具有抑制带外辐射的ITO吸收件的EUV掩模的制作方法

技术总结
本发明也提供了光刻掩模。光刻掩模包括含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。在一些实施例中，ITO材料具有SnO6晶体结构。本发明还涉及具有抑制带外辐射的ITO吸收件的EUV掩模。

技术研发人员：谢依凌;游信胜;陈政宏;严涛南
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510148146
技术研发日：2015.03.31
技术公布日：2016.11.23