膜板时对基板的曝光显影，包括：利用所述掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。采用本发明提供的曝光显影方法，能够使得低世代生产线生产较大尺寸的彩膜基板，从而提高产线利用率，降低生产成本。
【专利说明】曝光显影方法和系统、曝光控制系统
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种曝光显影方法和系统、曝光控制系统。
【背景技术】
[0002]彩膜基板的生产工艺一般涉及到两次曝光，一次曝光用于形成黑矩阵，二次曝光用于形成各个子像素对应的滤光层以及隔垫物。现有技术一般采用与基板的尺寸一致(或大于基板尺寸)的掩膜板采用双标记对位的方式对基板进行曝光，而一个基板的生产线一旦确定，掩膜板的尺寸一般也是固定的，为了生产更大尺寸的彩膜基板只能更换生产线，生产成本较高。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种能够在基板尺寸大于掩膜板尺寸时对基板进行曝光显影的方法和系统。
[0004]为了达到上述目的，本发明提供了一种曝光显影方法，该方法用于在基板尺寸大于掩膜板尺寸时对基板的曝光显影，所述方法包括:
[0005]利用所述掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。
[0006]进一步的，所述多个不同区域中的每一个区域均与所述基板的边缘相邻，且在与该区域相邻的基板的边缘制作有对应于该区域的基板对位标记，所述的基板对位标记与所述掩膜板上对应的掩膜板对位标记相适应；
[0007]所述利用所述掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影包括:
[0008]步骤S11，根据至少两个基板对位标记确定所述基板相对于所述掩膜板倾斜的角度，并调整所述基板或者所述掩膜板以补正倾斜的角度；
[0009]步骤S12，针对所述多个不同区域中的每一个区域，调整所述基板或者所述掩膜板使所述基板上对应于该区域的基板对位标记与所述掩膜板上对应的掩膜板对位标记对准。
[0010]进一步的，所述多个不同区域中的每一个区域均与基板的第一侧边缘或者第二侧边缘相邻，且在所述基板的第一侧边缘或者第二侧边缘制作有对应与各个区域的基板对位标记；所述掩膜板的第一侧边缘和第二侧边缘制作有对应的掩膜板对位标记；其中，所述基板的第一侧和所述掩膜板的第一侧对应，所述基板的第二侧和所述掩膜板的第二侧对应，第一侧和第二侧为相对的两侧；
[0011]所述步骤S12包括:
[0012]对于所述多个不同区域中与基板的第一侧边缘相邻的区域，调整所述基板或者所述掩膜板将该区域对应的基板对位标记与所述掩膜板第一侧的掩膜板对位标记对准；对于与基板的第二侧边缘相邻的区域，调整所述基板或者所述掩膜板将该区域对应的基板对位标记与所述掩膜板第二侧的掩膜板对位标记对准。
[0013]进一步的,步骤S12中将基板对位标记与掩膜板对位标记对准包括:
[0014]将基板对位标记的中心和掩膜板对位标记的中心对准。
[0015]进一步的，所述基板为制作有黑矩阵的基板，所述黑矩阵限定了形成子像素的开口部图形；
[0016]所述步骤S12之后，所述步骤SI还包括:
[0017]步骤S13，对于所述多个不同区域中与基板的第一侧边缘相邻的区域，识别所述掩膜板第二侧的掩膜板对位标记所对应的开口部图形，并将位于所述掩膜板第二侧边缘的掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准；对于所述多个不同区域中与基板的第二侧边缘相邻的区域，识别位于所述掩膜板第一侧边缘的掩膜板对位标记所对应的开口部图形，并将位于所述掩膜板第一侧边缘的掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准。
[0018]进一步的，所述步骤S13中识别掩膜板对位标记所对应的开口部图形，包括:
