1.一种曝光设备,其特征在于,包括
可旋转镜,所述可旋转镜将平行光束透过设置于其下方的掩膜板的开口部对基板上的光刻胶进行曝光,其中所述可旋转镜旋转以调节所述平行光束入射到所述掩膜板表面的入射方向。
2.根据权利要求1所述的曝光设备,其特征在于,还包括
光源,出射光束;
平面镜,将所述出射光束反射;
蝇眼透镜,接收所述平面镜反射的出射光束;以及
凹面镜,将从蝇眼透镜出射的光束形成所述平行光束并将所述平行光束入射到所述可旋转镜。
3.根据权利要求1或2所述的曝光设备,其特征在于,
所述开口部为相对于掩膜板的表面的竖直开口,并且
所述可旋转镜旋转以将所述平行光束相对于所述掩膜板表面的入射方向调节为竖直,得到第一线宽的光刻胶图案;
所述可旋转镜旋转以将所述平行光束相对于所述掩膜板表面的入射方向调节为倾斜,得到第二线宽的光刻胶图案,其中第一线宽大于第二线宽。
4.根据权利要求1或2所述的曝光设备,其特征在于,
所述开口部为相对于掩膜板表面的倾斜开口,且所述倾斜开口的相对倾斜侧壁设置为相互平行;并且
所述可旋转镜旋转以将所述平行光束相对于所述掩膜板表面的入射方向调节与所述开口的倾斜方向趋势相同,得到第三线宽的光刻胶图案;
所述可旋转镜旋转将所述平行光束的入射方向相对于所述掩膜板的表面调节为竖直,得到第四线宽的光刻胶图案;
所述可旋转镜旋转以将所述平行光束相对于所述掩膜板表面的入射方向与所述开口的倾斜方向趋势相反,得到第五线宽的光刻胶图案,
其中第三线宽大于第四线宽,第四线宽大于第五线宽。
5.一种曝光方法,其特征在于,包括
使平行光束透过掩膜板的开口部对基板上的光刻胶进行曝光,其中,所述平行光束相对于所述掩膜板表面的入射方向能够被调节,以使得被曝光的光刻胶图案的线宽能够被调节。
6.根据权利要求5所述的曝光方法,其特征在于,
光源出射光束;
平面镜将所述出射光束反射;
蝇眼透镜接收所述平面镜反射的出射光束;
凹面镜将从蝇眼透镜出射的光束形成所述平行光束并将所述平行光束入射到可旋转镜;以及
可旋转镜将平行光束透过设置于其下方的掩膜板的开口部对基板上的光刻胶进行曝光,其中所述可旋转镜旋转以调节所述平行光束入射到所述掩膜板表面的入射方向。
7.根据权利要求5或6所述的曝光方法,其特征在于,
所述开口部设置为相对于掩膜板的表面的竖直开口,并且
旋转所述可旋转镜以将所述平行光束相对于所述掩膜板表面的入射方向调节为竖直,得到第一线宽的光刻胶图案;
旋转所述可旋转镜以将所述平行光束相对于所述掩膜板表面的入射方向调节为倾斜,得到第二线宽的光刻胶图案,其中第一线宽大于第二线宽。
8.根据权利要求5或6所述的曝光方法,其特征在于,
所述开口部设置为相对于掩膜板表面的倾斜开口,且所述倾斜开口的相对倾斜侧壁设置为相互平行;并且
旋转所述可旋转镜以将所述平行光束相对于所述掩膜板表面的入射方向调节与所述开口的倾斜方向趋势相同,得到第三线宽的光刻胶图案;
旋转所述可旋转镜将所述平行光束的入射方向相对于所述掩膜板的表面调节为竖直,得到第四线宽的光刻胶图案;
旋转所述可旋转镜以将所述平行光束相对于所述掩膜板表面的入射方向与所述开口的倾斜方向趋势相反,得到第五线宽的光刻胶图案,
其中第三线宽大于第四线宽,第四线宽大于第五线宽。
9.一种彩膜基板的制作方法,其特征在于,包括
在衬底上形成黑矩阵材料;
在所述黑矩阵材料上形成光刻胶;
利用权利要求5-8中任一项所述的曝光方法形成光刻胶图案;
去除露出的黑矩阵材料形成黑矩阵;
在黑矩阵和露出的衬底上形成色阻材料;
利用权利要求5-8中任一项所述的曝光方法形成光刻胶图案,所述光刻胶图案覆盖所述露出的衬底上形成的色阻材料;
去除露出的色阻材料形成色阻层。
10.一种彩膜基板,其特征在于,利用权利要求9所述的制作方法制作得到。