使用光学投影的基板调整系统和方法与流程

本申请要求于2015年12月18日提交的标题为“Substrate Tuning System and Method Using Optical Projection”的美国专利申请第14/974,974号的权益，其全部内容通过引用并入本文中。

背景技术：

本公开内容总体上涉及包括半导体基板(例如硅晶片)的基板的图案化。本公开内容还涉及与作为半导体装置制造的一部分的包括在基板上涂覆膜和对膜进行显影的光刻有关的过程。本公开内容特别地涉及作为光刻和图案化过程的一部分的对图案化特征的尺寸和精度的控制。

光刻包括使用对电磁(EM)辐射敏感的膜对基板进行涂覆，将这些膜曝露于光化辐射的图案以在膜内限定隐性图案，然后显影掉(溶解并去除)所述膜中的一些以显露基板上的物理图案或凹凸图案。用于对基板进行涂覆和显影的制造工具通常包括可以用于添加膜、添加抗蚀剂以及对基板进行显影的许多模块。

技术实现要素：

本文中的技术包括提供将光或电磁(EM)辐射空间上控制地投影到基板上的系统和方法。指向物体的400nm至700nm波长的光、紫外光(UV)、红外光或任何波长可以通过加热或提供光化辐射来处理基板。

本公开内容解决了用于空间上改变基板的关键尺寸(CD)和/或温度的技术，并且可以适用于包括沉积系统、蚀刻系统(湿式和干式)的半导体、平板显示器和光伏系统中的真空和非真空处理系统。例如，基于像素的投影光图案可以校正关键尺寸、光刻曝光非均匀性、步进曝光延迟时间等。

当然，为了清楚起见，已经呈现如本文描述的不同步骤的讨论顺序。通常，这些步骤可以以任意适当的顺序进行。另外，尽管本文中的不同的特征、技术、配置等中的每一个都可以在本公开内容的不同地方进行讨论，但是每个构思旨在可以彼此独立或彼此结合执行。因此，本发明可以以许多不同的方式实施和呈现。

注意，本发明内容部分并不指定本公开内容或所要求保护的发明的每个实施方式和/或增加的新颖方面。替代地，本发明内容仅提供不同实施方式的初步讨论和与常规技术相比的对应新颖点。对于本发明和实施方式的另外的细节和/或可能的方面，读者应关注如以下进一步讨论的本公开内容的具体实施方式部分和对应的附图。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，本发明的各种实施方式的更完整的理解及其许多附带的优点将变得非常明显。附图不一定按比例绘制，而是将重点放在示出特征、原理和构思上。

图1是用于调整基板的示例性图像投影系统的示意性透视图。

图2是用于调整基板的示例性图像投影系统的示意性侧视图。

图3是表示空间上变化的属性的示例性基板标识的图。

图4是用于调整基板的示例性图像投影系统的示意性侧视图。

图5是跨基板截面的示例性简化关键尺寸或热标识的图。

图6是表示补偿给定热标识的投影图像的图。

图7是跨基板截面的示例性简化关键尺寸或热标识的图。

图8是半导体制造工具的示意图。

具体实施方式

本文中的技术包括提供将光空间上控制地或基于像素地投影到基板上以调整各种基板属性的系统和方法。这样的基于像素的光投影可以用于调整基板的各种属性，包括调整关键尺寸(CD)、加热均匀性、蒸发式冷却、光刻闪耀(flare)、光栅延迟和光敏剂的产生。这样的基于像素的光投影可以实现跨基板的表面的关键尺寸均匀性的显著提高。将这样的基于像素的光投影与光刻图案化过程相结合可以提高处理均匀性并且降低缺陷率。