[0019]根据预先存储的开口部图形识别掩膜板对位标记的中心所落入的开口部图形。
[0020]进一步的，所述掩膜板对位标记包括一子图形，所述子图形为“田”字形，该“田”字形子图形中十字的交点为掩膜板对位标记的中心，且所述“田”字形子图形大小与开口部图形的大小一致；
[0021]所述步骤S13中识别掩膜板对位标记所对应的开口部图形，包括:
[0022]识别掩膜板对位标记的“田”字形子图形中十字的交点所对应的开口部图形；
[0023]所述步骤S13中将掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准包括:
[0024]将掩膜板对位标记的“田”字形子图形与所对应的开口部图形对准。
[0025]本发明还提供了一种曝光控制系统，包括:
[0026]控制模块，用于在需要曝光显影的基板尺寸大于掩膜板尺寸时，调整掩膜板和基板的相对位置，使掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。
[0027]进一步的，所述控制模块具体包括:
[0028]图像识别子模块，用于获取包含有基板标记和掩膜板标记的图像，并根据获取到的图像识别所述基板上的基板对位标记和所述掩膜板上的掩膜板对位标记；
[0029]第一调整子模块，用于根据基板上的至少两个基板对位标记确定所述基板相对于所述掩膜板倾斜的角度，并调整所述基板或者所述掩膜板以补正倾斜的角度；
[0030]第二调整子模块，用于针对所述多个不同区域中的每一个区域，调整所述基板或者所述掩膜板使所述基板上对应于该区域的基板对位标记与所述掩膜板上对应的掩膜板对位标记对准。
[0031]进一步的，所述图像识别子模块，还用于在所述基板为制作有黑矩阵的基板时，识别位于曝光区域的掩膜板对位标记所对应的开口部图形；所述开口部图形为所述黑矩阵限定的用以形成子像素的图形；
[0032]所述控制模块还包括:
[0033]第三调整子模块，用于调整位于曝光区域的掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准。
[0034]进一步的，所述图像识别子模块，具体用于根据预先存储的开口部图形识别所述掩膜板对位标记的中心所在的开口部图形。
[0035]进一步的，所述掩膜板对位标记包括一子图形，所述子图形为“田”字形，该“田”字形子图形中十字的交点为掩膜板对位标记的中心，且所述“田”字形子图形大小与开口部图形的大小一致；
[0036]所述第三调整子模块具体用于识别掩膜板对位标记的“田”字形子图形中十字的交点所对应的开口部图形，并将“田”字形子图形与所对应的开口部图形对准。
[0037]本发明还提供了一种曝光显影系统，包括上述任一项所述的曝光控制系统。
[0038]本发明提供的曝光显影方法中，利用掩膜板对基板的多个区域分别进行曝光，多个区域共同拼接为全部需要曝光的区域，这样就能够使用较小的掩膜板对相对较大的基板进行曝光显影。采用本发明提供的曝光显影方法，能够使得低世代生产线生产较大尺寸的彩膜基板，从而提高产线利用率，降低生产成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0039]图1a-图1e为采用本发明实施例一提供的曝光显影方法对基板曝光的过程中在不同阶段掩膜板与基板的位置关系的示意图；
[0040]图2为本发明实施例一提供的曝光显影方法的流程示意图；
[0041]图3为本发明实施例二提供的曝光显影方法中进行第二步曝光时基板与掩膜板的位置关系示意图；
[0042]图4为本发明实施例三中提供的曝光显影方法的流程示意图；
[0043]图5为本发明实施例四提供的曝光显影方法的流程示意图；
[0044]图6为本发明实施例提供的一种可选的掩膜板对位标记的不意图；
[0045]图7为图5中的步骤507或者步骤510之后掩膜板对位标记与开口部的位置示意图；
[0046]图8为本发明实施例五提供的曝光显影方法的流程示意图；
