技术总结
本实用新型公开一种阵列基板，包括交叉设置的第一金属引线和第二金属引线，在所述第一金属引线和所述第二金属引线交叉位置形成有寄生电容；至少一个与所述寄生电容并联的保护电容，所述保护电容的至少一个电极与所述第一金属引线或所述第二金属引线同层设置，所述保护电容的两个电极在垂直于所述阵列基板的方向上相对设置，且所述保护电容的击穿电压小于所述寄生电容的击穿电压。本实用新型实施例的阵列基板中设置至少一个与寄生电容并联的保护电容，且保护电容的至少一个电极与第一金属引线或第二金属引线同层设置，保护电容的击穿电压小于寄生电容的击穿电压，当静电累积到一定程度，保护电容首先被击穿，并释放静电。
技术研发人员：杨璐;史大为;王文涛;徐海峰;王金锋;闫雷;姚磊;李峰;武新国
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
文档号码：201721192299
技术研发日：2017.09.15
技术公布日：2018.04.06