在一个实施方式中，与光源耦合的数字光处理(DLP)芯片、光栅光阀(GLV)、激光检流计或其他的基于网格的微投影技术可以使图像(可选地使用透镜)聚焦到基板上，并且校正或调节关键尺寸、温度和其他的非均匀性。该系统可以被配置成使投影图像的辐射输出变化。例如，利用可见光谱灯投影到板上的纯白色图像将对板进行加热至该特定灯的给定最高温度。每个投影像素的温度可以通过使用由该光源产生的所有波长的光或一些波长的光或不使用由该光源产生的波长的光来调节。这种技术给出了对半导体的给定烘烤过程的极其精确的控制，足以在1nm内对半导体进行烘烤。同样地，在基板的工作表面上的每个投影像素位置的光化辐射的量可以在没有投影辐射和全投影辐射(对于给定光源)之间调节，并且其之间具有许多等级。DLP芯片或激光检流计可以例如将图像投影到基板上并且改变基板上的任意一个或多个特定点处的加热量或CD调节量(经由光活性剂的产生)。

如本文所公开的投影图像可以根据由选择的投影系统所支持的像素的数目或像素投影的尺寸和入射区来改变至基板上的个体特征的输出。也就是说，使用微镜投影可获得的CD控制可以如其最大投影分辨率那样灵活或精细调整。注意，本文中的系统可以被配置成将给定图像投影到基板上，或者为所有指示像素位置的同时投影，或者为其中将给定图像逐行投影到基板上的光栅扫描投影。在一个实施方式中，基于像素的光投影系统连接至烘烤装置、曝光室、分散(dispense)室、热板、蚀刻室等的控制计算机。基于像素的光投影系统可以可选地通过透镜系统聚焦到对准基板的曝光室中。然后，投影到基板的光或在基板处的光例如通过产生更多的光酸调节基板的期望区域。这样的方法和系统具有多种用途。一种应用是保持温度均匀性。另一种应用是减少或增加作为半导体制造的一部分的被制造的晶片的关键尺寸。

图1示出了示例性基板调整系统的示意图。处理室108可以被定尺寸为容纳诸如硅晶片、平板等的基板。处理室108可以为诸如具有安装在较大工具内的模块的相对最小尺寸(基于基板的尺寸)。基板对准系统107可以用于将图像对准到基板上的可工作区，其可以在0.1纳米内对准。基板105可以定位在基板保持器上。基板105可以是具有任何类型的涂层的常规的反射或非反射硅盘。

系统包括光源102，光源102可以位于处理室108内、与处理室108相邻或远离处理室108。光源102可以是若干光源(例如，可见光源、红外光源、UV光源、激光器或产生其他波长的光的灯)中的任意一个。可以针对被处理的特定基板和特定调整应用定制(或选择)光源的特性。对于一些基板，在400nm至700nm的波长范围和1080p(逐行扫描的1080条水平线的垂直分辨率)的DLP分辨率的情况下，60瓦(或等同量)的光源可能是足够的。其他的应用可能需要更高的功率和更高的分辨率。光源可以基于所需的一个或更多个特定波长来选择。例如，可以选择紫外光源用于某些应用，而可以选择白色或红外线源用于其他应用。光源选择可以基于特定基板和/或膜的吸收特性。可以使用由DLP、GLV、激光检流计或其他光投影技术支持的任意分辨率。

光投影装置103可以实施为激光检流计、DLP芯片、光栅光阀(GLV)或其他光投影技术。常规可用的是DLP芯片和GLV。数字激光检流计也是已知的。透镜系统104可以可选地用于帮助产生当投影到基板105上时与基板105的尺寸具有最小像差的图像。投影线106表示在同时投影或基于光栅投影条件下朝向基板105投影的图像域(image field)或视频。所述视频或图像可以基于期望的CD值和/或来自被配置成识别跨基板的CD差异的计量装置的动态反馈来进行设计。项101示出了基板105上的具有与基板的其他位置关键尺寸不同的关键尺寸的示例性位置。投影图像109以项101中之一的形状来投影光。如果与基板105的剩余表面区域相比，项101恰好具有较大CD值，那么投影图像109可以例如通过增加光活性剂的产生以帮助去除多余的材料来增加投影在这些区域上的光化辐射以跨基板105的整个表面产生均匀的CD值标识。