[0047]图9为本发明实施例提供的曝光控制系统的结构示意图；。
【具体实施方式】
[0048]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
[0049]本发明提供了一种对位曝光方法，该方法中，利用具有较小尺寸的掩膜板依次对具有较大尺寸的基板上的多个不同区域进行曝光显影，从而使用较小尺寸的掩膜板完成对较大尺寸的基板的曝光显影。采用本发明提供的对位曝光方法能够使得低世代生产线生产大于该世代线设计尺寸的彩膜基板，从而提高产线利用率，降低生产成本。当然，本发明提供的对位曝光方法也可以用于生产其他具有重复结构的基板，相应的，也能够达到同样的技术效果。以下仅结合对彩膜基板制作过程中的二次曝光进行说明。
[0050]实施例一
[0051]如图1a所示，假设本发明的实施例一中，需要曝光的基板(图中表示为10)的竖向尺寸与掩膜板(图中表不为20)的竖向尺寸相当，该基板的横向尺寸为掩膜板的横向尺寸的两倍，在基板的左右两侧边缘均制作有基板对位标记“XX”，在掩膜板的左右两侧边缘均制作有掩膜板对位标记“?”(图中仅示出了标记和需要曝光的区域，以及掩膜板的图形区域，未示出边缘部分)。在该基板放入到承载台后，位于左侧边缘的基板对位标记落入到曝光显影系统的左摄像机的视野范围，对该基板进行曝光显影方法可以如图2所示，具体包括:
[0052]步骤201,识别基板的左侧边缘处的基板对位标记，并记录该左侧基板对位标记的坐标。
[0053]一般的，曝光系统的左右摄像机分别对准掩膜板的左右掩膜板对位标记，此时，本发明实施例中，假设左则掩膜板对位标记的中心的坐标为(0，O)，则右侧掩膜板对位标记的中心的坐标为(L，0)，其中L为掩膜板的宽度。此时，可以以左则掩膜板对位标记为参照获取左侧基板对位标记中心的坐标为(xl，yl)。
[0054]步骤202，控制承载台将所述基板向左移动预设距离，使右侧基板对位标记落入右侧摄像机的视野范围。
[0055]具体的，可以将基板向左移动L的距离，此时，右侧基板对位标记会落入右侧摄像机的视野范围。经步骤202之后，掩膜板与基板的位置关系可以如图1b所示。
[0056]步骤203，识别基板的右侧边缘处的基板对位标记，并记录该右侧基板对位标记的坐标。
[0057]具体的，可以根据右侧基板对位标记与右侧掩膜板对位标记的相对位置确定右侧基板对位标记的坐标，假设右侧基板对位标记中心的坐标为(x2，y2)。
[0058]步骤204，根据左侧基板对位标记和右侧基板对位标记确定基板相对于掩膜板倾斜的角度。
[0059]具体的,这里的倾斜角度α的计算方式可以为a = arc tan(y2_yl)/(x2_xl)。
[0060]步骤205，根据步骤204确定的角度旋转掩膜板以补正倾斜的角度。
[0061]当然，在具体实施时，也可以旋转承载台以补正倾斜的角度。经步骤205之后，掩膜板与基板的位置关系可以如图1c所示。在本发明中补正倾斜的角度意指例如通过旋转等方式使基板和掩膜板之间倾斜的角度接近于零，注意，倾斜的角度是指基板和掩膜板所在平面平行的情况下两者各自对应对位标记连线之间的夹角。
[0062]步骤206，移动承载台使基板的右侧基板对位标记与掩膜板的右侧掩膜板对位标记对准，之后转向步骤207。
[0063]在具体实施时，可以使承载台在X轴方向移动，之后在y轴方向移动，或者，使承载台在I轴方向移动，之后在X轴方向移动，当然移动过程不应使基板相对于掩膜板发生旋转。本发明实施例中所指的使基板对位标记与掩膜板对位标记对准，可以是指使基板对位标记的几何中心与掩膜板对位标记的几何中心对准。当然在实际的应用中，在选择的对位标记的形状不同时，也可以选择其他的对准标准使基板对位标记和掩膜板对位标记对准。
[0064]经步骤206之后，掩膜板与基板的位置关系可以如图1d所示。
[0065]步骤207，进行第一步曝光。
[0066]步骤208，移动承载台使基板的左侧基板对位标记与掩膜板的左侧掩膜板对位标记对准，之后转向步骤209。
