一种阵列基板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，更为具体的说，涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术：

随着信息技术的发展，液晶显示器在信息科学的各个方面得到了广泛的应用，例如，由于薄膜晶体管液晶显示器具有轻、薄、耗电低等优点，被广泛应用于电视、笔记本电脑、移动电话、个人数字助理等现代信息设备中。目前，液晶显示器在市场上的应用越来越重要。阵列基板为液晶显示装置的重要组成部件之一，其包括有多条栅极线和多条数据线，且栅极线和数据线交叉限定多个像素单元。其中，每一像素单元中包括有一驱动晶体管和一像素电极。在显示画面时，栅极线驱动晶体管导通，而后晶体管将数据线发送的信号传输至像素电极，一达到显示画面的目的。由于驱动晶体管区域为遮光区域，故而驱动晶体管的结构设计直接影响像素单元的开口率，因此对驱动晶体管的结构设计是现今技术人员的主要研究方向之一。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型提供了一种阵列基板及显示装置，驱动晶体管的半导体层包括条形部、第一连接部和第二连接部三部分组成，将条形部设置于像素电极在第一方向上的一侧，以将栅极与条形部的交叠区域设置于像素电极在第一方向上的一侧，以提高像素电极在第一方向上两侧的利用率，而可以使像素电极在第二方向上扩大面积，进而提升像素单元的开口率，提高显示装置的显示效果。

为实现上述目的，本实用新型提供的技术方案如下：

一种阵列基板，包括沿第一方向排列的多个像素电极列和多条数据线，每一所述数据线对应一所述像素电极列，且所述数据线沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向交叉，所述数据线通过一驱动晶体管与相应所述像素电极列中一像素电极相连，其中，所述驱动晶体管包括：

半导体层，所述半导体层包括沿第二方向延伸的条形部、在所述第二方向上与所述条形部的第一端连通的第一连接部和在所述第一方向上与所述条形部的第二端连通的第二连接部；

与所述条形部绝缘交叠设置的栅极；

以及，与所述第一连接部接触设置的第一电极，和与所述第二连接部接触设置的第二电极，其中，所述第一电极连接所述数据线，所述第二电极连接所述像素电极。

可选的，在所述第二方向上，所述第二连接部位于所述像素电极列中，相邻两个像素电极之间的区域。

可选的，所述栅极包括与所述条形部绝缘交叠、且沿所述第二方向排列的第一交叠部和第二交叠部，和连通所述第一交叠部和第二交叠部的连通部。

可选的，所述连通部将所述第一交叠部和第二交叠部的同侧一端相连，其中，所述第一交叠部、第二交叠部和连通部组成的栅极呈U形。

可选的，在所述阵列基板的出光方向上，位于所述半导体层下方还设置有遮光层；

其中，所述遮光层与所述条形部交叠。

可选的，所述数据线与所述第一电极位于同一金属层，所述数据线复用所述第一电极，且所述数据线在所述第二方向上与所述条形部交叠设置。

可选的，每一所述像素电极列沿所述第二方向均包括第一像素电极至第N像素电极，N为不小于1的整数；

其中，在与所有所述像素电极列的第i像素电极连接的所有驱动晶体管中，分别与相邻两所述第i像素电极连接的两个驱动晶体管，其分别对应的栅极相互连接，以形成所述阵列基板的第i栅极线，i为不大于N的正整数。

可选的，在所述栅极呈U形时，连接到所述第i栅极线的相邻两个所述栅极，其U形的开口朝向相反。

可选的，所述多个像素电极列定义为第一像素电极列至第M像素电极列，且每一所述像素电极列沿所述第二方向均包括第一像素电极至第N像素电极，N为不小于1的整数，M为不小于2的整数；

其中，所有偶数的像素电极列的所有像素电极呈阵列排列，所有奇数的像素电极列的所有像素电极呈阵列排列，且所述偶数的像素电极列的第i像素电极所在区域，与所述奇数的像素电极列的第i像素电极所在区域在所述第二方向上错位排列，i为不大于N的正整数。

可选的，连接到所述第i栅极线的相邻两个栅极通过一连接线相连通；

其中，在连接到所述第i栅极线的相邻两个所述连接线中，一所述连接线位于与其相应的像素电极列的所述第i像素电极和第i+1像素电极之间，另一所述连接线自与其相应的像素电极列的所述第i像素电极所在区域绝缘横穿。

可选的，所述阵列基板包括：

承载基板；

位于所述承载基板一侧的有源层，所述有源层包括所述半导体层；

位于所述有源层背离所述承载基板一侧的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层背离所述承载基板一侧的第一金属层，所述第一金属层包括所述栅极；

