具有抑制带外辐射的ITO吸收件的EUV掩模的制作方法

本发明涉及集成电路器件，更具体地，涉及具有抑制带外辐射的ITO吸收件的EUV掩模。

背景技术：

半导体集成电路(IC)工业已经经历了指数式增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代都比前一代具有更小和更复杂的电路。在IC演化的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以产生的最小组件(或线))已减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也已经增大了IC处理和制造的复杂度。为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。例如，对实施更高分辨率的光刻工艺的需求增长。一种光刻技术是远紫外光刻(EUVL)。其他技术包括X射线光刻、离子束投影光刻、电子束投影光刻以及多电子束无掩模光刻。

EUVL采用扫描仪，该扫描仪使用具有约1nm至100nm的波长的远紫外(EUV)区域中的光。一些EUV扫描仪提供类似于一些光学扫描仪的4X缩小投影印刷，除了EUV扫描仪使用反射光学组件而不是折射光学组件(即，反射镜而不是透镜)之外。EUV扫描仪在形成于反射掩模上的吸收层(“EUV”掩模吸收件)上提供期望的图案。目前，在用于制造集成电路的EUVL中采用二元强度掩模(BIM)。类似于光学光刻，EUVL需要掩模来打印晶圆，除了EUVL采用EUV区域(即，13.5nm)中的光之外。在约13.5nm的波长处，所有材料都是高度吸收的。因此，使用反射光学组件而不是折射光学组件。多层(ML)结构用作EUV掩模底片(blank)。

然而，传统的EUV掩模及其制造仍可能具有缺陷。例如，传统的EUV 掩模可能不能够有效地减轻带外(OOB)辐射，这导致诸如图像对比度损失的光刻性能退化。

因此，虽然EUV光刻系统和工艺对于它们的预期目的通常已经足够，但是它们不是在每个方面都已完全令人满意。需要EUV光刻方法系统以解决上述问题。

技术实现要素：

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种光刻掩模，包括：衬底，包含低热膨胀材料(LTEM)；反射结构，设置在所述衬底上方；覆盖层，设置在所述反射结构上方；以及吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，所述吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。

在上述光刻掩模中，其中，所述ITO材料具有SnO₆晶体结构。

在上述光刻掩模中，其中，所述ITO材料具有：在从约1至约2.5的范围内的折射率；以及在从约0.4至约0.8的范围内的消光系数。

在上述光刻掩模中，其中，所述ITO材料具有介于约30％和约65％之间的氧含量；所述ITO材料具有介于约30％和约65％之间的铟含量；以及所述ITO材料具有小于约3％的锡含量。

在上述光刻掩模中，其中，所述ITO材料具有介于约30％和约65％之间的氧含量；所述ITO材料具有介于约30％和约65％之间的铟含量；以及所述ITO材料具有小于约3％的锡含量，其中，所述ITO材料的所述氧含量介于约45％和约50％之间；所述ITO材料的所述铟含量介于约45％和约55％之间；以及所述ITO材料的所述锡含量介于约1％和约3％之间。

在上述光刻掩模中，其中，所述ITO材料的In-O键合百分比介于约20％和约50％之间。

在上述光刻掩模中，其中，所述吸收层的高度为从约25纳米(nm)至约55nm。

根据本发明的另一方面，提供了一种光刻系统，包括：辐射源，配置为生成远紫外(EUV)辐射；EUV掩模，其中，所述EUV掩模包括含有氧化铟锡(ITO)材料的吸收层；以及照明器，所述照明器包括一种或多种 折射光学组件或反射光学组件，其中，所述照明器配置为将所述EUV辐射导向至所述EUV掩模上。

在上述光刻掩模中，其中，所述光刻掩模还包括：低热膨胀材料(LTEM)衬底；反射结构，设置在所述衬底上方，其中，所述反射结构配置为对预定的辐射波长提供高反射；以及覆盖层，设置在所述反射结构上方，其中，所述吸收层设置在所述覆盖层上方。

