1.一种掩膜版版图，其特征在于，包括：
第一层掩膜版版图，所述第一层掩膜版版图内具有若干平行排列的第一图形，相邻第一图形之间的区域用于定义栅极结构两侧的源漏区以及位于相邻源漏区之间的隔离区，所述第一图形投影于基底表面的图形为第一投影图形，所述第一投影图形横跨基底中的若干有源区；
第二层掩膜版版图，所述第二层掩膜版版图内具有若干平行排列的第二图形，相邻第二图形之间的区域用于定义若干有源区，所述第二图形用于定义位于相邻有源区之间的隔离区，所述第二图形投影于基底表面的图形为第二投影图形，所述第二投影图形横跨若干有源区，所述第二投影图形与至少一个第一投影图形相邻，且所述第一投影图形与相邻第二投影图形之间的区域用于定义横跨若干源漏区的源漏金属层；
第三层掩膜版版图，所述第三层掩膜版版图内具有若干第三图形，所述第三图形投影于基底表面的图形为第三投影图形，所述第三投影图形位于源漏金属层上方，所述第三图形用于定义与源漏金属层电连接的第零层金属层。
2.如权利要求1所述掩膜版版图，其特征在于，所述基底具有包括若干有源区的互连区，所述第一投影图形横跨互连区内的若干有源区；所述第二投影图形横跨互连区内的若干有源区；且所述第三投影图形位于部分互连区上方。
3.如权利要求1所述掩膜版版图，其特征在于，所述第一投影图形至少覆盖栅极结构顶部表面。
4.如权利要求1所述掩膜版版图，其特征在于，相邻所述第一投影图形之间的距离小于等于相邻栅极结构之间的距离。
5.如权利要求1所述掩膜版版图，其特征在于，所述第一图形为条状图形；所述第二图形为条状图形。
6.如权利要求1所述掩膜版版图，其特征在于，所述基底内具有鳍部，所述第一投影图形的排列方向与鳍部延伸方向相互平行；所述第一投影图形的排列方向与鳍部排列方向相互垂直。
7.如权利要求1所述掩膜版版图，其特征在于，所述第一图形的排列方向与第二图形的排列方向相互平行。
8.如权利要求1所述掩膜版版图，其特征在于，所述第三层掩膜版版图包括：
第三上层掩膜版版图，所述第三上层掩膜版版图内具有若干第一子图形，所述第一子图形投影于基底表面的投影图形为第一子投影图形，所述第一子投影图形位于部分源漏金属层上方，且横跨若干个有源区；
第三下层掩膜版版图，所述第三下层掩膜版版图内具有若干第二子图形，所述第二子图形投影于基底表面的投影图形为第二子投影图形，所述第二子投影图形位于另一部分源漏金属层上方，且横跨若干个有源区，其中，所述第一子图形和第二子图形构成所述第三图形，每一第一子投影图形与至少一个第二子投影图形相邻，所述第一子投影图形与第二子投影图形相互平行排列。
9.如权利要求1所述掩膜版版图，其特征在于，还包括：第四层掩膜版版图，所述第四层掩膜版版图内具有若干第四图形，所述第四图形投影于基底表面的图形为第四投影图形，所述第四投影图形位于栅极结构上方，所述第四图形用于定义与栅极结构电连接的第零层栅金属层。
10.如权利要求9所述掩膜版版图，其特征在于，所述第四层掩膜版版图包括：
第四上层掩膜版版图，所述第四上层掩膜版版图内具有若干第三子图形，所述第三子图形投影于基底表面的图形为第三子投影图形，所述第三子投影图形位于部分栅极结构上方，且横跨若干个有源区；
第四下层掩膜版版图，所述第四下层掩膜版版图内具有若干第四子图形，所述第四子图形投影于基底表面的图形为第四子投影图形，所述第四子投影图形位于另一部分栅极结构上方，且横跨若干个有源区，其中，所述第三子图形和第四子图形构成所述第四图形，每一第三子投影图形与至少一个第四子投影图形相邻，所述第三子投影图形与第四子投影图形相互平行排列。
11.一种采用如权利要求1至10中任一项提供的掩膜版版图形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：
提供包括若干有源区和将相邻有源区隔开的隔离区的基底，所述基底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的有源区基底内形成有源漏区，所述基底表面以及栅极结构表面形成有层间介质层；
依次在所述栅极结构表面以及层间介质层表面形成第一掩膜层、在所述第一掩膜层表面形成第二掩膜层，且第二掩膜层与第一掩膜层的材料不同；
在所述第二掩膜层表面形成第一光刻胶膜；
将第一层掩膜版版图中的第一图形传递至第一光刻胶膜内，形成若干平行排列的第一光刻胶层，相邻第一光刻胶层之间具有横跨若干有源区的第一开口，所述第一开口的图形贯穿所述源漏区和位于相邻源漏区之间的隔离区；
