图形化方法
【专利摘要】一种图形化方法，包括：提供基底；在所述基底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成富碳层；在所述富碳层上形成图形化的光刻胶；以图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀富碳层、硬掩膜层和待刻蚀层，形成图形化的富碳层、图形化的硬掩膜层和图形化的待刻蚀层。本发明提供的图形化方法，可以得到尺寸精确、形貌良好的图形化的待刻蚀层。
【专利说明】图形化方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体领域，特别涉及到一种图形化方法。
【背景技术】
[0002] 在半导体集成电路制造工艺中，通过一系列的工序，例如淀积、光刻、刻蚀等，在半 导体衬底上形成半导体结构。其中，光刻工艺是为了在光刻胶中形成所需图案，得到图形化 的光刻胶，定义出待刻蚀区域。刻蚀工艺用于将图形化的光刻胶中的图案转移至待刻蚀层 中。但实践发现，图形化的光刻胶容易被消耗，可能导致待刻蚀层还未完成图形化，所述图 形化的光刻胶就已经被消耗完，无法完成待刻蚀层的图形化。
[0003] 现有技术中，常用的做法是：在刻蚀过程中使用硬掩膜层，先将图形化的光刻胶中 的图案转移至硬掩膜层中，然后以图形化的硬掩膜层为掩膜，完成所述待刻蚀层的图形化。
[0004] 现有技术中，刻蚀待刻蚀层的方法包括：
[0005] 参考图1，提供基底1。
[0006] 参考图2,在所述基底1上形成待刻蚀层2。
[0007] 参考图3,在所述待刻蚀层2上形成硬掩膜层3。
[0008] 参考图4,在所述硬掩膜层3上形成图形化的光刻胶4。
[0009] 参考图5,以所述图形化的光刻胶4为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层3,形成图形化的硬 掩膜层31，图形化的硬掩膜层31中形成第一窗口 5。然后去除所述图形化的光刻胶4。
[0010] 由于刻蚀所述硬掩膜层3时，不可能保证完全纵向刻蚀所述硬掩膜层3,还会对所 述硬掩膜层3进行横向刻蚀，所述第一窗口 5的侧壁呈凹形。
[0011] 参考图6,以所述图形化的硬掩膜层31为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层2,形成图形化 的待刻蚀层21，所述图形化的待刻蚀层21中形成第二窗口 6。
[0012] 由于第一窗口 5的侧壁呈凹形，导致图形化的待刻蚀层21尺寸不精确；而且，刻蚀 待刻蚀层2时，也会对所述待刻蚀层2横向刻蚀，导致所述第二窗口 6的侧壁呈凹形，所述 图形化的待刻蚀层21形貌不好。
【发明内容】
[0013] 本发明解决的问题是现有技术中得到的图形化的待刻蚀层尺寸不精确，且形貌不 好。
[0014] 为解决上述问题，本发明提供一种图形化方法，包括：提供基底；在所述基底上形 成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成富碳层；在所述富 碳层上形成图形化的光刻胶；以图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀富碳层、硬掩膜层和待刻蚀 层，形成图形化的富碳层、图形化的硬掩膜层和图形化的待刻蚀层。
[0015] 可选的，所述富碳层为SiOC层或SiC层。
[0016] 可选的，在所述待刻蚀层上形成硬掩膜层前，在所述待刻蚀层上形成刻蚀停止层， 所述硬掩膜层形成在所述刻蚀停止层上。
[0017] 可选的，所述刻蚀停止层为SiOC层、SiC层、Si3N4层或SiO2层。
[0018] 可选的，使用CHF3和O2等离子体刻蚀所述富碳层；或者，使用CHF3、O2和CF4等离 子体刻蚀所述富碳层。
[0019] 可选的，刻蚀所述富碳层后，刻蚀所述硬掩膜层前，还包括：使用等离子体刻蚀所 述硬掩膜层暴露的上表面，以去除残留在硬掩膜层暴露的上表面上的残渣。
[0020] 可选的，所述等离子体刻蚀为含氧等离子体刻蚀。
[0021] 可选的，所述含氧等离子体为O2和N2等离子体。
[0022] 可选的，刻蚀所述硬掩膜层后，刻蚀所述待刻蚀层前还包括：使用等离子体刻蚀所 述待刻蚀层暴露的上表面，以去除残留在待刻蚀层暴露的上表面上的残渣。
[0023] 可选的，等离子体刻蚀为含氧和含氯等离子体刻蚀。
[0024] 可选的，等离子体刻蚀包括：使用O2和Cl2等离子体刻蚀所述待刻蚀层上表面；使 用O2和N2等离子体刻蚀所述待刻蚀层上表面。
[0025] 可选的，所述待刻蚀层为低k介质层、硅层或金属层。
[0026] 可选的，所述待刻蚀层为低k介质层，图形化的待刻蚀层中形成了接触孔或通孔； 或者，所述待刻蚀层为硅层，图形化的待刻蚀层为栅极或伪栅极；或者，所述待刻蚀层为金 属层，图形化的待刻蚀层为互连线。