在上述光刻掩模中，其中，所述ITO材料具有SnO₆晶体结构。

在上述光刻掩模中，其中，所述ITO材料具有：在从约1至约2.5的范围内的折射率；以及在从约0.4至约0.8的范围内的消光系数。

在上述光刻掩模中，其中，所述ITO材料具有介于约30％和约65％之间的氧含量；所述ITO材料具有介于约30％和约65％之间的铟含量；以及所述ITO材料具有小于约3％的锡含量。

在上述光刻掩模中，其中，所述ITO材料具有介于约30％和约65％之间的氧含量；所述ITO材料具有介于约30％和约65％之间的铟含量；以及所述ITO材料具有小于约3％的锡含量，其中，所述ITO材料的所述氧含量介于约45％和约50％之间；所述ITO材料的所述铟含量介于约45％和约55％之间；以及所述ITO材料的所述锡含量介于约1％和约3％之间。

在上述光刻掩模中，其中，所述ITO材料的In-O键合百分比介于约20％和约50％之间。

在上述光刻掩模中，其中，所述吸收层的高度为从约25纳米(nm)至约55nm。

根据本发明的又一方面，提供了一种制造光刻掩模的方法，包括：在低热膨胀材料(LTEM)衬底上方形成反射结构；在所述反射结构上方形成覆盖层；以及在所述覆盖层上方形成吸收层，其中，所述吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。

在上述方法中，其中，所述吸收层的形成包括实施反应等离子体沉积工艺，所述等离子体沉积工艺具有：从约180摄氏度至约250摄氏度的沉积温度；对于氩气的从约120标准立方厘米每分钟(sccm)至约180sccm的沉积流量和对于氧气的从约0sccm至约12sccm的沉积流量；从约1埃每 秒至约10埃每秒的沉积速率；以及10^-2帕斯卡的+20％或-20％内的腔室压力。

在上述方法中，其中，实施所述吸收层的形成，使得所述ITO材料具有SnO₆晶体结构。

在上述方法中，其中，实施所述吸收层的形成，使得所述ITO材料具有：在从约1至约2.5的范围内的折射率；在从约0.4至约0.8的范围内的消光系数；以及从约25纳米(nm)至约55nm的高度。

在上述方法中，其中，实施所述吸收层的形成，使得：所述ITO材料具有介于约45％和约50％之间的氧含量；所述ITO材料具有介于约45％和约55％之间的铟含量；以及所述ITO材料具有介于约1％和约3％之间的锡含量。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例构建的光刻系统的示意图。

图2是根据一些实施例构建的EUV掩模的截面图。

图3是根据一些实施例的用于实现EUV掩模的吸收层的SnO₆晶体结构的部分的视图。

图4是根据一些实施例的用于形成EUV掩模的吸收层的反应等离子体沉积系统的视图。

图5是根据一些实施例的制造EUV掩模的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施 例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。

随着半导体器件尺寸不断缩小，远紫外(EUV)光刻是有前景的图案化技术。尽管传统的EUV光刻具有许多优势，但是传统的EUV光刻可能仍具有某些缺陷。例如，不像传统的光学光刻技术(其中，曝光光源具有非常窄的带宽，并且它们的光斑来自与较大区域相同的波长)，EUV曝光光源可以包含相当多的带外(OOB)辐射。OOB辐射可以由放电激发等离子体(DPP)和激光激发等离子体(LPP)中的锡等离子体(用于产生EUV光)引起。13.5纳米(nm)的目标波长处的多层光学组件的反射率比得上从100nm到350nm的深紫外(DUV)和紫外(UV)区域中的它们的反射率。OOB辐射的部分也可以到达晶圆并且引起图像对比度损失。如下面更详细地讨论的，为了改进图像对比度，本发明提供了具有配置为抑制OOB辐射的新结构的EUV掩模。

图1是根据一些实施例构建的光刻系统10的示意图。光刻系统10通常也可以称为扫描仪，其可操作为用相应的辐射源和曝光模式实施光刻曝光工艺。在本实施例中，光刻系统10是设计为通过EUV光来曝光光刻胶层的远紫外(EUV)光刻系统。光刻胶层是对EUV光敏感的材料。EUV光刻系统10采用辐射源12以生成EUV光，诸如具有介于约1nm和约100nm的范围内的波长的EUV光。在一个特定实例中，辐射源12生成波长集中在约13.5nm的EUV光。因此，辐射源12也称为EUV辐射源12。

