显示装置及其制作方法和驱动方法和对置基板与流程

本公开的实施例涉及一种显示装置及其制作方法和驱动方法和对置基板。

背景技术：

液晶显示装置因具有功耗低的特性而倍受消费者青睐，适用于各种电子设备。它的主要原理是利用电场通过液晶控制透光性以显示图像。液晶显示装置所包括的像素电极和公共电极一般被称之为驱动电极。

像素电极和公共电极之间的电压差的绝对值被称为驱动电极的驱动电压，驱动电压的大小可以控制液晶分子的旋转程度，进而可以控制液晶显示装置的透光率。驱动电极的驱动电压的极性正负是相对于公共电极而言。当像素电极的电压高于公共电极的电压时称之为正极性，当像素电极的电压低于公共电极的电压时称之为负极性。驱动电极的极性可以控制液晶分子的旋转方向。

在实际显示过程中，若液晶分子在一种极性下持续工作较长时间，会导致液晶分子由于极化而被破坏且可能无法恢复。因此，需要每隔一段时间将驱动电压的极性进行反转，即将驱动电极上的电压改变，以使得驱动电压在正极性和负极性之间进行互换，例如使得像素电极的电压以公共电压为中心周期性变化。

技术实现要素：

本公开的一个实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括液晶盒、至少一个闪烁探测器和信号处理装置。至少一个闪烁探测器设置在所述液晶盒内的非显示区并配置为探测所述液晶盒中的光强；信号处理装置配置为通过根据所述闪烁探测器输出的信号强度调节驱动所述液晶盒的公共电压的大小来降低所述显示装置的闪烁值。

本公开的另一个实施例提供了一种显示装置的制作方法，该制作方法包括：形成液晶盒；提供闪烁探测器，所述闪烁探测器形成在所述液晶盒内的非显示区，并配置为探测所述液晶盒工作时的光强；提供信号处理装置，所述信号处理装置形成在所述液晶盒外，并配置为通过根据所述闪烁探测器输出的信号强度调节驱动所述液晶盒的公共电压的大小来降低所述显示装置的闪烁值。

本公开的再一个实施例提供了一种液晶显示装置的驱动方法，该驱动方法包括：探测液晶盒中的光强；通过根据闪烁探测器输出的信号强度调节驱动液晶盒的公共电压的大小来降低液晶显示装置的闪烁值。

本公开的再一个实施例提供了一种对置基板，该对置基板包括上偏光层和至少一个闪烁探测器，该至少一个闪烁探测器设置在对置基板中并位于上偏光层的出光侧。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，并非对本公开的限制。

图1是本公开一个实施例提供的一种显示装置的示例性框图；

图2(a)是本公开一个实施例提供的一种显示装置的平面示意图；

图2(b)是图2(a)所示的显示装置沿A-A’线的剖面示意图；

图3是本公开一个实施例提供的一种显示装置的另一种结构的剖面示意图；

图4是本公开一个实施例提供的一种显示装置的再一种结构的剖面示意图；

图5是本公开一个实施例提供的闪烁探测器的示例性结构图；

图6是本公开一个实施例提供的信号处理装置的示例性结构图；

图7是本公开另一个实施例提供的一种显示装置的示例性制作方法；

图8是本公开再一个实施例提供的一种显示装置的示例性驱动方法；

图9(a)是本公开再一个实施例提供的一种对置基板的剖面示意图；以及

图9(b)是本公开再一个实施例提供的一种对置基板的另一种结构的剖面示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述参考在附图中示出并在以下描述中详述的非限制性示例实施例，更加全面地说明本公开的示例实施例和它们的多种特征及有利细节。应注意的是，图中示出的特征不是必须按照比例绘制。本公开省略了已知材料、组件和工艺技术的描述，从而不使本公开的示例实施例模糊。所给出的示例仅旨在有利于理解本公开示例实施例的实施，以及进一步使本领域技术人员能够实施示例实施例。因而，这些示例不应被理解为对本公开的实施例的范围的限制。

除非另外特别定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。此外，在本公开各个实施例中，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。

发明人注意到，在公共电极的电压不等于像素电极在正负极性下的电压的平均值、进而使得正负极性下驱动电压不相等的情况下，液晶显示装置将会出现闪烁现象。例如，在公共电极的电压为1.5V，像素电极在正负极性下的电压分别为3V和-1V的情况下，正负极性下驱动电压分别为1.5V和2.5V，此时，液晶显示装置发光强度将随时间发生改变，由此出现闪烁现象。

