一种阵列基板、显示面板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术：

随着现有显示装置分辨率的提高，TDDI(触控与显示驱动器集成)等新技术和驱动电路的复杂化，显示装置中尤其是LTPS产品不可避免的在各个区域存在交叉的金属驱动引线(如栅线和数据线)。在这些金属引线交叉的位置容易发生静电击穿，从而导致数据线和栅线短路不良(Data-Gate Short，DGS不良)，进而导致异显等不良。

技术实现要素：

本实用新型提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，以解决引线交叉位置易发生静电击穿造成的异显的问题。

第一方面，本实用新型提供一种阵列基板，包括：交叉设置的第一金属引线和第二金属引线，在所述第一金属引线和所述第二金属引线交叉位置形成有寄生电容；

至少一个与所述寄生电容并联的保护电容，所述保护电容的至少一个电极与所述第一金属引线或所述第二金属引线同层设置，所述保护电容的两个电极在垂直于所述阵列基板的方向上相对设置，且所述保护电容的击穿电压小于所述寄生电容的击穿电压。

可选地，所述保护电容包括第一保护电容，所述第一保护电容的一个电极为与所述第一金属引线同层设置的第一辅助引线，所述第一辅助引线的两端与所述第一金属引线相连，所述第一辅助引线与所述第二金属引线形成所述第一保护电容。

可选地，所述保护电容还包括第二保护电容和第三保护电容；

其中，所述第二保护电容的一个电极为与所述第二金属引线同层设置的第二辅助引线，所述第二辅助引线的两端与所述第二金属引线相连，所述第二辅助引线与所述第一金属引线形成所述第二保护电容；所述第二辅助引线与所述第一辅助引线形成所述第三保护电容。

可选地，所述第一金属引线为栅线，所述第二金属引线为数据线；或者，所述第一金属引线为数据线，所述第二金属引线为栅线。

可选地，所述保护电容包括第四保护电容，所述第四保护电容的一个电极为与所述阵列基板的挡光层同层设置的第三辅助引线，所述第三辅助引线与所述第一金属引线通过过孔连接，所述第三辅助引线与所述第二金属引线形成所述第四保护保护电容。

可选地，所述保护电容还包括第五保护电容和第六保护电容，所述第五保护电容的一个电极为与所述二金属引线同层设置的第四辅助引线，所述第四辅助引线的两端与所述第二金属引线相连，所述第四辅助引线与所述第一金属引线形成所述第五保护电容；所述第四辅助引线与所述第三辅助引线形成所述第六保护电容。

可选地，所述阵列基板为LTPS-LCD阵列基板，所述第一金属引线为数据线。

第二方面，本实用新型还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。

第三方面，本实用新型还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

与现有技术相比，本实用新型实施例具有以下优点：

本实用新型实施例的阵列基板中设置至少一个与寄生电容并联的保护电容，且保护电容的至少一个电极与第一金属引线或第二金属引线同层设置，保护电容的击穿电压小于寄生电容的击穿电压，当静电累积到一定程度，保护电容首先被击穿，并释放静电，之后对保护电容所在位置进行修复，恢复阵列基板的功能。

附图说明

图1所示为现有技术的寄生电容位置结构示意图；

图2所示为保护电容与寄生电容并联的等效电路示意图；

图3所示为本实用新型实施例一的寄生电容与保护电容位置结构示意图；

图4所示为本实用新型实施例二的寄生电容与保护电容位置结构示意图；

图5所示为本实用新型实施例三的寄生电容与保护电容位置结构示意图；

图6所示为本实用新型实施例三的LIPS-LCD阵列基板层结构示意图；

图7所示为本实用新型实施例四的寄生电容与保护电容位置结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1所示为现有技术的寄生电容位置结构示意图，在第一金属引线1'与第二金属引线2'的交叉位置形成寄生电容C1'，在寄生电容C1'处易发生静电击穿，造成两条引线短路，从而造成显示不良等现象。

本实用新型实施例的阵列基板，包括交叉设置的第一金属引线和第二金属引线，在第一金属引线和第二金属引线交叉位置形成有寄生电容C1。还包括至少一个与寄生电容并联的保护电容C2，其等效电路示意图如图2所示。其中，保护电容C2的至少一个电极与第一金属引线或第二金属引线同层设置，保护电容C2的两个电极在垂直于阵列基板方向上相对设置，且保护电容C2的击穿电压小于寄生电容C1的击穿电压。