光刻系统10也采用照明器14。在各个实施例中，照明器14包括诸如 单个透镜或具有多个透镜(波带片)的透镜系统的各种折射光学组件，或可选地包括诸如单个反射镜或具有多个反射镜的反射镜系统的反射光学组件(用于EUV光刻系统)，以将光从辐射源12导向至掩模工作台16上，具体地导向至固定在掩模工作台16上的掩模18。在辐射源12生成EUV波长范围内的光的本实施例中，照明器14采用反射光学组件。在一些实施例中，照明器14包括偶极子照明组件。

在一些实施例中，照明器14可操作为将反射镜配置成向掩模18提供适当的照明。在一个实例中，可切换照明器14的反射镜以将EUV光反射到不同的照明位置。在一些实施例中，在照明器14前面的工作台可以额外地包括可控制为用照明器14的反射镜将EUV光导向至不同照明位置的其他可切换反射镜。在一些实施例中，照明器14配置为向掩模18提供轴上照明(ONI)。在实例中，采用部分相干性σ至多0.3的磁盘照明器14。在一些其他实施例中，照明器14配置为向掩模18提供离轴照明(OAI)。在实例中，照明器14是偶极子照明器。在一些实施例中，偶极子照明器具有至多0.3的部分相干性σ。

光刻系统10也包括配置为固定掩模18的掩模工作台16。在一些实施例中，掩模工作台16包括用于固定掩模18的静电卡盘(e-卡盘)。这是由于气体分子吸收EUV光，并且用于EUV光刻图案化的光刻系统保持在真空环境中以避免EUV强度损失。在本发明中，术语掩模、光掩模和中间掩模可交换地用于指代相同的物质。

在本实施例中，光刻系统10是EUV光刻系统，并且掩模18是反射掩模。掩模18的一种示例性结构提供用于说明。掩模18包括具有合适的材料的衬底，合适的材料诸如低热膨胀材料(LTEM)或熔融石英。在各个实例中，LTEM包括TiO₂掺杂的SiO₂、或具有低热膨胀的其他合适的材料。

掩模18也包括沉积在衬底上的反射ML。ML包括诸如钼-硅(Mo/Si)膜对(例如，在每个膜对中，钼层位于硅层之上或之下)的多个膜对。可选地，ML可以包括钼-铍(Mo/Be)膜对或可配置为高度反射EUV光的其他合适的材料。

掩模18还可以包括设置在ML上用于保护的诸如钌(Ru)的覆盖层。 掩模18还包括沉积在ML上方的吸收层。图案化吸收层以限定集成电路(IC)的层，下面根据本发明的各个方面更详细地讨论吸收层。可选地，另一反射层可以沉积在ML上方并且被图案化以限定集成电路的层，从而形成EUV相移掩模。

光刻系统10也包括投影光学模块(或投影光学框(POB))20以用于将掩模18的图案成像至固定在光刻系统10的衬底工作台28上的半导体衬底26上。在各个实施例中，POB 20具有折射光学组件(诸如用于UV光刻系统)或可选地具有反射光学组件(诸如用于EUV光刻系统)。POB 20收集从掩模18导向的载有限定在掩模上的图案的图像的光。照明器14和POB 20共同称为光刻系统10的光学模块。

光刻系统10也包括光瞳相位调制器22以调制从掩模18导向的光的光学相位，从而使得光在投影光瞳面24上具有相位分布。在光学模块中，存在具有与目标(在此案中，掩模18)的傅里叶变换对应的场分布的平面。该平面称为投影光瞳面。光瞳相位调制器22提供了用于调制投影光瞳面24上的光的光学相位的机制。在一些实施例中，光瞳相位调制器22包括用于调节POB 20的反射镜以用于相位调制的机制。例如，POB 20的反射镜可切换并且控制为反射EUV光，从而调制通过POB 20的光的相位。

在一些实施例中，光瞳相位调制器22利用放置在投影光瞳面上的光瞳滤波器。光瞳滤波器过滤掉来自掩模18的EUV光的特定空间频率成分。具体地，光瞳滤波器是用于调制导向通过POB 20的光的相位分布的相位光瞳滤波器。然而，由于所有材料均吸收EUV光，所以在一些光刻系统(诸如EUV光刻系统)中限制利用相位光瞳滤波器。