由于液晶显示装置在极性反转驱动方式下会产生附加电场，使得实际的公共电压发生变化，进而使得正帧图像(即，驱动电压为正极性)和负帧图像(即，驱动电压为负极性)的显示亮度之间存在差异，因此液晶显示装置在极性反转驱动方式下存在闪烁漂移现象，也即是，在极性反转驱动方式下，使得闪烁值最低的公共电压数值会发生改变的现象。由于工艺波动或者材料特性变动等原因，每个显示装置闪烁漂移的程度不同，因此每个液晶显示装置在出厂前均需要调节公共电压设定值，以降低其闪烁程度，这增加了液晶显示装置的制造时间和成本。

本公开的实施例提供了一种显示装置及其制作方法和驱动方法、显示装置和对置基板，通过基于闪烁探测器探测到的液晶盒内的光强信号自动调节公共电压，自动降低了液晶显示装置的闪烁值。

本公开的至少一个实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括液晶盒、至少一个闪烁探测器和信号处理装置。至少一个闪烁探测器设置在液晶盒内的非显示区，并配置为探测液晶盒中的光强；信号处理装置配置为通过根据闪烁探测器输出的信号强度调节驱动液晶盒的公共电压的大小来降低显示装置的闪烁值。该信号处理装置例如设置在液晶盒外。

例如，图1是本公开一个实施例提供的一种显示装置10的示例性框图。如图1所示，该显示装置10包括液晶盒110、至少一个闪烁探测器120和信号处理装置130。

例如，至少一个闪烁探测器120可以设置在液晶盒110内的非显示区，并配置为探测液晶盒110中的光强。例如，液晶盒110内的闪烁探测器120的位置和数目可以根据实际应用需求进行设定，本申请的实施例对此不做具体限定。

例如，液晶盒110可以包括阵列基板111和与阵列基板111相对设置的上偏光层112，闪烁探测器120可以设置在上偏光层112的远离阵列基板111的一侧。

例如，图2(a)是本公开一个实施例提供的一种显示装置10的平面示意图；图2(b)是图2(a)所示的显示装置10沿A-A’线的剖面示意图。如图2(a)和图2(b)所示，液晶盒110可以包括从下至上顺次设置的下偏光层118、阵列基板111、液晶层113、偏振方向与下偏光层118的偏振方向垂直的上偏光层112以及滤色片层等。例如，滤色片层包括阵列布置的滤色片115和设置在相邻滤色片115之间的黑矩阵114。例如，该滤色片115可用于过滤白光获取特定颜色的光线，以实现彩色显示。例如，该黑矩阵114可以用于遮挡阵列基板111上的像素电极之间的间隙的光线并提升图像对比度。

例如，如图2(b)所示，闪烁探测器120可以设置在黑矩阵114的靠近上偏光层112的一侧，并可以配置为探测液晶盒110中的透过上偏光层的偏振光的光强，此时，该闪烁探测器120设置在液晶盒110内的非显示区。例如，如图2(a)所示，该显示装置10可以包括至少一个中心闪烁探测器121，例如，一个中心闪烁探测器121可以设置在液晶盒110的中心处；或者，还可以例如在液晶盒的1/4高度、1/4宽度位置处设置一个中心闪烁探测器121，在3/4高度、3/4宽度位置处设置一个中心闪烁探测器121等。该显示装置10还可以包括四个边缘闪烁探测器122，该四个边缘闪烁探测器122可以设置在液晶盒110的4个边角处。例如，所述中心处和所述边角处均位于液晶盒110内的非显示区。

例如，可以根据实际应用需求选择闪烁探测器120的材料、结构和形成方式，本申请的实施例对此不做具体限定。

例如，该闪烁探测器120可以包括光电感应材料。例如，该光电感应材料可以为硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、硅(Si)、锗(Ge)、氧化锌(ZnO)、氧化亚镍(NiO)以及其它适用的材料。又例如，硅材料可以为多晶硅或非晶硅等。