[0067]经步骤208之后，掩膜板与基板的位置关系可以如图1e所示。
[0068]步骤209，进行第二步曝光。
[0069]至此，完成了对整个基板的曝光。
[0070]在具体应用中，步骤206-步骤207和步骤208-步骤209的顺序可以对调，并且在实际应用中，在步骤204之后，在曝光显影之前，也可以先执行步骤206或步骤208，之后进行斜率调整，相应的技术方案能够达到相同的效果，也应该落入本发明的保护范围。
[0071]本发明实施例一中，使用较小尺寸的掩膜板依次对较大尺寸的基板上不同的区域进行曝光显影，从而完成了对整个基板(需要曝光区域)的曝光显影。另外，本发明实施例中，还计算基板相对于掩膜板倾斜的角度，根据计算得到的角度调整基板与掩膜板准确对准，达到准确曝光的目的。
[0072]实施例二
[0073]如图3所示，与实施例一所要制作的基板不同的是，本发明实施例二所要曝光的基板的横向尺寸大于掩膜板的横向尺寸但小于掩膜板的横向尺寸的两倍。此时，在第二步曝光时，如图3所示，可以对第一步曝光的区域进行遮盖，避免对同一区域的多次曝光。
[0074]另外，需要指出的是，本发明实施例一或二中，虽然记载的是在基板的左侧和右侧边缘设置对位标记的情形，但是在实际应用中，基板对位标记也可以制作在基板的上侧边缘和下侧边缘，此时可以在掩膜板的上侧边缘和下侧边缘对应的制作掩膜板对位标记，并完成相应的对位曝光。其对应的技术方案同样应落入本发明的保护范围。
[0075]实施例三
[0076]如图4所示，与实施例一所要制作的基板不同的是，本发明实施例三所要制作的基板的竖向尺寸为掩膜板的竖向尺寸的三倍。此时，可以按照图中箭头所示方向需要分六步完成对基板的曝光。并且在进行曝光之前，需要在基板的两侧边缘处制作六个基板对位标记，每一个基板对位标记对应于一步曝光的区域。制作基板对位标记的过程可以在制作黑矩阵时完成。
[0077]实施例四
[0078]本发明实施例四提供的曝光显影方法与实施例提供的曝光显影方法不同的是，利用一个子像素对应的开口部图形作为第二个对位标记使掩膜板和基板更精确的对位，该方法的具体流程可以如图5所示，包括:
[0079]步骤501-步骤506对应于步骤201-步骤206 ；
[0080]步骤507，根据预先存储的子像素的图形识别左侧掩膜板对位标记所对应的开口部图形，并将所述左侧掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准。
[0081]实际应用中，在执行步骤507的过程中，应保持右侧掩膜板对位标记与右侧基板对位标记对准，通过对基板或者掩膜板进行适度的旋转使左侧掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准。这里的开口部图形是指由黑矩阵所限定的用以形成子像素的图形。
[0082]在实际应用中，可以预先绘制开口部图形并存储，在识别时，首先根据左侧掩膜板对位标记的图形计算出左侧掩膜板对位标记的中心坐标，之后根据存储的开口部图形在拍摄到的图形中自左侧掩膜板对位标记中心处识别出一个位于基板上的开口部图形，左侧掩膜板对位标记中心落入识别出的开口部图形中。之后计算识别出的开口部图形的中心，并移动承载台或者掩膜板使左侧掩膜板对位标记中心与识别出的开口部图形的中心相对应。这样的方案适于在掩膜板对位标记的图案较为简单时实现相应的对位过程。
[0083]在另一种可选的方案中，如图6所示，可以在掩膜板对位标记的中心绘制一子图形，该子图形为“田”字形，该“田”字形子图形中十字的交点为所述子图形的中心，且所述子图形大小与开口部图形的大小一致；
[0084]此时，识别左侧掩膜板对位标记所对应的开口部图形，可以具体为识别左侧掩膜板对位标记的“田”字形子图形中十字的交点所对应的开口部图形；将左侧掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准可以具体为:将左侧掩膜板对位标记的“田”字形子图形与所对应的开口部图形对准。这样，在识别子像素图形时，识别“田”字形子图形中十字的交点所对应的开口部图形即可，在进行对位时，将左侧掩膜板对位标记的子图形与所对应的开口部图形对准即可，这样的对位无需繁杂的计算过程，降低了相应的控制系统的制作难度，且对位更为精准。