如上所讨论的，光刻系统10也包括用于固定将被图案化的目标26(诸如半导体衬底)的衬底工作台28。在本实施例中，半导体衬底是诸如硅晶圆或其他类型的晶圆的半导体晶圆。目标26涂布有对辐射束(在本实施例中，诸如EUV光)敏感的光刻胶层。包括上述那些的各种组件集成在一起并且可操作为实施光刻曝光工艺。光刻系统10还可以包括其他模块或者与其他模块集成(或连接)。

根据一些实施例进一步描述掩模18及其制造方法。在一些实施例中， 掩模制造工艺包括两个操作：空白掩模制造工艺和掩模图案化工艺。在空白掩模制造工艺期间，通过在合适的衬底上沉积合适的层(例如，反射多层)来形成空白掩模。然后在掩模图案化工艺期间图案化空白掩模来实现集成电路(IC)的层的期望设计。然后图案化的掩模用于将电路图案(例如，IC的层的设计)转印至半导体晶圆上。可以通过各种光刻工艺将图案反复转印至多个晶圆。掩模组用于构建完整的IC。

在各个实施例中，掩模18包括诸如二元强度掩模(BIM)和相移掩模(PSM)的合适的结构。示例BIM包括吸收区(也称为不透明区)和反射区，反射区图案化为限定将转印至目标的IC图案。在不透明区中，存在吸收件，并且吸收件几乎完全吸收入射光。在反射区中，吸收件被去除，并且入射光由多层(ML)衍射。PSM可以是衰减PSM(AttPSM)或交互PSM(AltPSM)。示例性PSM包括根据IC图案图案化的第一反射层(诸如反射ML)和第二反射层。在一些实例中，AttPSM通常具有来自其吸收件的2％至15％的反射率，而AltPSM通常具有来自其吸收件的大于50％的反射率。

图2中示出了掩模18的一个实例。掩模18是EUV掩模，并且包括由LTEM制成的衬底30。LTEM材料可以包括TiO₂掺杂的SiO₂、和/或本领域已知的低热膨胀材料。在一些实施例中，为了静电卡紧的目的，在LTEM衬底30的背侧下面额外地设置导电层32。在一个实例中，导电层32包括氮化铬(CrN)，但是其他合适的组分是可以的。

EUV掩模18包括设置在LTEM衬底30上方的反射多层(ML)34。可以选择ML 34，从而使得其对所选择的辐射类型/波长提供高反射率。ML34包括诸如Mo/Si膜对(例如，在每个膜对中，钼层位于硅层之上或之下)的多个膜对。可选地，ML 34可以包括Mo/Be膜对、或在EUV波长处高反射性的具有折射率差的任何材料。ML 34的每个层的厚度取决于EUV波长和入射角度。具体地，ML 34的厚度(以及膜对的厚度)调整为实现在每个界面处衍射的EUV光的最大相长干涉和ML 34对EUV光的最小吸收。

EUV掩模18也包括设置在ML 34上方的覆盖层36以防止ML的氧化。在一个实施例中，覆盖层36包括具有从约4nm到约7nm的范围内的厚度 的硅。EUV掩模18还可以包括设置在覆盖层36之上的缓冲层38以在吸收层的图案化工艺或修复工艺中用作蚀刻停止层，这将在之后进行描述。缓冲层38具有与设置在其之上的吸收层不同的蚀刻性质。在各个实例中，缓冲层38包括钌(Ru)、诸如RuB、RuSi的Ru化合物、铬(Cr)、氧化铬和氮化铬。

EUV掩模18也包括形成在缓冲层38上方的吸收层40(也称为吸收层)。在一些实施例中，吸收层40吸收导向至掩模上的EUV辐射。在传统的EUV掩模中，吸收层通常由氮化钽硼(TaBN)、氧化钽硼(TaBO)或铬(Cr)制成。然而，这些传统的吸收层材料不能有效地抑制上面讨论的不期望的OOB辐射。