因此，本文中的这样的系统结合了用于精细控制关键尺寸的精细和粗控制系统。因此，可以打开或关闭投影像素的每个位置成为可以精细调整热、温度、CD校正和光反应性的区域。

图5是示出对于给定基板的简化示例性CD标识的图。这可以是跨基板的截面的CD标识。在该示例性CD标识中，存在用于测量CD的相对差异的19个点位置。该图的顶部表示相对较大的CD变化或CD值。该图的底部也可以指示CD的相对差异，而且可以指示太小的CD，而该图的顶部指示太大的CD。注意，跨基板存在CD变化，其中，平面位置的CD变化是热标识的一个实施方式。

图6是表示校正来自图5中所表示的CD标识的CD变化的投影图像的图。换句话说，投影图像补偿具有波动的CD标识。例如，注意来自图5中的CD标识中的点1、点9、点10、点17和点18具有相对较小的CD。注意，图6中的投影图像在这些位置处没有光投影，这会导致没有光反应剂增加。来自图5中的CD标识中的点位置2和点位置12具有相对大的CD，因此在图6中的图像投影中，这些点位置示出为白色，其表示全光/辐射曝光以引起可以从给定光源产生最大量的光反应剂。其他的点位置被示出为不同的灰色深浅度，其表示用可变的光投影对CD值的适度波动进行类似地校正。图7示出了将图6中的投影图像应用至图5的CD标识而产生的经修改的或经校正的CD标识。注意，与图5的CD标识相比，大多数的CD值已经被修改，使得存在大体上较小的CD变化。还要注意，可以在烘烤和/或显影的任意中间步骤之后实现经校正的CD标识以从大于所需的CD中去除材料。

在图5中所示的基板标识是简化的线形标识。基板通常是平面的，因而均匀性波动可以基于基板上的平面或X、Y位置而变化。图3是描绘出示例性关键尺寸标识的视图。此关键尺寸标识被映射为如在微制造过程中使用的给定基板(例如晶片)的表面上的点位置。注意，在CD标识视图上的各个点在黑暗或明亮程度上变化。在CD标识视图上的点位置处的这些相对差异表示CD均匀性的相对差异。例如，完全黑暗的点位置可以表示具有太小的CD的区域，然而完全照亮或较亮的点位置可以表示具有太大的CD的区域。该CD标识可以基于所观察的和/或所测量的尺寸来产生。

图3中的该基板标识视图还可以表示给定光投影在被处理的基板上可能呈现出的样子。注意，给定光源可以是UV或红外线，并且因此图3可以表示投影能量标识所呈现的样子或者能量标识的累积效果将呈现的样子。阴影线图案的黑暗变化可以表示光的强度、振幅和/或频率。因此，在基板表面上的接收全投影光的强度的点位置可以包括视图中的浅色区域或白色区域。同样地，具有较少的空白的点位置可以具有投影在这些位置处的中等强度或部分强度的光。在该视图中示出为黑方块的点位置可能不接收光或接收相对较少的曝光量。注意，基板标识可以基于标识类型或不均匀性而在视觉表示上变化。例如，CD标识可能呈现为具有对应于划道的一些可感知的线的标识。示出光栅延迟的不均匀性的基板标识可以示出跨基板的表面的给定步进/扫描器的进展的证据。对于加热不均匀的基板标识可以具有圆形图案或示出在加热区界面处的差异。

图4类似于图1并且示出了用于调整基板105的光学投影调整系统的示例性实施方式。基板105可以包括膜115以及下面的层110，膜115可以是光致抗蚀剂膜，下面的层110可以成为硬掩模层或其他图案化层或用于图案传递的记忆层。光投影装置103或附带的控制器可以接收基于像素的图像以投影到基板105上。用投影图像109示出该基于像素的图像的投影。注意，基板105的一部分被辐照而其他部分没有被辐照。代替用于光刻曝光的基于掩模的光投影，使用基于像素的图像投影。在投影期间，投影图像可以例如响应于实时反馈或其他的调整目标而改变或变化。

