显示装置的制作方法

技术领域

本发明涉及一种显示装置。

背景技术：

通常来说，液晶显示装置可以包含两个彼此面对的基板，以及插设在两个基板之间的液晶层。由于液晶层的厚度可能影响穿过液晶层的光传输，在两个基板之间设置间隔体，以在两个基板之间均匀地保持一定间隔。

当外力施加到液晶显示装置时，外力可能使间隔体变形，改变两个基板之间的距离。此间隔上的改变进而影响液晶层的透光率。此外，取决于如何施加外力，间隔体可能在横向上移动，可能导致损坏一个或两个基板。

技术实现要素：

本公开提供一种显示装置，其能够均匀地保持两个基板之间的间隔，并且具有改善的可靠性。

本发明构思不限于上面提及的技术问题，本领域的技术人员从下面的描述将清楚地明白未经提及的其他方面。

根据本发明构思的一方面，提供了一种显示装置。显示装置包含：第一基板，所述第一基板包含第一基部基板，位于第一基部基板上的绝缘层，以及位于绝缘层上的阻挡层；面对第一基板的第二基板；液晶层，所述液晶层位于第一基板与第二基板之间；以及第一间隔体，所述第一间隔体位于第一基板与第二基板之间，并且与第一基板接触，其中第一基板还包含第二间隔体，所述第二间隔体位于阻挡层上，并且与第一间隔体重叠。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种显示装置。显示装置包含：第一基板；面对第一基板的第二基板；液晶层，所述液晶层位于第一基板与第二基板之间；以及第一间隔体，所述第一间隔体位于第一基板与第二基板之间，并且与第一基板接触，其中第一基板包括：第一基部基板；位于第一基部基板上的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的绝缘层；位于绝缘层上的第一电极；第二间隔体，所述第二间隔体位于第一电极上，并且与第一间隔体重叠；钝化层，所述钝化层位于第一电极上以及第二间隔体上；以及第二电极，所述第二电极位于钝化层上，并且连接到薄膜晶体管。

根据本发明构思的又一方面，提供了一种显示装置。显示装置包含：第一基板；面对第一基板的第二基板；液晶层，所述液晶层位于第一基板与第二基板之间；以及第一间隔体，所述第一间隔体位于第一基板与第二基板之间，并且与第一基板接触，其中第一基板包括：第一基部基板；位于第一基部基板上的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的绝缘层；位于绝缘层上的阻挡层；第二间隔体，所述第二间隔体位于阻挡层上，并且与第一间隔体重叠；第一电极，位于阻挡层上以及第二间隔体上；以及第二电极，所述第二电极位于钝化层上并且与薄膜晶体管连接。

其他方面的具体事项包含在详细描述和附图中。

根据本发明的方面，可以提供显示装置，其具有改善的可靠性，并且能够均匀地保持第一基板与第二基板之间的间隔。

本发明的效果不限制于上面描述的诸项，并且本文中包含了各种其他效果。

附图说明

通过参考附图来详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其他方面以及特征将变得显而易见，其中：

图1是图示了根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意层压结构的剖视图；

图2是图1的A1部分的放大剖视图；

图3是图1的A2部分的放大剖视图；

图4是图示了外力施加到图1所示的显示装置的情况的剖视图；

图5是图示了图4的A3部分的放大剖视图；

图6是图示了图1所示的显示装置的改进的实施例的剖视图；

图7是根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的布置图；

图8是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的示例性剖视图；

图9是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的另一示例性剖视图；

图10是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图；

图11是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图；

图12是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图；

图13是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图；

图14是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图；

图15是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图；

图16是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图；以及

图17是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图。

具体实施方式

通过参考对下面的实施例以及附图的详细描述，本发明构思的特征以及实现其的方法可以更容易理解。然而，本发明构思能够以许多不同形式实施，并且不应解释为受限于本文提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开彻底和完整，并且将向本领域技术人员充分传达本发明构思的概念，并且本发明构思将仅由所附权利要求限定。在整个说明书中，相似的附图标记指代相似的元件。

本文中使用的术语集仅为描述特定的实施例，并不旨在限制本发明构思。如本文中使用的，单数形式“一”、“一个”以及“所述”意在也包含复数形式，除非上下文清楚地另有指明。还应理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，列举了所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或其组的存在或附加。

应理解的是，当元件或层被称为“在……上”，“连接到”或“耦合到”另一元件或层时，可以是直接在另一元件或层上，连接或耦合到另一元件或层，或可以存在介于中间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在……上”，“直接连接到”或“直接耦合到”另一元件或层时，不存在介于中间的元件或层。如本文中使用的，术语“和/或”包含一个或多个相关列出的项目的任意或全部组合。

应理解的是，尽管本文中可能使用术语第一、第二，等等来描述各种元件、部件、区域、层和/或段，这些元件、部件、区域、层和/或段不应受限于这些术语。这些术语仅用来将一个元件、部件、区域、层或段与另一区域、层或段区分开。因此，在不背离本发明构思的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或段可以被称为第二元件、部件、区域、层或段。

空间相关的术语，比如“之下”，“在……下方”，“下部”，“在……上方”，“上部”，及类似术语，可能在本文中使用以便于描述，用来描述如图所示的一个元件或特征与(一个或多个)另一元件或(一个或多个)特征的关系。应理解的是，空间相关的术语旨在包含除了图示的取向以外的在使用或操作中的装置的不同取向。例如，如果附图中的装置被翻转，描述为“在其他元件或特征下方”或“在其他元件或特征之下”的元件则将被取向为“在其他元件或特征上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含在上方和在下方两种取向。装置可以以其他方式取向(旋转90度或在其他取向上)，并且相应地解释本文中使用的空间相关的描述语句。