[0085]不难理解的，上述预先绘制的开口部图形以及掩膜板对位标记中的“田”字形子图形的大小与CCD相机拍摄得到的图像中开口部图形的大小完全一致。在将预先绘制的开口部图形以及制作在掩膜板对位标记中的“田”字形子图形的中心与实际拍摄得到的一个开口部图形的中心对准后，预先绘制的开口部图形以及制作在掩膜板对位标记中的“田”字形子图形不应整体落在实际拍摄得到的一个开口部图形内部，也不应超出实际拍摄得到的一个开口部图形的边界。
[0086]步骤508，进行第一步曝光。
[0087]步骤509，移动承载台使基板的左侧基板对位标记与掩膜板的左侧掩膜板对位标记对准。
[0088]步骤510，根据预先存储的开口部图形识别右侧掩膜板对位标记所对应的开口部图形，并将所述右侧掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准。
[0089]相应的，在执行步骤510的过程中，也应保持左侧掩膜板对位标记与左侧基板对位标记对准。
[0090]步骤511，进行第二步曝光。
[0091]步骤507或者步骤510之后，掩膜板对位标记“ ?”与开口部“口”的位置示意图可以如图7所示。
[0092]在具体实施时，为了保证显示效果，不会在基板的显示区域(需要曝光的区域)制作对位标记，掩膜板与基板只能通过一组对位标记进行对准。本发明实施例一中，通过斜率调整虽然能够基本保证掩膜板与基板进本对准，但仍可能存在较小的误差。在此基础上，本发明实施例四提供的曝光显影方法，利用一个子像素作为第二个对位标记，能够实现掩膜板与基板更准确的对位。
[0093]实施例五
[0094]与实施例一、二、三或四不同的是，如图8所示，本发明实施例五所要制作的基板的竖向尺寸是掩膜板的竖向尺寸的两倍，基板的横向尺寸与掩膜板的横向尺寸一致。此时，如图8所示，可以在基板的上侧边缘和下侧边缘各制作一个基板对位标记，相应的，在掩膜板的上侧边缘和下侧边缘对应的制作掩膜板对位标记。并按照与实施例一相一致的方式，实现掩膜板与基板的对准。
[0095]根据本发明实施例一、二、三或四提供的方案，本领域技术人员可以理解的是，只要所要曝光显影的基板的横向尺寸或者竖向尺寸中有一个尺寸不大于掩膜板对应尺寸的两倍，都能够使得需要曝光的各个区域均与基板的边缘相邻，此时，都可以通过设置在基板边缘的基板对位标记实现对掩膜板与基板相应区域的对位。相应的，当基板的尺寸不为掩膜板的尺寸整数倍时，可以对已完成曝光显影的区域进行遮盖，避免重复曝光。
[0096]作为一种可选的方式，可以在每一步曝光时对本步曝光时不需要曝光的区域进行遮盖，避免因衍射作用导致相邻区域被曝光。
[0097]需要指出的是，本发明实施例一至五中，虽然仅描述了通过调整基板相对于掩膜板的斜率并使一个基板对位标记与一个掩膜板对位标记相对准以实现基板与掩膜板对准，但是在实际应用中，实现基板与掩膜板对位的方式并不局限于此。本领域技术人员在实施本发明的过程中也可以根据需要采用其他的对位方式对掩膜板进行对位，其对应的技术方案也应该落入本发明的保护范围。
[0098]本发明还提供了一种曝光控制系统，可用于实现上述的曝光显影方法，该系统包括:
[0099]控制模块，用于在需要曝光显影的基板大于掩膜板时，调整掩膜板和基板的相对位置，使掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。
[0100]本发明提供的曝光显影系统，在需要曝光显影的基板大于掩膜板时，调整掩膜板和基板的相对位置，利用掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。采用本发明提供的曝光显影方法，能够使得低世代生产线生产较大尺寸的彩膜基板，从而提高产线利用率，降低生产成本。