[0027] 可选的，所述待刻蚀层的厚度为I500-2000A。
[0028] 可选的，所述硬掩膜层的厚度为100-500A。
[0029] 可选的，所述硬掩膜层为TiN层或BN层。
[0030] 与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
[0031] 本技术方案在所述硬掩膜层上形成富碳层，通过所述图形化的光刻胶刻蚀所述富 碳层时，会产生残渔。
[0032] 刻蚀硬掩膜层时，硬掩膜层中形成窗口，这些残渣会附着在硬掩膜层中的窗口侧 壁，阻止横向刻蚀硬掩膜层，有利于得到尺寸精确，且形貌良好的图形化的待刻蚀层。
[0033] 刻蚀待刻蚀层时，待刻蚀层中也形成窗口，所述残渣会附着在待刻蚀层中的窗口 侧壁，阻止横向待刻蚀层层，有利于得到尺寸精确，且形貌良好的图形化的待刻蚀层。
【专利附图】
【附图说明】
[0034] 图1至图6是现有技术中图形化方法中各阶段的剖面结构示意图；
[0035] 图7至图17是本实施例图形化方法中各阶段的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0036] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明 的具体实施例做详细的说明。
[0037] 本实施例提供一种图形化方法，包括：
[0038] 参考图7,提供基底110。
[0039] 基底110可为硅基底、硅锗基底、绝缘体上硅（silicononinsulator，SOI)基底 等常规的半导体基底。
[0040] 在其他实施例中，所述基底110中还形成有半导体器件(未示出），例如具有栅极、 源极和漏极的金属氧化物半导体器件。所述基底还可以形成有金属互连结构（未示出），如 金属互连线或插塞。
[0041] 参考图8,在所述基底110上形成待刻蚀层120。
[0042] 形成所述待刻蚀层120的方法可以为化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积 等本领域所熟知的方法。
[0043] 在具体实施例中，所述待刻蚀层120的厚度为1500-2000A。
[0044] 在具体实施例中，所述待刻蚀层120为低k介质层，如无定形碳氮层、多晶硼氮层、 氟硅玻璃层、多孔SiOCH层、多孔金刚石层或本领域所熟知的其他低k材料层。所述待刻蚀 层120图形化后，图形化的待刻蚀层中形成了接触孔或通孔。
[0045] 在其他实施例中，所述待刻蚀层120也可以为硅层，图形化后形成栅极；或者所述 待刻蚀层120为金属，图形化后形成金属互连线。
[0046] 参考图9,在所述待刻蚀层120上形成硬掩膜层130。
[0047] 形成所述硬掩膜层130的方法可以为化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积 等本领域所熟知的方法。
[0048] 所述硬掩膜层130为TiN层、BN层或本领域所熟知的其他硬掩膜层。
[0049] 在具体实施例中，所述硬掩膜层130的厚度为100-500A。
[0050] 形成所述硬掩膜层130的作用是先将图形化的光刻胶中的图案转移至所述硬掩 膜层130中，形成图形化的硬掩膜层，然后再以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述待 刻蚀层120。由于刻蚀待刻蚀层120时，所述待刻蚀层120与所述图形化的硬掩膜层具有高 的刻蚀选择比，可以顺利完成所述待刻蚀层120的图形化。
[0051] 在其他实施例中，在所述待刻蚀层120上形成硬掩膜层130前，在所述待刻蚀层 120上形成刻蚀停止层，所述硬掩膜层130形成在所述刻蚀停止层上。所述刻蚀停止层的作 用是作为刻蚀所述硬掩膜层130的刻蚀停止层，保护所述待刻蚀层120。所述刻蚀停止层为 SiOC层、SiC层、Si3N4层、SiO2层或本领域所熟知的其他材料层。
[0052] 参考图10,在所述硬掩膜层130上形成富碳层140。
[0053] 形成富碳层140的方法可以为化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积等本领 域所熟知的方法。
[0054] 所述富碳层140中含碳量较多，且在刻蚀过程中可产生不挥发的聚合物等残渣。
[0055] 其次，形成富碳层140后，还需要对所述富碳层140进行平坦化处理，如化学机械 研磨，使富碳层140上表面平坦，为后续在富碳层140上形成图形化的光刻胶提供平坦表 面。富碳层140需要具有一定的硬度，以保证平坦化处理后，富碳层140上表面光滑平坦。
[0056] 在具体实施例中，所述富碳层140为SiOC层、SiC层或本领域所熟知的其他具有 所需硬度的富碳层。
[0057] 参考图11，在所述富碳层140上形成图形化的光刻胶150。
