边缘耦合设备制造的制作方法

技术总结
提供了一种制造边缘耦合设备的方法和一种边缘耦合设备。该方法包括移除一部分覆层材料，以在倒锥形硅波导上形成沟槽；在覆层材料的剩余部分上以及在沟槽中，沉积具有折射率大于二氧化硅的材料；以及移除在所述沟槽中的一部分所述材料，以形成脊形波导。

技术研发人员：潘华璞;刘宗荣;魏红振;陈宏民
受保护的技术使用者：华为技术有限公司
文档号码：201580018130
技术研发日：2015.04.07
技术公布日：2016.11.23