位于所述第一金属层背离所述承载基板一侧的隔离层；

以及，位于所述隔离层背离所述承载基板一侧的第二金属层，所述第二金属层包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极和第二电极分别通过过孔与所述第一连接部和第二连接部相接触设置。

可选的，所述阵列基板包括：

承载基板；

位于所述承载基板一侧的第一金属层，所述第一金属层包括所述栅极；

位于所述第一金属层背离所述承载基板一侧的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层背离所述承载基板一侧的有源层，所述有源层包括所述半导体层；

位于所述有源层背离所述承载基板一侧的第二金属层，所述第二金属层包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极和第二电极分别与所述第一连接部和第二连接部相接触设置。

相应的，本实用新型还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的阵列基板。

相较于现有技术，本实用新型提供的技术方案至少具有以下优点：

本实用新型提供了一种阵列基板及显示装置，包括沿第一方向排列的多个像素电极列和多条数据线，每一所述数据线对应一所述像素电极列，且所述数据线沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向交叉，所述数据线通过一驱动晶体管与相应所述像素电极列中一像素电极相连，其中，所述驱动晶体管包括：半导体层，所述半导体层包括沿第二方向延伸的条形部、在所述第二方向上与所述条形部的第一端连通的第一连接部和在所述第一方向上与所述条形部的第二端连通的第二连接部；与所述条形部绝缘交叠设置的栅极；以及，与所述第一连接部接触设置的第一电极，和与所述第二连接部接触设置的第二电极，其中，所述第一电极连接所述数据线，所述第二电极连接所述像素电极。

由上述内容可知，本实用新型提供的技术方案，驱动晶体管的半导体层包括条形部、第一连接部和第二连接部三部分组成，将条形部设置于像素电极在第一方向上的一侧，以将栅极与条形部的交叠区域设置于像素电极在第一方向上的一侧，以提高像素电极在第一方向上两侧的利用率，而可以使像素电极在第二方向上扩大面积，进而提升像素单元的开口率，提高显示装置的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1a为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图1b为图1a中一驱动晶体管区域的结构示意图；

图2a为本申请实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图2b为图2a中一驱动晶体管区域的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种数据线和半导体层的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种栅极线的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的一种顶栅型阵列基板的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的一种底栅型阵列基板的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

正如背景技术所述，阵列基板为液晶显示装置的重要组成部件之一，其包括有多条栅极线和多条数据线，且栅极线和数据线交叉限定多个像素单元。其中，每一像素单元中包括有一驱动晶体管和一像素电极。在显示画面时，栅极线驱动晶体管导通，而后晶体管将数据线发送的信号传输至像素电极，以达到显示画面的目的。由于驱动晶体管区域不能进行显示，为遮光区域，故而驱动晶体管的结构设计直接影响像素单元的开口率，因此对驱动晶体管的结构设计是现今技术人员的主要研究方向之一。

基于此，本申请实施例提供了一种阵列基板及显示装置，驱动晶体管的半导体层包括条形部、第一连接部和第二连接部三部分组成，将条形部设置于像素电极在第一方向上的一侧，以将栅极与条形部的交叠区域设置于像素电极在第一方向上的一侧，以提高像素电极在第一方向上两侧的利用率，而可以使像素电极在第二方向上扩大面积，进而提升像素单元的开口率，提高显示装置的显示效果。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，具体结合图1a至图8所示，对本申请实施例提供的技术方案进行详细的描述。

结合图1a和图1b所示，图1a为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图1b为图1a中一驱动晶体管区域的结构示意图，其中，阵列基板包括：

沿第一方向X排列的多个像素电极列P和多条数据线Data，每一所述数据线Data对应一所述像素电极列P，且所述数据线Data沿第二方向Y延伸，所述第一方向X和第二方向Y交叉，所述数据线Data通过一驱动晶体管TFT与相应所述像素电极列中一像素电极Pi相连，其中，所述驱动晶体管TFT包括：

半导体层100，所述半导体层100包括沿第二方向Y延伸的条形部110、在所述第二方向Y上与所述条形部110的第一端连通的第一连接部101和在所述第一方向X上与所述条形部110的第二端连通的第二连接部102；

与所述条形部110绝缘交叠设置的栅极200；

以及，与所述第一连接部101接触设置的第一电极301，和与所述第二连接部102接触设置的第二电极302，其中，所述第一电极连301接所述数据线Data，所述第二电极302连接所述像素电极Pi。

