防护膜组件框、防护膜组件及其制造方法、曝光原版及其制造方法、曝光装置以及半导体装置的制造方法与流程

文档序号:13765682阅读:来源:国知局
防护膜组件框、防护膜组件及其制造方法、曝光原版及其制造方法、曝光装置以及半导体装置的制造方法与流程

技术特征:

1.一种防护膜组件框,其具备框主体,所述框主体具有:设置在一端面的槽,所述一端面是厚度方向的一端面并且是支撑防护膜侧的一端面;以及贯通外周面与设置在所述一端面的槽的壁面之间的贯通孔。

2.根据权利要求1所述的防护膜组件框,所述框主体进一步具有:设置在厚度方向的另一端面的槽;以及贯通外周面与设置在所述另一端面的槽的壁面之间的贯通孔。

3.根据权利要求1或2所述的防护膜组件框,其进一步具备与所述一端面相接的粘接剂层。

4.一种防护膜组件,其具备第1防护膜组件框和防护膜,所述第1防护膜组件框是权利要求1~3的任一项所述的防护膜组件框,所述防护膜被所述第1防护膜组件框的所述框主体的所述一端面侧所支撑。

5.根据权利要求4所述的防护膜组件,所述防护膜包含选自由晶体硅、类金刚石碳、石墨、无定形碳、石墨烯、碳化硅、氮化硅和氮化铝所组成的组中的至少1种无机系材料。

6.根据权利要求4或5所述的防护膜组件,所述防护膜的厚度为10nm~200nm。

7.根据权利要求4~6的任一项所述的防护膜组件,在所述第1防护膜组件框与所述防护膜之间,具备与所述防护膜相接的第2防护膜组件框。

8.根据权利要求7所述的防护膜组件,其具备由作为所述防护膜的硅晶体膜与作为所述第2防护膜组件框的框形状的硅基板构成的复合构件。

9.一种防护膜组件的制造方法,其包括下述工序:

将权利要求1~3的任一项所述的防护膜组件框与防护膜,以所述框主体的所述一端面与所述防护膜对置的方式配置的配置工序,以及

通过贯通所述外周面与设置在所述一端面的槽的壁面之间的贯通孔,将设置在所述一端面的槽的内部减压,从而将所述防护膜组件框与所述防护膜固定的固定工序。

10.根据权利要求9所述的防护膜组件的制造方法,所述固定工序中的所述减压在所述防护膜组件框和所述防护膜在加压气氛下被配置了的状态下进行。

11.一种曝光原版,其具备:

权利要求4~8的任一项所述的防护膜组件,以及

配置在所述防护膜组件的所述第1防护膜组件框侧的原版。

12.根据权利要求11所述的曝光原版,所述第1防护膜组件框的所述框主体进一步具有:设置在厚度方向的另一端面的槽;以及贯通外周面与设置在所述另一端面的槽的壁面之间的贯通孔。

13.一种曝光原版的制造方法,其包括下述工序:

将防护膜组件与原版以下述另一端面与所述原版对置的方式配置的配置工序,所述防护膜组件是权利要求4~8的任一项所述的防护膜组件,所述第1防护膜组件框的所述框主体进一步具有设置在厚度方向的另一端面的槽、和贯通外周面与设置在所述另一端面的槽的壁面之间的贯通孔;以及

通过贯通所述外周面与设置在所述另一端面的槽的壁面之间的贯通孔,将设置在所述另一端面的槽的内部减压,从而将所述防护膜组件与所述原版固定的固定工序。

14.根据权利要求13所述的曝光原版的制造方法,所述固定工序中的所述减压在所述防护膜组件和所述原版在加压气氛下被配置了的状态下进行。

15.一种曝光装置,其具备权利要求11或12所述的曝光原版。

16.一种曝光装置,其具有:

发出曝光光的光源,

权利要求11或12所述的曝光原版,以及

将从所述光源发出的曝光光引导到所述曝光原版的光学系统;

所述曝光原版以使从所述光源发出的曝光光透过所述防护膜而照射到所述原版的方式配置。

17.根据权利要求16所述的曝光装置,所述曝光光为EUV光。

18.一种半导体装置的制造方法,其包括下述步骤:

使从光源发出的曝光光透过权利要求11或12所述的曝光原版的所述防护膜而照射到所述原版,在所述原版反射的步骤,以及

使被所述原版反射的曝光光透过所述防护膜而照射到感应基板,从而将所述感应基板曝光成图案状的步骤。

19.根据权利要求18所述的半导体装置的制造方法,所述曝光光为EUV光。

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