例如，如图5所示，该闪烁探测器120可以包括具有光敏特性的PN结以及分别设置在该具有光敏特性的PN结两侧的上电极层143和下电极层144。例如，该具有光敏特性的PN结的结构可以包括相互接触的P型半导体层141和N型半导体层142。例如，该具有光敏特性的PN结的形成材料和形成方式可以根据实际应用需求进行选择，本申请的实施例对此不做具体限定。例如，该具有光敏特性的PN结可以为由相同半导体材料通过例如掺杂形成的同质结型PN结。又例如，该闪烁探测器120可以为由不同半导体材料(光电感应材料)通过例如外延生长、真空淀积等技术形成的异质结PN结。例如，形成P型半导体层141的材料可以包括氧化亚镍(NiO)。例如，形成N型半导体层142的材料可以为氧化锌(ZnO)；又例如，该P型半导体层141以及N型半导体层142分别为p掺杂和n掺杂的多晶硅层。例如，形成上电极层143和下电极层144的材料可以包括透明导电材料，例如，该透明导电材料可以为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。

例如，该闪烁探测器120可以在制造液晶盒110的过程中形成，例如通过构图工艺制备于与阵列基板相对设置的对置基板(例如彩膜基板)上，所得到的闪烁探测器120通过制备的引线可以与信号处理装置等电连接。又例如，该闪烁探测器120还可以在制造液晶盒110之前形成，并可以通过焊接、卡接、粘胶等方式设置在上偏光层112的远离阵列基板111的一侧。

例如，为了使得滤色片层的靠近上偏光层112的一侧平坦化，液晶盒110还可以包括平坦层116，该平坦层116可以设置在滤色片115靠近上偏光层112的一侧。例如，平坦层116可以采用无机或有机材料形成。例如，平坦层116层可以采用有机树脂、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiNxOy)或者氮化硅(SiNx)形成。

例如，为了提供支撑和防护作用，液晶盒110还可以包括衬底基板117。例如，衬底基板117可以设置在滤色片层的远离液晶层113的一层。例如，衬底基板117可以是玻璃基板、石英基板、塑料基板(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板)或者由其它适合的材料制成的基板。显然，本公开实施例的衬底基板117的设置位置不限于图2(b)所示的情形，例如，如图3所示，衬底基板117还可以设置在上偏光层112的靠近液晶层113的一侧，而上偏光层112、平坦层116、滤色片115、黑矩阵114等形成在该衬底基板117上，本申请的实施例对此不做具体限定。

例如，该显示装置10还可以包括信号处理装置130。例如，该信号处理装置130可以设置在液晶盒110外，并配置为通过根据闪烁探测器120输出的信号强度调节驱动液晶盒110的公共电压的大小来降低显示装置10的闪烁值。例如，根据实际应用需求，该信号处理装置130的功能可以通过模拟电路、数字电路、或者模拟电路和数字电路的结合来实现，或者信号处理装置130还可以包括处理器(例如X86处理器或ARM处理器)和存储器而且储存器上存储有可以由处理器执行以实现信号采集、比较等功能的计算机程序、代码，本申请的实施例对此不做具体限定。下面以该信号处理装置130的功能主要通过模拟电路实现为例对该信号处理装置130进行详细阐述，但本申请的实施例提供的信号处理装置130不限于此。

例如，该信号处理装置130可以包括闪烁值获取单元131、闪烁值比较单元132和公共电压调节单元133。例如，根据实际应用需求，该信号处理装置130还可以包括闪烁值信号放大单元134。例如，实现闪烁值获取单元131、闪烁值信号放大单元134、闪烁值比较单元132和公共电压调节单元133可以由相应的电路实现，并且可以根据实际应用需求进行设定，本申请的实施例对此不做具体限定。例如，公共电压调节单元133可以为电压发生电路或电压输出电路等。

例如，闪烁值获取单元131可以配置为基于闪烁探测器120输出的信号强度获取显示装置10的闪烁值信号，闪烁值信号对应于正帧图像和负帧图像下液晶盒110内光强的差值。例如，如图6所示，该闪烁值获取单元131可以包括电容器。

例如，在公共电极的电压不等于像素电极在正负极性下电压的平均值的情况下，闪烁探测器120输出的信号(例如，电压信号)将随时间不断变化(例如，正负帧图像下的输出电压分别为V1和V2)。由于电容器具有“通交流、隔直流”的功能，电容器可以获取正负帧图像下输出电压的差值V1-V2，所述输出电压的差值V1-V2对应于正负帧图像下液晶盒110内光强的差值，也即是该电容器可以获取显示装置10的闪烁值信号。

例如，本申请实施例提供的闪烁值获取单元131不限于使用电容器实现，根据实际需求，闪烁值获取单元131还可以使用由运算放大器构成的求差电路实现，求差电路的具体结构和原理可以参照常规的模拟电路，在此不再赘述。