当静电累积到一定程度，保护电容首先被击穿，并释放静电，之后对保护电容所在位置进行修复，恢复阵列基板的功能，具体修复方式为对被击穿的保护电容进行激光切割方式，切断保护电容至少一个电极，从而使由于击穿造成的短路不良的阵列基板恢复功能。

实施例一

本实施例以第一金属引线为数据线，第二金属引线为栅线为例对保护电容的设置进行说明。当然，第一金属引线和第二金属引线可以是存在于阵列基板上的如数据线、栅线、维修线、公共电极线等任意两条相互交叉的金属线之间的组合，以下实施例并不构成对本实用新型实施例的限制。

参照图3所示，为本实用新型实施例一的寄生电容与保护电容位置结构示意图。在数据线1的一侧设置有与之同层设置的第一辅助引线11，该第一辅助引线11可以与数据线1平行设置，且两端与数据线1相连，在图3的位置31处由数据线1与栅线2交叉形成寄生电容C1，位置32处由第一辅助引线11与栅线2交叉形成第一保护电容C21。

具体的，第一辅助引线11的线宽小于数据线1的线宽，以使第一保护电容C21的击穿电压小于寄生电容C1的击穿电压。

这样，当有静电传到阵列基板上时，首先将位置32处的第一保护电容C21击穿，可以对位置31处的寄生电容C1进行保护，当第一保护电容C21被击穿后，数据线1与栅线2短路，产生异显等不良，此时，只需要用激光切割设备切断位置32处交叉位置前后的第一辅助引线11即可恢复阵列基板的功能。

图3位置32处形成第一保护电容，在基板的形成过程中无需增加特殊工艺，使用正常量产工艺即可，仅需在形成源漏层(SD层)的数据线时，改变掩膜板的形状，在与数据线平行位置形成图3所示的第一辅助引线即可。其他层结构的形成过程均为现有工艺，在此不再赘述。

实施例二

本实施例以第一金属引线为数据线，第二金属引线为栅线为例对保护电容的设置进行说明。当然，第一金属引线和第二金属引线可以是存在于阵列基板上的如数据线、栅线、维修线、公共电极线等任意两条相互交叉的金属线之间的组合，以下实施例并不构成对本实用新型实施例的限制。

参照图4所示，为本实用新型实施例二的寄生电容与保护电容位置结构示意图。在数据线1的一侧设置有与之同层设置的第一辅助引线11，该第一辅助引线11可以与数据线1平行设置，且两端与数据线1相连；在栅线2的一侧设置有与之同层设置的第二辅助引线21，该第二辅助引线21可以与栅线2平行设置，且两端与栅线2相连。在图5的位置41处由数据线1与栅线2交叉形成寄生电容C1，位置42处由第一辅助引线11与栅线2交叉形成第一保护电容C21；位置43处由第二辅助引线21与数据线1交叉形成第二保护电容C22；位置44处由第二辅助引线21与第一辅助引线11交叉形成第三保护电容C23。

具体的，第一辅助引线11的线宽小于数据线1的线宽，第二辅助引线21的线宽小于栅线2的线宽，则第三保护电容C23的击穿电压最小，寄生电容C1的击穿电压最大。

这样，当静电传到阵列基板上时，首先将位置44处的第三保护电容C23击穿，其次是第一保护电容C21或第二保护电容C22，可以对位置41处的寄生电容C1进行保护，当第三保护电容C23被击穿后，数据线1与栅线2短路，产生异显等不良，此时，只需用激光切割设备切断位置42交叉位置前后的第一辅助引线11或/和第二辅助引线21即可恢复阵列基板的功能。如果第一保护电容C21与第二保护电容C22同样被击穿，则切断相应位置的第一辅助引线11或第二辅助引线21即可。

形成上述三个保护电容，在阵列基板的形成过程中无需增加特殊工艺，使用正常量产工艺即可，仅需在形成SD层的数据线时，改变掩膜板的形状，在与数据线平行位置形成图4所示的第一辅助线以及在形成gate层的栅线是，改变其掩膜板的形状，在与栅线平行位置形成图4所示的第二辅助线即可。其他层结构的形成过程均为现有工艺，在此不再赘述。

实施例三

该实施例以LTPS-LCD阵列基板，第一辅助引线为数据线，第二金属引线为栅线为例进行说明。可以理解的是，第一金属引线和第二金属引线可以是存在于该阵列基板上的如数据线、栅线、维修线、公共电极线等任意两条相互交叉的金属线之间的组合，以下实施例并不构成对本实用新型的限制。