根据本发明的各个实施例，EUV掩模18的吸收层40配置为具有帮助抑制OOB辐射的材料。更具体地，本发明的吸收层40使用氧化铟锡(ITO)，而不是使用TaBN、TaBO或Cr。在一些实施例中，铟-氧(In-O)键合百分比介于约20％至约50％之间。这个键合范围帮助吸收层40中的ITO材料抑制OOB辐射。

在一些实施例中，用于吸收层40的ITO材料也配置为具有SnO₆晶体结构。例如，图3示出了两个示例性实施例：SnO₆晶体结构100和110。每个SnO₆晶体结构100和110均包括六个氧原子130和一个锡原子140。在SnO₆晶体结构100中，锡原子140取代至b位点。在SnO₆晶体结构110中，锡原子140取代至d位点。

具有SnO₆晶体结构的ITO材料帮助降低OOB辐射效应。例如，具有SnO₆晶体结构的ITO材料配置为具有精细调节的折射率值和精细调节的消光系数值。在一些实施例中，ITO材料的折射率在从约1至约2.5的范围内，并且ITO材料的消光系数在从约0.4至约0.8的范围内。如下面更详细地讨论的，可以通过控制/调整用于形成吸收层40的沉积工艺的沉积参数来实现用于折射率和消光系数的这些优化值。

具有SnO₆晶体结构的ITO材料也配置为对于铟、锡和氧的每种均具有优化的含量或浓度。在一些实施例中，ITO材料具有介于约30％和约65％之间的氧含量、介于约30％和约65％之间的铟含量以及小于约3％的锡含量。 在特定实施例中，ITO材料的氧含量介于约45％和约50％之间，ITO材料的铟含量介于约45％和约55％之间，并且ITO材料的锡含量介于约1％和约3％之间。

根据一个特定实施例，具有SnO₆晶体结构的ITO材料是In_0.5Sn_0.03O_0.47。对于193nm的激光，In_0.5Sn_0.03O_0.47具有1.174的折射率值、0.477的消光系数值和1.07％的反射。对于248nm的激光，In_0.5Sn_0.03O_0.47具有1.213的折射率值、0.468的消光系数值和1.96％的反射。

根据另一特定实施例，具有SnO₆晶体结构的ITO材料是In_0.52Sn_0.02O_0.46。对于193nm的激光，In_0.52Sn_0.02O_0.46具有1.810的折射率值、0.798的消光系数值和17.42％的反射。对于248nm的激光，In_0.52Sn_0.02O_0.46具有1.892的折射率值、0.757的消光系数值和16.00％的反射。

根据又一特定实施例，具有SnO₆晶体结构的ITO材料是In_0.5Sn_0.02O_0.48。对于193nm的激光，In_0.5Sn_0.02O_0.48具有1.464的折射率值、0.602的消光系数值和9.03％的反射。对于248nm的激光，In_0.5Sn_0.02O_0.48具有1.517的折射率值、0.437的消光系数值和2.55％的反射。

根据又一特定实施例，具有SnO₆晶体结构的ITO材料是In_0.5Sn_0.02O_0.48。对于193nm的激光，In_0.5Sn_0.02O_0.48具有2.108的折射率值、0.591的消光系数值和18.21％的反射。对于248nm的激光，In_0.5Sn_0.02O_0.48具有2.303的折射率值、0.434的消光系数值和29.66％的反射。

如上所讨论的，具有特定配置的铟、锡和氧的比率以及特定折射率值和消光系数值的这些ITO材料允许显著抑制OOB辐射，例如，通过当OOB辐射(以及EUV辐射)从吸收层40反射时减小OOB辐射的反射。与传统的EUV掩模中的吸收层相比，由于ITO吸收层40的OOB辐射的负面影响的减轻允许吸收层40具有较小的高度70。在一些实施例中，吸收层40的高度70在从约25nm至约55nm的范围内，而传统的EUV掩模中的吸收层的高度通常大于至少70nm。吸收层40的较小高度70减小了不期望的几何阴影效应，这进而改进EUV光刻性能。OOB辐射的抑制也扩大了临界尺寸(CD)工艺窗口。