除非另有限定，本文中使用的全部术语(包含技术与科学术语)具有与本申请所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。还应理解，术语(比如常用词典中限定的那些)，应解释为具有与相关领域和本说明书的上下文中一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的意义来解释，除非在本文中明确限定。

整个说明书中相同或相似的部分以相同的附图标记表示。

下文中，将参考附图描述本发明构思的实施例。

图1是图示了根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意层压结构的剖视图，图2是图1的A1部分的放大剖视图，并且图3是图1的A2部分的放大剖视图。

参考图1至图3，根据此实施例的显示装置1可以包含第一基板10、第二基板20、液晶层LC以及第一间隔体G1。

第一基板10可以包含第一基部基板11、位于第一基部基板11上的绝缘层13、位于绝缘层13上的阻挡层15、以及第二间隔体G2a，第二间隔体G2a位于阻挡层15上，并且朝向第二基板20突出。此外，尽管未在附图中示出，第一基板10还可以包含位于第一基部基板11上的数据线、栅极线、薄膜晶体管、像素电极以及类似物。

第一基部基板11可以是绝缘基板。例如，第一基部基板11可以由玻璃基板、石英基板、透明树脂基板或类似物形成。第一基部基板11还可以包含具有高热阻的聚合物或塑料。

在一些实施例中，第一基部基板11还可以具有柔性。即，第一基板100可以是能够通过轧制、折叠、弯曲或类似方式进行形状改变的基板。

绝缘层13可以位于第一基部基板11上，并且可以覆盖位于第一基部基板11上的薄膜晶体管或类似物。在一些实施例中，绝缘层13可以包含有机绝缘材料。此外，在一些实施例中，绝缘层13还可以包含色彩颜料。即是说，绝缘层13还可以是滤色器(color filter)。

阻挡层15可以位于绝缘层13上，并且可以防止绝缘层13在形成第二间隔体G2的工艺中被损坏或被蚀刻。

第二间隔体G2可以位于阻挡层15上，并且可以朝向第二基板20突出。在一些实施例中，第二间隔体G2可以由蚀刻速率高于阻挡层15的材料形成。例如，如果包含在第二间隔体G2中的材料具有高于包含在阻挡层15中的材料的蚀刻速率两倍的蚀刻速率，这意味着当进行蚀刻工艺(例如，湿法蚀刻工艺，干法蚀刻工艺或类似工艺)时，包含在第二间隔体G2材料中的蚀刻速率至少相当于包含在阻挡层15中的材料的蚀刻速率的两倍。第二间隔体G2的蚀刻速率可以大于阻挡层15的蚀刻速率的几十倍到几百倍。即是说，在相同的蚀刻工艺中，包含在第二间隔体G2中的材料的蚀刻速率可以几十倍到几百倍地快于包含在阻挡层15中的材料的蚀刻速率。换而言之，在相同的蚀刻工艺中，包含在阻挡层15中的材料的蚀刻速率可能显著地低于包含在第二间隔体G2中的材料的蚀刻速率。相应地，在形成第二间隔体G2的工艺中，阻挡层15可以防止绝缘层13被损坏或被蚀刻。

阻挡层15可以包含与第二间隔体G2重叠的第一部分15a，以及与第一部分15a不同的第二部分15b。此外，在一些实施例中，第一部分15a的厚度TH1可以大于第二部分15b的厚度TH2。当在形成第二间隔体G2的工艺中进行比如灰化的工艺(例如氧等离子体灰化或类似工艺)时，阻挡层15的第一部分15a被第二间隔体G2覆盖，但第二部分15b可以不被第二间隔体G2覆盖。因此，对于第二部分15b，当进行灰化工艺时，其可以暴露于氧等离子体或类似物，并且最终地，第二部分15b的厚度TH2可以变得小于第一部分15a的厚度TH1。

在一些实施例中，第二间隔体G2可以包含绝缘材料，并且绝缘材料可以是有机绝缘材料。作为示例，第二间隔体G2可以由光敏有机绝缘材料制成。另外，在另一实施例中，第二间隔体G2可以含有金属。金属可以是低电阻金属，并且作为示例，金属可以是但不限于铝基金属(比如铝(Al)或铝合金)、银基金属(比如银(Ag)或银合金)、铜基金属(比如铜(Cu)或铜合金)、钼基金属(比如钼(Mo)或钼合金)、铬(Cr)、钽(Ta)，以及钛(Ti)。

在一些实施例中，阻挡层15可以含有无机绝缘材料。作为示例，阻挡层15可以包含硅氧化物、硅氮氧化物以及硅氮化物中的至少一个。另外，在另一实施例中，阻挡层15可以包含透明导电材料。例如，阻挡层15可以由透明导电材料(比如ITO，IZO，ITZO以及AZO)形成。

由于阻挡层15位于绝缘层13与第二间隔体G2之间，绝缘层13的厚度和第二间隔体G2的厚度可以容易地形成为所需水平。即是说，在绝缘层13的厚度形成为所需水平之后，形成阻挡层15，并且然后形成第二间隔体G2。即是说，绝缘层13的形成工艺和第二间隔体G2的形成工艺彼此独立地进行，并且不会彼此影响。因此，即使当在第二间隔体G2的形成期间进行了图案化工艺或类似工艺时，绝缘层13由阻挡层15保护，在绝缘层13中可以不发生损坏或类似情况，并且绝缘层13的厚度可以保持在所需水平。此外，第二间隔体G2的厚度也独立于绝缘层13的厚度可调整，并且第二间隔体G2的厚度可以容易地形成为所需水平。

第二基板20可以位于第一基板10上，以面对第一基板10。

液晶层LC可以插设在第一基板10与第二基板20之间。液晶层LC可以包含具有介电各向异性的液晶分子(未示出)。作为示例，在没有电场的情况下，液晶分子的主轴可以平行于第一基板10或第二基板20取向，并且在此情况下，液晶分子可以具有正介电各向异性。另外，液晶分子可以是具有一结构的向列(nematic)液晶分子，在所述结构中，其主轴方向从第一基板10扭曲到第二基板20。另外，在没有电场的情况下，液晶分子的主轴可以大体上垂直于第一基板10或第二基板20取向，并且在此情况下，液晶分子可以具有负介电各向异性。