[0101]进一步的，如图9所示，所述控制模块具体包括:
[0102]图像识别子模块901，用于获取包含有基板和掩膜板的图像，并根据获取到的图像识别所述基板上的基板对位标记和所述掩膜板上的掩膜板对位标记；
[0103]第一调整子模块902，用于根据基板上的至少两个基板对位标记确定所述基板相对于所述掩膜板倾斜的角度，并调整所述基板或者所述掩膜板以补正倾斜的角度；
[0104]第二调整子模块903，用于针对所述多个不同区域中的每一个区域，调整所述基板或者所述掩膜板使所述基板上对应于该区域的基板对位标记与所述掩膜板上对应的掩膜板对位标记对准。
[0105]进一步的，图像识别子模块901，还用于在所述基板为制作有黑矩阵的基板时，识别位于曝光区域的掩膜板对位标记所对应的开口部图形；
[0106]所述控制模块还包括:
[0107]第三调整子模块904，用于调整位于曝光区域的掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准。
[0108]进一步的，图像识别子模块901，具体用于根据预先存储的开口部图形识别所述掩膜板对位标记的中心所在的开口部图形。
[0109]本发明还提供了一种曝光显影系统，包括上述任一项所述的曝光控制系统。
[0110]当然在实际应用中，所述的曝光显影系统还可能包括驱动掩膜板或者基板运动的马达，制作有掩膜图案的掩膜板，承载掩膜板的承载台，用于采集图像的摄像机等，在此不再详细说明。
[0111]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种曝光显影方法，其特征在于，该方法用于在基板尺寸大于掩膜板尺寸时对基板的曝光显影，所述方法包括: 利用所述掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个不同区域中的每一个区域均与所述基板的边缘相邻，且在与该区域相邻的基板的边缘制作有对应于该区域的基板对位标记，所述的基板对位标记与所述掩膜板上对应的掩膜板对位标记相适应； 所述利用所述掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影包括: 步骤S11，根据至少两个基板对位标记确定所述基板相对于所述掩膜板倾斜的角度，并调整所述基板或者所述掩膜板以补正倾斜的角度； 步骤S12，针对所述多个不同区域中的每一个区域，调整所述基板或者所述掩膜板使所述基板上对应于该区域的基板对位标记与所述掩膜板上对应的掩膜板对位标记对准。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多个不同区域中的每一个区域均与基板的第一侧边缘或者第二侧边缘相邻，且在所述基板的第一侧边缘或者第二侧边缘制作有对应与各个区域的基板对位标记；所述掩膜板的第一侧边缘和第二侧边缘制作有对应的掩膜板对位标记；其中，所述基板的第一侧和所述掩膜板的第一侧对应，所述基板的第二侧和所述掩膜板的第二侧对应，第一侧和第二侧为相对的两侧； 所述步骤S12包括: 对于所述多个不同区域中与基板的第一侧边缘相邻的区域，调整所述基板或者所述掩膜板将该区域对应的基板对位标记与所述掩膜板第一侧的掩膜板对位标记对准；对于与基板的第二侧边缘相邻的区域，调整所述基板或者所述掩膜板将该区域对应的基板对位标记与所述掩膜板第二侧的掩膜板对位标记对准。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于， 步骤S12中将基板对位标记与掩膜板对位标记对准包括: 将基板对位标记的中心和掩膜板对位标记的中心对准。