投影的特定图像或视频可以基于在处理过程之前(静态调节)或在用于动态调节的处理过程期间可以收集数据的一个或更多个传感器。在反馈回路中，给定传感器或传感器阵列可以收集数据(例如，CD标识)，并且然后将该所收集的数据发送至控制器。然后，控制器可以基于所收集的数据和/或基于是否是所需要的热或光校正(CD校正)来计算图像以投影到基板上。比例积分微分控制器(PID控制器)可以用来实现热标识反馈。投影的图像可以基于跨基板的任何振荡(例如从中心到边缘的振荡)而改变。

注意，光的强度或振幅可以基于基板表面上的材料的类型来调节。例如，一些聚合物可以具有低反射率，而其他材料(如硅和金属)可以有最大反射率值。在一个具体的示例性材料(即铜)中，反射率可以为45％至99％，但是，当光入射到铜上时，铜表面仍然会升温。因此，本文中的技术可以应用于大多数的基板材料。

图2是改进的基板处理的示例性系统的侧视图。基板105放在基板保持器130上，基板保持器130可以被实施为热卡盘或包括热卡盘。在基板上方(面对被处理的基板侧)，可以定位有激光检流计、DLP投影仪等作为光投影装置103的一部分将图像投影到基板表面。投影仪的位置可以基于给定室内的空间可用性而变化。例如，微制造工具的许多加热模块相对短。在这些实施方式中，各种孔135和/或透镜系统可以用于在基板上方的任何有限的竖直空间内投影图像。示出了示例性高度和宽度测量值，但这些都是非限制性的，并且只为示出一个特定实施方式。

专用的光投影系统可以被制造成在这种基板调整或加热模块中使用。可替选地，可以使用常规的激光检流计和DLP投影仪。

其他实施方式可以使用用于光投影到单个基板上的不同波长的灯。这些灯都可以有助于光投影，或者被选择性地激活。同样地，每个基板处理模块可以使用多个投影仪。在其他实施方式中，光投影可以具有用于例如利用3D图形来更精细的调整的基于频率的输出。除了基于图像的光投影仪之外，相机143或其他计量装置可以考虑到基板105来进行定位以实时识别给定CD标识，以用于基于投影的图像来动态调节CD标识。在另一实施方式中，传感器阵列可以安装成并且连接至PID控制器的反馈回路。

将基于热标识的图像投影到定位在热板上的基板上仅是本文中的系统和方法的一个实施方式。在半导体制造的各个阶段处，存在用于处理基板的许多另外的应用和实施方式。因此，应用不限于光刻。在另一实施方式中，可以在基板的涂覆(例如，用光致抗蚀剂涂覆)期间使用投影的光-热技术。在液体的涂覆期间将图像投影到旋转的基板上可以有助于减轻蒸发式冷却的影响。益处是需要较少的分散量，同时提供更好的涂覆均匀性。如果在旋转室中存在阻碍光投影的不透明物体，则因为基板的旋转，光至少可以投影到基板的一部分上，其本质上将是基于频率的投影(这是针对在给定点处恰好仅径向部分可以被照射的实施方式)。

在其他实施方式中，光图像投影可以用于施加后烘烤(PAB)和曝光后烘烤(PEB)两者。光图像投影可以用于复杂的边缘球状物去除(EBR)清除区(clear outs)—可以“绘制”或投影以用于边缘球状物去除的区域。光图像投影可以用于以印刷阵列的方式限定嵌段共聚物的定向自组装的区域。也就是说，可以充分地促进可以以阵列印刷定向自组装(DSA)的区域曝光，而剩余区域没有曝光使得嵌段共聚物将不使用切割掩模而自组装，这节省了一些微制造过程中的过程步骤。