图4是反应等离子体沉积工具200的简化图。反应等离子体沉积工具 200用于形成上面讨论的吸收层40。等离子体沉积工具200包括具有线圈220的等离子体枪210以生成等离子体230。等离子体沉积工具200包括导向线圈240以引导等离子体230的生成。通过炉线圈260加热ITO片250以提供ITO源材料。等离子体230和ITO材料的结合产生活化蒸汽270。定位衬底280(例如，EUV掩模)，从而使得活化蒸汽270在衬底280的表面上沉积膜290，从而形成含ITO的吸收层。

图5是根据本发明的实施例的示出制造光刻掩模的方法300的简化的流程图。在一些实施例中，光刻掩模是EUV掩模。方法300包括在低热膨胀材料(LTEM)衬底上方形成反射结构的步骤310。在一些实施例中，LTEM衬底包含TiO₂掺杂的SiO₂。反射结构配置为对预定的辐射波长(例如，EUV范围内的波长)提供高反射。在一些实施例中，反射结构包括多个Mo/Si膜对或多个Mo/Be膜对。

方法300包括在反射结构上方形成覆盖层的步骤320。在一些实施例中，覆盖层包含硅。

方法300包括在覆盖层上方形成吸收层的步骤330。吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。在一些实施例中，形成吸收层的步骤330包括实施反应等离子体沉积工艺。等离子体沉积工艺用以下工艺参数进行实施：

a.从约180摄氏度至约250摄氏度的沉积温度；

b.对于氩气的从约120标准立方厘米每分钟(sccm)至约180sccm的沉积流量，以及对于氧气的从约0sccm至约12sccm的沉积流量；

c.从约1埃每秒至约10埃每秒的沉积速率；以及

d.10^-2帕斯卡的+20％或-20％内的腔室压力。

在一些实施例中，实施形成吸收层的步骤330，使得ITO材料具有SnO₆晶体结构。SnO₆晶体结构可以具有附图中的图3示出的示例实施例。

在一些实施例中，实施形成吸收层的步骤330，使得ITO材料具有：在从约1至约2.5的范围内的折射率；在从约0.4至约0.8的范围内的消光系数；以及从约25纳米(nm)至约55nm的高度。

在一些实施例中，实施形成吸收层的步骤330，使得：ITO材料具有介于约45％和约50％之间的氧含量；ITO材料具有介于约45％和约55％之间 的铟含量；以及ITO材料具有介于约1％和约3％之间的锡含量。

应该理解，在本文中示出的步骤310至330之前、期间或之后可以实施额外的步骤。例如，方法300可以包括在覆盖层和吸收层之间形成缓冲层的步骤。缓冲层和吸收层具有不同的蚀刻性质。由于简化的缘故，本文中不具体讨论额外的步骤。

基于以上讨论，可以看出，本发明提供了EUV光刻中的多种优势。然而，应该理解，本文中不必讨论所有的优势，并且其他实施例可以提供不同的优势，并且没有特定优势是所有实施例都需要的。

其中一个优势是EUV掩模的吸收层具有特定地配置为减轻OOB辐射的负面影响的ITO材料。结果，改进了EUV光刻性能。例如，增强了图像对比度。作为另一实例，OOB辐射的抑制允许吸收层高度较小，这可以进而减小不期望的几何阴影效应。此外，OOB辐射的抑制也扩大了临界尺寸工艺窗口。本文中讨论的具有ITO吸收层的EUV掩模也易于制造并且与现存的工艺流程兼容。

根据一些实施例，本发明提供了一种光刻掩模。光刻掩模包括含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。光刻掩模也包括设置在衬底上方的反射结构。光刻掩模还包括设置在反射结构上方的覆盖层。光刻掩模也包括设置在覆盖层上方的吸收层。吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。

根据一些实施例，本发明提供了一种光刻系统。光刻系统包括配置为生成远紫外(EUV)辐射的辐射源。光刻系统也包括EUV掩模。EUV掩模包括含有氧化铟锡(ITO)材料的吸收层。光刻系统还包括照明器，照明器包括一种或多种折射或反射光学组件。照明器配置为将EUV辐射导向至EUV掩模上。

根据一些实施例，本发明提供了一种制造光刻掩模的方法。在低热膨胀材料(LTEM)衬底上方形成反射结构。在反射结构上方形成覆盖层。在覆盖层上方形成吸收层。吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。

上面概述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现 相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。