以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二掩膜层直至暴露出第一掩膜层顶部表面；
在刻蚀后第二掩膜层表面以及暴露出的第一掩膜层表面形成第二光刻胶膜；
将第二层掩膜版版图中的第二图形传递至第二光刻胶膜内，在暴露出的第一掩膜层部分表面形成若干平行排列的第二光刻胶层，所述第二光刻胶层位于相邻源漏区之间的隔离区正上方，且所述第二光刻胶层横跨若干有源区；
以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层直至暴露出层间介质层表面，在所述第一掩膜层内形成沟槽；
以所述第一掩膜层为掩膜，沿所述沟槽底部刻蚀所述层间介质层，形成贯穿所述层间介质层的通孔，所述通孔底部暴露出源漏区表面，且所述通孔的图形贯穿若干个有源区内的源漏区；
形成填充满所述通孔的源漏金属层；
去除所述第一掩膜层；
在所述栅极结构顶部表面、源漏金属层顶部表面以及层间介质层顶部表面形成第一介质层；
在所述第一介质层表面形成第三掩膜层；
将第三层掩膜版版图中的第三图形传递至第三掩膜层内，在所述第三掩膜层内形成位于源漏金属层上方的第三开口；
以所述第三掩膜层为掩膜，沿第三开口底部刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成暴露出源漏金属层部分表面的第一凹槽；
形成填充满所述第一凹槽的第零层金属层。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述基底具有包括若干有源区的互连区，所述第一光刻胶层横跨互连区内的有源区，所述第二光刻胶层横跨互连区内的有源区，且所述第三开口位于部分互连区上方。
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述隔离区内形成有隔离层，所述第二光刻胶层位于部分隔离层正上方。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一开口位于所述部分隔离层正上方，还位于紧挨所述部分隔离层的源漏区正上方。
15.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述基底包括：衬底；位于衬底表面的若干分立的鳍部；位于所述衬底表面的隔离层，所述隔离层覆盖鳍部的部分侧壁表面，且所述隔离层顶部低于鳍部顶部；其中，所述栅极结构横跨所述鳍部，且所述栅极结构位于部分隔离层表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面，所述源漏区位于所述栅极结构两侧的鳍部内。
16.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述若干第一光刻胶层的排列方向与鳍部排列方向相互垂直，且所述第一开口的图形贯穿至少一个鳍部内的源漏区。
17.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述栅极结构的数量大于1，且若干栅极结构平行排列，所述若干栅极结构的排列方向与第一光刻胶层排列方向相互平行，所述若干栅极结构的排列方向与第二光刻胶层排列方向相互平行，每一栅极结构横跨至少一个鳍部。
18.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化钛或氮化钽；所述第二掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或碳氮化硅。
19.如权利要求11所述的方法，其特征在于，将第三层掩膜版版图中的第三图形传递至第三掩膜层内的工艺步骤包括：在所述第三掩膜层表面形成第三光刻胶膜；将第三上层掩膜版内的第一子图形传递至第三光刻胶膜内，形成第三光刻胶层；以所述第三光刻胶层为掩膜刻蚀所述第三掩膜层直至暴露出第一介质层表面；去除所述第三光刻胶层；在所述暴露出的第一介质层表面以及刻蚀后第三掩膜层表面形成第四光刻胶膜；将第三下层掩膜版内的第二子图形传递至第四光刻胶膜内，形成第四光刻胶层；以所述第四光刻胶层为掩膜刻蚀所述第三掩膜层直至暴露出第一介质层表面；去除所述第四光刻胶层。
20.如权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括步骤：将第四层掩膜版版图中的第四图形传递至第一介质层内，在所述第一介质层内形成暴露出栅极结构顶部表面的第二凹槽；形成填充满所述第二凹槽的第零层栅金属层。