本文中的实施方式可以使用湿式或干式基板清洗系统。利用湿式清洗系统，投影光图像可以有助于中心到边缘的温度均匀性。在其中液体被分散在旋转基板上的一些过程中，与基板边缘的膜的厚度相比，朝向基板中心的膜的厚度较大。然而，本文中的技术甚至可以有助于径向温度的均匀性。取决于分散喷嘴和分散臂的位置，投影到分散室中的图像本质上可以是部分图像(例如，饼形图)。投影到基板的仅一部分上仍然可以是有效的，特别是在旋转基板的情况下，这是因为所有的表面都可以被辐照或穿过投影图像。使用UV光投影图像还可以有助于化学品的反应以改进这样的化学品的径向反应作为空间光增强技术，该技术可以与例如直接提供大部分辐照的UV灯结合。注意，对于UV光增强和投影，应该选择使得UV能够透射的光学件，例如石英、氟化钙或其他透明传导介质。例如，在许多温度增强和光化辐射增强的实施方式中，增强的量通常小于主要热或光化辐射处理的15％。例如，具有光致抗蚀剂膜的给定基板采用扫描器或步进工具暴露于基于掩模的图案。利用这种光刻曝光，在每个管芯位置处的光剂量基本上相同。然后，本文中的实施方式可以用于根据基板的点位置增加相对少量和不同量的曝光剂量。

应当明显的是，存在本文所公开的系统和方法的许多实施方式和各种实施方式。

一个实施方式包括用于处理基板的系统或装置。该系统包括被定尺寸并且配置成容纳用于处理的基板的室。基板保持器被定位在室内并且被配置成保持基板。该系统包括被配置成当基板在室中时将图像投影到基板的上表面(即，工作表面或被处理的表面)上的图像投影系统。图像投影系统使用微镜投影装置来投影图像。微镜装置可以包括例如用于反射激光束的可控镜，或者对应于待投影的图像中的像素的微镜阵列。该系统包括被配置成控制图像投影系统并且使图像投影系统将基于像素的图像投影到基板的工作表面上的控制器。图像投影系统包括光源并且可以使用基于像素的投影系统。每个投影的像素可以通过选自光波长、光强度、光频率和光振幅中的参数而变化。图像投影系统可以被配置成基于预定的基板标识投影图像，该预定的基板标识可以是变化的表面属性(热、曝光剂量、关键尺寸变化)的基于像素的表示。光源可以被配置成向给定基板提供光化辐射。光源可以被配置成提供小于400纳米波长的辐射，例如紫外辐射。给定光源可以基于基板上的特定辐射敏感膜被选择成具有特定光谱线。基于预定基板标识的投影可以包括空间上映射基板表面的不同特性的基板标识。

在其他实施方式中，给定投影图像可以基于基板标识和基于给定/特定蚀刻室的CD蚀刻标识两者。给定蚀刻室的CD蚀刻标识表示或识别由给定蚀刻图案转移过程产生的各种蚀刻非均匀性。例如，对于基于等离子体的干式蚀刻室，根据等离子体反应器的特定类型，通常在跨基板的表面上存在蚀刻非均匀性。例如，等离子体可以具有中心到边缘的密度变化和/或方位角密度变化。因此，与其他区域相比，在基板的一些区域处可能发生或多或少的蚀刻。所得到的是包括具有CD非均匀性的转移图案的蚀刻的基板(即使蚀刻掩模具有均匀的CD也是如此)。本文中的系统和方法可以补偿这种蚀刻非均匀性。通过使投影图像基于基板标识(引入的CD标识)和识别给定蚀刻室将如何蚀刻基板或已经如何典型地蚀刻基板的数据两者，然后所得到的是投影图像以创建预偏置的CD，其使得在随后的蚀刻过程期间能够使CD标准化。作为非限制性示例，如果给定蚀刻系统在基板的中心部分中蚀刻得较多，并且在基板的边缘部分中蚀刻得较少，则可以将投影的图像配置成调节引入的CD并且使CD偏置使得与边缘相比，在中心部分存在较大(或较小)的CD。然后，当对基板进行蚀刻时，引入的CD已经由于蚀刻非均匀性，使得所得到的蚀刻产生跨基板的均匀的CD。