又例如，闪烁值获取单元131可以包括模数转换电路，以将闪烁探测器120检测到的模拟信号(例如可以为经放大之后的信号)转换为数字信号，并且该数字信号后续被闪烁值比较单元132用于进行运算、比较，且比较结果被公共电压调节单元133用于调节施加到液晶盒的公共电压的大小。

例如，基于图6所示的示例，在显示装置10的液晶盒110设置了多个闪烁探测器120的情况下，可以针对每个闪烁探测器120设置一个电容器，每个电容器可以获取所对应的闪烁探测器120在正负帧图像下输出电压的差值。可以将多个电容器在正负帧图像下输出电压的差值的求和值或平均值作为显示装置10的闪烁值信号。例如，在使用多个电容器在正负帧图像下输出电压的差值的求和值作为显示装置10的闪烁值信号的情况下，可以使用由运算放大器构成的求和电路获取所述求和值，求和电路具体结构和原理可以参照常规的模拟电路，在此不再赘述。

例如，闪烁值信号放大单元134可以配置为放大闪烁值获取单元131输出的闪烁值信号，并将放大后的闪烁值信号传递给闪烁值比较单元132。例如，如图6所示，闪烁值放大单元可以为负反馈放大电路，采用负反馈放大电路可以提升闪烁值信号放大单元134的信号放大的稳定性。例如，闪烁值放大单元可以包括第一运算放大器150、第一电阻154和第二电阻155。

例如，第一运算放大器150包括第一运放同相输入端151、第一运放反相输入端152和第一运放输出端153，第一运放同相输入端151接地。例如，第一运算放大器150的类型可以根据实际应用需求进行选择，例如，第一运算放大器150可以设置为低温漂型精密运算放大器，由此可以进一步的提升闪烁值信号放大单元134的信号放大的稳定性。

例如，第一电阻154可以设置于闪烁值获取单元131的输出端和第一运放反相输入端152之间。第二电阻155可以设置于第一运放反相输入端152之间和第一运放输出端153之间。例如，第一电阻154和第二电阻155的阻值可以根据闪烁值信号放大单元134所需的放大倍数进行设定。例如，在闪烁值信号放大单元134所需的放大倍数为20倍的情况下，第一电阻154和第二电阻155的阻值可以分别设置为100千欧姆和5千欧姆。

例如，本申请实施例提供的闪烁值信号放大单元134不限于负反馈放大电路，根据实际需求，闪烁值信号放大单元134还可以设置为正反馈放大电路，本申请的实施例对此不做具体限定。

例如，闪烁值比较单元132可以配置为判定闪烁值获取单元131输出的闪烁值信号数值是否大于设定的参考信号数值，并输出闪烁值判断信号。例如，如图6所示，闪烁值比较单元132可以为第二运算放大器160，例如，第二运算放大器160的类型可以根据实际应用需求进行选择，例如，第二运算放大器160可以设置为低温漂型精密运算放大器，由此可以提升闪烁值比较单元132的输出信号的精度和稳定性。

例如，第二运算放大器160可以包括第二运放同相输入端161、第二运放反相输入端162和第二运放输出端163。例如，闪烁值信号(例如，电压信号)和设定的参考信号(例如，参考电压信号)可以分别由第二运放同相输入端161(“+”端)和第二运放反相输入端162(“-”端)输入运算放大器或者分别由第二运放反相输入端162和第二运放同相输入端161输入运算放大器，第二运放输出端163可以输出基于闪烁值信号和设定的参考信号获取的闪烁值判断信号。

例如，在闪烁值信号和设定的参考信号分别由第二运放同相输入端161和第二运放反相输入端162输入运算放大器情况下，由运算放大器的传输特性可知，在闪烁值信号数值大于设定的参考信号数值的情况下，第二运放输出端163所输出的闪烁值判断信号(例如，电压信号)为正信号(例如，输出正电压)；在闪烁值信号数值小于设定的参考信号数值的情况下，第二运放输出端163所输出的闪烁值判断信号为负信号。又例如，在闪烁值信号和设定的参考信号分别由第二运放反相输入端162和第二运放同相输入端161输入运算放大器情况下，由运算放大器的传输特性可知，在闪烁值信号数值大于设定的参考信号数值的情况下，第二运放输出端163所输出的闪烁值判断信号为负信号，在闪烁值信号数值小于设定的参考信号数值的情况下，第二运放输出端163所输出的闪烁值判断信号为正信号。由此，可以判定闪烁值获取单元131输出的闪烁值信号数值是否大于设定的参考信号数值。