[0058] 在其他实施例中，所述图形化的光刻胶150与所述富碳层140之间还形成有底部 抗反射层，以减小形成图形化的光刻胶150时产生的反射，实现精细图形的精确转移。
[0059] 然后，以所述图形化的光刻胶150为掩膜，刻蚀富碳层140、硬掩膜层130和待刻蚀 层120,形成图形化的富碳层、图形化的硬掩膜层和图形化的待刻蚀层，包括：
[0060] 参考图12,以所述图形化的光刻胶150为掩膜，刻蚀所述富碳层140,形成图形化 的富碳层141，所述图形化的富碳层141中形成窗口 101。
[0061] 在具体实施例中，使用CHF3和O2的等离子体刻蚀所述富碳层140 ;或者，使用 CHF3、O2和CF4的等离子体刻蚀所述富碳层140。
[0062] 在本实施例中，刻蚀所述富碳层140时，所述图形化的光刻胶150被逐渐消耗，形 成图形化的富碳层141后，所述图形化的光刻胶150被完全消耗。在其他实施例中，形成图 形化的富碳层141后，所述图形化的光刻胶150也可以未被完全消耗。
[0063] 刻蚀所述富碳层140时，等离子体与所述富碳层140发生反应，所述反应会产生不 挥发的残渣160,如聚合物。这些残渣160附着在窗口 101的侧壁和底部。
[0064] 如果附着在窗口101底部的残渣160不予去除，以所述图形化的富碳层141为掩 膜，刻蚀所述硬掩膜层130时，窗口101底部的残渣160会阻碍硬掩膜层130的刻蚀。
[0065]参考图13,在本实施例中，刻蚀所述富碳层140后，还包括：使用等离子体刻蚀所 述硬掩膜层130暴露的上表面，以去除窗口 101底部的残渣160,即去除残留在硬掩膜层 130暴露的上表面上的残渣。
[0066] 由于所述残渣160主要成分为聚合物，在具体实施例中，所述等离子体刻蚀为含 氧等离子体刻蚀，所述含氧等离子体为O2和N2等离子体。所述N2等离子体的作用是调节 反应腔内的压强，并将反应生成的气体带出反应腔。
[0067] 参考图14,以所述图形化的富碳层141为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层130,形成图形 化的硬掩膜层131。窗口 101延伸至图形化的硬掩膜层131中。
[0068] 刻蚀所述硬掩膜层130的方法可以为干法刻蚀，如等离子体刻蚀。刻蚀所述硬掩 膜层130的方法也可以为湿法刻蚀。
[0069] 由于刻蚀所述硬掩膜层130时，不可避免会对所述图形化的富碳层141也进行刻 蚀，刻蚀所述图形化的富碳层141时，会继续产生的残渣160,使窗口 101的侧壁和底部都 附着有残渣160。这时残渣160还包括刻蚀硬掩膜层130产生的不挥发残渣，如含Ti聚合 物。
[0070] 如果附着在窗口101底部的残渣160不予去除，以所述图形化的硬掩膜层131为 掩膜，刻蚀所述待刻蚀层120时，窗口101底部的残渣160会阻碍待刻蚀层120的刻蚀。
[0071] 参考图15,刻蚀所述硬掩膜层130后，还包括：使用等离子体刻蚀所述待刻蚀层 120暴露的上表面，以去除窗口 101底部的残渣160,即去除残留在待刻蚀层120暴露的上 表面上的残渔。
[0072] 由于所述残渣160主要成分为仍然聚合物，在具体实施例中，等离子体刻蚀的刻 蚀气体中需要有含氧等离子体。
[0073] 其次，残渣160还包括刻蚀硬掩膜层130产生的不挥发残渣，如含Ti聚合物。等 离子体刻蚀的刻蚀气体中需要有含氯等离子体。含氯等离子体可以与含Ti聚合物反应生 成挥发性产物。
[0074] 在具体实施例中，等离子体刻蚀包括：
[0075] 首先使用O2和Cl2等离子体刻蚀所述待刻蚀层120上表面；
[0076] 然后使用O2和N2等离子体刻蚀所述待刻蚀层120上表面。
[0077] 在其他实施例中，也可以先使用O2和N2的等离子体刻蚀所述待刻蚀层120上表 面；然后使用O2和Cl2的等离子体刻蚀所述待刻蚀层120上表面；或者，直接使用O2Xl2和 N2等离子体刻蚀所述待刻蚀层120上表面。
[0078] 其中所述N2等离子体的作用是调节反应腔内的压强，并将反应生成的气体带出反 应腔。
[0079] 参考图16,以所述图形化的硬掩膜层131和图形化的富碳层141为掩膜，刻蚀所 述待刻蚀层120,形成图形化的待刻蚀层121。所述窗口 101延伸至图形化的待刻蚀层121 中。
[0080] 刻蚀所述待刻蚀层120的方法可以为干法刻蚀，如等离子体刻蚀。刻蚀所述待刻 蚀层120的方法也可以为湿法刻蚀。
[0081] 由于刻蚀所述待刻蚀层120,不可避免会对所述图形化的富碳层141也进行刻蚀， 刻蚀所述图形化的富碳层141时，会继续产生的残渣160,使窗口 101的侧壁和底部都附着 有残渣160。附着在窗口 101的侧壁的残渣160防止了刻蚀所述待刻蚀层120时，对所述待 亥Ij蚀层120进行横向刻蚀，使得图形化的待刻蚀层121形貌良好。
[0082] 参考图17,去除图形化的富碳层141和图形化的硬掩膜层131。
