技术特征：
技术总结
本发明提供一种图形化工艺方法，在透光衬底上直接涂覆光刻胶，在透光衬底上直接涂覆光刻胶，在对透光衬底的正面进行曝光后，见光区接收的最小光通量定义为ET，然后对透光衬底的背面进行曝光，定义使所述光刻胶发生反应所需的最小光通量为E0，则背面曝光所使用的曝光剂量EB满足E0>EB>E0-ET，这样见光区底部接收到的光通量为EB+ET，则EB+ET>E0，因此见光区底部的光刻胶可以发生光酸反应，而遮光区接收到的光通量仅为EB，由于E0>EB，遮光区的光刻胶仍然不能发生光酸反应，这样解决了传统工艺中由于见光区底部光刻胶接收到的光通量不足而无法发生光酸反应从而导致光刻胶残留的问题，提高了光刻分辨率。
技术研发人员：任书铭
受保护的技术使用者：上海微电子装备有限公司
技术研发日：2015.12.31
技术公布日：2017.07.07