参照图5所示，为本实用新型实施例三的寄生电容与保护电容位置结构示意图。第三辅助引线13设置在阵列基板的挡光层(LS层)上，该第三辅助引线13通过过孔9与数据线1连接，在图5的位置51处由数据线1与栅线2交叉形成寄生电容C1，位置52处由第三辅助引线13与栅线2交叉形成第四保护电容C24。

具体的，可参照图6所示，该阵列基板可以是LTPS-LCD阵列基板，由位于LS层上的第三辅助电极13与栅线2形成第四保护电容C24的两个电极，两个电极间的介质为缓冲层(Buffer层)与栅极绝缘层(GI层)，通常二者的厚度分别为和寄生电容C1的两个电极分别为栅线2和数据线1，两个电极间的介质为绝缘层(ILD层)，通常厚度为一般第三辅助电极13的线宽小于数据线1的线宽，以使第四保护电容C24的击穿电压小于寄生电容C1的击穿电压。

这样，当有静电传到阵列基板上时，首先将位置52处的第四保护电容C24击穿，可以对位置51处的寄生电容C1进行保护，当第四保护电容C24被击穿后，数据线1和栅线2短路，产生异显等不良，此时，只需要用激光切割设备切断位置52处交叉位置前后的第三辅助引线13即可恢复阵列基板的功能。

如果第四保护电容C24的击穿电压大于寄生电容C1的击穿电压，可能位置51处的寄生电容C1被击穿，这样，只需切断位置51处交叉位置前后的数据线1即可，此时，在阵列基板中第三辅助引线13起到了数据线1的作用，可以使信号顺利通过数据线。

该实施例对应的阵列基板层结构示意图参照图6所示，在基板的形成过程中也没有增加特殊工艺，仅在形成ILD层，并对ILD层干刻时，增加刻蚀时间，增加过孔8的深度，使数据线1与第三辅助线连接即可，其他层结构的形成过程均与现有工艺相同，在此不再赘述。

实施例四

参照图7所示，为本实用新型实施例四的寄生电容与保护电容位置结构示意图。在栅线2的一侧设置有与之同层设置的第四辅助引线22，该第四辅助引线22可以与栅线2平行设置，且两端与栅线2相连；第三辅助引线13设置在阵列基板的LS层上，该第三辅助引线13通过过孔9与数据线1连接，在图7的位置71处由数据线1与栅线2交叉形成寄生电容C1，位置72处由第三辅助引线13与栅线2交叉形成第四保护电容C24，位置73处由第四辅助引线22与栅线2交叉形成第五保护电容C25，位置74处由第四辅助引线22与第三辅助引线13交叉形成第六保护电容C26。

具体的，该阵列基板可以是LTPS-LCD阵列基板，其形成第三辅助引线13的方式与实施例四类似，在此不再赘述，形成第四辅助引线22的方式与实施例二类似，在此也不再赘述。

这样，形成的第六保护电容C26的击穿电压最小，寄生电容C1的击穿电压最大。当静电传到阵列基板上时，首先将位置74处的第六保护电容C26击穿，其次是第四电容C24或第五电容C25，可以对位置71处的寄生电容C1进行保护，当第六保护电容C26被击穿后，数据线1与栅线2短路，产生异显等不良，此时，只需用激光切割谁把切断位置74处交叉位置前后的第四辅助引线22或/和第三辅助引线13即可恢复阵列基板的功能，如果第四保护电容C24与第五保护电容C25被击穿，则切断相应位置的第三辅助引线13或第四辅助引线22即可。

形成上述三个保护电容的工艺与上述实施例基本相同，在此不再赘述。

通过上述内容可知，本实用新型包括以下优点：

本实用新型实施例的阵列基板中设置至少一个与寄生电容并联的保护电容，且保护电容的至少一个电极与数据线或栅线同层设置，保护电容的击穿电压小于寄生电容的击穿电压，当静电累积到一定程度，保护电容首先被击穿，并释放静电，之后对保护电容所在位置进行修复，恢复阵列基板的功能。通过该方式形成保护电容，一旦发生静电击穿，只需切割掉击穿位置对应的辅助引线即可，易于维修。

本实用新型实施例还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于系统实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

尽管已描述了本实用新型实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。