第一间隔体G1可以位于第一基板10与第二基板20之间，并且第一间隔体G1可以位于第二间隔体G2的上方。

在一些实施例中，第一间隔体G1可以由有机绝缘材料制成，并且有机绝缘材料可以具有光敏性。可以通过在第二基板20上形成光敏有机绝缘材料层，以及通过使用光刻(photolithography)工艺或光镂刻(photoengraving)工艺来图案化光敏有机绝缘材料层，从而形成第一间隔体G1。

第一间隔体G1和第二间隔体G2可以彼此重叠。第一间隔体G1和第二间隔体G2可以将第一基板10与第二基板20之间的间隔保持在所需水平。这使得可以将液晶层LC的厚度保持在所需水平。液晶层LC的厚度可能影响透光率。因此，液晶层LC的厚度在所需水平的均匀保持可能是保持显示质量的重要因素。如上所述，第一间隔体G1和第二间隔体G2可以将第一基板10与第二基板20之间的间隔保持在所需水平，从而有助于液晶层LC的厚度在所需水平的均匀保持。

与此同时，由于阻挡层15位于绝缘层13与第二间隔体G2之间，绝缘层13的厚度和第二间隔体G2的厚度也可以保持在所需水平。这可以有助于将第一基板10与第二基板20之间的间隔保持在所需水平，并且因此，可以防止显示质量的劣化。

在一些实施例中，第一间隔体G1和第二间隔体G2可以彼此直接接触。例如，面对第一基板10的第一间隔体G1的端部部分(G11，下文中，“第一间隔体的端部部分”)可以与面对第二基板20的第二间隔体G2的端部部分(G22，下文中，“第二间隔体的端部部分”)直接接触。在另一实施例中，另一层(比如有机层)可以位于第一间隔体的端部部分G11与第二间隔体的端部部分G22之间，并且在此情况下，第一间隔体的端部部分G11和第二间隔体的端部部分G22可以不彼此直接接触。

第一间隔体的端部部分G11的宽度W1和第二间隔体的端部部分G22的宽度W2可以彼此不同。在一些实施例中，第一间隔体的端部部分G11的宽度W1可以小于第二间隔体的端部部分G22的宽度W2。如本文中使用的，在平行于第一间隔体G1与第二基板20之间的界面的平面上测量“宽度”。第一间隔体G1的“端部部分”是距第二基板20最远的部分。第二间隔体G2的“端部部分”是距第一基部基板11最远的部分。

第一间隔体G1的厚度H1和第二间隔体G2的厚度H2可以彼此不同。在一些实施例中，第一间隔体G1的厚度H1可以大于第二间隔体G2的厚度H2。在正交于第一间隔体G1与第二基板20之间的界面的方向上，测量第一间隔体的“厚度”。

图4是图示了外力施加到图1所示的显示装置的情况的剖视图，并且图5是图示了图4的段A3的放大的剖视图。

参考图4和图5，当外力F施加到显示装置1时，可能在第二基板20中产生曲率。位于第一基板10与第二基板20之间的第一间隔体G1可能通过吸收一部分外力F而被压缩，并且可能由外力F施加横向上的力F1。即是说，作为力F的结果，水平移动力F1作用在第一间隔体G1上。当第一间隔体G1由于水平移动力F1在横向上移动时，第一间隔体G1与第一基板10的表面进入直接接触，并且可能导致损坏第一基板10。与此同时，在根据本发明的显示装置1中，具有不变厚度H2的第二间隔体G2位于第一间隔体G1的下方，并且法向反作用力F2以及水平移动力F1也发生在第一间隔体G1中。如果施加到第一间隔体G1的力不变，力的一部分由法向反作用力F2抵消，并且水平移动力F1相对减小。此外，即使当第一间隔体G1由于外力在横向上移动并且不与第二间隔体G2重叠时，由于第一间隔体G1的厚度小于第一基板10与第二基板20之间的间隔，第一间隔体G1不与第一基板10进入接触。因此，可以降低第一间隔体G1造成第一基板10损坏的可能性。

图6是图示了图1所示的显示装置的另一示例性层压结构的剖视图。

参考图6，根据此实施例的显示装置2与图1所示的显示装置(图1的1)部分地不同，不同点在于，此实施例还包含位于第一间隔体G1与第二间隔体G2之间的有机层OL，并且其他配置相同或相似。因此，为避免重复描述，将省略相同或相似配置的具体描述。

有机层OL可以位于第一间隔体G1与第二间隔体G2之间，并且更具体地，有机层OL可以位于面对第一基板10的第一间隔体G1的端部部分与面对第二基板20的第二间隔体G2的端部部分之间。此外，有机层OL可以与第一间隔体G1和第二间隔体G2进入直接接触。

在一些实施例中，有机层OL可以具有两层结构。例如，有机层OL可以包含覆盖阻挡层15和第二间隔体G2的顶部的第一有机膜OL1，以及覆盖第二基板20和第一间隔体G1的顶部的第二有机膜OL2。在示例性实施例中，第一有机膜OL1和第二有机层OL2可以是但不限于配向膜(alignmentfilm)。尽管附图中未示出，有机层OL还可以具有单层结构，或可以具有三层或更多层的多层结构。

下文中，作为非限制性的示例，将描述根据本发明的示例性实施例的显示装置是面线转换(PLS)类型的显示装置的情况。此外，上面在图1至图6中描述的显示装置可以应用于各种显示装置，比如垂直排列(VA)类型的显示装置，图案垂直排列(PVA)类型的显示装置，共面转换(IPS)类型的显示装置，边缘场转换(FFS)类型的显示装置，扭曲向列(TN)类型显示装置，以及其他电控双折射(ECB)类型的显示装置。