注意，诸如半导体晶片的基板通常放在或安装在其背侧表面上(背侧表面面向地面)，而诸如涂覆、烘烤、光刻、显影、蚀刻等的过程在相对的表面上进行。如此，工作表面通常面向上，因而是与背侧表面相对的“上表面”。然后上表面是指与背侧表面相对的表面，换言之，是指工作表面。在一些制造过程(例如电镀)中，基板可以竖直地保持。在这种竖直配置中，工作表面面向侧面，并且因此上表面面向侧面，但仍然是上表面。

处理系统还可以包括被配置成识别基板的基于像素的CD标识的CD计量系统。图像投影系统可以使用激光检流计、数字光处理(DLP)装置或光栅光阀(GLV)装置以将图像投影到基板的工作表面上。可以使用可以通过位置调制光强度的任意图像投影装置。该系统可以包括被配置成在同一处理室中将液体组合物分散在基板的表面上的分散系统。该室可以定位在半导体制造工具内，该半导体制造工具包括将液体分散在旋转基板上的至少一个模块，并且包括具有用于加热基板的加热机构的至少一个模块。这种工具有时被称为涂覆机/显影机。在另一实施方式中，该室被定位在半导体制造工具内，该半导体制造工具包括被配置成将光致抗蚀剂分散在基板上的至少一个模块、被配置成将显影化学品分散在基板上的至少一个模块、测量CD的至少一个模块、以及被配置成烘烤基板的至少一个模块，如图8所示。其他系统可以实现为包括微镜投影系统或基于像素的投影系统的扫描器/步进工具。这样的实施方式可以被配置有为与光刻曝光堆叠分开的模块，或者被定位成在光刻曝光期间将图像投影在基板表面上的处理室。

在其他实施方式中，图像投影系统被配置成将给定图像逐行地投影到晶片的工作表面上。在另一实施方式中，图像投影系统被配置成通过使用一个或更多个镜将给定图像投影到晶片的工作表面上，所述一个或更多个镜被配置成使激光束跨工作表面移动并且改变指向基板的工作表面的每个像素的激光辐射的量。例如，这种图像投影系统可以包括使用激光检流计。图像投影系统可以被配置成将给定图像投影到基板的工作表面上小于例如30秒或60秒。可替选地，可以每秒多次将给定图像投影到基板的工作表面上。例如，激光检流计具有光栅扫描或基于光栅的投影机构。这种基于光栅的投影可以包括逐行地跨基板表面投影激光束。投影速度可以在从约每秒几百次到每几秒或更长时间一次的范围内。当激光检流计使给定激光束或UV光束跨基板移动时，激光束的强度可以在基板的工作表面上的每个像素位置或分辨率点处从零到100％变化。例如，声光调制器可以用于调制在给定基板表面上的每个点位置处的光强度。可替选地，也可以改变在给定像素位置处的投影辐射的驻留时间以提供期望的光剂量。

另一实施方式包括用于处理基板的方法。该方法包括将基板定位在基板保持器上。定位基板可以包括将基板容纳在半导体制造工具的模块中。该半导体制造工具可以包括在基板上分散光致抗蚀剂的至少一个模块。这样的制造工具可以包括用于将基板在处理模块之间自动移动的基板操作机构。然后，光经由被配置成随位置改变投影的光的振幅的基于网格的光投影系统而被投影到基板的表面上。使用阻挡一部分光的掩模或中间掩模来执行典型的光刻曝光，使得光的图案到达基板表面。与此相反，基于网格的光投影系统将光投影为点的阵列或矩阵，其中，每个投影点都可以打开或关闭和/或在频率或振幅方面变化。然后，投影的光根据基板上的位置通过在基板的表面上的基于基板标识变化的振幅而变化。将光投影到基板的表面上可以包括经由激光检流计或数字光处理(DLP)装置将图像投影到基板上。特定的投影图像可以基于对应于基板的属性或基板上的特征的预定标识。这种标识可以包括关键尺寸标识、热标识、光反射标识、表面能、X射线、微波等。生成的图像可以基于对应于基板的预定的或实时测量的关键尺寸(CD)标识，或对应于基板的预定的光刻曝光标识，这可以是光栅延迟或闪耀的结果。这样的标识可以补偿光栅扫描/曝光延迟和极紫外(EUV)闪耀。

