1.一种光刻掩模，包括：
衬底，包含低热膨胀材料(LTEM)；
反射结构，设置在所述衬底上方；
覆盖层，设置在所述反射结构上方；以及
吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，所述吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。
2.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述ITO材料具有SnO6晶体结构。
3.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述ITO材料具有：
在从约1至约2.5的范围内的折射率；以及
在从约0.4至约0.8的范围内的消光系数。
4.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中：
所述ITO材料具有介于约30％和约65％之间的氧含量；
所述ITO材料具有介于约30％和约65％之间的铟含量；以及
所述ITO材料具有小于约3％的锡含量。
5.根据权利要求4所述的光刻掩模，其中：
所述ITO材料的所述氧含量介于约45％和约50％之间；
所述ITO材料的所述铟含量介于约45％和约55％之间；以及
所述ITO材料的所述锡含量介于约1％和约3％之间。
6.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述ITO材料的In-O键合百分比介于约20％和约50％之间。
7.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述吸收层的高度为从约25纳米(nm)至约55nm。
8.一种光刻系统，包括：
辐射源，配置为生成远紫外(EUV)辐射；
EUV掩模，其中，所述EUV掩模包括含有氧化铟锡(ITO)材料的吸收层；以及
照明器，所述照明器包括一种或多种折射光学组件或反射光学组件，其中，所述照明器配置为将所述EUV辐射导向至所述EUV掩模上。
9.根据权利要求8所述的光刻系统，还包括：
低热膨胀材料(LTEM)衬底；
反射结构，设置在所述衬底上方，其中，所述反射结构配置为对预定的辐射波长提供高反射；以及
覆盖层，设置在所述反射结构上方，其中，所述吸收层设置在所述覆盖层上方。
10.一种制造光刻掩模的方法，包括：
在低热膨胀材料(LTEM)衬底上方形成反射结构；
在所述反射结构上方形成覆盖层；以及
在所述覆盖层上方形成吸收层，其中，所述吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。