此外，下文中，根据本发明构思的示例性实施例的、在底部配置上具有公共电极的显示装置的情况将作为示例描述，并在附图中图示，但不限于此。此外，上面图1至图6中描述的显示装置的结构也可以应用于在顶部配置上具有公共电极的显示装置。

图7是根据示例性实施例的显示装置的像素的布置图，并且图8是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的示例性剖视图。

参考图7和图8，根据示例性实施例的显示装置3可以包含第一基板10、面对第一基板10的第二基板20、插设在第一基板10与第二基板20之间的液晶层LC、以及位于第一基板10与第二基板20之间的第一间隔体G1。

下文中，将描述第一基板10。

包含多个栅极线121的栅极导体可以位于由透明绝缘材料(比如玻璃和塑料)制成的第一基部基板110的上方。栅极线121传输栅极信号，并且可以主要在水平方向上延伸。栅极线121包含栅电极124。栅极线121可以包含铝基金属(比如铝(Al)或铝合金)、银基金属(比如银(Ag)或银合金)、铜基金属(比如铜(Cu)或铜合金)、钼基金属(比如钼(Mo)或钼合金)、铬(Cr)、钽(Ta)，以及钛(Ti)。栅极线121可以具有单层结构或可以具有多层结构，所述多层结构包含至少两个具有不同物理性质的导电层。在其中，一个导电膜可以由低电阻金属形成，例如，铝基金属、银基金属、铜基金属或类似金属，以便于能够降低栅极线121的信号延迟或电压降。与之相比，其他导电膜可以由其他材料形成，特别是，具有与铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)良好的接触特性的材料，例如，钼基金属、铬、钛、钽或类似金属。其组合的一个示例可以包含铬下部膜和铝上部膜，以及铝下部膜和钼上部膜。然而，本发明构思不限制于此，并且栅极线121可以由各种类型的金属和导体形成。

栅极绝缘膜140可以位于栅极线121上或栅极导体上。栅极绝缘膜140可以由绝缘材料制成，并且作为示例，其可以由硅氮化物或硅氧化物形成。栅极绝缘膜140还可以具有单层结构，或可以具有多层结构，所述多层结构包含至少两个具有不同物理性质的绝缘层。

半导体层154可以位于栅极绝缘膜140上，并且可以至少部分地与栅电极124重叠。半导体层154可以包含非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。

欧姆接触构件163、165可以位于半导体层154上。欧姆接触构件163和165可以由掺杂高浓度n-类型杂质的n+氢化非晶硅形成，或可以由硅化物形成。

欧姆接触构件163、165可以成对地位于半导体层154上。在一些实施例中，当半导体层154是氧化物半导体时，可以省略欧姆接触构件163、165。

包含数据线171的数据导体形成在欧姆接触构件163、65以及栅极绝缘膜140上方，所述数据线171包含漏电极175和源电极173。

数据线171可以传输数据信号，并且可以主要在垂直方向上延伸并与栅极线121交叉。在一些实施例中，为了改善磁导率，数据线171可以周期性地弯曲。

数据线171可以包含源电极173。在一些实施例中，如图7所示，源电极173不从数据线171突出，并且可以与数据线171位于实质上相同的线上。

漏电极175面对源电极173。漏电极175可以包含实质上平行于源电极173延伸的棒状部分，以及在其相反面上的延伸部分。漏电极175和源电极173可以位于半导体层154上，以彼此间隔开，并且半导体层154可以部分地暴露在漏电极175与源电极173之间的部分中。

上面描述的数据导体可以由铝、铜、银、钼、铬、钛、钽或它们的合金形成，并且还可以具有多层结构，所述多层结构包含下部膜(未示出，比如难熔金属)，以及形成在其上的低电阻上部膜(未示出)，但不限于此。数据线171和漏电极175可以由各种金属或导体制成。

栅电极124、源电极173以及漏电极175可以与半导体层154一起形成单个薄膜晶体管(TFT)。

第一钝化层180a可以位于数据导体、栅极绝缘膜140以及半导体层154的暴露部分上。第一钝化层180a可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。

绝缘层180b可以位于第一钝化层180a上。在一些实施例中，绝缘层180b可以具有使第一钝化层180a的顶部平坦的作用。绝缘层180b可以由有机绝缘材料形成，并且在一些实施例中，绝缘层180b可以由光敏有机绝缘材料形成，但不限于此。

第一电极270可以位于绝缘层180b上。在一些实施例中，第一电极270可以是公共电极。第一电极270是平面类型，并且可以作为板形成在第一基部基板110上，并且它可以接收预定强度的公共电压的传输。在一些实施例中，第一电极270可以由透明导电材料制成，并且作为示例，透明导电材料可以是ITO，IZO，ITZO，AZO或类似材料。

第一电极270可以具有开口273，所述开口273形成在对应于漏电极175的部分的区域中。

朝向第二基板20突出的第二间隔体G2可以位于第一电极270上。如上面对图1至图6的描述中所描述的，第二间隔体G2可以由蚀刻速率大于第一电极270的蚀刻速率的材料形成。第一电极270可以具有上面对图1至图6的描述中所描述的阻挡层(图1的15)的功能。即是说，第一电极270可以防止在形成第二间隔体G2的工艺中可能导致的绝缘层180b的损坏。此外，在一些实施例中，类似于上面随图1至图6的描述中所描述的阻挡层(图1的15)，第一电极270可以包含与第二间隔体G2重叠的第一部分，以及除第一部分以外的第二部分，并且特征(比如第一部分的厚度和第二部分的厚度)可以实质上相同或相似于阻挡层(图1的15)。