在显示装置中，像素电极在第一方向X上的两侧均对应为非透光区域，该侧区域可以设计一些部件结构，以充分对其进行利用。故而，由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，驱动晶体管的半导体层包括条形部、第一连接部和第二连接部三部分组成，将条形部设置于像素电极在第一方向上的一侧，以将栅极与条形部的交叠区域设置于像素电极在第一方向上的一侧，以提高像素电极在第一方向上两侧的利用率，而可以使像素电极在第二方向上扩大面积，进而提升像素单元的开口率，提高显示装置的显示效果。

在本申请一实施例中，具体参考图1a所示，在所述第二方向Y上，所述第二连接部102位于所述像素电极列中，相邻两个像素电极Pi之间的区域。此外，第二连接部102还可以为与其他区域，对此本申请不做具体限制，需要根据实际应用进行设计。

在本申请一实施例中，驱动晶体管TFT可以优选为双沟道驱动晶体管，即参考图1b所示，所述栅极200包括与所述条形部110绝缘交叠、且沿所述第二方向Y排列的第一交叠部201和第二交叠部202，和连通所述第一交叠部201和第二交叠部202的连通部203。

其中，本申请实施例提供的所述连通部203将所述第一交叠部201和第二交叠部202的同侧一端相连，其中，所述第一交叠部201、第二交叠部202和连通部203组成的栅极200呈U形。采用U形设计，呈双栅结构，可以减小驱动晶体管TFT的漏电流，提高驱动晶体管TFT的稳定性，提升显示性能。

进一步的，为了避免驱动晶体管TFT受光照影响，且保证驱动晶体管TFT的导通和截止能力更强，在本申请一实施例中，还可以在半导体层下方设置一遮光层。具体结合图2a和图2b所示，图2a为本申请实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，图2b为图2a中一驱动晶体管区域的结构示意图，其中，在所述阵列基板的出光方向上，位于所述半导体层100下方还设置有遮光层400；

其中，所述遮光层400与所述条形部110交叠。

在本申请一实施例中，参考图2b所示，在栅极为U形栅极200时，遮光层400的覆盖区域至少包括有栅极200的第一交叠部201和第二交叠部202分别与条形部110的交叠区域，以及，包括有第一交叠部201和第二交叠部202之间对应的条形部110的区域，进而避免驱动晶体管TFT的沟道受光照影响，保证驱动晶体管TFT的导通和截止能力强。

在本申请一实施例中，数据线Data和第一电极301可以由同一金属层制作而成，进而数据线Data可以复用第一电极301。参考图3所示，为本申请实施例提供的一种数据线和半导体层的结构示意图，其中，所述数据线Data与所述第一电极301位于同一金属层，所述数据线Data复用所述第一电极301，且所述数据线Data在所述第二方向Y上与所述条形部110交叠设置。

需要说明的是，在本申请实施例提供的数据线Data中，其在第一电极301处的区域宽度可以与数据线Data本身宽度相同，还可以大于或小于数据线Data本身的宽度，对此本申请不做具体限制，需要根据实际应用进行具体设计。

以及，在本申请一实施例中，栅极线可以由栅极200之间相互连接组成，参考图4所示，为本申请实施例提供的一种栅极线的结构示意图，其中，每一所述像素电极列沿所述第二方向Y均包括第一像素电极至第N像素电极，N为不小于1的整数；

其中，在所有所述像素电极列的第i像素电极连接的所有驱动晶体管TFT中，分别与相邻两所述第i像素电极连接的两个驱动晶体管TFT，其分别对应的栅极200相互连接，以形成所述阵列基板的第i栅极线，i为不大于N的正整数。其中，结合图4所示，相邻两个栅极200之间通过一连接线210相连通，进而形成栅极线。

在本申请一实施例中，在所述栅极200呈U形时，连接到所述第i栅极线的相邻两个所述栅极200，其U形的开口朝向相反，对此本申请实施例不做具体限制，需要根据实际应用进行具体设计。采用朝向相反的两个U形栅极，在保证第一交叠部和第二交叠部之间的距离的同时，还可以灵活控制相邻两个驱动晶体管TFT的栅极的连接位置，配合像素电极的交错排布，最大化提高开口率。

参考图5所示，为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，其中，所述多个像素电极列定义为第一像素电极列P1至第M像素电极列Pm，且每一所述像素电极列沿所述第二方向Y均包括第一像素电极Pi1至第N像素电极Pin，N为不小于1的整数，M为不小于2的整数(其中，以N为4，M为3进行举例说明)；

其中，所有偶数的像素电极列的所有像素电极呈阵列排列，所有奇数的像素电极列的所有像素电极呈阵列排列，且所述偶数的像素电极列的第i像素电极所在区域，与所述奇数的像素电极列的第i像素电极所在区域在所述第二方向Y上错位排列，i为不大于N的正整数。如图5所示，奇数的像素电极列均超出于偶数的像素电极列，以适用于SPR(Sub Pixel Rendering，子像素渲染处理)技术类像素排布的显示装置，提高显示面板的显示分辨率，提升显示效果。