例如，本申请实施例提供的闪烁值比较单元132不限于由单个运算放大器实现，根据实际需求，闪烁值比较单元132还可以由运算放大器构成的求差电路实现，求差电路的具体结构和原理可以参照常规的模拟电路，在此不再赘述。

例如，公共电压调节单元133可以配置为在闪烁值判断信号表示闪烁值获取单元131输出的闪烁值信号大于设定的参考信号数值时，调节驱动液晶盒110的公共电压的大小来降低显示装置10的闪烁值。例如，公共电压调节单元133可以配置为在闪烁值判断信号表示闪烁值获取单元131输出的闪烁值信号大于设定的参考信号数值的情况下，可以将驱动液晶盒110的公共电压的数值调大/调小，如果闪烁值获取单元131输出的闪烁值信号减弱，将驱动液晶盒110的公共电压的数值继续调大/调小，直至闪烁值获取单元131输出的闪烁值信号增强；如果闪烁值获取单元131输出的闪烁值信号增强，将驱动液晶盒110的公共电压的数值调小/调大，如果闪烁值获取单元131输出的闪烁值信号减弱，将驱动液晶盒110的公共电压的数值继续调大/调小，直至闪烁值获取单元131输出的闪烁值信号增强；如果闪烁值获取单元131输出的闪烁值信号增强，并且在将驱动液晶盒110的公共电压的数值调小/调大的情况下，闪烁值获取单元131输出的闪烁值信号也是增强，保持驱动液晶盒110的公共电压的数值不变。例如，驱动液晶盒110的公共电压的数值的单次调节幅度可以根据实际应用需求进行设定，例如，公共电压的数值的单次调节幅度可以设置为0.05V。

例如，该显示装置10可以通过设置在液晶盒110内的非显示区的上偏光层112的远离阵列基板111的一侧的至少一个闪烁探测器120，探测液晶盒110中的透过上偏光层112的光强；并基于闪烁探测器120输出的信号强度、利用设置在液晶盒110外的信号处理装置130调节驱动液晶盒110的公共电压的大小，以降低正负帧图像下的驱动电压的差值以及正负帧图像下的液晶分子旋转程度的差异，进而可以降低偏振光的偏振方向在正负帧图像下的旋转角度的差异以及闪烁探测器120在正负帧图像下所探测到光强的差异，由此可以自动降低显示装置10的闪烁值。

例如，闪烁探测器120在液晶盒110中的设置位置不限于图2(b)和图3所示的情形，还可以是如图4所示的情形，也即是闪烁探测器120无需设置在上偏光层112的远离液晶层113的一侧。例如，液晶盒110还可以包括封框胶171和垫隔物172。例如，封框胶171可以设置在液晶盒110的周边区域，并用于将液晶层113中的液晶分子限制在液晶盒110中。例如，垫隔物172可以设置在阵列基板111和上偏光层112之间，并用于保持阵列基板111和上偏光层112之间的间距。例如，闪烁探测器120可以设置在封框胶171的靠近液晶层113的一侧和/或垫隔物172的侧面。又例如，液晶盒可以包括液晶层、衬底基板、黑矩阵和上偏光层。上偏光层设置在衬底基板的远离液晶层的一侧，黑矩阵设置在衬底基板的靠近液晶层的一侧，闪烁探测器设置在黑矩阵靠近液晶层的一侧。

例如，该显示装置10可以通过设置在上述位置的至少一个闪烁探测器120，探测液晶盒110中的光强；并基于闪烁探测器120输出的信号强度、利用设置在液晶盒110外的信号处理装置130调节驱动液晶盒110的公共电压的大小，以降低正负帧图像下的驱动电压的差值以及正负帧图像下的液晶分子旋转程度的差异，进而可以降低正负帧图像下、液晶分子对偏振光的吸收量和/或散射量的差异以及闪烁探测器120在正负帧图像下所探测到光强的差异，由此可以自动降低显示装置10的闪烁值。

