MEMS光学器件、光吸收纳米结构及其制备方法与流程

技术特征：

技术总结
本公开提供了一种MEMS光学器件、光吸收纳米结构及其制备方法。其中，所述光吸收纳米结构的制备方法，包括以下步骤：提供基底；在所述基底上形成聚合物层；利用所述聚合物层形成纳米森林结构；以及在所述纳米森林结构上覆盖金属纳米颗粒或金属纳米薄膜。本公开结合了纳米森林结构的陷光效应和金属纳米结构的表面等离激元效应，实现了宽光谱高吸收功能。

技术研发人员：杨宇东;毛海央
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2017.11.28
技术公布日：2018.05.04