在本申请一实施例中，连接到所述第i栅极线的相邻两个栅极通过一连接线相连通；

其中，在连接到所述第i栅极线的相邻两个所述连接线中，一所述连接线位于与其相应的像素电极列的所述第i像素电极和第i+1像素电极之间，另一所述连接线自与其相应的像素电极列的所述第i像素电极所在区域绝缘横穿。其中，参考图5所示，分别定义为在第一方向X上相邻两个连接线分别为连接线211和连接线212，其中，连接线211位于第一像素电极列P1的第一像素电极Pi1和第二像素电极Pi2之间；以及，连接线212自第二像素电极列P2的第一像素电极Pi1所在区域绝缘横穿。

在本申请实施例提供的阵列基板中，其可以为顶栅型阵列基板，即驱动晶体管TFT可以为顶栅型驱动晶体管；还可以为底栅型阵列基板，即，驱动晶体管TFT可以为底栅型驱动晶体管，对此本申请不做具体限制。具体参考图6所示，为本申请实施例提供的一种顶栅型阵列基板的结构示意图，其中，所述阵列基板包括：

承载基板10；

位于所述承载基板10一侧的有源层，所述有源层包括所述半导体层100；

位于所述有源层背离所述承载基板10一侧的栅绝缘层20；

位于所述栅绝缘层20背离所述承载基板10一侧的第一金属层，所述第一金属层包括所述栅极200；

位于所述第一金属层背离所述承载基板10一侧的隔离层30；

以及，位于所述隔离层30背离所述承载基板10一侧的第二金属层，所述第二金属层包括第一电极301和第二电极302，其中，所述第一电极301和第二电极302分别通过过孔与所述第一连接部101和第二连接部102相接触设置。

以及，在第二金属层背离承载基板10一侧还具有另一隔离层40，且位于隔离层40背离承载基板10一侧具有像素电极Pi，像素电极Pi与第二电极302相接触连通。

以及，参考图7所示，为本申请实施例提供的一种底栅型阵列基板的结构示意图，其中，所述阵列基板包括：

承载基板10；

位于所述承载基板10一侧的第一金属层，所述第一金属层包括所述栅极200；

位于所述第一金属层背离所述承载基板10一侧的栅绝缘层50；

位于所述栅绝缘层50背离所述承载基板10一侧的有源层，所述有源层包括所述半导体层100；

位于所述有源层背离所述承载基板10一侧的第二金属层，所述第二金属层包括第一电极301和第二电极302，其中，所述第一电极301和第二电极302分别与所述第一连接部101和第二连接部102相接触设置。

以及，在第二金属层背离承载基板10一侧还具有另一隔离层60，且位于隔离层60背离承载基板10一侧具有像素电极Pi，像素电极Pi与第二电极302相接触连通。

相应的，本申请实施例还提供了一种显示装置，具体参考图8所示，为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图，其中，所述显示装置包括具有上述任意一实施例提供的阵列基板的显示面板1000；

以及，在显示装置为液晶显示装置时，显示装置还包括为显示面板1000提供背光源(如箭头所示)的背光源模组2000。

需要说明的是，本申请对于提供的显示装置的类型不做具体限制，如在本申请其他实施例中，显示装置还可以为有机发光显示装置。

本申请实施例提供了一种阵列基板及显示装置，包括沿第一方向排列的多个像素电极列和多条数据线，每一所述数据线对应一所述像素电极列，且所述数据线沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向交叉，所述数据线通过一驱动晶体管与相应所述像素电极列中一像素电极相连，其中，所述驱动晶体管包括：半导体层，所述半导体层包括沿第二方向延伸的条形部、在所述第二方向上与所述条形部的第一端连通的第一连接部和在所述第一方向上与所述条形部的第二端连通的第二连接部；与所述条形部绝缘交叠设置的栅极；以及，与所述第一连接部接触设置的第一电极，和与所述第二连接部接触设置的第二电极，其中，所述第一电极连接所述数据线，所述第二电极连接所述像素电极。

由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，驱动晶体管的半导体层包括条形部、第一连接部和第二连接部三部分组成，将条形部设置于像素电极在第一方向上的一侧，以将栅极与条形部的交叠区域设置于像素电极在第一方向上的一侧，以提高像素电极在第一方向上两侧的利用率，而可以使像素电极在第二方向上扩大面积，进而提升像素单元的开口率，提高显示装置的显示效果。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。