例如，所述显示装置所包含的元件可以根据实际应用需求进行设定，本申请的实施例对此不做具体限定。例如，所述显示装置可以仅包括液晶盒、闪烁探测器和信号处理装置。又例如，所述显示装置还可以包括例如图像数据编码/解码装置、行扫描驱动器、列扫描驱动器、时钟电路等。需要说明的是，图2-图4仅是示例性的示出了本公开实施例提供的显示装置10的结构，对于该显示装置10的其它必不可少的组成部分(例如，液晶取向层)均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不再赘述，也不应作为对本发明实施例的限制。

例如，基于同一发明构思，本公开的至少一个实施例提供了一种显示装置的制作方法，该显示装置的制作方法包括：形成液晶盒；提供闪烁探测器，该闪烁探测器形成在液晶盒内的非显示区，并配置为探测液晶盒工作时的光强；提供信号处理装置，该信号处理装置配置为通过根据闪烁探测器输出的信号强度调节驱动液晶盒的公共电压的大小来降低显示装置的闪烁值。

例如，图7是本公开另一个实施例提供的一种显示装置的制作方法的流程图，如图7所示，该制作方法可以包括以下步骤：

步骤S10：形成液晶盒；

步骤S20：提供闪烁探测器；

步骤S30：提供信号处理装置。

例如，在步骤S10中，液晶盒的结构可根据实际应用需求进行设定，本申请的实施例对此不做具体限定。例如，液晶盒可以包括阵列基板和与阵列基板相对设置的上偏光层。例如，液晶盒可以包括顺次设置的下偏光层、阵列基板、液晶层、偏振方向与下偏光层的偏振方向垂直的上偏光层以及滤色片层。例如，滤色片层包括阵列布置的滤色片和设置在相邻滤色片之间的黑矩阵。例如，液晶盒还可以包括封框胶和垫隔物。例如，封框胶可以设置在液晶盒的周边区域，并用于将液晶层中的液晶分子限制在液晶盒中。例如，垫隔物可以设置在阵列基板和上偏光层之间，并用于保持阵列基板和上偏光层之间的间距。

例如，在步骤S20中，闪烁探测器可以设置在液晶盒内的非显示区，并配置为探测液晶盒中的光强。例如，液晶盒内的闪烁探测器的位置和数目可以根据实际应用需求进行设定，本申请的实施例对此不做具体限定。

例如，闪烁探测器可以设置在上偏光层的远离阵列基板的一侧(例如，闪烁探测器可以设置在黑矩阵的靠近上偏光层的一侧)，并可以配置为探测液晶盒中的透过上偏光层的光强，此时，该闪烁探测器设置在液晶盒内的非显示区。又例如，闪烁探测器还可以设置在封框胶的靠近液晶层的一侧和/或垫隔物的侧面，并可以配置为探测液晶盒中的光强。例如，当通过构图工艺在液晶盒中与阵列基板相对设置的对置基板上形成闪烁探测器时，可以首先通过一次构图工艺形成闪烁探测器第一电极以及与之电连接的第一引线，然后通过第二次构图工艺形成彼此层叠的PN结，该PN结与第一电极电连接，最后通过第三次构图工艺形成第二电极以及与之电连接的第二引线，该PN结第二电极电连接。

例如，该显示装置可以包括至少一个中心闪烁探测器，该中心闪烁探测器可以设置在液晶盒的中心处。该显示装置还包括四个边缘闪烁探测器，该四个边缘闪烁探测器可以设置在液晶盒的4个边角处。例如，所述中心处和所述边角处均位于液晶盒内的非显示区。

例如，闪烁探测器的材料、结构和形成方式可以参见显示装置的实施例，在此不做赘述。

例如，在步骤S30中，信号处理装置配置为通过根据闪烁探测器输出的信号强度调节驱动液晶盒的公共电压的大小来降低显示装置的闪烁值。例如，信号处理装置可以设置在液晶盒外。例如，根据实际应用需求，该信号处理装置的功能可以通过模拟电路、数字电路、或者模拟电路和数字电路的结合来实现，也可以采用其他适当的方式，本申请的实施例对此不做具体限定。下面以该信号处理装置的功能主要通过模拟电路实现为例对该信号处理装置进行详细阐述，但本申请的实施例提供的信号处理装置不限于此。

例如，该信号处理装置可以包括闪烁值获取单元、闪烁值比较单元和公共电压调节单元。例如，根据实际应用需求，该信号处理装置还可以包括闪烁值信号放大单元。例如，实现闪烁值获取单元、闪烁值信号放大单元、闪烁值比较单元和公共电压调节单元的电路的具体结构和工作原理可以参见显示装置的实施例，在此不做赘述。