第二间隔体G2可以与将在后面描述的光屏蔽构件220重叠。此外，在一些实施例中，第二间隔体G2可以设置为与薄膜晶体管重叠，所述薄膜晶体管包含栅电极124、半导体层154、源电极173以及漏电极175。

在示例性的实施例中，第二间隔体G2可以由绝缘材料(比如有机绝缘材料)制成。此外，在一些实施例中，当绝缘层180b由有机绝缘材料制成时，第二间隔体G2也可以由与绝缘层180b相同的材料制成，但不限于此。第二间隔体G2也可以由与绝缘层180b不同的材料制成。

另外，在另一示例性实施例中，第二间隔体G2还可以由导体形成。例如，第二间隔体G2可以由低电阻金属(比如铝基金属、银基金属以及铜基金属)形成。当第一电极270由透明导体(比如ITO)制成时，由于透明导体自身的电阻，可能产生大级别的RC延迟。当第二间隔体G2由导体形成时，第二间隔体G2与第一电极270进入直接接触，第二间隔体可以降低第一电极270的电阻，使得可以降低RC延迟。

第二钝化层180c可以位于第一电极270和第二间隔体G2上。第二钝化层180c可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成。

暴露漏电极175的接触孔185可以形成在第一钝化层180a、绝缘层180b以及第二钝化层180c中。如图所示，接触孔185可以位于第一电极270的开口273内。即是说，第一电极270的开口273可以围绕接触孔185。

第二电极191可以位于第二钝化层180c的上方。在一些实施例中，第二电极191可以是像素电极。第二电极191可以至少部分地与第一电极270重叠。第二电极191可以包含与第一电极270重叠的多个分支电极192，并且可以在相邻的分支电极192之间形成狭缝92。

在一些实施例中，第二电极191的分支电极192可以实质上平行于数据线171延伸。分支电极192可以倾斜以在垂直方向上形成倾角，并且可以在第二电极191的水平中线(未示出)中弯曲。因此，第二电极191可以划分为多个域，在多个域中分支电极192的倾斜的方向彼此不同。例如，上部分支电极192基于水平中线在右上方向上延伸，并且下部分支电极192在右下方向上延伸。

第二电极191的一部分通过接触孔185连接到漏电极175，并且可以接收来自漏电极175的施加的电压。

第二电极191可以由透明导电材料(比如ITO，IZO，ITZO以及AZO)制成。

与此同时，在另一实施例中，第二电极191可以是平面类型，并且第一电极270可以包含与第二电极191重叠的多个分支电极(未示出)。此外，第一电极270和第二电极191的结构和布置可以调整。

在一些实施例中，第一配向膜ALM1也可以位于第一基板10的上方，并且更具体地，在第二钝化层180c和第二电极191上。第一配向膜ALM1可以由有机材料(比如聚酰亚胺)制成，但不限于此。在一些实施例中，第一配向膜ALM1可以是水平配向膜，并且可以某方向上被摩擦。另外，第一配向膜ALM1可以包含光化反应材料并且可以被光学地配向。

下文中，将描述第二基板20和第一间隔体G1。

第二基板20可以包含第二基部基板210、光屏蔽构件220以及滤色器230，并且还可以包含外覆层250和上部阻挡层310中的至少一个。

光屏蔽构件220可以位于第二基部基板210的上方。在一些实施例中，光屏蔽构件220可以与薄膜晶体管叠置，所述薄膜晶体管包含栅电极124、半导体层154、源电极173和漏电极175、接触孔185、栅极线121以及数据线171。光屏蔽构件220可以包含光屏蔽颜料(比如碳黑)，并且可以含有光敏有机材料。

多个滤色器230可以位于第二基部基板210的上方。滤色器230可以至少部分地与第二电极191重叠。滤色器230可以由含有用于在光敏有机成分上实现颜色的颜料的材料形成。例如，滤色器230可以包含但不限于光敏有机成分中的红、绿以及蓝颜料中的至少一个。

外覆层250可以位于滤色器230和光屏蔽构件220的上方。在一些实施例中，外覆层250可以由有机绝缘材料制成。如果需要，外覆层250也可以省略。

第一间隔体G1可以位于第二基板20的面对第一基板10的表面上，并且可以朝向第一基板10突出。在一些实施例中，第一间隔体G1可以由有机绝缘材料制成，并且可以具有光敏性。此外，在一些实施例中，第一间隔体G1还可以包含光屏蔽颜料。第一间隔体G1可以与第二间隔体G2重叠，还可以与光屏蔽构件220重叠。

在一些实施例中，上部阻挡层310还可以位于外覆层250上，并且第一间隔体G1还可以位于上部阻挡层310上。类似于上面的图1至图6的描述中所描述的阻挡层(图1的15)，上部阻挡层310可以防止在形成第一间隔体G1以保护外覆层250的过程中，可能产生在外覆层250、光屏蔽构件220以及滤色器230中的损坏。上部阻挡层310可以由蚀刻速率小于第一间隔体G1的蚀刻速率的材料形成，并且可以由光传输材料制成。当外覆层250被省略时，上部阻挡层310可以位于光屏蔽构件220和滤色器230上。

第二配向膜ALM2还可以位于第二基板20和第一间隔体G1上。在一些实施例中，第二配向膜ALM2可以包含但不限于有机材料。第二配向膜ALM2的其他描述实质上相同或类似于对第一配向膜ALM1的诸描述。