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基板为制作有黑矩阵的基板，所述黑矩阵限定了形成子像素的开口部图形； 所述步骤S12之后，所述方法还包括: 步骤S13，对于所述多个不同区域中与基板的第一侧边缘相邻的区域，识别位于所述掩膜板第二侧边缘的掩膜板对位标记所对应的开口部图形，并将位于所述掩膜板第二侧边缘的掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准；对于所述多个不同区域中与基板的第二侧边缘相邻的区域，识别位于所述掩膜板第一侧边缘的掩膜板对位标记所对应的开口部图形，并将位于所述掩膜板第一侧边缘的掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S13中识别掩膜板对位标记所对应的开口部图形，包括: 根据预先存储的开口部图形识别掩膜板对位标记的中心所对应的开口部图形。
7.如权权利要求5所述的方法，其特征在于，所述掩膜板对位标记包括一子图形，所述子图形为“田”字形，该“田”字形子图形中十字的交点为掩膜板对位标记的中心，且所述“田”字形子图形大小与开口部图形的大小一致； 所述步骤S13中识别掩膜板对位标记所对应的开口部图形，包括: 识别掩膜板对位标记的“田”字形子图形中十字的交点所对应的开口部图形； 所述步骤S13中将掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准包括: 将掩膜板对位标记的“田”字形子图形与所对应的开口部图形对准。
8.—种曝光控制系统,其特征在于,包括: 控制模块，用于在需要曝光显影的基板尺寸大于掩膜板尺寸时，调整掩膜板和基板的相对位置，使掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。
9.如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述控制模块具体包括: 图像识别子模块，用于获取包含有基板标记和掩膜板标记的图像，并根据获取到的图像识别所述基板上的基板对位标记和所述掩膜板上的掩膜板对位标记； 第一调整子模块，用于根据基板上的至少两个基板对位标记确定所述基板相对于所述掩膜板倾斜的角度，并调整所述基板或者所述掩膜板以补正倾斜的角度； 第二调整子模块，用于针对所述多个不同区域中的每一个区域，调整所述基板或者所述掩膜板使所述基板上对应于该区域的基板对位标记与所述掩膜板上对应的掩膜板对位标记对准。
10.如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述图像识别子模块，还用于在所述基板为制作有黑矩阵的基板时，识别位于曝光区域的掩膜板对位标记所对应的开口部图形；所述开口部图形为所述黑矩阵限定的用以形成子像素的图形； 所述控制模块还包括: 第三调整子模块，用于调整位于曝光区域的掩膜板对位标记的中心与所对应的开口部图形的中心对准。
11.如权利要求10所述的系统，其特征在于，所述图像识别子模块，具体用于根据预先存储的开口部图形识别所述掩膜板对位标记的中心所在的开口部图形。
12.如权利要求10所述的系统，其特征在于，所述掩膜板对位标记包括一子图形，所述子图形为“田”字形，该“田”字形子图形中十字的交点为掩膜板对位标记的中心，且所述“田”字形子图形大小与开口部图形的大小一致； 所述第三调整子模块具体用于识别掩膜板对位标记的“田”字形子图形中十字的交点所对应的开口部图形，并将“田”字形子图形与所对应的开口部图形对准。
13.一种曝光显影系统，包括如权利要求8-12任一项所述的曝光控制系统。
【文档编号】G03F7/20GK104391431SQ201410766896
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2014年12月12日 优先权日:2014年12月12日
【发明者】余学权, 徐先华, 刘志, 王志强, 张伟, 成学佩 申请人:合肥京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司