例如，该显示装置可以通过设置在液晶盒内的非显示区的至少一个闪烁探测器，探测液晶盒中的光强；并基于闪烁探测器输出的信号强度、利用设置在例如液晶盒外的信号处理装置调节驱动液晶盒的公共电压的大小，以降低正负帧图像下的驱动电压的差值以及正负帧图像下的液晶分子旋转程度的差异，进而可以降低偏振光的偏振方向在正负帧图像下的旋转角度的差异和/或正负帧图像下液晶分子对偏振光的吸收量和/或散射量的差异，以及闪烁探测器在正负帧图像下所探测到光强的差异，由此可以自动降低显示装置的闪烁值。

例如，基于同一发明构思，本公开的至少一个实施例提供了一种显示装置的驱动方法，该显示装置的驱动方法包括探测液晶盒中的光强，以及通过根据闪烁探测器输出的信号强度调节驱动液晶盒的公共电压的大小来降低显示装置的闪烁值。

例如，图8是本公开再一个实施例提供的一种显示装置的驱动方法的流程图，如图8所示，该驱动方法可以包括以下步骤：

步骤S100：探测液晶盒中的光强；以及

步骤S200：通过根据闪烁探测器输出的信号强度调节驱动液晶盒的公共电压的大小来降低显示装置的闪烁值。

例如，可以通过设置在液晶盒内的非显示区的至少一个闪烁探测器，探测液晶盒中的光强；基于闪烁探测器输出的信号强度、利用设置在例如液晶盒外的信号处理装置调节驱动液晶盒的公共电压的大小，以降低正负帧图像下的驱动电压的差值以及正负帧图像下的液晶分子旋转程度的差异，进而可以降低偏振光的偏振方向在正负帧图像下的旋转角度的差异和/或正负帧图像下液晶分子对偏振光的吸收量和/或散射量的差异，以及闪烁探测器在正负帧图像下所探测到光强的差异，由此可以自动降低显示装置的闪烁值。

本公开的至少一个实施例提供了一种对置基板，该对置基板可以包括上偏光层和至少一个闪烁探测器。该至少一个闪烁探测器可以设置在对置基板中并位于上偏光层的出光侧。

图9(a)是本公开再一个实施例提供的一种对置基板200的剖面示意图，图9(b)是本公开再一个实施例提供的一种对置基板200的另一种结构的剖面示意图。例如，如图9(a)和图9(b)所示，该对置基板200可以包括上偏光层210和滤波片层。例如，滤色片层包括阵列布置的滤色片232和设置在相邻滤色片232之间的黑矩阵231。例如，该滤色片232可用于过滤白光获取特定颜色的光线，以实现彩色显示。例如，黑矩阵231可以用于遮挡阵列基板上的像素电极之间的间隙的光线并提升图像对比度。

例如，闪烁探测器220可以设置在黑矩阵231的靠近上偏光层210的一侧，并可以配置为探测液晶盒中的光强，此时，该闪烁探测器220设置在液晶盒内的非显示区。

例如，为了使得滤色片232的靠近上偏光层210的一侧平坦化，液晶盒还可以包括平坦层233，该平坦层233可以设置在滤色片232靠近上偏光层210的一侧。例如，为了提供支撑和防护作用，液晶盒还可以包括衬底基板234。例如，如图9(a)所示，衬底基板234可以设置在滤色片232的远离上偏光层210的一侧。又例如，如图9(b)所示，衬底基板234还可以设置在上偏光层210的远离滤色片232的一侧。

显然，图9(a)和图9(b)仅是示例性的示出，本公开再一个实施例提供的对置基板200的结构，本公开再一个实施例提供的对置基板的结构不限于图9(a)和图9(b)所示的情形。例如，该对置基板可以包括衬底基板、设置在衬底基板上的滤色片层和闪烁探测器。例如，滤色片层包括阵列布置的滤色片和设置在相邻滤色片之间的黑矩阵。例如，该闪烁探测器可以设置在黑矩阵的远离衬底基板的一侧。

本公开的实施例提供了一种显示装置及其制作方法和驱动方法、显示装置和对置基板，通过基于闪烁探测器探测到的液晶盒内的光强信号自动调节公共电压，自动降低了液晶显示装置的闪烁值。

虽然上文中已经用一般性说明及具体实施方式，对本公开作了详尽的描述，但在本公开实施例基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本公开精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本公开要求保护的范围。