在一些实施例中，第一配向膜ALM1和第二配向膜ALM2可以第一间隔体G1和第二间隔体G2之间彼此接触，但不限于此。取决于结构中的改变，在第一间隔体G1与第二间隔体G2之间的部分，可以仅设置第一配向膜ALM1和第二配向膜ALM2中的一个。作为示例，当仅第一配向膜ALM1位于第一间隔体G1和第二间隔体G2之间的部分中时，第一配向膜ALM1可以在第一间隔体G1和第二间隔体G2之间与第一间隔体G1和第二间隔体G2进入直接接触。另外，取决于结构中的改变，第一配向膜ALM1和第二配向膜ALM2两者也可以都不存在于第一间隔体G1和第二间隔体G2之间的部分中。在此情况下，第一间隔体G1和第二间隔体G2也可以彼此直接接触。

下文中，和上面描述的实施例相同的部件将由相同的附图标记指示。此外，将省略重复描述，并且将主要描述区别。

图9是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的另一示例性剖视图。

参考图7和图9，根据本示例性实施例的显示装置3a可以包含第一基板10a、第二基板20a、液晶层LC以及第一间隔体G1。

与上面图7和图8中描述的第一基板(图8的10)不同，滤色器230可以位于第一基板10a的第一钝化层180a上，并且第一电极270可以位于滤色器230上。

第二基板20a可以包含第二基部基板210和光屏蔽构件220，并且还可以包含外覆层250和上部阻挡层310中的至少任意一个。

即是说，根据此实施例的显示装置3a与上面图7和图8中描述的显示装置(图8的3)显著地不同，不同点在于，滤色器230位于第一基板10a侧面上。配置的一些其他方面可以实质上与图8的实施例相同。

图10是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图。

参考图7和图10，根据此实施例的显示装置3b包含第一基板10b、第二基板20b、液晶层LC以及第一间隔体G1。

第一基板10b可以与如上面图9中描述的第一基板(图9的10a)实质上相同。

第二基板20b可以包含第二基部基板210和光屏蔽构件220。第二基板20b与上面图8的描述中所描述的第二基板(图8中的20)不同，并且与上面图9中的描述中所描述的第二基板(图9中的20a)不同，不同点在于，第二基板20b不包含滤色器230，并且不包含外覆层250和上部阻挡层310。

与图7和图8的描述不同，第一间隔体G1可以正好位于在光屏蔽构件220的上方，并且可以含有光屏蔽材料。光屏蔽材料可以含有颜料(比如碳黑)，并且可以含有光敏有机材料。在一些实施例中，第一间隔体G1可以由与光屏蔽构件220相同的材料制成，并且可以与光屏蔽构件220整体地形成。此外，在一些实施例中，可以通过相同工艺(例如，通过使用单个半色调掩模的光刻工艺)，来形成第一间隔体G1和光屏蔽构件220。

此外，在一些实施例中，第二配向膜ALM2可以位于第二基板20b的上方以及第一间隔体G1的上方。更具体地，第二配向膜ALM2可以位于第二基部基板210的上方，光屏蔽构件220的上方以及第一间隔体G1的上方。

即是说，根据此实施例的显示装置3b与上面图9中描述的显示装置(图9中的3a)显著地不同，不同点在于，第一间隔体G1含有光屏蔽材料，并且第一间隔体G1和光屏蔽构件220可以由相同的材料制成，而其他配置可以实质上相同。

图11是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图。

参考图7和图11，根据此实施例的显示装置3c可以包含第一基板10c、第二基板20c、液晶层LC以及第一间隔体G1，并且还可以包含辅助光屏蔽构件240。

与上面图9中描述的第一基板(图9中的10a)不同，不同点在于，第一基板10c、光屏蔽构件220可以位于第一电极270上，并且第二间隔体G2可以位于光屏蔽构件220上。此外，第二钝化层180c可以位于光屏蔽构件220和第二间隔体G2上。

光屏蔽构件220可以至少部分地与薄膜晶体管重叠，并且可以不与接触孔185重叠。即是说，光屏蔽构件220包含覆盖薄膜晶体管的一部分，并且可以包含在对应于漏电极175的一部分的区域中形成的开口223。

第一电极270可以具有在对应于漏电极175的一部分的区域中形成的开口273。尽管图11示出了第一电极270的开口273大于光屏蔽构件220的开口223，以围绕光屏蔽构件220的开口223情形，但这不是对本发明构思的限制。在一些实施例中，第一电极270的开口273可以小于光屏蔽构件220的开口223，并且第一电极270的开口273的外部边界和光屏蔽构件273的开口223的外部边界还可以至少部分地彼此重叠。

通过填充满接触孔185周围的大的阶梯，辅助光屏蔽构件240可以提供平坦表面。此外，由于光屏蔽构件220被移除以形成接触孔185周围的开口223，在接触孔185周围可能发生光泄漏。然而，根据此实施例，可以形成辅助光屏蔽构件240，以便于与光屏蔽构件220的开口223重叠，以防止接触孔185周围的光泄漏。辅助光屏蔽构件240可以含有光屏蔽材料。作为示例，辅助光屏蔽构件240可以含有颜料(比如碳黑)，并且可以含有光敏有机材料。

第二间隔体G2可以含有光屏蔽材料。光屏蔽材料可以含有颜料(比如碳黑)，并且可以含有光敏有机材料。在一些实施例中，第二间隔体G2可以由与光屏蔽构件220相同的材料制成，并且可以与光屏蔽构件220整体地形成。第二间隔体G2可以与光屏蔽构件220在相同的工艺中形成。

第二基板20c可以包含第二基部基板210。第二基板20c与上面图8的描述中所描述的第二基板(图8中的20)不同，并且与上面图9的描述中所描述的第二基板(图9中的20a)不同，不同点在于，第二基板20c不包含光屏蔽构件220和滤色器230，并且不包含外覆层250和上部阻挡层310。

第一间隔体G1可以正好位于在第一基部基板210的上方，并且可以与第一基部基板210接触。在一些实施例中，第一间隔体G1可以由有机绝缘材料制成，并且可以由光敏有机绝缘材料制成。此外，在一些实施例中，第一间隔体G1还可以含有光屏蔽材料。