[0083] 以上实施例以使用等离子体刻蚀所述硬掩膜层130上表面为例，对所述图形化方 法进行描述。在其他实施例中，由于形成图形化的富碳层141后，窗口 101底部的残渣160 厚度较薄，窗口 101底部的残渣160阻碍硬掩膜层130刻蚀的影响很小，所以也可以不使用 O2和Cl2的等离子体刻蚀所述硬掩膜层130上表面。
[0084] 以上实施例以所述待刻蚀层120为低k介质层为例，对所述图形化方法进行描述。 在其他实施例中，所述待刻蚀层120也可以为硅层，图形化的待刻蚀层121为栅极或伪栅 极。所述待刻蚀层120还可以为金属层，图形化的待刻蚀层121为互连线。虽然本发明披 露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内， 均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【权利要求】
1. 一种图形化方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成待刻蚀层； 在所述待刻蚀层上形成硬掩膜层； 在所述硬掩膜层上形成富碳层； 在所述富碳层上形成图形化的光刻胶； W图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀富碳层、硬掩膜层和待刻蚀层，形成图形化的富碳层、 图形化的硬掩膜层和图形化的待刻蚀层。
2. 如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述富碳层为SiOC层或SiC层。
3. 如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，在所述待刻蚀层上形成硬掩膜层前， 在所述待刻蚀层上形成刻蚀停止层，所述硬掩膜层形成在所述刻蚀停止层上。
4. 如权利要求3所述的图形化方法，其特征在于，所述刻蚀停止层为SiOC层、SiC层、 SisN4 层或 Si〇2 层。
5. 如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，使用CHFs和〇2等离子体刻蚀所述富 碳层；或者， 使用CHFs、〇2和CF4等离子体刻蚀所述富碳层。
6. 如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，刻蚀所述富碳层后，刻蚀所述硬掩膜 层前，还包括： 使用等离子体刻蚀所述硬掩膜层暴露的上表面，W去除残留在硬掩膜层暴露的上表面 上的残渣。
7. 如权利要求6所述的图形化方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀为含氧等离子体 刻蚀。
8. 如权利要求7所述的图形化方法，其特征在于，所述含氧等离子体为化和N,等离子 体。
9. 如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，刻蚀所述硬掩膜层后，刻蚀所述待刻 蚀层前还包括： 使用等离子体刻蚀所述待刻蚀层暴露的上表面，W去除残留在待刻蚀层暴露的上表面 上的残渣。
10. 如权利要求9所述的图形化方法，其特征在于，等离子体刻蚀为含氧和含氯等离子 体刻蚀。
11. 如权利要求10所述的图形化方法，其特征在于，等离子体刻蚀包括： 使用〇2和C1,等离子体刻蚀所述待刻蚀层上表面； 使用〇2和馬等离子体刻蚀所述待刻蚀层上表面。
12. 如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述待刻蚀层为低k介质层，图形化 的待刻蚀层中形成了接触孔或通孔；或者， 所述待刻蚀层为娃层，图形化的待刻蚀层为栅极或伪栅极；或者， 所述待刻蚀层为金属层，图形化的待刻蚀层为互连线。
13. 如权利要求12所述的图形化方法，其特征在于，所述低k介质层为无定形碳氮层、 多晶测氮层、氣娃玻璃层、多孔SiOCH层或多孔金刚石层。
14. 如权利要求13所述的图形化方法，其特征在于，所述待刻蚀层的厚度为 1500-2000A。
15. 如权利要求1或14所述的图形化方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度 为 100-500A。
16. 如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述硬掩膜层为TiN层或BN层。
【文档编号】H01L21/033GK104425222SQ201310383308
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年8月28日 优先权日:2013年8月28日
【发明者】周俊卿, 张海洋 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司