注意，给定基板标识可以根据已经由特定工具、成套工具、和/或处理序列处理过的先前基板来识别。换句话说，可以针对被处理的基板实时计算基板标识，或根据给定微制造过程的标识的重复图案计算/观察基板标识。这种重复图案可能是由于所使用的特定工具和/或材料的制品导致的。基板属性可以包括光学属性、电学属性、机械属性、结构高度、膜厚度、温度等。

在一些实施方式中，激光检流计或数字光处理装置被配置成将独立可寻址像素的图像投影到基板的表面上。数字光处理装置可以被配置成改变每个独立可寻址像素的光强度。

另一实施方式包括一种处理基板的方法。基板被定位在处理室内的基板保持器上。在基于基板标识生成基于像素的图像的情况下，基于像素的图像经由数字控制的微镜投影装置被投影到基板的表面上。基板可以包括具有光反应剂的层，使得所投影的基于像素的图像使光反应剂在基板的给定点位置处基于投影的光的振幅和/或波长对于基于像素的图像起化学反应。换句话说，投影的光的图案可以有助于引起光反应剂产生酸、碱或其他溶解性变化的材料。基板标识可以对应于在基板表面上的温度的预定的热标识。投影基于像素的图像可以包括通过每个投影像素改变光的强度、持续时间和波长。

在另一实施方式中，处理基板的方法包括：将基板定位在半导体制造工具的基板保持器上；使用位于基板保持器内的加热机构对基板保持器上的基板进行加热；以及通过使用数字控制微镜投影装置将基于像素的图像投影到基板上来对基板的表面温度进行空间调节。基于像素的图像通过独立可寻址像素来改变光的振幅，并且投影的基于像素的图像基于基板的热标识。

另一实施方式包括：容纳具有使用嵌段共聚物的定向自组装的膜的基板。使用数字光投影将图像投影到基板膜上，使得图像根据空间投影图像来修改膜。施加嵌段共聚物的膜，并且自组装被激活或启动，使得共聚物组装成基于空间投影的(基于像素的)图像的图案。

在前面的描述中，已经阐述了具体的细节，例如处理系统的特定几何形状和其中使用的各种组件和过程的描述。然而，应当理解的是，本文中的技术可以以脱离这些具体的细节的其他实施方式进行实践，而这些细节是为了说明而不是限制的目的。本文所公开的实施方式已经参照附图进行了描述。类似地，为了说明的目的，已经对具体的附图标记、材料和配置进行了阐述，以便提供透彻的理解。然而，实施方式可以在没有这些具体细节的情况下实践。基本上具有相同的功能结构的组件由相同的附图标记来表示，因而可以省略任何多余的描述。

各种技术已经被描述为多个分立操作以有助于理解各种实施方式。描述的顺序不应该被理解为暗示这些操作一定是顺序相关的。实际上，这些操作不必以所呈现的顺序执行。所描述的操作可以以与所描述的实施方式不同的顺序来执行。在另外的实施方式中可以执行各种另外的操作和/或可以省略所描述的操作。

如本文使用的“基板”或“目标基板”一般地指根据本发明的正在被处理的物体。基板可以包括装置(特别是半导体或其他电子装置)的任何材料部分或结构，并且可以例如是基底基板结构，如半导体晶片、中间掩模或在基底基板结构上或上覆盖的层(如薄膜)。因此，基板不限于任何特定的基底结构、下面的层或上覆盖层、图案化或未图案化的，确切地说，是设想到包括任何这样的层或基底结构，以及层和/或基底结构的任意组合。描述可以参考特定类型的基板，但是这仅是为了说明的目的。

本领域的技术人员还将理解，在仍实现本发明的相同的目的的情况下，可以存在对以上说明的技术的操作进行的许多变型。这样的变型旨在由本公开内容的范围覆盖。如此，本发明的实施方式的前述描述并不旨在是限制性的。确切地说，对本发明的实施方式的任何限制呈现在所附的权利要求中。