在一些实施例中，第一配向膜ALM1可以位于第一基板10c的上方，并且更具体地，位于第二钝化层180c、辅助光屏蔽构件240以及第二电极191上。

此外，在一些实施例中，第二配向膜ALM2还可以位于第二基板20C的上方以及第一间隔体G1的上方。更具体地，第二配向膜ALM2可以位于第二基部基板210的上方以及第一间隔体G1的上方。

即是说，根据此实施例的显示装置3c与上面图9中描述的显示装置3a显著地不同，不同点在于，光屏蔽构件220位于第一基板10c侧面上，第二间隔体G2可以含有光屏蔽材料，并且第二间隔体G2和光屏蔽构件220由相同的材料形成，并且可以彼此整体地形成，而其他配置可以实质上相同。

根据此实施例，通过在第一基板10c上设置滤色器230和光屏蔽构件220，连同薄膜晶体管一起，易于调整光屏蔽构件220与滤色器230之间的配向，以及第二电极191与薄膜晶体管之间的配向。因此，可以减小配向误差，防止由于部件之间的失准而造成的光泄漏或开口率的减小，并且增强透光率。

图12是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图。

参考图7和图12，根据此实施例的显示装置3d可以包含第一基板10d、第二基板20d、液晶层LC以及第一间隔体G1，并且还可以包含辅助光屏蔽构件240。

与图11中描述的第一基板(图11中的10c)不同，第一基板10d可以不包含辅助光屏蔽构件240，而其他配置可以实质上相同。

在一些实施例中，第一配向膜ALM1还可以位于第一基板10d的上方，并且更具体地，在第二钝化层180c和第二电极191上。

第二基板20d可以包含第二基部基板210，以及位于第二基部基板210上的辅助光屏蔽构件240。辅助光屏蔽构件240可以形成为与光屏蔽构件220的开口223重叠，以防止接触孔185周围的光泄漏。辅助光屏蔽构件240可以含有光屏蔽材料。

第一间隔体G1可以位于第二基部基板210上。在一些实施例中，第一间隔体G1可以含有光屏蔽材料，并且可以由与辅助光屏蔽构件240相同的材料形成。此外，可以通过相同工艺(例如，通过使用单个半色调掩模的光刻工艺)，来形成第一间隔体G1和辅助光屏蔽构件240。在一些实施例中，如图12所示，第一间隔体G1可以与辅助光屏蔽构件240整体地形成。然而，这不是对本发明构思的限制。辅助光屏蔽构件240和第一间隔体G1也可以彼此分隔开。

在一些实施例中，第二配向膜ALM2可以位于第二基板20d的上方以及第一间隔体G1的上方。更具体地，第二配向膜ALM2可以位于第二基部基板210的上方，辅助光屏蔽构件240的上方以及第一间隔体G1的上方。

图13是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图。

参考图7和图13，根据此实施例的显示装置3e可以包含第一基板10e、第二基板20e、液晶层LC以及第一间隔体G1。

与上面图7和图8的描述中所描述的第一基板(图8中的10)不同，第一基板10e还可以包含位于绝缘层180b上的阻挡层330。在后面将描述的形成第二间隔体G2的工艺中，阻挡层330可以防止绝缘层180b被损坏或蚀刻。此外，在一些实施例中，类似于上面在图1至图6的描述中所描述的阻挡层15，阻挡层330可以包含与第二间隔体G2重叠的第一部分，以及第一部分之外的第二部分。特征(比如第一部分的厚度和第二部分的厚度)可以实质上相同或类似于图1的阻挡层15。

第二间隔体G2可以位于阻挡层330上，并且可以朝向第二基板20e突出。

第二电极270可以位于阻挡层330和第二间隔体G2上。由于其自身厚度，第二电极270位于第二间隔体G2上的部分可以朝向第二基板20e突出。

第二间隔体G2可以由蚀刻速率大于阻挡层330的蚀刻速率的材料制成。在一些实施例中，第二间隔体G2由有机绝缘材料制成，并且阻挡层330可以由无机绝缘材料制成。作为示例，无机绝缘材料可以是硅氧化物、硅氮氧化物、硅氮化物或类似材料。另外，在另一实施例中，第二间隔体G2也可以由导体形成。例如，第二间隔体G2可以由低电阻金属制成，比如铝基金属、银基金属以及铜基金属，并且可以与由透明导体(比如ITO)制成的第一电极270直接接触，以降低第一电极270的电阻。

第二基板20e可以与上面参考图7和图8描述的第二基板20实质上相同。

由于第一间隔体G1、第一配向膜ALM1、第二配向膜ALM2以及类似特征与上面图7和图8的描述中所描述的那些特征相同，将省略其描述。

图14是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图。

参考图7和图14，根据此实施例的显示装置3f可以包含第一基板10f、第二基板20f、液晶层LC以及第一间隔体G1。

与上面图13的描述中所描述的第一基板(图13中的10e)不同，滤色器230可以位于第一基板10f的第一钝化层180a上，并且阻挡层330可以位于滤色器230上。

第二基板20f可以包含第二基部基板210和光屏蔽构件220，并且还可以包含外覆层250和上部阻挡层310中的至少任意一个。

即是说，根据此实施例的显示装置3f与上面图13中描述的显示装置(图13中的3e)显著地不同，不同点在于，滤色器230位于第一基板10f中，而其他配置可以实质上相同。

图15是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图。

参考图7和图15，根据此实施例的显示装置3g可以包含第一基板10g、第二基板20g、液晶层LC以及第一间隔体G1。

第一基板10g可以与上面参考图14描述的第一基板10f实质上相同。

第二基板20g可以包含第二基部基板210和光屏蔽构件220，并且可以不包含滤色器230、外覆层250和上部阻挡层310。

第一间隔体G1可以正好位于光屏蔽构件220的上方，并且可以含有光屏蔽材料。在一些实施例中，第一间隔体G1可以由与光屏蔽构件220相同的材料制成，并且可以与光屏蔽构件220整体地形成。第一间隔体G1可以由与光屏蔽构件220相同的工艺形成。

