技术总结
本发明公开了一种长程表面等离子激元波导耦合器，其特征是，包括顺序叠接的第一SiO2层、Ag层和第二SiO2层，所述第一SiO2层和第二SiO2层对称设置在Ag层的两面。这种耦合器能使入射光突破衍射极限，高效耦合进硅基光子器件中，能提高光纤与硅基光子器件之间的耦合效率，而且此种长程表面等离子激元波导耦合器结构简单，对于工艺要求低，易于加工，成本较低。
技术研发人员：肖经;刘平;韦启钦;王泉
受保护的技术使用者：桂林电子科技大学
文档号码：201710003556
技术研发日：2017.01.04
技术公布日：2017.05.31