在一些实施例中，第二配向膜ALM2可以位于第二基板20g的上方以及第一间隔体G1的上方。更具体地，第二配向膜ALM2可以位于第二基部基板210的上方，光屏蔽构件220的上方以及第一间隔体G1的上方。

图16是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图。

参考图7和图16，根据此实施例的显示装置3h可以包含第一基板10h、第二基板20h、液晶层LC以及第一间隔体G1，并且还可以包含辅助光屏蔽构件240。

与上面图14中描述的第一基板10f不同，在第一基板10h中，光屏蔽构件220可以位于阻挡层330上，并且第二间隔体G2可以位于光屏蔽构件220上。此外，第一电极270可以位于光屏蔽构件220和第二间隔体G2上。

光屏蔽构件220可以至少部分地与薄膜晶体管重叠，并且可以不至少部分地与接触孔185重叠。即是说，光屏蔽构件220包含覆盖薄膜晶体管的部分，并且可以包含形成在对应于漏电极175的一部分的区域中的开口223。

第一电极270可以具有形成在对应于漏电极175的一部分的区域中的开口273。图11图示了第一电极270的开口273的外部边界和光屏蔽构件220的开口223的外部边界至少部分地彼此重叠的情形，但不限于此。第一电极270的开口273可以大于光屏蔽构件220的开口223，以围绕光屏蔽构件220的开口223，并且取决于实施例，第一电极270的开口273也可以小于光屏蔽构件220的开口223。

通过填充满接触孔185周围的阶梯，辅助光屏蔽构件240可以使表面平坦。形成辅助光屏蔽构件240，以便于与光屏蔽构件220的开口223重叠，并且可以防止接触孔185周围的光泄漏。辅助光屏蔽构件240可以含有光屏蔽材料。作为示例，辅助光屏蔽构件240可以含有颜料(比如碳黑)，并且可以含有光敏有机材料。

第二间隔体G2可以含有光屏蔽材料。光屏蔽材料可以含有颜料(比如碳黑)，并且可以含有光敏有机材料。在一些实施例中，第二间隔体G2可以由与光屏蔽构件220相同的材料制成，并且可以与光屏蔽构件220整体地形成。可以通过与光屏蔽构件220相同工艺形成第二间隔体G2。

第二基板20h可以包含第二基部基板210。

第一间隔体G1可以正好位于第一基部基板210的上方，并且可以与第一基部基板210接触。在一些实施例中，第一间隔体G1可以由有机绝缘材料制成，并且可以由光敏有机绝缘材料制成。此外，在一些实施例中，第一间隔体G1还可以含有光屏蔽材料。

在一些实施例中，第一配向膜ALM1还可以位于第一基板10h的上方，并且更具体地，在第二钝化层180c、辅助光屏蔽构件240以及第二电极191上。

此外，在一些实施例中，第二配向膜ALM2还可以位于第二基板20h的上方以及第一间隔体G1的上方。更具体地，第配向膜ALM2可以位于第二基部基板210的上方以及第一间隔体G1的上方。

图17是图7所示的显示装置沿图7的线X-X’剖取的又一示例性剖视图。

参考图7和图17，根据此实施例的显示装置3i可以包含第一基板10i、第二基板20i、液晶层LC以及第一间隔体G1，并且还可以包含辅助光屏蔽构件240。

与图16中描述的第一基板(图16中的10h)不同，第一基板10i可以不包含辅助光屏蔽构件240，而其他配置可以实质上相同。

在一些实施例中，第一配向膜ALM1还可以位于第一基板10i的上方，并且更具体地，在第二钝化层180c和第二电极191上。

第二基板20i可以与上面图12的描述中所描述的第二基板(图12中的3d)实质上相同。即是说，第二基板20i可以包含第二基部基板210，以及位于第二基部基板210上的辅助光屏蔽构件240。辅助光屏蔽构件240可以形成为与光屏蔽构件220的开口223重叠，以防止接触孔185周围的光泄漏，并且辅助光屏蔽构件240可以含有光屏蔽材料。

第一间隔体G1可以位于第二基部基板210上。在一些实施例中，第一间隔体G1可以含有光屏蔽材料，并且可以由与辅助光屏蔽构件240相同的材料制成。第一间隔体G1可以与辅助光屏蔽构件240在相同的工艺中形成。如图7所示，第一间隔体G1可以与辅助光屏蔽构件240整体地形成，但不限于此，并且辅助光屏蔽构件240和第一间隔体G1也可以彼此分隔开。

在一些实施例中，第二配向膜ALM2还可以位于第二基板20d的上方以及第一间隔体G1的上方。更具体地，第二配向膜ALM2可以位于第二基部基板210的上方以及辅助光屏蔽构件240和第一间隔体G1的上方。

根据上面描述的本发明的实施例，第二间隔体G2的厚度可以更容易地形成为所需水平。此外，在第二间隔体G2的形成过程中，可以防止位于第二间隔体G2的下方的部件(例如，绝缘层或类似物)的损坏或蚀刻。因此，可以形成第一基板与第二基板之间的间隔并保持在所需水平，并且从而，可以提供避免显示质量劣化并且具有改善的可靠性的显示装置。

尽管已经主要地描述了本发明的实施例，但它们仅是示例，并且不意图限制本发明构思，本领域普通技术的人员应理解，可以做出上面未示出的各种改进和应用，而不背离本发明构思的实施例的本质特性。例如，在实施例中具体图示的相应的部件能够在改进的情况下来实践。此外，设计这样的改进和应用的区别应理解为包含在本发明构思的由所附权利要求限定的范围中。